Abrégé

A space power module (SPM) can include a plurality of solar cells, a plurality of interconnect elements, and a plurality of planar pieces of cover glass forming a mosaic sheet of cover glass overlaying light receiving surfaces of the plurality of solar cells. Each interconnect element can connect two adjacent solar cells of the plurality of solar cells and can be arranged in-plane relative to the two adjacent cells. The plurality of planar pieces of cover glass can cover at least portions of the plurality of interconnect elements.

Classes IPC  ?

• H10F 19/80 - Encapsulations ou conteneurs pour des dispositifs intégrés, ou des ensembles de plusieurs dispositifs, comportant des cellules photovoltaïques
• H10F 19/35 - Structures pour la connexion de cellules photovoltaïques adjacentes, p. ex. interconnexions ou espaceurs isolants
• H10F 71/00 - Fabrication ou traitement des dispositifs couverts par la présente sous-classe

Abrégé

Systems and methods are presented including solar cells or solar sheets having textured coversheets that provide increased light collection efficiency. Some embodiments include a textured solar coversheet configured for installation on a surface of a space-based vehicle or on a surface of a component of a space-based vehicle. The textured solar sheet includes a plurality of solar cells, a polymer coversheet to which the plurality of solar cells are attached, and an ultraviolet rejection film disposed over the polymer coversheet.

Classes IPC  ?

• H01L 31/054 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière
• H01L 31/0392 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
• H01L 31/0445 - Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles comportant des cellules solaires en couches minces, p.ex. cellules solaires en a-Si, CIS ou CdTe
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

Systems and methods are presented including solar cells or solar sheets having textured coversheets that provide increased light collection efficiency. Some embodiments include a textured solar sheet configured for installation on a surface of a UAV or on a surface of a component of a UAV. The textured solar sheet includes a plurality of solar cells and a polymer layer to which the plurality of solar cells are attached. Some embodiments include a kit for supplying solar power in a battery-powered or fuel cell powered unmanned aerial vehicle (UAV) by incorporating flexible, textured solar cells into a component of a UAV, affixing flexible, textured solar cells to a surface of a UAV, or affixing flexible, textured solar cells to a surface of a component of a UAV. The kit also includes a power conditioning system configured to operate the solar cells within a desired power range and configured to provide power having a voltage compatible with an electrical system of the UAV.

Classes IPC  ?

• B64U 50/31 - Alimentation en énergie électrique ou distribution de celle-ci générée par des panneaux photovoltaïques
• H01L 31/0392 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
• H01L 31/054 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière

Abrégé

1-xP and may be grown on commercially available GaAs substrates.

Classes IPC  ?

• H10H 20/815 - Corps ayant des structures de relaxation des contraintes, p. ex. des couches tampons
• H10H 20/811 - Corps ayant des structures ou des superréseaux à effet quantique, p. ex. jonctions tunnel
• H10H 20/812 - Corps ayant des structures ou des superréseaux à effet quantique, p. ex. jonctions tunnel au sein des régions électroluminescentes, p. ex. structures de confinement quantique
• H10H 20/824 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP
• H10H 20/81 - Corps

Abrégé

The present invention utilizes epitaxial lift-off in which a sacrificial layer is included in the epitaxial growth between the substrate and a thin film III-V compound solar cell. To provide support for the thin film III-V compound solar cell in absence of the substrate, a backing layer is applied to a surface of the thin film III-V compound solar cell before it is separated from the substrate. To separate the thin film III-V compound solar cell from the substrate, the sacrificial layer is removed as part of the epitaxial lift-off. Once the substrate is separated from the thin film III-V compound solar cell, the substrate may then be reused in the formation of another thin film III-V compound solar cell.

Classes IPC  ?

• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/0687 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"

Abrégé

Methods and systems for etching a substrate using photoenhanced wet etching techniques are described. At least one light emitting diode source is used to create a high intensity of ultraviolet light at the surface of the substrate or at one or more layers formed on the substrate. Etching rates in GaN substrates and GaN layers are improved by an order of magnitude over conventional systems. Systems and methods for forming a device structure free of a substrate are described. The device structure is grown or applied over a release layer on a substrate. The device structure is exposed to photoenhanced wet etch environments to vertically and laterally etch the release layer to separate the device structure from the substrate.

Classes IPC  ?

• H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique
• H01L 21/3063 - Gravure électrolytique
• H01L 31/0236 - Textures de surface particulières
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales

Abrégé

Methods and systems for forming a device structure free of a substrate are described. Exemplary embodiments include a device structure comprising of device layers, a release layer, an etch stop layer, and a substrate. The device structure is exposed to photoenhanced wet etch environments to vertically and laterally etch the release layer to separate the device layers from the substrate. The device structure can include a contact layer, an etch stop layer, or both in some embodiments.

