- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11514 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisées par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H01L 27/11514
Brevets de cette classe: 200
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Micron Technology, Inc. | 26256 |
88 |
Intel Corporation | 47013 |
21 |
Kioxia Corporation | 10301 |
17 |
SK Hynix Inc. | 11380 |
12 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42863 |
6 |
Sandisk Technologies LLC | 1437 |
6 |
Sandisk Technologies Inc. | 4815 |
5 |
Monolithic 3D Inc. | 308 |
5 |
Kepler Computing Inc. | 304 |
5 |
Ferroelectric Memory GmbH | 73 |
4 |
Wuxi Smart Memories Technologies Co., Ltd. | 21 |
4 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 146534 |
3 |
Huawei Technologies Co., Ltd. | 113006 |
3 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2642 |
3 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. | 25869 |
2 |
Macronix International Co., Ltd. | 2558 |
2 |
Sony Semiconductor Solutions Corporation | 10489 |
2 |
Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd | 62 |
2 |
Sony Corporation | 31028 |
1 |
International Business Machines Corporation | 61287 |
1 |
Autres propriétaires | 8 |