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1.
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Apparatus and method for energy recovery
| Numéro d'application |
15455810 |
| Numéro de brevet |
11009540 |
| Statut |
Délivré - en vigueur |
| Date de dépôt |
2017-03-10 |
| Date de la première publication |
2018-09-13 |
| Date d'octroi |
2021-05-18 |
| Propriétaire |
Integrated Technology Corporation (USA)
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| Inventeur(s) |
- Clauter, Steven T.
- Rogers, Gary B.
- Austin, Norvell Eric
- Wolford, Bradley T.
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Abrégé
An energy supply for a test device includes an energy source configured to provide energy via an inductive element for use by test circuitry; and an energy recovery circuit electrically couplable to the energy source and configured to direct unused energy from the inductive element to the energy source.
Classes IPC ?
- G01R 31/26 - Test de dispositifs individuels à semi-conducteurs
- G01R 1/36 - Aménagements ou circuits de protection contre les surcharges, pour appareils de mesures électriques
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2.
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Loop-back probe test and verification method
| Numéro d'application |
15188024 |
| Numéro de brevet |
10768206 |
| Statut |
Délivré - en vigueur |
| Date de dépôt |
2016-06-21 |
| Date de la première publication |
2016-12-29 |
| Date d'octroi |
2020-09-08 |
| Propriétaire |
Integrated Technology Corporation (USA)
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| Inventeur(s) |
- Schwartz, Rodney E.
- Geist, John K.
- Kosecki, Daniel
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Abrégé
A method is provided for using a loop-back test device to verify continuity between loop-back probes electrically connected to each other on a probe card, the loop-back test device including a first conductive region electrically connected to a substrate, a second conductive region electrically isolated from the substrate, the second conductive region spaced apart from the first conductive region such that when a first loop-back probe contacts the first conductive region a second loop-back probe contacts the second conductive region, The method includes placing the first loop-back probe in electrical contact with the first conductive region, and placing the second loop-back probe in electrical contact with the second conductive region. Continuity between the substrate and the second conductive region is then measured.
Classes IPC ?
- G01R 1/067 - Sondes de mesure
- G01R 31/28 - Test de circuits électroniques, p. ex. à l'aide d'un traceur de signaux
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3.
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Damage reduction method and apparatus for destructive testing of power semiconductors
| Numéro d'application |
13560233 |
| Numéro de brevet |
09759763 |
| Statut |
Délivré - en vigueur |
| Date de dépôt |
2012-07-27 |
| Date de la première publication |
2013-01-31 |
| Date d'octroi |
2017-09-12 |
| Propriétaire |
Integrated Technology Corporation (USA)
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| Inventeur(s) |
- Schwartz, Rodney E.
- Clauter, Steve
- Lohr, David
- Rogers, Gary
- Baggiore, James
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Abrégé
A device and method for limiting damage to a semiconductor device under test when the semiconductor device fails during a high current, or high power test is provided. The occurrence of a failure of the device under test is detected, and power applied to the semiconductor device is diverted through a parallel path element upon detection of failure of the semiconductor device.
Classes IPC ?
- G01R 1/067 - Sondes de mesure
- G01R 1/36 - Aménagements ou circuits de protection contre les surcharges, pour appareils de mesures électriques
- G01R 31/12 - Test de la rigidité diélectrique ou de la tension disruptive
- G01R 31/27 - Test de dispositifs sans les extraire physiquement du circuit dont ils font partie, p. ex. compensation des effets dus aux éléments environnants
- G01R 31/28 - Test de circuits électroniques, p. ex. à l'aide d'un traceur de signaux
- G01R 31/26 - Test de dispositifs individuels à semi-conducteurs
- G01R 31/02 - Essai des appareils, des lignes ou des composants électriques pour y déceler la présence de courts-circuits, de discontinuités, de fuites ou de connexions incorrectes de lignes
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4.
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DAMAGE REDUCTION METHOD AND APPARATUS FOR DESTRUCTIVE TESTING OF POWER SEMICONDUCTORS
| Numéro d'application |
US2012048563 |
| Numéro de publication |
2013/016643 |
| Statut |
Délivré - en vigueur |
| Date de dépôt |
2012-07-27 |
| Date de publication |
2013-01-31 |
| Propriétaire |
INTEGRATED TECHNOLOGY CORPORATION (USA)
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| Inventeur(s) |
- Schwartz, Rodney, E.
- Clauter, Steve
- Lohr, David
- Rogers, Gary
- Baggiore, James
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Abrégé
A device and method for limiting damage to a semiconductor device under test when the semiconductor device fails during a high current, or high power test is provided. The occurrence of a failure of the device under test is detected, and power applied to the semiconductor device is diverted through a parallel path element upon detection of failure of the semiconductor device.
Classes IPC ?
- G01R 31/26 - Test de dispositifs individuels à semi-conducteurs
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5.
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Probe needle protection method for high current probe testing of power devices
| Numéro d'application |
11752526 |
| Numéro de brevet |
07521947 |
| Statut |
Délivré - en vigueur |
| Date de dépôt |
2007-05-23 |
| Date de la première publication |
2008-11-27 |
| Date d'octroi |
2009-04-21 |
| Propriétaire |
Integrated Technology Corporation (USA)
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| Inventeur(s) |
- Rogers, Gary
- Clauter, Steve
- Schwartz, Rodney
- Ukai, Taichi
- Lambright, Joe
- Lohr, Dave
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Abrégé
A test system, apparatus and method for applying high current test stimuli to a semiconductor device in wafer or chip form includes a plurality of probes for electrically coupling to respective contact points on the semiconductor device, a plurality of current limiters electrically coupled to respective ones of the plurality of probes, and a current sensor electrically coupled to the plurality of probes. The current limiters are operative to limit current flow passing through a respective probe, and the current sensor is operative to provide a signal when detected current in any contact of the plurality of probes exceeds a threshold level.
Classes IPC ?
- G01R 31/02 - Essai des appareils, des lignes ou des composants électriques pour y déceler la présence de courts-circuits, de discontinuités, de fuites ou de connexions incorrectes de lignes
- G01R 31/26 - Test de dispositifs individuels à semi-conducteurs
- G01R 1/00 - Détails ou dispositions des appareils des types couverts par les groupes ou
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6.
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PROBILT
| Numéro de série |
76176457 |
| Statut |
Enregistrée |
| Date de dépôt |
2000-12-05 |
| Date d'enregistrement |
2002-09-24 |
| Propriétaire |
Integrated Technology Corporation ()
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| Classes de Nice ? |
20 - Meubles et produits décoratifs
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Produits et services
commercial work stations including accessories and components therefor for building, testing and repairing probe cards for use in semiconductor manufacture
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