Classes IPC  ?

• H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique
• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• H01L 21/3063 - Gravure électrolytique
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/0236 - Textures de surface particulières
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales

Abrégé

Methods and systems for etching a substrate using photoenhanced wet etching techniques are described. At least one light emitting diode source is used to create a high intensity of ultraviolet light at the surface of the substrate or at one or more layers formed on the substrate. Etching rates in GaN substrates and GaN layers are improved by an order of magnitude over conventional systems. Systems and methods for forming a device structure free of a substrate are described. The device structure is grown or applied over a release layer on a substrate. The device structure is exposed to photoenhanced wet etch environments to vertically and laterally etch the release layer to separate the device structure from the substrate.

Classes IPC  ?

• H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique
• H01L 21/3063 - Gravure électrolytique
• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• H01L 31/0236 - Textures de surface particulières
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales

Abrégé

Methods and systems for forming a device structure free of a substrate are described. Exemplary embodiments include a device structure comprising of device layers, a release layer, an etch stop layer, and a substrate. The device structure is exposed to photoenhanced wet etch environments to vertically and laterally etch the release layer to separate the device layers from the substrate. The device structure can include a contact layer, an etch stop layer, or both in some embodiments.

Classes IPC  ?

• H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique
• H01L 21/3063 - Gravure électrolytique
• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• H01L 31/0236 - Textures de surface particulières
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales

Abrégé

Systems and methods taught herein provide thin film semiconductor devices such as thin film photovoltaic devices having via holes that enable electrical connection with a bottom surface of a topside contact of the thin film semiconductor device via the back side of the device (e.g., during mounting of the device). In some embodiments, the via holes are electrically insulated.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0463 - Modules PV composés d'une pluralité de cellules solaires en couches minces déposées sur un même substrat caractérisés par des méthodes spéciales de structuration pour connecter les cellules PV dans un module, p.ex. gravure par laser des couches conductrices ou des couches actives
• H01L 31/048 - Encapsulation de modules
• H01L 31/05 - Moyens d’interconnexion électrique entre les cellules PV à l’intérieur du module PV, p.ex. connexion en série de cellules PV
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01L 31/0392 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

Systems and methods taught herein provide thin film semiconductor devices such as thin film photovoltaic devices having via holes that enable electrical connection with a bottom surface of a topside contact of the thin film semiconductor device via the back side of the device (e.g., during mounting of the device). In some embodiments, the via holes are electrically insulated.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01L 31/0392 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

Some embodiments include a kit for supplying solar power in a battery-powered or fuel cell powered unmanned aerial vehicle (UAV) by incorporating flexible solar cells into a component of a UAV, affixing flexible solar cells to a surface of a UAV, or affixing flexible solar cells to a surface of a component of a UAV. The kit also includes a power conditioning system configured to operate the solar cells within a desired power range and configured to provide power having a voltage compatible with an electrical system of the UAV. Another embodiments include a solar sheet configured for installation on a surface of a UAV or on a surface of a component of a UAV. The solar sheet includes a plurality of solar cells and a polymer layer to which the plurality of solar cells are attached.

Classes IPC  ?

• H01L 31/048 - Encapsulation de modules
• H01L 31/0687 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"

Abrégé

Some embodiments include a high efficiency, lightweight solar sheet. Some embodiments include a solar sheet configured for installation on a surface of a UAV or on a surface of a component of a UAV. The solar sheet includes a plurality of solar cells and a polymer layer to which the plurality of solar cells are attached. Some embodiments include a kit for supplying solar power in a battery-powered or fuel cell powered unmanned aerial vehicle (UAV) by incorporating flexible solar cells into a component of a UAV, affixing flexible solar cells to a surface of a UAV, or affixing flexible solar cells to a surface of a component of a UAV. The kit also includes a power conditioning system configured to operate the solar cells within a desired power range and configured to provide power having a voltage compatible with an electrical system of the UAV.

Classes IPC  ?

