- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 15/30 - Mécanismes pour faire tourner ou pour déplacer soit le bain fondu, soit le cristal
Détention brevets de la classe C30B 15/30
Brevets de cette classe: 208
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Globalwafers Co., Ltd. | 648 |
33 |
Siltronic AG | 423 |
19 |
Sumco Corporation | 1115 |
16 |
Meishan Boya Advanced Materials Co., Ltd. | 86 |
16 |
SK Siltron Co., Ltd. | 165 |
13 |
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1283 |
11 |
Siemens Medical Solutions USA, Inc. | 1521 |
7 |
Toyota Motor Corporation | 32869 |
6 |
TCL Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd. | 142 |
6 |
Pva Tepla AG | 16 |
4 |
ZHEJIANG JINGSHENG M & e CO., LTD | 27 |
4 |
Forschungsverbund Berlin e.V. | 194 |
3 |
Hanwha Corporation | 297 |
3 |
LG Siltron Inc. | 116 |
3 |
Hanwha Solutions Corporation | 874 |
3 |
Linton Crystal Technologies Corporation | 7 |
3 |
Xi'an Eswin Material Technology Co., Ltd. | 79 |
3 |
Centre National de La Recherche Scientifique | 10531 |
2 |
Crystal Systems Corporation | 17 |
2 |
Institut Polytechnique de Grenoble | 400 |
2 |
Autres propriétaires | 49 |