Abrégé

PtNiPtNiNi (at%) of Ni with respect to all the measurement points in the coating layer, is 0.3 to 20.0 inclusive, and the total number of measurement points at which the absolute deviation from the average value X is 0.3X or less in the coating layer is 50% or more with respect to the total number of measurement points in the coating layer.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine
• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• C22C 19/03 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de nickel

Abrégé

Provided is an aluminum connecting material that ensures excellent temperature cycle reliability and favorable first bonding strength. This aluminum connecting material contains 4.0-12.0 mass % of silicon and has a specific electric resistance Ra of 2.6 × 10 - 8Ωm to 3.6 × 10 - 8 Ωm. When the crystal orientation of an aluminum phase in an L cross-section (a cross-section in the central axis direction, including the central axis) of the aluminum connecting material is measured, the total of the orientation ratios of the <110> crystal orientation and the <111> crystal orientation in which the angle difference is 15° or less with respect to the central axis is 20-70%, but when the total of the orientation ratios is 25% or less, the orientation ratio of the <110> crystal orientation in which the angle difference is 15° or less with respect to the central axis direction is 5% or more.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• C22C 21/02 - Alliages à base d'aluminium avec le silicium comme second constituant majeur
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/043 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages d'alliages avec le silicium comme second constituant majeur

Abrégé

The present invention provides an Al bonding wire or an Al bonding ribbon, which is capable of securing good bonding strength even if used for a power semiconductor that has a thin structure or a high-density element structure in which an element is arranged directly below an electrode. This Al bonding wire or the Al bonding ribbon contains Si in an amount of 3.0 mass% to 20.0 mass% inclusive. In a region observed by X-ray CT analysis, the ratio (Vs/Vc × 100 (%)) of Vs to Vc is 0.02% to 4.00% inclusive, where Vs is the total volume of voids that each have a sphere equivalent diameter of 1 μm or more and less than 10 μm and Vc is the total volume of the measurement region. If Ns is the number of Si phases that each have a circle equivalent diameter of 0.5 μm to 0.8 μm inclusive in an L cross-section (a cross-section in the central axis direction including the central axis) and Nc is the number of Si phases that each have a circle equivalent diameter of 0.5 μm or more in the L cross-section, the ratio (Ns/Nc × 100 (%)) of Ns to Nc is 30% to 95% inclusive.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• C22C 21/00 - Alliages à base d'aluminium
• C22C 21/02 - Alliages à base d'aluminium avec le silicium comme second constituant majeur
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/04 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages

Abrégé

The present invention provides an Al bonding wire or an Al bonding ribbon, which exhibits good thermal cycling reliability that is required for a next-generation SiC power semiconductor device even in a high-temperature thermal cycling test, and which also exhibits good first bonding strength. The Al bonding wire or the Al bonding ribbon contains Si in an amount of 3.0 mass% to 20.0 mass% inclusive. When the Si concentration (atom%) in the depth direction from the surface of the Al bonding wire or the Al bonding ribbon is measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), the ratio Ca/Cb of the average concentration Ca of the Si element in a region a that has a depth of 5 nm to 50 nm inclusive from the surface to the average concentration Cb of the Si element in a region b that has a depth of 800 nm to 1,200 nm inclusive from the surface is 0.03 to 0.5 inclusive.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

The present invention provides an Al connection material that achieves excellent temperature cycle reliability and a good first bonding strength. Provided is an Al connection material comprising 3.0-12.0 mass% Si, wherein: when the crystal orientation of an Al phase in an L cross-section of the Al connection material is measured, the total of the orientation ratios of the <110> crystal orientation and the <111> crystal orientation for which the angle difference with respect to the center axis direction is not more than 15° is 20-70%, given that, when the total of said orientation ratio is 25% or less, the orientation ratio of the <110> crystal orientation for which is angle difference with respect to the center axis direction is not more than 15° is not less than 5%; and when the crystal orientation of the Si phase in the L cross-section of the Al connection material is measured, the orientation ratio of the <110> crystal orientation and the <111> crystal orientation for which the angle difference with respect to the center axis direction is not more than 15° is 20-70%.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• C22C 21/02 - Alliages à base d'aluminium avec le silicium comme second constituant majeur
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/043 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages d'alliages avec le silicium comme second constituant majeur

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide an Al bonding wire or an Al bonding ribbon exhibiting excellent temperature cycle reliability even in a temperature cycle test requiring a long cycle number required for a next-generation SiC power semiconductor. The Al bonding wire or the Al bonding ribbon contains 3.0-20.0 mass% of Si. When the crystal orientation of the Al phase in an L cross section (cross section in the central axis direction including the central axis) of the Al bonding wire or the Al bonding ribbon is measured, the orientation ratio of the 110 crystal orientation in which the angle difference is 15° or less with respect to the vertical direction (ND direction) of the central axis is 10-40%, and the orientation ratio of the 100 crystal orientation in which the angle difference is 15° or less with respect to the direction parallel to the central axis (RD direction) is 15-50%.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• C22C 21/02 - Alliages à base d'aluminium avec le silicium comme second constituant majeur
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/043 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages d'alliages avec le silicium comme second constituant majeur

Abrégé

Provided is an aluminum bonding wire or an aluminum bonding ribbon that is required for a next-generation SiC power semiconductor, and that exhibits excellent high-speed temperature cycle reliability even in a high-speed temperature cycle test with a long cycle count. This aluminum bonding wire or aluminum bonding ribbon contains 3.0-20.0 mass % of Si. When the crystal orientation of the Al phase in an L cross-section (cross-section in the central axis direction, including the central axis) of the aluminum bonding wire or aluminum bonding ribbon is measured, the orientation ratio of the <100> crystal orientation, in which the angle difference is 15° or less with respect to a direction parallel to the central axis (RD direction), is 15-50%. When the number of Si phases, in which the equivalent circle diameter in the L cross-section is 0.5-0.8 μm, is designated as Ns and the number of Si phases, in which the equivalent circle diameter in the L cross-section is 0.5 μm or more, is designated as Nc, the ratio [Ns/Nc×100(%)] of Ns to Nc is 30-95%.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• C22C 21/02 - Alliages à base d'aluminium avec le silicium comme second constituant majeur
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/043 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages d'alliages avec le silicium comme second constituant majeur

Abrégé

001020120122 is defined as a core portion, a volume ratio of a void having a sphere equivalent diameter of 1 μm or more and less than 10 μm in the core portion measured by X-ray CT analysis is defined as Rd, and a volume ratio of a void having a sphere equivalent diameter of 1 μm or more and less than 10 μm in the surface portion is defined as Rf, a ratio (Rf/Rd) is 0.005 or more and 0.50 or less.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• C22C 21/00 - Alliages à base d'aluminium
• C22C 21/02 - Alliages à base d'aluminium avec le silicium comme second constituant majeur
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/04 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages

Abrégé

The present invention addresses the problem of maintaining and improving productivity of a bonding process by improving a capillary tip's resistance to build-up while ensuring bonding reliability of a primary junction (also referred to as a 1st junction, an FAB junction, or a ball junction) and of a secondary junction (also referred to as a 2nd junction or a wedge junction), and the problem of providing such an Ag bonding wire.　The bonding wire that solves the aforementioned problem is this Ag bonding wire made of an Ag alloy containing: In at 0.05-3.0 mass%; one or more of Pd, Pt, and Au at 0.010-5.0 mass%; one or more of Sc, Ti, and Mn at 0.0005-0.050 mass%; and one or more of P, Zn, Bi, and Cu at 0-0.030 mass%.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• C22C 5/06 - Alliages à base d'argent
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/14 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des métaux nobles ou de leurs alliages

Abrégé

(A) the bonding wire contains one or more elements selected from the group consisting of Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Sn, Ta, W, Os, Ir, Pt, Au and Bi (hereinafter referred to as “first additive element”), and the total concentration of the first additive element relative to the entire wire is 5 ppm by mass or more and 450 ppm by mass or less.

Classes IPC  ?

• B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme
• B23K 20/00 - Soudage non électrique par percussion ou par une autre forme de pression, avec ou sans chauffage, p. ex. revêtement ou placage
• B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
• B23K 101/40 - Dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

Provided is an alloy-coated Cu bonding wire comprising: a core material made of Cu or a Cu alloy; and a coating layer formed on the surface of the core material and having a total concentration of Pd and Ni of 90 atom % or more. In the concentration profile in the depth direction of the wire measured by Auger electron spectroscopy (AES) for measurement points in the depth direction including at least 50 points in the depth direction of the coating layer, the thickness of the coating layer is 10-130 nm. The average value X of the ratio CPd/CNi of Pd concentration CPd (atomic%) and Ni concentration CNi (atomic%) for all of the measurement points in the covering layer is 0.1-35.0. The total number of measurement points in which the absolute deviation from the average value X in the coating layer is 0.3X or less is 50% or more of the total number of measurement points in the covering layer. The wire contains a first additional element at a total concentration of 5-450 mass ppm for the entirety of the wire.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

55Sn and a second phase mainly composed of AuSn, and thereby the occurrence of unevenness and shrinkage cavities in the surface is suppressed and sphericity is increased.