• H01L 31/046 - Modules PV composés d'une pluralité de cellules solaires en couches minces déposées sur un même substrat
• B64D 27/24 - Aéronefs caractérisés par le type ou la position des groupes moteurs utilisant la vapeur ou l'énergie de ressorts
• B60L 8/00 - Propulsion électrique à partir d'énergie tirée des forces de la nature, p. ex. du soleil ou du vent
• B64C 39/02 - Aéronefs non prévus ailleurs caractérisés par un emploi spécial
• H02S 10/40 - Systèmes générateurs PV mobiles
• B60L 11/18 - utilisant de l'énergie fournie par des piles primaires, des piles secondaires ou des piles à combustibles

Abrégé

Some embodiments include a kit for supplying solar power in a battery-powered or fuel cell powered unmanned aerial vehicle (UAV) by incorporating flexible solar cells into a component of a UAV, affixing flexible solar cells to a surface of a UAV, or affixing flexible solar cells to a surface of a component of a UAV. The kit also includes a power conditioning system configured to operate the solar cells within a desired power range and configured to provide power having a voltage compatible with an electrical system of the UAV. Another embodiments include a solar sheet configured for installation on a surface of a UAV or on a surface of a component of a UAV. The solar sheet includes a plurality of solar cells and a polymer layer to which the plurality of solar cells are attached.

Classes IPC  ?

• B64D 27/24 - Aéronefs caractérisés par le type ou la position des groupes moteurs utilisant la vapeur ou l'énergie de ressorts
• B60L 8/00 - Propulsion électrique à partir d'énergie tirée des forces de la nature, p. ex. du soleil ou du vent
• B64C 39/02 - Aéronefs non prévus ailleurs caractérisés par un emploi spécial
• H01L 31/046 - Modules PV composés d'une pluralité de cellules solaires en couches minces déposées sur un même substrat
• H02S 10/40 - Systèmes générateurs PV mobiles
• H02S 10/00 - Centrales électriques PVCombinaisons de systèmes d’énergie PV avec d’autres systèmes pour la production d’énergie électrique
• B60L 11/18 - utilisant de l'énergie fournie par des piles primaires, des piles secondaires ou des piles à combustibles

Abrégé

The method of the invention includes the sequential steps of providing a plurality of solar cells, interconnecting the solar cells using one or more interconnect tabs, attaching the interconnect tabs to a top side of the solar cell to interconnect the plurality of solar cells by coupling an exposed top surface of a first solar cell to a top surface of an adjacent second solar cell, attaching one or more bypass diodes to a top side of the solar cell, then next applying an adhesive to a first film layer, placing the plurality of solar cells onto the first film layer, then next applying an adhesive to a second film layer, placing the plurality of solar cells and first film layer onto the second film layer to form a sheet assembly, and then forming the solar sheet from the sheet assembly.

Classes IPC  ?

• H01L 31/042 - Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles

Abrégé

The method of the invention includes the sequential steps of providing a plurality of solar cells, interconnecting the solar cells using one or more interconnect tabs, attaching the interconnect tabs to a top side of the solar cell to interconnect the plurality of solar cells by coupling an exposed top surface of a first solar cell to a top surface of an adjacent second solar cell, attaching one or more bypass diodes to a top side of the solar cell, then next applying an adhesive to a first film layer, placing the plurality of solar cells onto the first film layer, then next applying an adhesive to a second film layer, placing the plurality of solar cells and first film layer onto the second film layer to form a sheet assembly, and then forming the solar sheet from the sheet assembly.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/05 - Moyens d’interconnexion électrique entre les cellules PV à l’intérieur du module PV, p.ex. connexion en série de cellules PV

Abrégé

Some embodiments include a kit for increasing endurance of a battery-powered unmanned aerial vehicle (UAV) by incorporating flexible solar cells or applying flexible solar cells on a surface of a UAV or on a surface of a component of a UAV. The kit further include a power conditioning system configured to operate the solar cells within a desired power range and configured to provide power having a voltage compatible with an electrical system of the UAV.

Classes IPC  ?

• B64C 39/02 - Aéronefs non prévus ailleurs caractérisés par un emploi spécial
• B60L 8/00 - Propulsion électrique à partir d'énergie tirée des forces de la nature, p. ex. du soleil ou du vent
• H02S 10/00 - Centrales électriques PVCombinaisons de systèmes d’énergie PV avec d’autres systèmes pour la production d’énergie électrique

Abrégé

Some embodiments include a kit for increasing endurance of a battery-powered unmanned aerial vehicle (UAV) by incorporating flexible solar cells or applying flexible solar cells on a surface of a UAV or on a surface of a component of a UAV. The kit further include a power conditioning system configured to operate the solar cells within a desired power range and configured to provide power having a voltage compatible with an electrical system of the UAV.

Classes IPC  ?

