- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C01B - Éléments non métalliquesleurs composés
- C01B 32/186 - Préparation par dépôt chimique en phase vapeur [CVD]
Détention brevets de la classe C01B 32/186
Brevets de cette classe: 431
Historique des publications depuis 10 ans
|
34
|
42
|
52
|
41
|
50
|
42
|
40
|
27
|
30
|
7
|
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Tokyo Electron Limited | 13465 |
24 |
| Paragraf Limited | 85 |
24 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 153093 |
21 |
| Commonwealth Scientific and Industrial Research Organisation | 1664 |
7 |
| General Graphene Corp. | 18 |
7 |
| Centre National de La Recherche Scientifique | 10846 |
6 |
| Corning Incorporated | 10406 |
6 |
| Heiq Materials AG | 77 |
6 |
| Imam Abdulrahman Bin Faisal University | 575 |
6 |
| Agc, Inc. | 5264 |
6 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47071 |
5 |
| Massachusetts Institute of Technology | 10192 |
5 |
| National Taiwan University | 1295 |
5 |
| Aixtron SE | 327 |
5 |
| Universite Grenoble Alpes | 761 |
5 |
| Seoul National University R&db Foundation | 3968 |
5 |
| Versarien PLC | 52 |
5 |
| Dickinson Corporation | 21 |
5 |
| California Institute of Technology | 4011 |
4 |
| Purdue Research Foundation | 3831 |
4 |
| Autres propriétaires | 270 |