Classes IPC  ?

• B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
• B23K 35/14 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme non spécialement conçus pour servir d'électrodes pour le brasage
• C22C 5/02 - Alliages à base d'or
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

To provide an Al bonding wire for semiconductor devices that stably exhibits a favorable bonding strength at a second bonded part. An Al bonding wire for semiconductor devices containing equal to or larger than 0.01 mass % and smaller than 0.8 mass % of one or more of Sc, Zr, and Mg in total, wherein, as a result of measuring a crystal orientation on a cross-section parallel to a wire axis direction including a wire axis of the bonding wire, 10 an orientation ratio of a <100> crystal orientation angled at 15 degrees or less to the wire axis direction is equal to or higher than 30% and equal to or lower than 90%.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

To provide a novel Cu bonding wire that achieves a favorable FAB shape and a favorable bondability of the 2nd bonded part, and further achieves favorable bond reliability even in a rigorous high-temperature environment. The bonding wire for semiconductor devices includes: a core material of Cu or Cu alloy; and a coating layer containing conductive metal other than Cu formed on a surface of the core material, wherein the coating layer has a region containing Ni as a main component on a core material side, and has a region containing Au and Ni on a wire surface side, in a thickness direction of the coating layer, a thickness of the coating layer is 10 nm or more and 130 nm or less, a ratio CAu/CNi of a concentration CAu (mass %) of Au to a concentration CNi (mass %) of Ni relative to the entire wire is 0.02 or more and 0.7 or less, a concentration of Au at the surface of the wire is 10 atomic % or more and 90 atomic % or less, and at least one of the following conditions (i) and (ii) is satisfied: (i) a concentration of In relative to the entire wire is 1 ppm by mass or more and 100 ppm by mass or less (ii) a concentration of Ag relative to the entire wire is 1 ppm by mass or more and 500 ppm by mass or less.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• G01N 23/2276 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en mesurant l'émission secondaire de matériaux en mesurant l'effet photo-électrique, p. ex. microscopie d'émission photo-électronique [PEEM] en utilisant l’effet Auger, p. ex. spectroscopie électronique Auger

Abrégé

The bonding wire for semiconductor devices includes a core material of Cu or Cu alloy and a coating layer containing conductive metal other than Cu formed on a surface of the core material. The coating layer has a region containing Pd as a main component on a core material side, and has a region containing Ni and Pd in a range from a wire surface to a depth of 0.5 d, the thickness d (nm) of the coating layer is 10≤d≤130, a ratio of a concentration CNi (mass %) of Ni to a concentration CPd (mass %) of Pd relative to the entire wire is 0.02

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

There is provided a novel Cu bonding wire that achieves a favorable FAB shape and achieves a favorable bond reliability of the 2nd bonded part even in a rigorous high-temperature environment. The bonding wire for semiconductor devices is characterized in that the bonding wire includes: a core material of Cu or Cu alloy; and a coating layer containing conductive metal other than Cu formed on a surface of the core material, wherein the coating layer has a region containing Pd as a main component on a core material side, and has a region containing Ni and Pd in a range from a wire surface to a depth of 0.5 d when a thickness of the coating layer is defined as d (nm) in a thickness direction of the coating layer, the thickness d of the coating layer is 10 nm or more and 130 nm or less, a ratio CNi/CPd of a concentration CNi (mass %) of Ni to a concentration CPd (mass %) of Pd relative to the entire wire is 0.02 or more and 0.7 or less, a position indicating a maximum concentration of Ni is present in the range from the wire surface to a depth of 0.5 d in a concentration profile in a depth direction of the wire, and the maximum concentration of Ni is 10 atomic % or more, and at least one of the following conditions (i) and (ii) is satisfied: (i) a concentration of In relative to the entire wire is 1 ppm by mass or more and 100 ppm by mass or less (ii) a concentration of Ag relative to the entire wire is 1 ppm by mass or more and 500 ppm by mass or less.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• G01N 23/203 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en utilisant la diffraction de la radiation par les matériaux, p. ex. pour rechercher la structure cristallineRecherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en utilisant la diffusion de la radiation par les matériaux, p. ex. pour rechercher les matériaux non cristallinsRecherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en utilisant la réflexion de la radiation par les matériaux en mesurant la rétrodiffusion
• G01N 23/2276 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en mesurant l'émission secondaire de matériaux en mesurant l'effet photo-électrique, p. ex. microscopie d'émission photo-électronique [PEEM] en utilisant l’effet Auger, p. ex. spectroscopie électronique Auger

Abrégé

The bonding wire for semiconductor devices includes a core material of Cu or Cu alloy and a coating layer containing conductive metal other than Cu formed on a surface of the core material. The coating layer has a region containing Ni as a main component on a core material side, and has a region containing Au and Ni on a wire surface side, in a thickness direction of the coating layer, a thickness of the coating layer is 10 nm or more and 130 nm or less, a ratio of a concentration CAu (mass %) of Au to a concentration CNi (mass %) of Ni relative to the entire wire is 0.02

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• G01N 23/203 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en utilisant la diffraction de la radiation par les matériaux, p. ex. pour rechercher la structure cristallineRecherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en utilisant la diffusion de la radiation par les matériaux, p. ex. pour rechercher les matériaux non cristallinsRecherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en utilisant la réflexion de la radiation par les matériaux en mesurant la rétrodiffusion
• G01N 23/2276 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en mesurant l'émission secondaire de matériaux en mesurant l'effet photo-électrique, p. ex. microscopie d'émission photo-électronique [PEEM] en utilisant l’effet Auger, p. ex. spectroscopie électronique Auger

Abrégé

Au at a surface of the wire is from 10 atomic % to 85 atomic %. An average size of crystal grains in a circumferential direction of the wire is from 35 nm to 200 nm.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• G01N 23/203 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en utilisant la diffraction de la radiation par les matériaux, p. ex. pour rechercher la structure cristallineRecherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en utilisant la diffusion de la radiation par les matériaux, p. ex. pour rechercher les matériaux non cristallinsRecherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en utilisant la réflexion de la radiation par les matériaux en mesurant la rétrodiffusion
• G01N 23/2276 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en mesurant l'émission secondaire de matériaux en mesurant l'effet photo-électrique, p. ex. microscopie d'émission photo-électronique [PEEM] en utilisant l’effet Auger, p. ex. spectroscopie électronique Auger

Abrégé

Provided is an Al connection material that has excellent temperature cycle reliability and a fine first binding strength. This Al connection material contains 3.0-12.0 mass% of Si. When the crystal orientation of an Al-phase in an L-cross section of the Al connection material is measured, the total of the orientation ratio of the <110> crystal orientation and the <111> crystal orientation between which the angular difference with respect to the central axis direction is at least 15° is 30-70%. When the crystal orientation of a Si-phase in the L-cross section of the Al connection material is measured, the total of the orientation ratio of the <110> crystal orientation and the <111> crystal orientation between which the angular difference with respect to the central axis direction is at least 15° is 20-70%.

Classes IPC  ?

• C22C 21/02 - Alliages à base d'aluminium avec le silicium comme second constituant majeur
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/043 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages d'alliages avec le silicium comme second constituant majeur
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

Provided is an Al connecting material that can prevent occurrence of internal cracks during production and shows excellent temperature cycle reliability. An Al connecting material comprising 3.0% by mass-12.0% by mass inclusive of Si, wherein an average of ratios (c/d) of short side lengths c to long side lengths d of Al phases in L cross-section (cross-section including the central axis in the central axis direction) of the Al connecting material is 0.25-0.7 inclusive and an average of ratios (e/f) of short side lengths e to long side lengths f of Si phases in the L cross-section of the Al connecting material is 0.2-0.7 inclusive.

Classes IPC  ?

• C22C 21/02 - Alliages à base d'aluminium avec le silicium comme second constituant majeur
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/043 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages d'alliages avec le silicium comme second constituant majeur
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

Provided is an aluminum connecting material that ensures excellent temperature cycle reliability and favorable first bonding strength. This aluminum connecting material contains: 3.0-12.0% by mass of S; and a total of 5-800 ppm of one or more among Sr, Eu, and Na. The average value of ratio (e/f) of a short-side length e and a long-side length f of a Si phase in an L cross-section (a cross-section in the center axis direction including the center axis) of the aluminum connecting material is 0.25-0.65.