• B60L 8/00 - Propulsion électrique à partir d'énergie tirée des forces de la nature, p. ex. du soleil ou du vent
• B64C 39/02 - Aéronefs non prévus ailleurs caractérisés par un emploi spécial

Abrégé

Methods of producing single-junction or multi-junction InP-based solar cells grown latticed-matched on a InP substrate or grown on metamorphic layers on a GaAs substrate, with the substrate subsequently removed in a nondestructive manner via the epitaxial lift-off (ELO) technique, and devices produced using the methods are described herein.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
• H01L 31/0687 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

A method of fabricating a light emitting diode using an epitaxial lift-off process includes forming a sacrificial layer on a substrate, forming a light emitting diode structure on the sacrificial layer with an epitaxial material, forming a light reflecting layer on the light emitting diode structure, and removing the sacrificial layer using an etching process to separate the substrate from the light emitting diode structure.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails

Abrégé

An assembly technique for assembling solar cell arrays is provided. During the fabrication of a solar cell, openings through the semiconductor layer are etched through to a top surface of the backmetal layer. The solar cells include an exposed top surface of the backmetal layer. A plurality of solar cells are assembled into a solar cell array where adjacent cells are interconnected in an electrically serial or parallel fashion solely from the top surface of the solar cells.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives

Abrégé

An assembly technique for assembling solar cell arrays is provided. During the fabrication of a solar cell, openings through the semiconductor layer are etched through to a top surface of the backmetal layer. The solar cells include an exposed top surface of the backmetal layer. A plurality of solar cells are assembled into a solar cell array where adjacent cells are interconnected in an electrically serial or parallel fashion solely from the top surface of the solar cells.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives

Abrégé

Methods and systems for fabricating an integrated BiFET using two separate growth procedures are disclosed. Performance of the method fabricates the FET portion of the BiFET in a first fabrication environment. Performance of the method fabricates the HBT portion of the BiFET in a second fabrication environment. By separating the fabrication of the FET portion and the HBT portion in two or more separate reactors, the optimum device performance can be achieved for both devices.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives

Abrégé

The present invention utilizes epitaxial lift-off in which a sacrificial layer is included in the epitaxial growth between the substrate and a thin film III-V compound solar cell. To provide support for the thin film III-V compound solar cell in absence of the substrate, a backing layer is applied to a surface of the thin film III-V compound solar cell before it is separated from the substrate. To separate the thin film III-V compound solar cell from the substrate, the sacrificial layer is removed as part of the epitaxial lift-off. Once the substrate is separated from the thin film III-V compound solar cell, the substrate may then be reused in the formation of another thin film III-V compound solar cell.

Classes IPC  ?

• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/0687 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"

Abrégé

An assembly technique for assembling solar cell arrays is provided. During the fabrication of a solar cell, openings through the semiconductor layer are etched through to a top surface of the backmetal layer. The solar cells include an exposed top surface of the backmetal layer. A plurality of solar cells are assembled into a solar cell array where adjacent cells are interconnected in an electrically serial or parallel fashion solely from the top surface of the solar cells.

Classes IPC  ?

• H01L 31/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails

Abrégé

An assembly technique for assembling solar cell arrays is provided. During the fabrication of a solar cell, openings through the semiconductor layer are etched through to a top surface of the backmetal layer. The solar cells include an exposed top surface of the backmetal layer. A plurality of solar cells are assembled into a solar cell array where adjacent cells are interconnected in an electrically serial or parallel fashion solely from the top surface of the solar cells.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives

Abrégé

The present application utilizes an oxidation process to fabricating a Group III- V compound semiconductor solar cell device. By the oxidation process, a window layer disposed on a cell unit is oxidized to enhance the efficiency of the solar cell device. The oxidized window has an increased band gap to minimize the surface recombination of electrons and holes. The oxidized window also improves transparency at the wavelengths that were absorbed in the conventional window layer.

Classes IPC  ?

• H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]

Abrégé

The present application utilizes an oxidation process to fabricating a Group III-V compound semiconductor solar cell device. By the oxidation process, a window layer disposed on a cell unit is oxidized to enhance the efficiency of the solar cell device. The oxidized window has an increased band gap to minimize the surface recombination of electrons and holes. The oxidized window also improves transparency at the wavelengths that were absorbed in the conventional window layer.

Classes IPC  ?

• H10F 71/00 - Fabrication ou traitement des dispositifs couverts par la présente sous-classe
• H10F 77/124 - Matériaux actifs comportant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs

Abrégé

The present application utilizes an oxidation process to fabricating a Group III-V compound semiconductor solar cell device. By the oxidation process, a window layer disposed on a cell unit is oxidized to enhance the efficiency of the solar cell device. The oxidized window has an increased band gap to minimize the surface recombination of electrons and holes. The oxidized window also improves transparency at the wavelengths that were absorbed in the conventional window layer.

Classes IPC  ?

