- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 33/10 - Gravure dans des solutions ou des bains fondus
Détention brevets de la classe C30B 33/10
Brevets de cette classe: 173
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 15455 |
16 |
| Changzhou Shichuang Energy Co.,Ltd. | 71 |
6 |
| Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1283 |
5 |
| Tokuyama Corporation | 1387 |
5 |
| QROMIS, Inc. | 96 |
4 |
| Changzhou S.C Exact Equipment Co., Ltd. | 16 |
4 |
| JX Metals Corporation | 115 |
4 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10923 |
3 |
| Nichia Corporation | 3699 |
3 |
| AXT, Inc. | 25 |
3 |
| Seoul Semiconductor Co., Ltd. | 1082 |
3 |
| Senic Inc. | 47 |
3 |
| Resonac Corporation | 2790 |
3 |
| Illinois Tool Works Inc. | 11461 |
2 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42636 |
2 |
| Kyocera Corporation | 13800 |
2 |
| Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5651 |
2 |
| National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3805 |
2 |
| The 13th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation | 125 |
2 |
| Element Six Technologies Limited | 192 |
2 |
| Autres propriétaires | 97 |