Classes IPC  ?

• C22C 21/02 - Alliages à base d'aluminium avec le silicium comme second constituant majeur
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/043 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages d'alliages avec le silicium comme second constituant majeur
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

The present invention provides an Al connection material which achieves excellent temperature cycle reliability and good first bonding strength. This Al connection material contains 4.0% by mass to 12.0% by mass of Si, and has a specific electrical resistance Ra of 2.6 × 10-8Ωm to 3.6 × 10-8 Ωm; and if crystal orientations of Al phases in an L-cross-section (a cross-section in the central axis direction including the central axis) of this Al connection material are measured, the total of the ratios of <110> crystal orientations and <111> crystal orientations having an angular difference of 15° or less with respect to the central axis is 30% to 70%.

Classes IPC  ?

• C22C 21/02 - Alliages à base d'aluminium avec le silicium comme second constituant majeur
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/043 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages d'alliages avec le silicium comme second constituant majeur
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

The present invention provides an Al bonding wire which achieves excellent temperature cycle reliability and good first bond performance. This Al bonding wire contains 3.0 mass% to 10.0 mass% of Si, and the average diameter of Si phases in a central axis direction cross-section (L cross-section) including the wire central axis of the Al alloy bonding wire is 0.8 µm to 5.5 µm.

Classes IPC  ?

• C22C 21/02 - Alliages à base d'aluminium avec le silicium comme second constituant majeur
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/043 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages d'alliages avec le silicium comme second constituant majeur
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

Provided is an Al connection material which can suppress generation of internal cracks when being manufactured and which exhibits excellent temperature cycle reliability. This Al connection material contains 3.0-12.0 mass% of Si and contains at least one of Sr, Na, Eu, and Ca in a total amount of 5-800 mass ppm.

Classes IPC  ?

• C22C 21/02 - Alliages à base d'aluminium avec le silicium comme second constituant majeur
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/043 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages d'alliages avec le silicium comme second constituant majeur
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

There is provided an Al wiring material which can achieve sufficient bond reliability of bonded parts in a high-temperature environment at the time when a semiconductor device operates. The Al wiring material containing one or more of Pd and Pt so as to satisfy There is provided an Al wiring material which can achieve sufficient bond reliability of bonded parts in a high-temperature environment at the time when a semiconductor device operates. The Al wiring material containing one or more of Pd and Pt so as to satisfy 3≤x1a≤90 or 10≤x1b≤250, and There is provided an Al wiring material which can achieve sufficient bond reliability of bonded parts in a high-temperature environment at the time when a semiconductor device operates. The Al wiring material containing one or more of Pd and Pt so as to satisfy 3≤x1a≤90 or 10≤x1b≤250, and 3≤(x1a+x1b)≤300, where x1a and x1b are respectively a content of Pd [mass ppm] and a content of Pt [mass ppm], with the balance comprising Al, and an average crystal grain diameter on a cross-section perpendicular to a longitudinal direction of the Al wiring material is 3 to 35 μm.

Classes IPC  ?

• C22C 21/14 - Alliages à base d'aluminium avec le cuivre comme second constituant majeur avec du silicium
• C22C 1/02 - Fabrication des alliages non ferreux par fusion
• C22C 21/00 - Alliages à base d'aluminium
• C22C 21/02 - Alliages à base d'aluminium avec le silicium comme second constituant majeur
• C22C 21/08 - Alliages à base d'aluminium avec le magnésium comme second constituant majeur avec du silicium
• C22C 21/16 - Alliages à base d'aluminium avec le cuivre comme second constituant majeur avec du magnésium
• C22F 1/043 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages d'alliages avec le silicium comme second constituant majeur
• C22F 1/047 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages d'alliages avec le magnésium comme second constituant majeur
• C22F 1/057 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages d'alliages avec le cuivre comme second constituant majeur
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

There is provided a novel Al wiring material that achieves both of a suppression of chip damage and a thermal shock resistance. In aspect 1, the Al wiring material includes an Al core material and an Al coating layer formed on a surface of the Al core material, and satisfies 1.2≤H1h/H1s where H1h is a Vickers hardness of the Al core material (Hv) and H1s is a Vickers hardness of the Al coating layer (Hv). In aspect 2, the Al wiring material includes an Al core material and an Al coating layer formed on a surface of the Al core material, and satisfies 1.2≤H2h/H2s where H2s is a Vickers hardness of the Al core material (Hv) and H2h is a Vickers hardness of the Al coating layer (Hv).

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

To provide an Al bonding wire exhibiting a favorable high-temperature and high-humidity service life in a high-temperature and high-humidity environment required for next-generation vehicle-mounted power devices. The Al bonding wire for semiconductor devices containing equal to or larger than 3 mass ppm and equal to or smaller than 500 mass ppm of one or more of Pd and Pt in total, in which, as a result of measuring a crystal orientation on a cross section parallel to a wire axis direction including a wire axis of the bonding wire, an orientation ratio of a <100> crystal orientation angled at 15 degrees or less to the wire axis direction is equal to or higher than 30% and equal to or lower than 90%.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

PdNiPdNiPdNiPdNiAuAu of Au on the surface of the wire is 10-85 at%; and the average size of crystal grains in the wire circumferential direction, as obtained by analyzing the surface of the wire by means of an electron backscattering diffraction (EBSD) method, is 35-200 nm.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

0-100-100-100-100-100-10 is less than or equal to 80 atom %.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

There is provided a novel Cu bonding wire that achieves a favorable FAB shape and achieve a favorable bond reliability of the 2nd bonding part even in a rigorous high-temperature environment. The bonding wire for semiconductor devices includes a core material of Cu or Cu alloy, and a coating layer having a total concentration of Pd and Ni of atomic % or more formed on a surface of the core material. The bonding wire is characterized in that: in a concentration profile in a depth direction of the wire obtained by performing measurement using Auger electron spectroscopy (AES) so that the number of measurement points in the depth direction is 50 or more for the coating layer, a thickness of the coating layer is 10 nm or more and 130 nm or less, an average value X is 0.2 or more and 35.0 or less where X is defined as an average value of a ratio of a Pd concentration CPd (atomic %) to an Ni concentration CNi (atomic %), CPd/CNi, for all measurement points in the coating layer, the total number of measurement points in the coating layer whose absolute deviation from the average value X is or less is 50% or more relative to the total number of measurement points in the coating layer, and the bonding wire satisfies at least one of following conditions (i) and (ii): (i) a concentration of In relative to the entire wire is 1 ppm by mass or more and 100 ppm by mass or less; and (ii) a concentration of Ag relative to the entire wire is 1 ppm by mass or more and 500 ppm by mass or less.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

There is provided a novel Cu bonding wire that achieves a favorable FAB shape and reduces a galvanic corrosion in a high-temperature environment to achieve a favorable bond reliability of the 2nd bonding part. The bonding wire for semiconductor devices includes a core material of Cu or Cu alloy, and a coating layer having a total concentration of Pd and Ni of 90 atomic % or more formed on a surface of the core material. The bonding wire is characterized in that: in a concentration profile in a depth direction of the wire obtained by performing measurement using Auger electron spectroscopy (AES) so that the number of measurement points in the depth direction is 50 or more for the coating layer, a thickness of the coating layer is 10 nm or more and 130 nm or less, an average value X is 0.2 or more and 35.0 or less where X is defined as an average value of a ratio of a Pd concentration CPd (atomic %) to an Ni concentration CNi (atomic %), CPd/CNi, for all measurement points in the coating layer, and the total number of measurement points in the coating layer whose absolute deviation from the average value X is 0.3× or less is 50% or more relative to the total number of measurement points in the coating layer.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

There is provided a novel Al wiring material that achieves a favorable high-temperature reliability as well as a favorable workability and bondability during installation and connection to a device. The Al wiring material contains Mg and Si so as to satisfy 0.05≤x1a≤2.5, 0.02≤x1b≤1, and 0.1≤(x1a+x1b)≤3 where x1a is a content of Mg [% by mass] and x1b is a content of Si [% by mass], and contains one or more selected from the group consisting of Sc, Er, Yb, Gd, Ce and Y so as to satisfy 0.001≤x2≤0.5 where x2 is a total content thereof [% by mass], with the balance comprising Al.

Classes IPC  ?

