- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 15/14 - Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé
Détention brevets de la classe C30B 15/14
Brevets de cette classe: 410
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Globalwafers Co., Ltd. | 651 |
56 |
| Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1288 |
30 |
| Sumco Corporation | 1114 |
26 |
| Siltronic AG | 423 |
23 |
| Meishan Boya Advanced Materials Co., Ltd. | 87 |
22 |
| Hanwha Solutions Corporation | 887 |
17 |
| SK Siltron Co., Ltd. | 165 |
14 |
| Xi'an Eswin Material Technology Co., Ltd. | 79 |
14 |
| Siemens Medical Solutions USA, Inc. | 1508 |
10 |
| Hanwha Corporation | 299 |
10 |
| LONGi Green Energy Technology Co., Ltd. | 322 |
9 |
| Sumco TECHXIV Corporation | 100 |
6 |
| Xi'an ESWIN Silicon Wafer Technology Co., Ltd. | 24 |
6 |
| TCL Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd. | 142 |
6 |
| Toyota Motor Corporation | 33077 |
5 |
| Forschungsverbund Berlin e.V. | 194 |
5 |
| Jinko Solar Co., Ltd. | 241 |
5 |
| LG Siltron Inc. | 116 |
5 |
| Zing Semiconductor Corporation | 60 |
5 |
| Corner Star Limited | 95 |
5 |
| Autres propriétaires | 131 |