• Sections
  • G - Physique
  • G11C - Mémoires statiques
  • G11C 11/412 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules avec réaction positive, c.-à-d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p. ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt utilisant uniquement des transistors à effet de champ

Détention brevets de la classe G11C 11/412

Brevets de cette classe: 1630

Historique des publications depuis 10 ans

122
119
118
174
175
157
131
139
114
112
2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
45023
444
Qualcomm Incorporated
87191
93
Samsung Electronics Co., Ltd.
148649
62
Renesas Electronics Corporation
5946
56
ARM Limited
4749
35
United Microelectronics Corp.
4288
33
Intel Corporation
46703
32
International Business Machines Corporation
61694
30
Socionext Inc.
1573
29
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc.
6415
29
Tahoe Research, Ltd.
2189
27
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11527
26
Texas Instruments Incorporated
19486
21
Zeno Semiconductor, Inc.
250
21
iCometrue Company Limited
88
20
Micron Technology, Inc.
26395
18
Advanced Micro Devices, Inc.
5788
18
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives
10955
15
STMicroelectronics International N.V.
3334
15
Synopsys, Inc.
2755
14
Autres propriétaires 592