• B23K 35/28 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 950 C
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme
• C22C 21/02 - Alliages à base d'aluminium avec le silicium comme second constituant majeur
• C22C 21/08 - Alliages à base d'aluminium avec le magnésium comme second constituant majeur avec du silicium

Abrégé

(ii) a concentration of Ag relative to the entire wire is 1 ppm by mass or more and 500 ppm by mass or less.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

the total number of measurement points in the coating layer whose absolute deviation from the average value X is 0.3X or less is 50% or more relative to the total number of measurement points in the coating layer.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

There is provided an Ag alloy bonding wire for semiconductor devices which exhibits a favorable bond reliability in a high-temperature environment even when using a mold resin of high S content and can suppress a chip damage at the time of ball bonding. The Ag alloy bonding wire is characterized by containing at least one element selected from the group consisting of Pd and Pt (hereinafter referred to as a “first element”) and at least one element selected from the group consisting of P, Cr, Zr and Mo (hereinafter referred to as a “second element”) so as to satisfy There is provided an Ag alloy bonding wire for semiconductor devices which exhibits a favorable bond reliability in a high-temperature environment even when using a mold resin of high S content and can suppress a chip damage at the time of ball bonding. The Ag alloy bonding wire is characterized by containing at least one element selected from the group consisting of Pd and Pt (hereinafter referred to as a “first element”) and at least one element selected from the group consisting of P, Cr, Zr and Mo (hereinafter referred to as a “second element”) so as to satisfy 0.05     ≤     x 1     ≤     3.0 ,     and There is provided an Ag alloy bonding wire for semiconductor devices which exhibits a favorable bond reliability in a high-temperature environment even when using a mold resin of high S content and can suppress a chip damage at the time of ball bonding. The Ag alloy bonding wire is characterized by containing at least one element selected from the group consisting of Pd and Pt (hereinafter referred to as a “first element”) and at least one element selected from the group consisting of P, Cr, Zr and Mo (hereinafter referred to as a “second element”) so as to satisfy 0.05     ≤     x 1     ≤     3.0 ,     and 15   ≤   x 2   ≤   700 There is provided an Ag alloy bonding wire for semiconductor devices which exhibits a favorable bond reliability in a high-temperature environment even when using a mold resin of high S content and can suppress a chip damage at the time of ball bonding. The Ag alloy bonding wire is characterized by containing at least one element selected from the group consisting of Pd and Pt (hereinafter referred to as a “first element”) and at least one element selected from the group consisting of P, Cr, Zr and Mo (hereinafter referred to as a “second element”) so as to satisfy 0.05     ≤     x 1     ≤     3.0 ,     and 15   ≤   x 2   ≤   700 where x1 is a total concentration of the first element [at.%] and x2 is a total concentration of the second element [at. ppm], with the balance including Ag.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

There is provided an Al bonding wire which can achieve a sufficient bonding reliability of bonded parts of the bonding wire under a high temperature state where a semiconductor device using the Al bonding wire is operated. The Al bonding wire contains 0.01 to 1% of Sc, and further contains 0.01 to 0.1% in total of at least one or more of Y, La, Ce, Pr and Nd. With regard to the Al bonding wire, a recrystallization temperature thereof is increased, so that the proceeding of recrystallization of the bonding wire can be suppressed, and strength of the wire can be prevented from being decreased even when the semiconductor device is continuously used under a high temperature environment. Accordingly, the Al bonding wire can sufficiently secure the reliability of the bonded parts after a high-temperature long-term hysteresis.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

There is provided a bonding wire for semiconductor devices that exhibits a favorable bondability even when being applied to wedge bonding at the room temperature, and also achieves an excellent bond reliability. The bonding wire includes a core material of Cu or Cu alloy (hereinafter referred to as a “Cu core material”), and a coating containing a noble metal formed on a surface of the Cu core material. A concentration of Cu at a surface of the wire is 30 to 80 at%.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

There is provided an Al bonding wire which can achieve a sufficient bonding reliability of bonded parts of the bonding wire under a high temperature state where a semiconductor device using the Al bonding wire is operated. The Al bonding wire is characterized in that the wire contains 0.02 to 1% by mass of Fe, further contains 0.05 to 0.5% by mass in total of at least one or more of Mn and Cr, and the balance includes Al and inevitable impurities, wherein a total content of Fe, Mn and Cr in solid solution is 0.01 to 1% by mass. The Al bonding wire contains Mn and Cr in addition to Fe, so that Fe, Mn and Cr can be promoted to form a solid solution in quenching treatment after the solution treatment. Accordingly, the Al bonding wire can achieve an effect of solid-solution strengthening of the wire due to the increase in the total content of Fe, Mn and Cr in solid solution and an effect of preventing recrystallization from proceeding during use of the semiconductor device at a high temperature for a long time.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

2O (Cu[I]) corresponding to monovalent Cu falls within a range from 0.8 to 12.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• G01N 23/2273 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en mesurant l'émission secondaire de matériaux en mesurant l'effet photo-électrique, p. ex. microscopie d'émission photo-électronique [PEEM] en mesurant le spectre photo-électronique, p. ex. spectroscopie électronique pour l’analyse chimique [ESCA] ou spectroscopie photo-électronique par rayon X [XPS]

Abrégé

In a copper alloy bonding wire for semiconductor devices, the bonding longevity of a ball bonded part under high-temperature and high-humidity environments is improved. The copper alloy bonding wire for semiconductor devices includes in total 0.03% by mass or more to 3% by mass or less of at least one or more kinds of elements selected from Ni, Zn, Ga, Ge, Rh, In, Ir, and Pt (first element), with the balance Cu and inevitable impurities. The inclusion of a predetermined amount of the first element suppresses production of an intermetallic compound susceptible to corrosion under high-temperature and high-humidity environments at the wire bonding interface and improves the bonding longevity of a ball bonded part.

Classes IPC  ?

• C22C 9/04 - Alliages à base de cuivre avec le zinc comme second constituant majeur
• B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme
• B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
• C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

There is provided a copper bonding wire having an improved storage life in the atmosphere. There is specifically provided a copper bonding wire for semiconductor devices characterized in that a density of crystal grain boundary on a surface of the wire is 0.6 (μm/μm2) or more and 1.6 (μm/μm2) or less.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

AuNiAuNiNi (mass%) of Ni with respect to the wire overall being 0.02-0.7, the concentration of Au in the surface of the wire being 10-90 at%, and at least one of conditions (i) and (ii) being satisfied.　(i): The concentration of In with respect to the wire overall is 1-100 mass ppm. (ii): The concentration of Ag with respect to the wire overall is 1-500 mass ppm.

Classes IPC  ?

• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

AuNiAuNiNi (mass%) with respect to the entirety of the wire is 0.02-0.7; and the Au concentration in a surface of the wire is 10-90 atm%.

Classes IPC  ?

• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

PdNiPdNiNi (at%) of Ni with respect to all the measurement points in the coating layer, is 0.2-35.0; and the total number of measurement points for which the absolute deviation from the average value X in the coating layer is 0.3X or less is at least 50% of the total number of measurement points in the thickness layer.

Classes IPC  ?

• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

NiPdNiPdPd (mass%) of Pd with respect to the wire overall being 0.02-0.7, the position of maximum concentration of Ni in the concentration profile in the depth direction of the wire being in a depth range of 0.5d from the wire surface, and the maximum concentration of Ni being 10 at% or greater.

Classes IPC  ?

• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

NiPdNiPdPd (% by mass) of Pd in the entirety of the wire is 0.02 to 0.7 inclusive. This bonding wire for semiconductor devices is also characterized in that: with respect to the concentration profile in the depth direction of the wire as determined by Auger electron spectroscopy (AES), the position at which the Ni concentration is maximum is within the region from the wire surface to the depth of 0.5d, if d (µm) is the thickness of the coating layer; and the maximum concentration of Ni is 10% by atom or more. This bonding wire for semiconductor devices is further characterized in that if a free air ball (FAB) is formed using this bonding wire, in the concentration profile in the depth direction from the front end surface of the FAB, the average concentration of Ni is 0.3% by atom or more if the total concentration of Cu, Pd and Ni is taken as 100% by atom in a region A that extends from 20 nm to 200 nm in the depth direction from the front end surface of the FAB.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre

Abrégé

NiPdNiPdPd (mass%) in terms of the entire wire being 0.02 to 0.7; the location indicating the maximum Ni concentration in a concentration profile in the depth direction of the wire being in the depth range of 0.5d from the wire surface; the maximum Ni concentration being at least 10 atom%; and at least one of conditions (i) and (ii) below being satisfied.　(i) the concentration of In in terms of the entire wire is 1 mass ppm to 100 mass ppm (ii) the concentration of Ag in terms of the entire wire is 1 mass ppm to 500 mass ppm

Classes IPC  ?

• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

PdNi PdNiNi (% by atom) of Ni at all measurement points of the coating layer, the average X is from 0.2 to 35.0; the number of measurement points that have an absolute deviation of 0.3X or less from the average X in the coating layer is 50% or more relative to the total number of measurement points in the coating layer; and at least one of the conditions (i) and (ii) described below is satisfied.　(i) The In concentration relative to the entirety of the wire is from 1 ppm by mass to 100 ppm by mass. (ii) The Ag concentration relative to the entirety of the wire is from 1 ppm by mass to 500 ppm by mass.

