- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/225 - Diffusion des impuretés, p. ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductricesRedistribution des impuretés, p. ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p. ex. une couche d'oxyde dopée
Détention brevets de la classe H01L 21/225
Brevets de cette classe: 1529
Historique des publications depuis 10 ans
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2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42863 |
161 |
International Business Machines Corporation | 61287 |
126 |
Texas Instruments Incorporated | 19448 |
60 |
Fuji Electric Co., Ltd. | 5158 |
51 |
Infineon Technologies AG | 8221 |
50 |
Infineon Technologies Austria AG | 2152 |
31 |
United Microelectronics Corp. | 4230 |
31 |
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1767 |
31 |
Hitachi Chemical Company, Ltd. | 2346 |
30 |
Applied Materials, Inc. | 18706 |
30 |
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6430 |
28 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 146534 |
24 |
Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation | 1033 |
24 |
Intel Corporation | 47013 |
23 |
Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 1540 |
23 |
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1383 |
20 |
Screen Holdings Co., Ltd. | 2831 |
19 |
Micron Technology, Inc. | 26256 |
18 |
Mitsubishi Electric Corporation | 46160 |
18 |
Toray Industries, Inc. | 6951 |
18 |
Autres propriétaires | 713 |