Dowa Holdings Co., Ltd.

Japon

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Type PI
        Brevet 65
        Marque 14
Juridiction
        International 42
        États-Unis 30
        Europe 5
        Canada 2
Propriétaire / Filiale
[Owner] Dowa Holdings Co., Ltd. 79
Dowa Electronics Materials Co., Ltd. 7
Date
Nouveautés (dernières 4 semaines) 1
2025 octobre 1
2025 septembre 1
2025 (AACJ) 10
2024 9
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Classe IPC
H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs 13
B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés 10
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium 7
H01M 4/02 - Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif 6
H01M 4/485 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiTi2O4 ou LiTi2OxFy 6
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Classe NICE
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques 9
01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture 6
06 - Métaux communs et minerais; objets en métal 4
11 - Appareils de contrôle de l'environnement 4
02 - Couleurs, vernis, laques 2
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Statut
En Instance 5
Enregistré / En vigueur 74

1.

METHOD FOR PRODUCING SM-FE-N-BASED MAGNETIC POWDER AND SM-FE-N MAGNETIC POWDER

      
Numéro d'application JP2024033009
Numéro de publication 2025/203753
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-09-16
Date de publication 2025-10-02
Propriétaire
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
  • NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamada Tomoya
  • Kumon Shoichi
  • Michiaki Yoshiyuki
  • Sato Kimitaka
  • Yamaguchi Wataru
  • Hosokawa Akihide
  • Takagi Kenta
  • Ozaki Kimihiro

Abrégé

maxmax and having few impurities. [Solution] This method for producing an Sm-Fe-N-based magnetic powder comprises: a heat treatment step in which a powder of Sm-Fe alloy, which has been formed in a solidification process according to a gas atomization method and of which the Sm/Fe molar ratio is between 0.09 and 0.25 inclusive, is heated to a temperature between 900°C and 1200°C inclusive to thereby coarsen the crystal grains of the particles of said powder; a crushing step in which the powder of the Sm-Fe alloy of which the crystal grains have been coarsened by the heat treatment step is crushed to thereby make the particles of said powder finer by fracture, which includes intragranular fracture; and a nitriding step in which the powder of the Sm-Fe alloy made finer by the crushing step is heated and held in an atmosphere of a non-oxidizing gas containing a nitrogen compound or nitrogen in a temperature range of 500°C or less to thereby introduce nitrogen into the particles of the powder.

Classes IPC  ?

  • B22F 9/04 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau solide, p. ex. par broyage, meulage ou écrasement à la meule
  • B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
  • B22F 1/14 - Traitement des poudres métalliques
  • B22F 1/052 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules caractérisées par un mélange de particules de dimensions différentes ou par la distribution granulométrique des particules
  • B22F 9/08 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau liquide par coulée, p. ex. à travers de petits orifices ou dans l'eau, par atomisation ou pulvérisation
  • C22C 38/00 - Alliages ferreux, p. ex. aciers alliés
  • H01F 1/059 - Alliages caractérisés par leur composition contenant des métaux des terres rares et des métaux de transition magnétiques, p. ex. SmCo5 et des éléments Va, p. ex. Sm2Fe17N2
  • H01F 41/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants

2.

AMORPHOUS COMPOSITE METAL OXIDE POWDER CONTAINING La AND Zr, POWDER THEREOF, GARNET-TYPE LITHIUM COMPOSITE METAL OXIDE, AND METHOD FOR MANUFACTURING ALL-SOLID BATTERY

      
Numéro d'application JP2024033455
Numéro de publication 2025/191890
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-09-19
Date de publication 2025-09-18
Propriétaire
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
  • NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamaga Kazuhiro
  • Fujita Hidefumi
  • Tanoue Koji
  • Akimoto Junji
  • Kataoka Kunimitsu

Abrégé

[Problem] To provide a technology for synthesizing a lithium composite metal oxide having a garnet-type crystal structure and a high ion conductivity even when fired at a low temperature of 700ºC or lower. [Solution] An amorphous composite metal oxide powder containing La and Zr contains 40-62 mass% of La, 8-26 mass% of Zr, and 1-20 mass% of one or two of metal elements M that can take any oxidation number of 3-6, preferably, Ta and Nb, has a carbon content of at most 1.5 mass%, and contains a remainder consisting of oxygen and inevitable impurities. The amorphous composite metal oxide powder is used as a precursor for producing a single-phase garnet-type lithium composite metal oxide.

Classes IPC  ?

3.

METHOD FOR PRODUCING REGENERATED POSITIVE ELECTRODE MATERIAL PRECURSOR AND REGENERATED POSITIVE ELECTRODE MATERIAL, AND METHOD FOR USING REGENERATED POSITIVE ELECTRODE MATERIAL

      
Numéro d'application JP2024035766
Numéro de publication 2025/079549
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-10-07
Date de publication 2025-04-17
Propriétaire
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
  • AKITA UNIVERSITY (Japon)
Inventeur(s)
  • Yodose Tatsuya
  • Watanabe Ryoei
  • Kumagai Seiji
  • Abe Yusuke

Abrégé

Provided is a method for producing a regenerated positive electrode material precursor from a lithium-ion secondary cell that is an object to be processed, the method comprising performing a heat treatment step, a crushing step, a classification and sorting step, a magnetic separation step, an acid leaching step, an iron removal step, an ion exchange step, an alkali treatment step, and a washing step on the lithium-ion secondary cell that is the object to be processed.

Classes IPC  ?