Classes IPC  ?

• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

PdNiPdNiNi (at%) for all measurement points in the cladding layer, said average value X is 0.2 to 35.0, and the number of measurement points in the cladding layer that are within an absolute deviation of 0.3X from the average value X is 50% or more of the total number of measurement points in the cladding layer. After this bonding wire has been subjected to an encapsulation process using an encapsulating resin material with an S concentration of 20 mass ppm or greater to obtain an encapsulated body, when the encapsulated body is subjected to a heating process for 50 hours at 250°C, Ni sulfides are produced on the wire surface side of the cladding layer in the thickness direction of the cladding layer.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre

Abrégé

NiPdNiPdPd (mass%) relative to the whole wire is 0.02–0.75. In a concentration profile in the thickness direction of the wire, obtained by auger electron spectroscopy (AES) measurement, the position of maximum Ni concentration is within the range of a depth of 0.5d from the wire surface when the thickness of the covering layer is d (μm). The maximum Ni concentration is at least 10 atom%. An Ni sulfide is generated on the wire surface side of the coating layer, in the thickness direction of the coating layer, when a sealed body is obtained by sealing the bonding wire using a sealing resin material that has a S concentration of at least 20 mass ppm and the sealed body is heated for 50 hours at 250°C.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre

Abrégé

PdNiPdNiNi (% by atom) of Ni at all the measurement points of the coating layer, the average X is 0.2 to 35.0 inclusive; and the total number of measurement points that have an absolute deviation of 0.3X or less from the average X in the coating layer is 50% or more relative to the total number of measurement points in the coating layer. This bonding wire for semiconductor devices is also characterized in that if a free air ball (FAB) is formed using this bonding wire, in the concentration profile in the depth direction from the front end surface of the FAB, the average concentration of Ni is 0.3% by atom or more if the total concentration of Cu, Pd and Ni is taken as 100% by atom in a region A that ranges from 20 nm to 200 nm in depth from the front end surface of the FAB.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre

Abrégé

There is provided an Al wiring material which suppresses a chip crack and achieves thermal shock resistance while suppressing lowering of a yield at the time of manufacture. The Al wiring material contains at least Sc and Zr so as to satisfy 0.01≤x1≤0.5 and 0.01≤x2≤0.3 where x1 is a content of Sc [% by weight] and x2 is a content of Zr [% by weight], with the balance comprising Al.

Classes IPC  ?

• C22C 21/00 - Alliages à base d'aluminium
• C21D 8/06 - Modification des propriétés physiques par déformation en combinaison avec, ou suivie par, un traitement thermique pendant la fabrication de barres ou de fils
• C22C 16/00 - Alliages à base de zirconium
• C22C 19/03 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de nickel
• C22C 28/00 - Alliages à base d'un métal non mentionné dans les groupes

Abrégé

An object of the present invention is to provide an Ag alloy bonding wire for a semiconductor device capable of extending the high-temperature life of a wire, reducing chip damage during ball bonding, and improving characteristics such as ball bonding strength in applications of on-vehicle memory devices. The Ag alloy bonding wire for a semiconductor device according to the present invention contains one or more of In and Ga for a total of 110 at ppm or more and less than 500 at ppm, and one or more of Pd and Pt for a total of 150 at ppm or more and less than 12,000 at ppm, and a balance being made up of Ag and unavoidable impurities.

Classes IPC  ?

• B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
• C22C 5/06 - Alliages à base d'argent
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

1h1s1h1s2h2s2s2h2h (Hv) (embodiment 2).

Classes IPC  ?

• C22C 21/00 - Alliages à base d'aluminium
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/04 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

The present invention provides an Al bonding wire for semiconductor devices, which makes it possible to stably provide satisfactory bonding strength at a 2nd bonding part. Provided is an Al bonding wire for semiconductor devices, which contains at least one element selected from Sc, Zr and Mg in a total amount of 0.01% by mass or more and less than 0.8% by mass, and has a property such that, when the crystal orientation of a cross-section that includes a wire axis of the bonding wire and is parallel to the direction of the wire axis is measured, the orientation ratio of <100> crystal orientation having an angle difference relative to the direction of the wire axis of 15 degrees or less is 30% to 90% inclusive.

Classes IPC  ?

• C22C 21/00 - Alliages à base d'aluminium
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/04 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

Provided is an Al bonding wire for semiconductor devices that offers good service life under high temperatures and high humidity in the high-temperature, high-humidity environments required for next-generation vehicle-mounted power devices. The present invention is an Al bonding wire for semiconductor devices including a total of 3-500 mass ppm of one or more of Pd and Pt, wherein a <100> crystal orientation with an angular difference of 15 degrees or less with respect to the wire axis direction constitutes a proportion of 30-90% of crystal orientations when the crystal orientation of a cross section that includes the wire axis of the bonding wire and is parallel to the wire axis direction is measured.

Classes IPC  ?

• C22C 21/00 - Alliages à base d'aluminium
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/04 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

Provided is an Al wiring material with which the joined reliability of a joint under high-temperature environments during the operation of a semiconductor device can be sufficiently obtained. An Al wiring material contains at least one among Pd and Pt, with the balance comprising Al, wherein: when the content of Pd is x1a [mass ppm] and the content of Pt is x1b [mass ppm], 3≤x1a≤90 or 10≤x1b≤250 is satisfied and 3≤(x1a＋x1b)≤300 is satisfied; and the average crystal grain diameter in a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the Al wiring material is 3-35 μm.

Classes IPC  ?

• C22C 21/00 - Alliages à base d'aluminium
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/04 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

Provided is a joint structure. The joint structure includes a first structure, and a second structure joined to the first structure via a joint portion formed of a Au—Sn-based alloy, wherein a thickness of the joint portion is 3 μm or more and 50 μm or less.

Classes IPC  ?

• B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
• B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme
• B23K 101/40 - Dispositifs semi-conducteurs
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

There is provided an Al bonding wire which can provide a sufficient bonding reliability of bonded parts of the bonding wire under a high temperature state where a semiconductor device using the Al bonding wire is operated. The bonding wire is composed of Al or Al alloy, and is characterized in that an average crystal grain size in a cross-section of a core wire in a direction perpendicular to a wire axis of the bonding wire is 0.01 to 50 μm, and when measuring crystal orientations on the cross-section of the core wire in the direction perpendicular to the wire axis of the bonding wire, a crystal orientation <111> angled at 15 degrees or less to a wire longitudinal direction has a proportion of 30 to 90% among crystal orientations in the wire longitudinal direction.

Classes IPC  ?

• B23K 20/00 - Soudage non électrique par percussion ou par une autre forme de pression, avec ou sans chauffage, p. ex. revêtement ou placage
• B23K 35/00 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage
• B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme
• B23K 35/28 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 950 C
• C22F 1/04 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid de l'aluminium ou de ses alliages
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• B23K 101/40 - Dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

There is provided a metal-coated Al bonding wire which can provide a sufficient bonding reliability of bonded parts of the bonding wire under a high temperature state where a semiconductor device using the metal-coated Al bonding wire is operated. The bonding wire includes a core wire of Al or Al alloy, and a coating layer of Ag, Au or an alloy containing them formed on the outer periphery of the core wire, and the bonding wire is characterized in that when measuring crystal orientations on a cross-section of the core wire in a direction perpendicular to a wire axis of the bonding wire, a crystal orientation <111> angled at 15 degrees or less to a wire longitudinal direction has a proportion of 30 to 90% among crystal orientations in the wire longitudinal direction. Preferably, the surface roughness of the wire is 2 μm or less in terms of Rz.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• B32B 15/01 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal toutes les couches étant composées exclusivement de métal
• C21D 9/52 - Traitement thermique, p. ex. recuit, durcissement, trempe ou revenu, adapté à des objets particuliersFours à cet effet pour fils métalliquesTraitement thermique, p. ex. recuit, durcissement, trempe ou revenu, adapté à des objets particuliersFours à cet effet pour bandes métalliques

Abrégé

Provided is a novel Ag alloy bonding wire for a semiconductor device, the wire being required for high-density mounting and having an excellent performance for deforming into a pressed-ball during the ball bonding. The Ag alloy bonding wire for a semiconductor device contains at least one element selected from the group consisting of Te, Bi, and Sb, and comprises Ag alloy that satisfies at least one among the following conditions (1)-(3): (1) The concentration of Te is 5-500 at. ppm; (2) The concentration of Bi is 5-500 at. ppm; and (3) The concentration of Sb is 5-1,500 at. ppm.

Classes IPC  ?

