• Sections
  • G - Physique
  • G11C - Mémoires statiques
  • G11C 11/412 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules avec réaction positive, c.-à-d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p. ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt utilisant uniquement des transistors à effet de champ

Détention brevets de la classe G11C 11/412

Brevets de cette classe: 1600

Historique des publications depuis 10 ans

122
119
118
174
175
157
131
139
114
83
2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
43064
427
Qualcomm Incorporated
86023
93
Samsung Electronics Co., Ltd.
147131
61
Renesas Electronics Corporation
5990
56
Intel Corporation
47062
38
ARM Limited
4688
35
United Microelectronics Corp.
4244
33
International Business Machines Corporation
61353
30
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc.
6427
29
Socionext Inc.
1557
27
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11456
26
Texas Instruments Incorporated
19450
21
Zeno Semiconductor, Inc.
250
21
Tahoe Research, Ltd.
1955
20
iCometrue Company Limited
83
19
Advanced Micro Devices, Inc.
5688
18
Micron Technology, Inc.
26138
17
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives
10930
15
Synopsys, Inc.
2775
14
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation
1765
14
Autres propriétaires 586