  • C22B 7/00 - Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p. ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés
  • C01G 53/00 - Composés du nickel
  • C22B 1/00 - Traitement préliminaire de minerais ou de débris ou déchets métalliques
  • C22B 1/02 - Procédés de grillage
  • C22B 3/06 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation dans des solutions inorganiques acides
  • C22B 3/24 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par des procédés physiques, p. ex. par filtration, par des moyens magnétiques par adsorption sur des substances solides, p. ex. par extraction avec des résines solides
  • C22B 3/44 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par des procédés chimiques
  • H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés

4.

EXHAUST CYLINDER AND GAS CARBURIZING FURNACE

      
Numéro d'application JP2024035566
Numéro de publication 2025/075128
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-10-04
Date de publication 2025-04-10
Propriétaire
  • TOYOTA SCHOOL FOUNDATION (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Okumiya Masahiro
  • Hibino Yoshihiro
  • Takemoto Shinichi
  • Hidaka Yoshinori

Abrégé

22222O. The gas carburizing furnace (2) has the exhaust cylinder (1).

Classes IPC  ?

  • F27D 17/20 - Dispositions pour le traitement ou l’épuration des gaz résiduaires
  • B01D 53/86 - Procédés catalytiques
  • B01J 27/20 - Composés du carbone
  • C01B 32/05 - Préparation ou purification du carbone non couvertes par les groupes , , ,

5.

HIGHLY HEAT-RESISTANT Sm-Fe-N-BASED MAGNETIC POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SAME

      
Numéro d'application JP2024032977
Numéro de publication 2025/063149
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-09-13
Date de publication 2025-03-27
Propriétaire
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
  • NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamada Tomoya
  • Michiaki Yoshiyuki
  • Kumon Shoichi
  • Sato Kimitaka
  • Yamaguchi Wataru
  • Hosokawa Akihide
  • Takagi Kenta

Abrégé

5050 in the volume-based particle size distribution by the laser diffraction scattering method of, for example, 0.5-5.0 μm (inclusive). As the alkaline earth metal element Ae, for example, one or more elements selected from Mg and Ca can be employed. The coating layer can be formed by performing co-sputtering of Al and Ae using, for example, a sputtering film forming device.

Classes IPC  ?

  • B22F 1/17 - Particules métalliques revêtues de métal
  • B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
  • B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
  • B22F 9/08 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau liquide par coulée, p. ex. à travers de petits orifices ou dans l'eau, par atomisation ou pulvérisation
  • C22C 21/06 - Alliages à base d'aluminium avec le magnésium comme second constituant majeur
  • C22C 23/02 - Alliages à base de magnésium avec l'aluminium comme second constituant majeur
  • C22C 38/00 - Alliages ferreux, p. ex. aciers alliés
  • H01F 1/06 - Aimants ou corps magnétiques, caractérisés par les matériaux magnétiques appropriésEmploi de matériaux spécifiés pour leurs propriétés magnétiques en matériaux inorganiques caractérisés par leur coercivité en matériaux magnétiques durs métaux ou alliages sous forme de particules, p. ex. de poudre
  • H01F 1/059 - Alliages caractérisés par leur composition contenant des métaux des terres rares et des métaux de transition magnétiques, p. ex. SmCo5 et des éléments Va, p. ex. Sm2Fe17N2

6.

DOWA

      
Numéro de série 99079668
Statut En instance
Date de dépôt 2025-03-12
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Classes de Nice  ? 06 - Métaux communs et minerais; objets en métal

Produits et services

metals in powder form for use in industry

7.

DOWA

      
Numéro d'application 019153044
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2025-03-07
Date d'enregistrement 2025-07-16
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Classes de Nice  ?
  • 01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture
  • 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques

Produits et services

Battery material, namely silver oxide, silver powder, silver oxide powder, zinc powder, nickel powder, metal powder, ferrite powder,and compositions thereof. Laboratory apparatus and instruments; photographic machines and apparatus; cinematographic machines and apparatus; optical machines and apparatus; measuring or testing machines and instruments; power distribution or control machines and apparatus; rotary converters; phase modifiers; solar batteries; batteries and cells; electric or magnetic meters and testers; electric wires and cables; telecommunication machines and apparatus; personal digital assistants; electronic machines, apparatus and their parts; semi-conductor elements; electronic circuits, not including those recorded with computer programs; magnetic cores; resistance wires; electrodes, other than welding electrodes or medical electrodes; circuit board for power modules.

8.

METHOD FOR TREATING LITHIUM-ION-CONTAINING AQUEOUS SOLUTION

      
Numéro d'application JP2024027048
Numéro de publication 2025/028499
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-07-29
Date de publication 2025-02-06
Propriétaire
  • HIROSAKI UNIVERSITY (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sasaki Kazuya
  • Shinmura Kiyoto
  • Sato Kimitaka
  • Kato Shogo

Abrégé

[Problem] To efficiently obtain, from a lithium-ion-containing aqueous solution containing anions, a lithium-ion-containing aqueous solution which has a reduced content of anions other than hydroxide ions. [Solution] This method for treating lithium-ion-containing aqueous solution uses an electrodialyzer equipped with a raw-solution tank separated from adjacent tanks on both sides by a cation-exchange membrane and an anion-exchange membrane respectively, a first adjoining tank which adjoins the raw-solution tank with the cation-exchange membrane interposed therebetween, and a second adjoining tank which adjoins the raw-solution tank with the anion-exchange membrane interposed therebetween, wherein: a lithium-ion-containing aqueous solution which contains lithium ions, cations other than lithium ions, and anions is put in the raw-solution tank; water or an aqueous solution is put in the first adjoining tank and the second adjoining tank; a voltage is applied between a cathode inside the first adjoining tank and an anode inside the second adjoining tank; and, while the pH of the liquid inside the raw-solution tank is kept at 10.5 or higher, lithium ions inside the raw-solution tank are caused to move into the first adjoining tank through the cation-exchange membrane.