• C22C 5/06 - Alliages à base d'argent
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/14 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des métaux nobles ou de leurs alliages
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

Bonding wire for semiconductor devices contains one or more of Be, B, P, Ca, Y, La, and Ce in a total of 0.031 at % to obtain a 0.180 at %, further contains one or more of In, Ga, and Cd in a total of 0.05 at % to 5.00 at %, and has a balance of Ag and unavoidable impurities. Due to this, it is possible to obtain a bonding wire for semiconductor devices sufficiently forming an intermetallic compound layer at a ball bond interface to secure the bond strength of the ball bond, not causing neck damage even in a low loop, having a good leaning characteristic, and having a good FAB shape.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• C22C 5/10 - Alliages à base d'argent avec le cadmium comme second constituant majeur
• C22C 5/06 - Alliages à base d'argent

Abrégé

Provided is a novel aluminum wiring material that brings good high-temperature reliability and has good workability and bondability during installation and connection to a device. The aluminum wiring material is characterized by: containing Mg and Si; when the content of Mg is x1a [mass%] and the content of Si is x1b [mass%], 0.05 ≤ x1a ≤ 2.5, 0.02 ≤ x1b ≤ 1, and 0.1 ≤ (x1a + x1b) ≤ 3 being satisfied; further containing one or more elements selected from the group consisting of Sc, Er, Yb, Gd, Ce, and Y; when the total content thereof is x2 [mass%], 0.001 ≤ x2 ≤ 0.5 being satisfied; and the remainder including Al.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

Provided is a novel Al wiring material that exhibits good high-temperature reliability while suppressing an increase in strength at room temperature. The Al wiring material is characterized by containing at least one selected from the group consisting of Er, Yb, and Gd, wherein: when the total content of said at least one is x1 (mass%), 0.001≤x1≤0.6; and the remainder contains Al.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

Provided is an Ag alloy bonding wire for a semiconductor device, wherein even when a mold resin having a high S content is used, good bonding reliability can be exhibited in a high temperature environment and chip damage during ball bonding can be suppressed. The Ag alloy bonding wire contains at least one element (hereinafter referred to as "first element") selected from the group consisting of Pd and Pt, and at least one element (hereinafter referred to as "second element") selected from the group consisting of P, Cr, Zr, and Mo, with the remainder comprising Ag, wherein 0.05≤x1≤3.0 and 15≤x2≤700 are satisfied, where x1 is the total concentration [at. %] of the first element and x2 is the total concentration [at. ppm] of the second element.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

Provided is an Al bonding wire with which sufficient joint reliability can be obtained at bonding wire joint portions in a high-temperature state where a semiconductor device using the Al bonding wire is operated. This Al bonding wire is characterized by containing, in mass%, 0.02-1% of Fe and further containing a total of 0.05-0.5% of at least one of Mn and Cr, with the balance comprising Al and inevitable impurities and a total solid solution amount of Fe, Mn, and Cr accounting for 0.01-1%. Since solid solution of Fe, Mn, and Cr can be facilitated through quenching processing after solution treatment by containing Mn and Cr in addition to Fe, it is possible to exhibit a wire solid solution reinforcing effect due to increase of the total solid solution amount of Fe, Mn, and Cr and a recrystallization progress prevention effect when a semiconductor device is used at high temperature for a long time.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

Provided is a bonding wire for a semiconductor device which has good bondability even if the bonding wire is used for wedge bonding at normal temperature, and which is excellent in bond reliability. The bonding wire has a core material comprising Cu or a Cu alloy (hereinafter referred to as "Cu core material"), and a coating containing a noble metal and provided over a surface of the Cu core material. The Cu concentration of a surface of the wire is 30-80 at%.

Classes IPC  ?

• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• C22C 9/04 - Alliages à base de cuivre avec le zinc comme second constituant majeur
• C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
• C25D 7/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par l'objet à revêtir
• C25D 7/06 - FilsBandesFeuilles
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

Provided is an Al bonding wire that, in a high temperature state in which a semiconductor device using the AI bonding wire is operated in a high temperature state, delivers sufficient bonding reliability at a bonding wire bonding site. The Al bonding wire contains Sc in an amount of 0.01-1%, and at least one of Y, La, Ce, Pr, and Nd in a combined amount of 0.01-0.1%. This configuration raises the wire recrystallization temperature, and thus even if a semiconductor device is used continuously in a high temperature environment, the progression of bonding wire recrystallization can be suppressed and thereby a reduction in wire strength can be prevented. As a result, the bonding site reliability can be sufficiently preserved even after a long high-temperature history.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a Cu alloy bonding wire for a semiconductor device, the bonding wire being capable of meeting performance levels required in high-density LSI applications. A Cu alloy bonding wire for a semiconductor device according to the present invention is characterized in that, from among crystal orientations of a wire surface, a <100> crystal orientation, a <110> crystal orientation, and a <111> crystal orientation that have an angular difference of 15 degrees or less relative to a direction perpendicular to one plane including the wire center axis are present in proportions of at least 3% and less than 27% in terms of average area ratio.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

22222O which corresponds to monovalent Cu is 0.8 to 12.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

Provided is copper bonding wire that has improved storage lifespan in the atmosphere. Specifically, semiconductor device copper bonding wire, in which the crystal grain boundary density at the surface is 0.6 (µm/µm2) or more and 1.6 (µm/µm2) or less, is provided.

Classes IPC  ?

• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• C22C 9/02 - Alliages à base de cuivre avec l'étain comme second constituant majeur
• C22C 9/04 - Alliages à base de cuivre avec le zinc comme second constituant majeur
• C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
• C22C 9/10 - Alliages à base de cuivre avec le silicium comme second constituant majeur
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide an Ag alloy bonding wire for semiconductor devices which is capable of increasing the high-temperature lifetime of a wire, reducing chip damage at the time of ball joining, and improving characteristics such as ball joint strength for vehicle mounted memory device applications. The Ag alloy bonding wire for semiconductor devices according to the present invention is characterized by comprising 110 at. ppm or more but less than 500 at. ppm in total of one or more of In and Ga, 150 at. ppm or more but less than 12000 at. ppm in total of one or more of Pd and Pt, and the balance Ag and inevitable impurities.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• C22C 5/06 - Alliages à base d'argent
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/14 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des métaux nobles ou de leurs alliages

Abrégé

The present invention provides an Al wiring material that suppresses a decrease in yield during production while also achieving both heat shock resistance and suppression of chip cracking. The Al wiring material contains at least Sc and Zr, satisfies both 0.01≤x1≤0.5 and 0.01≤x2≤0.3, where x1 represents the Sc content (wt%) and x2 represents the Zr content (wt%), and contains Al as the remainder.

Classes IPC  ?

• H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
• H01B 5/02 - Barres, barreaux, fils ou rubans simplesBarres omnibus
• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

It is an object to provide a Cu alloy bonding wire for a semiconductor device that can satisfy required performance in high-density LSI applications. In the Cu alloy bonding wire for a semiconductor device according to the present invention, each of abundance ratios of crystal orientations <100>, <110> and <111> having an angular difference of 15 degrees or less from a direction perpendicular to one plane including a wire center axis out of crystal orientations on a wire surface is 3% or more and less than 27% in average area percentage.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion

Abrégé

Provided is a Pd coated Cu bonding wire for a semiconductor device capable of sufficiently obtaining bonding reliability of a ball bonded portion in a high temperature environment of 175° C. or more, even when the content of sulfur in the mold resin used in the semiconductor device package increases. The bonding wire for a semiconductor device comprises a Cu alloy core material; and a Pd coating layer formed on a surface of the Cu alloy core material; and contains 0.03 to 2% by mass in total of one or more elements selected from Ni, Rh, Ir and Pd in the bonding wire and further 0.002 to 3% by mass in total of one or more elements selected from Li, Sb, Fe, Cr, Co, Zn, Ca, Mg, Pt, Sc and Y. The bonding wire can be sufficiently obtained bonding reliability of a ball bonded portion in a high temperature environment of 175° C. or more, even when the content of sulfur in the mold resin used in the semiconductor device package increases by being used.

Classes IPC  ?

• H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion
• H01L 23/29 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par le matériau
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

The present invention provides a junction structure, a method for manufacturing the junction structure, and solder balls which can improve quality. A junction structure 11 comprises: a first structure 12; and a second structure 16 joined to the first structure 12 via a joint portion 14 composed of an Au-Sn alloy, the joint portion 14 having a thickness t of 3-50 μm.

Classes IPC  ?

