• Sections
  • G - Physique
  • G11C - Mémoires statiques
  • G11C 11/405 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c.-à-d. cellules dynamiques avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c.-à-d. rafraîchissement externe avec trois portes à transfert de charges, p. ex. transistors MOS, par cellule

Détention brevets de la classe G11C 11/405

Brevets de cette classe: 300

Historique des publications depuis 10 ans

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2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11555
211
Micron Technology, Inc.
26672
15
R&D 3 LLC
17
11
Samsung Electronics Co., Ltd.
149582
7
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
46267
7
Zeno Semiconductor, Inc.
236
6
Sharp Kabushiki Kaisha
18601
5
Bar-Ilan University
438
4
Lodestar Licensing Group LLC
1119
4
International Business Machines Corporation
61792
2
Macronix International Co., Ltd.
2537
2
Shanghaitech University
371
2
POSTECH Research and Business Development Foundation
914
2
Kepler Computing Inc.
316
2
National Yang Ming Chiao Tung University
346
2
Qualcomm Incorporated
87986
1
Toshiba Corporation
12546
1
Intel Corporation
46481
1
Renesas Electronics Corporation
5921
1
Renesas Technology Corp.
89
1
Autres propriétaires 13