Classes IPC  ?

  • C02F 1/469 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par des procédés électrochimiques par séparation électrochimique, p. ex. par électro-osmose, électrodialyse, électrophorèse
  • B01D 61/44 - Électrodialyse à sélectivité ionique

9.

Gd-Co-BASED METALLIC POWDER, METHOD FOR PRODUCING SAME, ELECTROCONDUCTIVE MOLDED BODY, AND THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT

      
Numéro d'application JP2024024980
Numéro de publication 2025/023024
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-07-10
Date de publication 2025-01-30
Propriétaire
  • THE UNIVERSITY OF TOKYO (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sakai Akito
  • Nakatsuji Satoru
  • Sato Kimitaka
  • Kumon Shoichi
  • Kato Shogo

Abrégé

555 as a main component.

Classes IPC  ?

  • B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
  • B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
  • B22F 9/04 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau solide, p. ex. par broyage, meulage ou écrasement à la meule
  • C22C 1/00 - Fabrication des alliages non ferreux
  • C22C 1/02 - Fabrication des alliages non ferreux par fusion
  • C22C 1/04 - Fabrication des alliages non ferreux par métallurgie des poudres
  • C22C 1/047 - Fabrication des alliages non ferreux par métallurgie des poudres comprenant des composés intermétalliques
  • C22C 19/07 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de cobalt

10.

METHOD OF PRODUCING SINGLE CRYSTAL AlN, SINGLE CRYSTAL AlN, AND SINGLE CRYSTAL AlN PRODUCTION APPARATUS

      
Numéro d'application 18836855
Statut En instance
Date de dépôt 2023-02-20
Date de la première publication 2025-01-30
Propriétaire
  • TOHOKU UNIVERSITY (Japon)
  • DOWA HOLDINGS Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Fukuyama, Hiroyuki
  • Ohtsuka, Makoto
  • Adachi, Masayoshi
  • Miyata, Rintaro
  • Watanabe, Yasuhiro

Abrégé

Provided are a method of producing single crystal AlN, single crystal AlN, and a single crystal AlN production apparatus with which single crystal AlN can be cheaply and continuously produced. The method of producing single crystal AlN includes a melt formation step of heating and melting an alloy to form a melt of the alloy and a deposition step of cooling a portion of the melt and providing a temperature gradient in the melt while causing deposition of single crystal AlN. In the deposition step, a nitrogen-containing gas is brought into contact with a high-temperature portion of the melt and a single crystal AlN seed crystal or a substrate for crystal growth is held in a low-temperature portion of the melt so as to continue to take nitrogen into the melt in the high-temperature portion while causing deposition of single crystal AlN.

Classes IPC  ?

  • C30B 19/12 - Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide caractérisée par le substrat
  • C30B 19/06 - Chambres de réactionNacelles pour bain fonduPorte-substrat
  • C30B 19/10 - Commande ou régulation
  • C30B 29/40 - Composés AIII BV
  • C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée

11.

ALL-SOLID-STATE BATTERY CELL, SOLID ELECTROLYTE POWDER, METHOD FOR PRODUCING SOLID ELECTROLYTE POWDER, AND METHOD FOR PRODUCING COVERED BODY

      
Numéro d'application JP2024015263
Numéro de publication 2024/262149
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-04-17
Date de publication 2024-12-26
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mashimo Suguru
  • Manabe Yusuke
  • Yoshida Masahiro
  • Abe Daisuke
  • Tanoue Koji

Abrégé

Provided are: a solid electrolyte powder which contains 0.7% by mass to 5% by mass of Li, 8% by mass to 60% by mass of Nb, and 1.0% by mass to 30% by mass of P with respect to the solid electrolyte powder, with the content of the non-oxygen remainder, which is the remainder excluding oxygen (O), being 10% by mass or less with respect to the solid electrolyte powder, and which has a crystallite diameter of 100 nm or less; and related art thereof.

Classes IPC  ?

  • H01M 10/0585 - Structure ou fabrication d'accumulateurs ayant uniquement des éléments de structure plats, c.-à-d. des électrodes positives plates, des électrodes négatives plates et des séparateurs plats
  • C01B 25/45 - Phosphates contenant plusieurs métaux ou un métal et l'ammonium
  • H01B 1/06 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques
  • H01B 1/10 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques sulfures
  • H01M 4/13 - Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p. ex. pour accumulateurs au lithiumLeurs procédés de fabrication
  • H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
  • H01M 10/052 - Accumulateurs au lithium
  • H01M 10/0562 - Matériaux solides

12.

AQUEOUS SOLUTION CONTAINING LITHIUM AND SILICON, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM SECONDARY BATTERY

      
Numéro d'application JP2024017629
Numéro de publication 2024/241942
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-05-13
Date de publication 2024-11-28
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yoshida Masahiro
  • Abe Daisuke
  • Tanoue Koji

Abrégé

44SiO (lithium orthosilicate) having good Li ion conductivity and a method for producing the aqueous solution, and a method for producing a positive electrode active material for a lithium secondary battery having a coating layer containing lithium orthosilicate using the aqueous solution. [Solution] An aqueous solution containing lithium and silicon that contains 0.1-3.0 mass% of lithium and 0.1-3.0 mass% of silicon and has a molar ratio Li/Si of lithium and silicon of 3.70-5.20 and an absorbance at a wavelength of 660 nm of 0.10 or less.