• B23K 1/00 - Brasage ou débrasage
• C22C 5/02 - Alliages à base d'or
• B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C

Abrégé

Provided is a metal-coated Al bonding wire with which sufficient bond reliability can be obtained at bonding wire bond portions in high temperature states at which a semiconductor device using the metal-coated Al bonding wire is operated. The bonding wire is characterized in that: the bonding wire comprises a core wire that is formed from Al or an Al alloy, and a coating layer that is formed in the periphery of the core wire and formed from Ag, Au or an alloy containing Ag and Au; and a crystal orientation <111> angled at 15° or less with respect to the longitudinal direction of the wire makes up a proportion of 30-90% of crystal orientations in a core material cross section in the direction perpendicular to the wire axis. The surface roughness of the wire is preferably 2μm or less in terms of Rz.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

Provided is an Al bonding wire with which sufficient bond reliability can be obtained at bonding wire bond portions in high temperature states at which a semiconductor device using the Al bonding wire is operated. The Al bonding wire is characterized in that: the Al bonding wire comprises Al or an Al alloy; the average crystal grain size in a core material cross section in the direction perpendicular to the wire axis is 0.01-50μm; and a crystal orientation <111> angled at 15° or less with respect to the longitudinal direction of the wire makes up a proportion of 30-90% of crystal orientations in the wire longitudinal direction according to the results of crystal orientation measurements performed on a core material cross section in the direction perpendicular to the wire axis.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

The present invention provides a bonding wire for a semiconductor device, where the bonding wire can inhibit wear of capillary. In a Cu alloy bonding wire for a semiconductor device, a total of abundance ratios of a crystal orientations <110> and <111> having an angular difference of 15 degrees or less from a direction perpendicular to one plane including a wire center axis is to crystal orientations on a wire surface 40% or more and 90% or less, in average area percentage.

Classes IPC  ?

• H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

The present invention provides a Cu alloy bonding wire for a semiconductor device, where the bonding wire can satisfy requirements of high-density LSI applications. In the Cu alloy bonding wire for a semiconductor device, the abundance ratio of a crystal orientation <110> having an angular difference of 15 degrees or less from a direction perpendicular to one plane including a wire center axis to crystal orientations on a wire surface is 25% or more and 70% or less in average area percentage.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
• H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a Cu alloy bonding wire for a semiconductor device, the bonding wire being capable of satisfying the required performance of high-density LSI applications. A Cu alloy bonding wire for a semiconductor device according to the present invention is characterized in that, among crystal orientations of a wire surface, the abundance ratio of a <100> crystal orientation, a <110> crystal orientation, and a <111> crystal orientation that have an angular difference of 15 degrees or less relative to a direction perpendicular to one plane including the wire center axis is at least 3% and less than 27% in terms of average area ratio.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur

Abrégé

A bonding wire for a semiconductor device includes a Cu alloy core material and a Pd coating layer formed on a surface thereof, and the boding wire contains one or more elements of As, Te, Sn, Sb, Bi and Se in a total amount of 0.1 to 100 ppm by mass. The bonding longevity of a ball bonded part can increase in a high-temperature and high-humidity environment, improving the bonding reliability. When the Cu alloy core material further contains one or more of Ni, Zn, Rh, In, Ir, Pt, Ga and Ge in an amount, for each, of 0.011 to 1.2% by mass, it is able to increase the reliability of a ball bonded part in a high-temperature environment of 170° C. or more. When an alloy skin layer containing Au and Pd is further formed on a surface of the Pd coating layer, wedge bondability improves.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

The present invention provides a bonding wire for a semiconductor device suitable for cutting-edge high-density LSIs and on-vehicle LSIs by improving the formation rate of Cu—Al IMC in ball bonds. A bonding wire for a semiconductor device contains Pt of 0.1 mass % to 1.3 mass %, at least one dopant selected from a first dopant group consisting of In, Ga, and Ge, for a total of 0.05 mass % to 1.25 mass %, and a balance being made up of Cu and incidental impurities.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages

Abrégé

Provided is a Pd-coated Cu bonding wire for semiconductor devices with which sufficient joining reliability at a ball joining portion is obtained in high-temperature environments of 175°C or higher even when the sulfur content in a mold resin used for a semiconductor device package increases. A bonding wire for semiconductor devices which has a Cu alloy core and a Pd-coating layer formed on the surface of the Cu alloy core, contains therein 0.03-2 mass%, in total, of at least one of Ni, Rh, Ir, and Pd, and further contains therein 0.002-3 mass%, in total, of at least one of Li, Sb, Fe, Cr, Co, Zn, Ca, Mg, Pt, Sc, and Y. With use of the abovementioned bonding wire, sufficient joining reliability at a ball joining portion is obtained in high-temperature environments of 175°C or higher even when the sulfur content in a mold resin used for a semiconductor device package increases.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

A bonding wire for a semiconductor device includes a Cu alloy core material and a Pd coating layer formed on a surface thereof, and the boding wire contains one or more elements of As, Te, Sn, Sb, Bi and Se in a total amount of 0.1 to 100 ppm by mass. The bonding longevity of a ball bonded part can increase in a high-temperature and high-humidity environment, improving the bonding reliability. When the Cu alloy core material further contains one or more of Ni, Zn, Rh, In, Ir, Pt, Ga and Ge in an amount, for each, of 0.011 to 1.2% by mass, it is able to increase the reliability of a ball bonded part in a high-temperature environment of 170° C. or more. When an alloy skin layer containing Au and Pd is further formed on a surface of the Pd coating layer, wedge bondability improves.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

Provided is a Cu alloy bonding wire for a semiconductor device, the bonding wire being capable of satisfying the requirements of high-density LSI applications. The Cu alloy bonding wire for a semiconductor device is characterized in that, among the crystal orientations of the wire surface, the abundance ratio of <110> crystal orientation having an angular difference of 15 degrees or less relative to a direction perpendicular to one plane including the wire center axis is 25%-70% as an average area ratio.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

Provided is a bonding wire for a semiconductor device that can suppress capillary wear. A Cu alloy bonding wire for a semiconductor device is characterized in that, among crystal orientations of a wire surface, the total of the abundance ratio of a <110> crystal orientation and a <111> crystal orientation in which the angle difference with respect to the direction perpendicular to one plane including the wire center axis is 15 degrees or less is 40 to 90% in terms of average area ratio.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

The present invention has as its object the provision of a bonding wire for semiconductor devices mainly comprised of Ag, in which bonding wire for semiconductor devices, the bond reliability demanded for high density mounting is secured and simultaneously a sufficient, stable bond strength is realized at a ball bond, no neck damage occurs even in a low loop, the leaning characteristic is excellent, and the FAB shape is excellent. To solve this problem, the bonding wire for semiconductor devices according to the present invention contains one or more of Be, B, P, Ca, Y, La, and Ce in a total of 0.031 at % to obtain a 0.180 at %, further contains one or more of In, Ga, and Cd in a total of 0.05 at % to 5.00 at %, and has a balance of Ag and unavoidable impurities. Due to this, it is possible to obtain a bonding wire for semiconductor devices sufficiently forming an intermetallic compound layer at a ball bond interface to secure the bond strength of the ball bond, not causing neck damage even in a low loop, having a good leaning characteristic, and having a good FAB shape.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• C22C 5/10 - Alliages à base d'argent avec le cadmium comme second constituant majeur
• C22C 5/06 - Alliages à base d'argent

Abrégé

A bonding wire for a semiconductor device, which is suitable for on-vehicle devices bonding wire, has excellent capillary wear resistance and surface flaw resistance while ensuring high bonding reliability and further satisfies overall performance including ball formability and wedge bondability, the bonding wire including: a Cu alloy core material; a Pd coating layer formed on a surface of the Cu alloy core material; and a Cu surface layer formed on a surface of the Pd coating layer, in which the bonding wire for semiconductor device contains Ni, a concentration of the Ni in the bonding wire is 0.1 to 1.2 wt. %, the Pd coating layer is 0.015 to 0.150 μm in thickness, and the Cu surface layer is 0.0005 to 0.0070 μm in thickness.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• C22C 9/04 - Alliages à base de cuivre avec le zinc comme second constituant majeur
• C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
• B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
• B32B 15/01 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal toutes les couches étant composées exclusivement de métal
• B32B 15/20 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comportant de l'aluminium ou du cuivre

Abrégé

Provided is a semiconductor-device bonding wire suitable for the state-of-the-art high-density LSI or an onboard LSI, the semiconductor-device bonding wire having an improved rate of formation of Cu-Al IMC in a ball-bonding portion. The semiconductor-device bonding wire is characterized by comprising not less than 0.1 mass % and not more than 1.3 mass % of Pt, and not less than 0.05 mass % and not more than 1.25 mass % in total of at least one selected from a first added element group consisting of In, Ga, and Ge, the remainder being Cu and inevitable impurities.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages

Abrégé

A bonding wire for a semiconductor device includes a Cu alloy core material and a Pd coating layer formed on a surface thereof. Containing an element that provides bonding reliability in a high-temperature environment improves the bonding reliability of the ball bonded part in high temperature. Furthermore, making an orientation proportion of a crystal orientation <100> angled at 15 degrees or less to a wire longitudinal direction among crystal orientations in the wire longitudinal direction 30% or more when measuring crystal orientations on a cross-section of the core material in a direction perpendicular to a wire axis of the bonding wire, and making an average crystal grain size in the cross-section of the core material in the direction perpendicular to the wire axis of the bonding wire 0.9 to 1.5 μm provides a strength ratio of 1.6 or less.