• H01L 31/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
• H01L 31/0216 - Revêtements
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/0687 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
• H01L 31/0735 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement des composés semiconducteurs AIIIBV, p.ex. cellules solaires en GaAs/AlGaAs ou InP/GaInAs

Abrégé

A solar cell structure is provided for reducing shadow losses without
increasing series resistance in the solar cell
device. The solar cell device may form an electrical contact to a solar cell
emitter layer from the backside of the solar cell device.
With this structure, the emitter contact shadow losses may be reduced
significantly while simultaneously decreasing device series
resistance.

Classes IPC  ?

• H10F 77/14 - Forme des corps semi-conducteursFormes, dimensions relatives ou dispositions des régions semi-conductrices au sein des corps semi-conducteurs

Abrégé

A solar cell structure is provided for reducing shadow losses without increasing series resistance in the solar cell device. The solar cell device may form an electrical contact to a solar cell emitter layer from the backside of the solar cell device. With this structure, the emitter contact shadow losses may be reduced significantly while simultaneously decreasing device series resistance.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0376 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des semi-conducteurs amorphes
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

A solar cell structure is provided for reducing shadow losses without increasing series resistance in the solar cell device. The solar cell device may form an electrical contact to a solar cell emitter layer from the backside of the solar cell device. With this structure, the emitter contact shadow losses may be reduced significantly while simultaneously decreasing device series resistance.

Classes IPC  ?

• H01L 31/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01L 31/0687 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
• H01L 31/0725 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
• H01L 31/078 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface comprenant des barrières de potentiel de type différent couvertes par plusieurs des groupes

Abrégé

The present invention utilizes epitaxial lift-off in which a sacrificial layer is included in the epitaxial growth between the substrate and a thin film III-V compound solar cell. To provide support for the thin film III-V compound solar cell in absence of the substrate, a backing layer is applied to a surface of the thin film III-V compound solar cell before it is separated from the substrate. To separate the thin film III-V compound solar cell from the substrate, the sacrificial layer is removed as part of the epitaxial lift-off. Once the substrate is separated from the thin film III-V compound solar cell, the substrate may then be reused in the formation of another thin film III-V compound solar cell.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0256 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux

Abrégé

The present invention utilizes epitaxial lift-off in which a sacrificial layer is included in the epitaxial growth between the substrate and a thin film HI-V compound solar cell. To provide support for the thin film III-V compound solar cell in absence of the substrate, a backing layer is applied to a surface of the thin film III-V compound solar cell before it is separated from the substrate. To separate the thin film III-V compound solar cell from the substrate, the sacrificial layer is removed as part of the epitaxial lift-off. Once the substrate is separated from the thin film III-V compound solar cell, the substrate may then be reused in the formation of another thin film III-V compound solar cell.

Classes IPC  ?

• H01L 31/042 - Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles

Abrégé

The present invention utilizes epitaxial lift-off in which a sacrificial layer is included in the epitaxial growth between the substrate and a thin film III-V compound solar cell. To provide support for the thin film III-V compound solar cell in absence of the substrate, a backing layer is applied to a surface of the thin film III-V compound solar cell before it is separated from the substrate. To separate the thin film III-V compound solar cell from the substrate, the sacrificial layer is removed as part of the epitaxial lift-off. Once the substrate is separated from the thin film III-V compound solar cell, the substrate may then be reused in the formation of another thin film III-V compound solar cell.

Classes IPC  ?

• H01L 31/042 - Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles

Abrégé

Methods and systems for fabricating an integrated BiFET using two separate growth procedures are disclosed. Performance of the method fabricates the FET portion of the BIFET in a first fabrication environment. Performance of the method fabricates the HBT portion of the BiFET in a second fabrication environment. By separating the fabrication of the FET portion and the HBT portion in two or more separate reactors, the optimum device performance can be achieved for both devices.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives

Abrégé

Methods and systems for fabricating an integrated BiFET using two separate growth procedures are disclosed. Performance of the method fabricates the FET portion of the BiFET in a first fabrication environment. Performance of the method fabricates the HBT portion of the BiFET in a second fabrication environment. By separating the fabrication of the FET portion and the HBT portion in two or more separate reactors, the optimum device performance can be achieved for both devices.

Classes IPC  ?

• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
• H01L 21/8252 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie III-V

Abrégé

CE. The improvement of the on-state breakdown voltage for the HBT improves the output power characteristics of the HBT and the ability of the HBT to withstand large impedance mismatch (large VSWR). The improvement in the on-state breakdown voltage is related to the suppression of high electric fields adjacent a junction of a collector layer and a sub-collector layer forming a collector region of the HBT.

Classes IPC  ?

• H01L 27/082 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants bipolaires