Classes IPC  ?

  • C01B 33/32 - Silicates de métaux alcalins
  • H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs

13.

SM-FE-N-BASED MAGNETIC POWDER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

      
Numéro d'application 18686941
Statut En instance
Date de dépôt 2022-10-04
Date de la première publication 2024-11-07
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamada, Tomoya
  • Yamada, Takahiro
  • Sato, Kimitaka
  • Kato, Shogo
  • Kumon, Shoichi

Abrégé

An Sm—Fe—N-based magnetic powder includes particles containing Sm, Fe, and N as main components. The powder has a composition wherein a molar ratio of Sm to Fe (Sm/Fe) is 0.09 or more and 0.25 or less, a molar ratio of N to Fe (N/Fe) is 0.06 or more and 0.30 or less, and a Ca content in the powder is 0.002 mass % or less. When a cumulative 10% particle diameter is represented by D10, a cumulative 50% particle diameter is represented by D50, and a cumulative 90% particle diameter is represented by D90 in a volume-based particle size distribution according to a laser diffraction/scattering method, D50 is 2.0 to 11.0 μm, and D10, D50, and D90 satisfy a relationship of the following formula: (D90−D10)/D50<1.10. The Sm—Fe—N-based magnetic powder is advantageous in improving coercive force, containing few impurities, and improving the performance and manufacturability of a bonded magnet.

Classes IPC  ?

  • H01F 1/059 - Alliages caractérisés par leur composition contenant des métaux des terres rares et des métaux de transition magnétiques, p. ex. SmCo5 et des éléments Va, p. ex. Sm2Fe17N2
  • B22F 9/08 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau liquide par coulée, p. ex. à travers de petits orifices ou dans l'eau, par atomisation ou pulvérisation

14.

AQUEOUS SOLUTION CONTAINING NIOBIUM POLYACID IONS, LITHIUM IONS, AND PHOSPHATE IONS, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM SECONDARY BATTERY

      
Numéro d'application JP2024011789
Numéro de publication 2024/204115
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-03-25
Date de publication 2024-10-03
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Mashimo Suguru
  • Yoshida Masahiro
  • Abe Daisuke
  • Tanoue Koji

Abrégé

[Problem] To provide an aqueous solution and a production method therefor, the aqueous solution containing niobium polyacid ions, lithium ions, and phosphate ions, suppressing an increase in the specific surface area of a coated positive electrode active material when the surfaces of positive electrode active material particles of a lithium-ion secondary battery are coated with a coating layer containing niobium, lithium, and phosphorus, which are solid electrolytes, and having excellent storage stability. [Solution] This aqueous solution contains niobium polyacid ions, lithium ions, and phosphate ions, wherein: the ratio P/(Nb+Li+P) of the molar number of the phosphorus to the sum of the molar numbers of the niobium, lithium, and phosphorus contained in the aqueous solution is at least 0.04 and less than 0.5; the molar ratio Li/Nb of the lithium and the niobium is greater than 0.6 and at most 2.0; and 0.01-10 mass% of hydrogen peroxide is preferably further contained.

Classes IPC  ?

  • C01B 25/18 - Acide phosphorique
  • H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
  • H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy
  • H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy

15.

ARRANGEMENT STRUCTURE OF SOLID ELECTROLYTE IN ALL-SOLID-STATE CELL, AND BATTERY

      
Numéro d'application JP2024005483
Numéro de publication 2024/190265
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-02-16
Date de publication 2024-09-19
Propriétaire
  • TOHOKU UNIVERSITY (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kobayashi Hiroaki
  • Abe Daisuke
  • Tanoue Koji

Abrégé

36x3+x3+x, where x is 2.0-5.0, and the second solid electrolyte includes sulfide or oxide as a main component. The first solid electrolyte is interposed between the electroconductive material on the high potential side and the second solid electrolyte, and a contact part is provided between the electroconductive material on the high potential side and the first solid electrolyte, and a contact part is provided between the first solid electrolyte and the second solid electrolyte.

Classes IPC  ?

  • H01M 10/0562 - Matériaux solides
  • C01F 7/54 - Composés doubles contenant à la fois de l'aluminium et des métaux alcalins ou alcalino-terreux
  • H01B 1/06 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques
  • H01M 10/052 - Accumulateurs au lithium
  • H01M 10/0585 - Structure ou fabrication d'accumulateurs ayant uniquement des éléments de structure plats, c.-à-d. des électrodes positives plates, des électrodes négatives plates et des séparateurs plats

16.

DOWA

      
Numéro d'application 019065339
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2024-08-08
Date d'enregistrement 2024-12-25
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Classes de Nice  ? 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques

Produits et services

semi-conductors; semiconductor wafers; semiconductor chips; semiconductor elements; LED (light emitting diode) chips; Sensors.

17.

DOWA

      
Numéro d'application 234240500
Statut En instance
Date de dépôt 2024-08-07
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Classes de Nice  ?
  • 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
  • 11 - Appareils de contrôle de l'environnement

Produits et services

(1) Semi-conductors; semiconductor wafers; semiconductor chips; semiconductor power elements; LED (light emitting diode) chips; Sensors (2) Furnaces; Industrial furnaces; incinerator, furnaces, other than for laboratory use; Heat treatment furnaces; fittings, shaped, for furnaces; heat treatment equipment for treating metal parts, namely, furnaces and gas generators; Gas burner, heating furnace, non-experimental furnace, incinerator, sintering furnace, blunting furnace, hot air furnace, mobile metal heating furnace, electric furnace.