Classes IPC  ?

• B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme
• B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• C22C 9/04 - Alliages à base de cuivre avec le zinc comme second constituant majeur
• C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
• B32B 15/01 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal toutes les couches étant composées exclusivement de métal
• B32B 15/00 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal
• C23C 30/00 - Revêtement avec des matériaux métalliques, caractérisé uniquement par la composition du matériau métallique, c.-à-d. non caractérisé par le procédé de revêtement
• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine
• B23K 101/40 - Dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

Strength ratio=ultimate strength/0.2% offset yield strength.  (1)

Classes IPC  ?

• B23K 35/00 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage
• B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme
• B32B 15/01 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal toutes les couches étant composées exclusivement de métal
• B32B 15/00 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal
• C23C 30/00 - Revêtement avec des matériaux métalliques, caractérisé uniquement par la composition du matériau métallique, c.-à-d. non caractérisé par le procédé de revêtement
• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
• C22C 9/04 - Alliages à base de cuivre avec le zinc comme second constituant majeur
• C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine
• B23K 101/40 - Dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

A bonding wire for a semiconductor device includes a Cu alloy core material and a Pd coating layer on a surface of the Cu alloy core material, and contains Ga and Ge of 0.011 to 1.2% by mass in total, which is able to increase bonding longevity of the ball bonded part in the high-temperature, high-humidity environment, and thus to improve the bonding reliability. The thickness of the Pd coating layer is preferably 0.015 to 0.150 μm. When the bonding wire further contains one or more elements of Ni, Ir, and Pt in an amount, for each element, of 0.011 to 1.2% by mass, it is able to improve the reliability of the ball bonded part in a high-temperature environment at 175° C. or more. When an alloy skin layer containing Au and Pd is further formed on a surface of the Pd coating layer, wedge bondability improves.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• C22C 5/04 - Alliages à base d'un métal du groupe du platine
• B32B 15/00 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal
• C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur

Abrégé

Provided is a multilayer metal ball having excellent spacer function and high bonding reliability. The multilayer metal ball 1 comprises a core ball 2 formed from Sn or Sn alloy, and an intermediate plated layer 3 of which the thickness is optimally selected so as to enable the formation of the multilayer metal ball 1 having high sphericity, thereby achieving high bonding reliability. In the multilayer metal ball 1, the intermediate plated layer 3 is thickly formed on the surface of the core ball 2, whereby deformation of the ball during application of load or heating in a reflow step can be suppressed, thus achieving stable spacer function. Accordingly, the multilayer metal ball 1 having excellent spacer function and high bonding reliability is provided.

Classes IPC  ?

• B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/02 - Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes comportant un enrobage des particules
• B23K 35/14 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme non spécialement conçus pour servir d'électrodes pour le brasage
• B23K 35/26 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 400°C
• C22C 13/00 - Alliages à base d'étain
• C22C 13/02 - Alliages à base d'étain avec l'antimoine ou le bismuth comme second constituant majeur
• C22C 19/03 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de nickel

Abrégé

Provided is a multilayer metal ball having a superior spacer function and high bond reliability. With this multilayer metal ball 1, deformation thereof when the multilayer metal ball 1 has been mounted to an electronic component can be suppressed, and to that extent, a multilayer metal ball 1 having a superior spacer function in a three-dimensional mounting such as a layered structure or an MCM can be achieved. Additionally, a multilayer metal ball with good sphericity can be achieved with this multilayer metal ball 1, and thus, to that extent, stability in array positioning during bonding is increased and bonding defects can be suppressed, and an effect of isotropically dispersing thermal warping during bonding can be increased. Thus, superior bond reliability in a post-mounting thermal cycling evaluation can be had with this multilayer metal ball 1. Consequently, a multilayer metal ball having a superior spacer function and high bond reliability is provided.

Classes IPC  ?

• B23K 35/14 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme non spécialement conçus pour servir d'électrodes pour le brasage
• B22F 1/02 - Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes comportant un enrobage des particules
• B23K 35/26 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 400°C
• C22C 13/00 - Alliages à base d'étain
• C22C 13/02 - Alliages à base d'étain avec l'antimoine ou le bismuth comme second constituant majeur
• C22C 19/03 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de nickel

Abrégé

Provided is a multilayer metal ball having a superior spacer function and high bond reliability. In this multilayer metal ball 1, the thickness of an intermediate plating layer 3 can be made more uniform and irregularity in an interface between the intermediate plating layer 3 and an outer layer 4 can be reduced. Thus, this multilayer metal ball 1 has good sphericity, and accordingly, stability in array positioning during bonding is increased and high bond reliability can be obtained. Additionally, with this multilayer metal ball 1, deformation thereof when the multilayer metal ball 1 has been mounted to an electronic component can be suppressed by stipulating the relationship between the Vickers hardnesses of a core ball 2 and the intermediate plating layer 3, and accordingly, a multilayer metal ball 1 having a superior spacer function can be achieved. Consequently, a multilayer metal ball 1 having a superior spacer function and high bond reliability is provided.

Classes IPC  ?

• B23K 35/14 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme non spécialement conçus pour servir d'électrodes pour le brasage
• B22F 1/02 - Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes comportant un enrobage des particules
• B23K 35/26 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 400°C
• C22C 13/00 - Alliages à base d'étain
• C22C 13/02 - Alliages à base d'étain avec l'antimoine ou le bismuth comme second constituant majeur
• C22C 19/03 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de nickel

Abrégé

This copper alloy bonding wire for a semiconductor device achieves improvement in the ball bond life in high temperature, high humidity environments. This semiconductor device bonding wire is characterized by containing a 0.03-3 mass% total of one or more elements selected from Ni, Zn, Ga, Ge, Rh, In, Ir and Pt (first elements), the remainder being Cu and unavoidable impurities. By containing a prescribed amount of the first elements, the occurrence of intermetallic compounds, prone to corrosion in high temperature high humidity environments, is suppressed in the wire bonding interface, and ball bond life is improved.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• C22C 9/04 - Alliages à base de cuivre avec le zinc comme second constituant majeur
• C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur

Abrégé

This copper alloy bonding wire for a semiconductor device achieves improvement in the ball bond life in high temperature, high humidity environments. This semiconductor device bonding wire is characterized by containing a 0.03-3 mass% total of at least one of Ni, Zn, Ga, Ge, Rh, In, Ir and Pt (the first alloy group), the remainder being Cu and unavoidable impurities. By containing a prescribed amount of the first alloy group, the occurrence of intermetallic compounds, prone to corrosion in high temperature high humidity environments, is suppressed in the wire bonding interface, and ball bond life is improved.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement

Abrégé

The present invention provides a bonding wire capable of simultaneously satisfying ball bonding reliability and wedge bondability required of bonding wires for memories, the bonding wire including a core material containing one or more of Ga, In, and Sn for a total of 0.1 to 3.0 at % with a balance being made up of Ag and incidental impurities; and a coating layer formed over a surface of the core material, containing one or more of Pd and Pt, or Ag and one or more of Pd and Pt, with a balance being made up of incidental impurities, wherein the coating layer is 0.005 to 0.070 μm in thickness.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme
• B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
• B23K 35/32 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à plus de 1550°C

Abrégé

The objective of the present invention is to provide a bonding wire for semiconductor devices, which is mainly composed of Ag and achieves a sufficient and stable bonding strength at a ball joint, and which prevents the occurrence of neck damage even in a low loop, while having good leaning characteristics and a good FAB shape. In order to achieve the above-mentioned objective, a bonding wire for semiconductor devices according to the present invention is characterized by containing one or more elements selected from among Be, B, P, Ca, Y, La and Ce in an amount of 0.031-0.180% by atom in total and additionally containing one or more elements selected from among In, Ga and Cd in an amount of 0.05-5.00% by atom in total, with the balance made up of Ag and unavoidable impurities. Consequently, this bonding wire for semiconductor devices is able to ensure a bonding strength at a ball joint by forming a sufficient intermetallic compound layer at the bonding interface of a ball, while preventing the occurrence of neck damage even in a low loop and having good leaning characteristics and a good FAB shape.

Classes IPC  ?

• H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement