- Sections
- G - Physique
- G11C - Mémoires statiques
- G11C 11/405 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c.-à-d. cellules dynamiques avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c.-à-d. rafraîchissement externe avec trois portes à transfert de charges, p. ex. transistors MOS, par cellule
Détention brevets de la classe G11C 11/405
Brevets de cette classe: 300
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11555 |
211 |
| Micron Technology, Inc. | 26672 |
15 |
| R&D 3 LLC | 17 |
11 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 149582 |
7 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46267 |
7 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
6 |
| Sharp Kabushiki Kaisha | 18601 |
5 |
| Bar-Ilan University | 438 |
4 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1119 |
4 |
| International Business Machines Corporation | 61792 |
2 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2537 |
2 |
| Shanghaitech University | 371 |
2 |
| POSTECH Research and Business Development Foundation | 914 |
2 |
| Kepler Computing Inc. | 316 |
2 |
| National Yang Ming Chiao Tung University | 346 |
2 |
| Qualcomm Incorporated | 87986 |
1 |
| Toshiba Corporation | 12546 |
1 |
| Intel Corporation | 46481 |
1 |
| Renesas Electronics Corporation | 5921 |
1 |
| Renesas Technology Corp. | 89 |
1 |
| Autres propriétaires | 13 |