18.

DOWA

      
Numéro de série 98687386
Statut En instance
Date de dépôt 2024-08-07
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Classes de Nice  ? 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques

Produits et services

Semiconductor wafers; semiconductor power elements; silicon chips for LEDs

19.

METHOD FOR PRODUCING CERAMIC/METAL BONDED OBJECT

      
Numéro d'application JP2023036573
Numéro de publication 2024/085004
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-10-06
Date de publication 2024-04-25
Propriétaire
  • OSAKA UNIVERSITY (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sato Yuji
  • Takenaka Keisuke
  • Makinoshima Kazuki
  • Tsukamoto Masahiro
  • Kobayashi Koji
  • Osanai Hideyo

Abrégé

[Problem] To directly bond a metal layer in the shape of a thin line to a surface of a ceramic substrate. [Solution] A method for producing a ceramic/metal bonded object which comprises: causing laser beams to strike on a surface of a ceramic substrate while sweeping the laser beams; simultaneously therewith, feeding a solid metallic material toward a region (hereinafter, referred to as "irradiated area") in the ceramic-substrate surface, the region being irradiated with the laser beams, so that the metallic material being supplied is also in the state of being irradiated with the laser beams, thereby melting the metallic material while heating the ceramic-substrate surface located in the irradiated area; and causing the molten metallic material to adhere to the ceramic-substrate surface and then solidifying the metallic material.

Classes IPC  ?

  • B23K 26/342 - Soudage de rechargement
  • C23C 24/10 - Revêtement à partir de poudres inorganiques en utilisant la chaleur ou une pression et la chaleur avec formation d'une phase liquide intermédiaire dans la couche
  • C23C 26/00 - Revêtements non prévus par les groupes
  • C23C 26/02 - Revêtements non prévus par les groupes par application au substrat de matériaux fondus

20.

METHOD FOR PRODUCING ALN SINGLE CRYSTALS, ALN SINGLE CRYSTALS, AND DEVICE FOR PRODUCING ALN SINGLE CRYSTALS

      
Numéro d'application JP2023006081
Numéro de publication 2023/162936
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-02-20
Date de publication 2023-08-31
Propriétaire
  • TOHOKU UNIVERSITY (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Fukuyama Hiroyuki
  • Ohtsuka Makoto
  • Adachi Masayoshi
  • Miyata Rintaro
  • Watanabe Yasuhiro

Abrégé

Provided are: a method for producing AlN single crystals, the method capable of producing AIN single crystals at low cost and in a continuous manner; AlN single crystals; and a device for producing AlN single crystals. The method for produing AlN single crystals includes: a melt formation step for heating and melting an alloy containing Al to form a melt of the alloy; and a deposition step for depositing AlN single crystals while providing a temperature gradient to the melt by cooling a part of the melt. In the deposition step, by bringing a nitrogen-containing gas into contact with a high-temperature section of the melt and holding AlN seed crystals or a crystal growth substrate for single crystals in a low-temperature section in the melt, with nitrogen being taken into the melt in the high-temperature section, AlN single crystals are deposited on the AlN seed crystals or on the substrate in the low-temperature section, and thereby AlN single crystals continuously grow.

Classes IPC  ?

  • C30B 29/38 - Nitrures
  • C30B 17/00 - Croissance des monocristaux sur un germe restant dans le bain fondu pendant la croissance, p. ex. méthode de Nacken-Kyropoulos
  • C30B 19/02 - Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide en utilisant des solvants fondus, p. ex. des fondants

21.

SM-FE-N-BASED MAGNETIC POWDER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

      
Numéro d'application JP2022037132
Numéro de publication 2023/063171
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-10-04
Date de publication 2023-04-20
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamada Tomoya
  • Yamada Takahiro
  • Sato Kimitaka
  • Kato Shogo
  • Kumon Shoichi

Abrégé

[Problem] To provide an Sm-Fe-N-based magnetic powder that is configured from fine-sized particles advantageous for improving coercivity, that contains minimal impurities, and that is useful for improving the productivity and performance of bond magnets. [Solution] A powder composed of particles having Sm, Fe, and N as main components, the powder having a composition in which the molar ratio Sm/Fe of Sm to Fe is 0.09-0.25, the molar ratio N/Fe of N to Fe is 0.06-0.30, and the Ca content of the powder is 0.002 mass% or less, and, in a volume-based grain size distribution measured by laser diffraction/scattering, D50 being 2.0-11.0 μm, and D10, D50, and D90 satisfying the following relationship (1), where D10 is the cumulative 10% particle diameter, D50 is the cumulative 50% particle diameter, and D90 is the cumulative 90% particle diameter. Relationship (1): (D90−D10)/D50≤1.10

Classes IPC  ?

