- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 25/00 - Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p. ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
Détention brevets de la classe C30B 25/00
Brevets de cette classe: 343
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10931 |
12 |
| Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | 4027 |
9 |
| Tsinghua University | 5940 |
9 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 15529 |
7 |
| Freiberger Compound Materials GmbH | 58 |
6 |
| QuNano AB | 40 |
6 |
| Impossible Diamond, Inc. | 18 |
6 |
| Applied Materials, Inc. | 18746 |
5 |
| Element Six Technologies Limited | 193 |
5 |
| Sixpoint Materials, Inc. | 60 |
5 |
| Fundación IMDEA Materiales | 18 |
5 |
| Oned Material, Inc. | 57 |
5 |
| Mitsubishi Chemical Corporation | 4525 |
4 |
| Aledia | 349 |
4 |
| Tokuyama Corporation | 1395 |
4 |
| The Regents of the University of California | 19961 |
3 |
| Denso Corporation | 24355 |
3 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11428 |
3 |
| Tokyo Electron Limited | 12762 |
3 |
| Nitride Solutions Inc. | 12 |
3 |
| Autres propriétaires | 236 |