  • B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
  • B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
  • B22F 1/065 - Particules sphériques
  • B22F 1/14 - Traitement des poudres métalliques
  • B22F 9/08 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau liquide par coulée, p. ex. à travers de petits orifices ou dans l'eau, par atomisation ou pulvérisation
  • C22C 1/04 - Fabrication des alliages non ferreux par métallurgie des poudres
  • C22C 38/00 - Alliages ferreux, p. ex. aciers alliés
  • C23C 8/24 - Nitruration
  • H01F 1/059 - Alliages caractérisés par leur composition contenant des métaux des terres rares et des métaux de transition magnétiques, p. ex. SmCo5 et des éléments Va, p. ex. Sm2Fe17N2
  • H01F 1/06 - Aimants ou corps magnétiques, caractérisés par les matériaux magnétiques appropriésEmploi de matériaux spécifiés pour leurs propriétés magnétiques en matériaux inorganiques caractérisés par leur coercivité en matériaux magnétiques durs métaux ou alliages sous forme de particules, p. ex. de poudre
  • H01F 41/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants

22.

Ultraviolet light receiving device

      
Numéro d'application 17759040
Numéro de brevet 12349473
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-01-15
Date de la première publication 2023-02-09
Date d'octroi 2025-07-01
Propriétaire
  • DOWA HOLDINGS Co., Ltd. (Japon)
  • DOWA Electronics Materials Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Toba, Ryuichi
  • Watanabe, Yasuhiro

Abrégé

5 or more, the rejection ratio being the ratio of the responsivity Rp to the peak photosensitivity wavelength to the average of the responsivity Rv to a visible region of 400 nm or more and 680 nm or less (Rp/Rv).

Classes IPC  ?

  • H10F 30/227 - Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant une seule barrière de potentiel, p. ex. photodiodes la barrière de potentiel étant du type Schottky
  • H10F 77/124 - Matériaux actifs comportant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs
  • H10F 77/20 - Électrodes

23.

Iron-based oxide magnetic powder and method for producing same

      
Numéro d'application 17764229
Numéro de brevet 12428310
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-09-29
Date de la première publication 2022-11-24
Date d'octroi 2025-09-30
Propriétaire
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
  • THE UNIVERSITY OF TOKYO (Japon)
Inventeur(s)
  • Ohkoshi, Shin-Ichi
  • Namai, Asuka
  • Tokoro, Hiroko
  • Yoshikiyo, Marie
  • Yamaga, Kazuhiro
  • Miyamoto, Yasuto
  • Mineyama, Yuki
  • Sakane, Kenji
  • Kawahito, Tetsuya

Abrégé

A raw material solution containing trivalent iron ions, or trivalent iron ions and ions of a metal element that partially substitutes Fe sites, and an alkaline aqueous solution for neutralizing the raw material solution are added to a reaction system to adjust the pH of the reaction system from 1.0 to 3.0 or lower. Hydroxycarboxylic acid is added to the obtained reaction solution and the pH of the reaction system is then neutralized from 7.0 to 10.0 or lower. The obtained precipitate of a substituent metal element-containing iron oxyhydroxide is coated with silicon oxide, followed by heating so as to form particles of ε-iron oxide in which Fe sites are partially substituted by other metal elements, and then, a slurry containing the particles is classified. The iron-based oxide magnetic powder has a particle shape close to a perfect sphere and is suitable for use in a magnetic recording medium.

Classes IPC  ?

  • C01G 49/06 - Oxyde ferrique [Fe2O3]
  • B82Y 25/00 - Nanomagnétisme, p. ex. magnéto-impédance, magnétorésistance anisotropique, magnétorésistance géante ou magnétorésistance à effet tunnel
  • B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p. ex. nanocomposites
  • B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures

24.

Metal negative electrode, method for fabricating the same and secondary battery including the same

      
Numéro d'application 17753694
Numéro de brevet 11652204
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-09-11
Date de la première publication 2022-10-06
Date d'octroi 2023-05-16
Propriétaire
  • THE DOSHISHA (Japon)
  • DOWA HOLDINGS Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s) Morimitsu, Masatsugu

Abrégé

Provided is a metal negative electrode used for a secondary battery. The metal negative electrode includes an active material portion, a current collector, and a non-electronically conductive reaction space divider. The active material portion forms metal during charging and forms an oxidation product of the metal during discharging. The metal is used as a negative-electrode active material. The current collector is electrically connected to the active material portion. The non-electronically conductive reaction space divider is integrally formed with or connected to the current collector and/or the active material portion. The reaction space divider has a plurality of electrolyte holder portions configured to hold a liquid electrolyte.

Classes IPC  ?

  • H01M 4/1395 - Procédés de fabrication d’électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
  • H01M 4/134 - Électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
  • H01M 4/42 - Alliages à base de zinc
  • H01M 4/46 - Alliages à base de magnésium ou d'aluminium
  • H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
  • H01M 10/054 - Accumulateurs à insertion ou intercalation de métaux autres que le lithium, p. ex. au magnésium ou à l'aluminium
  • H01M 4/02 - Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif

25.

DOWA

      
Numéro de série 97326747
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2022-03-23
Date d'enregistrement 2023-08-15
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Classes de Nice  ? 01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture

Produits et services

Metallic oxides; metal oxide powders for industrial purposes; silver oxides; oxides; magnetic fluid for industrial purposes; chemical compositions for metal plating; catalysts for oxidation processes

26.

ZINC NEGATIVE ELECTRODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SECONDARY CELL COMPRISING SAID ZINC NEGATIVE ELECTRODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application JP2021004186
Numéro de publication 2021/161900
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-02-04
Date de publication 2021-08-19
Propriétaire
  • THE DOSHISHA (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Morimitsu Masatsugu

Abrégé

Provided are: a zinc negative electrode having exceptional repeating resistance, and excellent charge/discharge cycling characteristics even at a high charge/discharge rate; a manufacturing method therefor; a secondary cell using the zinc negative electrode; and a manufacturing method therefor. A zinc negative electrode used in a secondary cell, wherein the zinc negative electrode comprises: an active material part in which zinc is generated during charging, and oxidized zinc is generated during discharging, the zinc being used as a negative electrode active material; a collector that is electrically connected to the active material part; and a non-electron-conductive reaction space restriction part that is integrally formed with or connected to the collector and/or the active material part. The reaction space restriction part has a plurality of electrolyte-holding parts comprising a space that can hold a liquid electrolyte.

Classes IPC  ?

  • H01M 4/24 - Électrodes pour accumulateurs alcalins
  • H01M 4/26 - Procédés de fabrication
  • H01M 4/86 - Électrodes inertes ayant une activité catalytique, p. ex. pour piles à combustible
  • H01M 4/88 - Procédés de fabrication
  • H01M 4/90 - Emploi de matériau catalytique spécifié
  • H01M 12/08 - Éléments hybridesLeur fabrication composés d'un demi-élément du type élément à combustible et d'un demi-élément du type à élément secondaire

27.

ULTRAVIOLET-LIGHT-RECEIVING ELEMENT

      
Numéro d'application JP2021001353
Numéro de publication 2021/149623
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-01-15
Date de publication 2021-07-29
Propriétaire
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
  • DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Toba Ryuichi
  • Watanabe Yasuhiro

Abrégé

Provided is an ultraviolet-light-receiving element that has light-receiving sensitivity effective for a target wavelength in the ultraviolet region. A Schottky-junction-type ultraviolet-light-receiving element, wherein: there is a light-receiving sensitivity peak wavelength in the ultraviolet ray region of 230-320 nm (inclusive); and the rejection rate, which is the ratio (Rp/Rv) of a responsivity Rp at the light-receiving sensitivity peak wavelength to an average value Rv of the responsivity of the visible region of 400-680 nm (inclusive), is 105 or greater.

Classes IPC  ?

  • H01L 31/108 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type Schottky

28.

Clad material and method for producing same

      
Numéro d'application 16771730
Numéro de brevet 11876030
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-12-03
Date de la première publication 2021-06-10
Date d'octroi 2024-01-16
Propriétaire
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
  • THE GOODSYSTEM CORPORATION (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Aoyama, Tomotsugu
  • Narieda, Hiroto
  • Kim, Ilho
  • Cho, Meoung Whan

Abrégé

a to contact the Cu-graphite layer 12, the layers are heated while a pressure is applied between the Cu-graphite layer 12 and the Mo—Cu layers 10.

Classes IPC  ?

  • C22C 27/04 - Alliages à base de tungstène ou de molybdène
  • B32B 5/16 - Produits stratifiés caractérisés par l'hétérogénéité ou la structure physique d'une des couches caractérisés par le fait qu'une des couches est formée de particules, p. ex. de copeaux, de fibres hachées, de poudre
  • B32B 15/16 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal adjacent à une couche particulaire
  • B32B 15/20 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comportant de l'aluminium ou du cuivre
  • H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
  • C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
  • C23C 18/38 - Revêtement avec du cuivre
  • H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
  • H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

29.

IRON-BASED OXIDE MAGNETIC POWDER AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

      
Numéro d'application JP2020036984
Numéro de publication 2021/065936
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-09-29
Date de publication 2021-04-08
Propriétaire
  • THE UNIVERSITY OF TOKYO (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ohkoshi Shin-Ichi
  • Namai Asuka
  • Tokoro Hiroko
  • Yoshikiyo Marie
  • Yamaga Kazuhiro
  • Miyamoto Yasuto
  • Mineyama Yuki
  • Sakane Kenji
  • Kawahito Tetsuya

Abrégé

[Problem] To provide an iron-based oxide magnetic powder which has a sufficiently reduced amount of fine particles and coarse particles, has a powder shape that is close to a perfect sphere, and is suitable for magnetic recording medium applications. [Solution] A source solution containing ferric ions or ferric ions and metal element ions which substitute a portion of the Fe site and an alkali aqueous solution for neutralizing the source solution are added to a reaction system so that the reaction system has a pH of 1.0 to 3.0; a hydroxy carboxylic acid is added to the obtained reaction solution and thereafter the pH of the reaction system is neutralized to 7.0 to 10.0; a deposit of the obtained substituted metal element-containing iron oxyhydroxide is coated with a silicon oxide and heated to form particles of ε-iron oxide in which a portion of the Fe site is substituted with another metal element; and the slurry containing the particles is classified.

Classes IPC  ?

  • C01G 51/00 - Composés du cobalt
  • G11B 5/706 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant une ou plusieurs couches de particules magnétisables mélangées de façon homogène avec un produit de liaison sur une couche de base caractérisés par la composition du matériau magnétique
  • G11B 5/714 - Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié comportant une ou plusieurs couches de particules magnétisables mélangées de façon homogène avec un produit de liaison sur une couche de base caractérisés par la dimension des particules magnétiques
  • G11B 5/84 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication de supports d'enregistrement
  • C01G 49/00 - Composés du fer
  • H01F 1/11 - Aimants ou corps magnétiques, caractérisés par les matériaux magnétiques appropriésEmploi de matériaux spécifiés pour leurs propriétés magnétiques en matériaux inorganiques caractérisés par leur coercivité en matériaux magnétiques durs substances non métalliques, p. ex. ferrites sous forme de particules

30.

METAL NEGATIVE ELECTRODE, METHOD FOR MANUFACTURING METAL NEGATIVE ELECTRODE, AND SECONDARY CELL COMPRISING METAL NEGATIVE ELECTRODE

      
Numéro d'application JP2020034456
Numéro de publication 2021/049609
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-09-11
Date de publication 2021-03-18
Propriétaire
  • THE DOSHISHA (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Morimitsu Masatsugu

Abrégé

Provided are: a metal negative electrode having exceptional repeating resistance, and excellent charge/discharge cycling characteristics even at a high charge/discharge rate; a method for manufacturing same; and a secondary cell in which the metal negative electrode is used. A metal negative electrode used in a secondary cell, wherein the metal negative electrode comprises: an active material part in which a metal is produced during charging and an oxidation product of the metal is produced during discharging, the metal being used as a negative electrode active material; a collector electrically connected to the active material part; and a non-electron-conductive reaction space restriction part integrally formed with or connected to the collector and/or the active material part. The reaction space restriction part has a plurality of electrolyte-holding parts capable of holding a liquid electrolyte.

Classes IPC  ?

  • H01M 12/08 - Éléments hybridesLeur fabrication composés d'un demi-élément du type élément à combustible et d'un demi-élément du type à élément secondaire
  • H01M 4/02 - Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
  • H01M 4/04 - Procédés de fabrication en général
  • H01M 4/134 - Électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
  • H01M 4/1395 - Procédés de fabrication d’électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
  • H01M 4/24 - Électrodes pour accumulateurs alcalins
  • H01M 4/26 - Procédés de fabrication
  • H01M 4/40 - Alliages à base de métaux alcalins
  • H01M 4/42 - Alliages à base de zinc
  • H01M 4/46 - Alliages à base de magnésium ou d'aluminium
  • H01M 4/62 - Emploi de substances spécifiées inactives comme ingrédients pour les masses actives, p. ex. liants, charges
  • H01M 10/052 - Accumulateurs au lithium
  • H01M 10/054 - Accumulateurs à insertion ou intercalation de métaux autres que le lithium, p. ex. au magnésium ou à l'aluminium
  • H01M 10/0566 - Matériaux liquides
  • H01M 10/30 - Accumulateurs au nickel
  • H01M 10/32 - Accumulateurs à l'argent

31.

Deep ultraviolet LED and method for producing the same

      
Numéro d'application 16964881
Numéro de brevet 11309454
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-01-25
Date de la première publication 2021-02-04
Date d'octroi 2022-04-19
Propriétaire
  • Marubun Corporation (Japon)
  • Shibaura Machine Co., Ltd. (Japon)
  • RIKEN (Japon)
  • ULVAC, Inc. (Japon)
  • Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. (Japon)
  • Nippon Tungsten Co., Ltd. (Japon)
  • Dai Nippon Printing Co., Ltd. (Japon)
  • Dowa Holdings Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kashima, Yukio
  • Matsuura, Eriko
  • Kokubo, Mitsunori
  • Tashiro, Takaharu
  • Hirayama, Hideki
  • Maeda, Noritoshi
  • Jo, Masafumi
  • Kamimura, Ryuichiro
  • Osada, Yamato
  • Furuta, Kanji
  • Iwai, Takeshi
  • Aoyama, Yohei
  • Iwaisako, Yasushi
  • Nagano, Tsugumi
  • Watanabe, Yasuhiro

Abrégé

2Deff is the effective refractive index of two-dimensional photonic crystals, and a is the period of the two-dimensional photonic crystals) satisfies 2≤m≤4, and the radius of each void is R, R/a satisfies 0.30≤R/a≤0.40.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
  • H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
  • H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
  • H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
  • H01L 33/40 - Matériaux

32.

DEEP ULTRAVIOLET LED AND PRODUCTION METHOD FOR SAME

      
Numéro d'application JP2019002392
Numéro de publication 2019/146737
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2019-01-25
Date de publication 2019-08-01
Propriétaire
  • MARUBUN CORPORATION (Japon)
  • TOSHIBA KIKAI KABUSHIKI KAISHA (Japon)
  • RIKEN (Japon)
  • ULVAC, INC. (Japon)
  • TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. (Japon)
  • NIPPON TUNGSTEN CO., LTD. (Japon)
  • DAI NIPPON PRINTING CO., LTD. (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Kashima Yukio
  • Matsuura Eriko
  • Kokubo Mitsunori
  • Tashiro Takaharu
  • Hirayama Hideki
  • Maeda Noritoshi
  • Jo Masafumi
  • Kamimura Ryuichiro
  • Osada Yamato
  • Furuta Kanji
  • Iwai Takeshi
  • Aoyama Yohei
  • Iwaisako Yasushi
  • Nagano Tsugumi
  • Watanabe Yasuhiro

Abrégé

1Dneff2Deff2Deff2Deff being the effective refractive index of the two-dimensional photonic crystal, and a being the period of the two-dimensional photonic crystal) satisfies 2≤m≤4, and in that, when the radius of the holes is R, 0.30≤R/a≤0.40.

Classes IPC  ?

  • H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
  • H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote

33.

CLADDING AND METHOD FOR PRODUCING SAME

      
Numéro d'application JP2018044388
Numéro de publication 2019/116946
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-12-03
Date de publication 2019-06-20
Propriétaire
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
  • THE GOODSYSTEM CORPORATION (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Aoyama Tomotsugu
  • Narieda Hiroto
  • Kim Ilho
  • Cho Meoung Whan

Abrégé

Provided are a cladding and a method for producing the same with which it is possible to prevent cracking and peeling from occurring even in the case of punching out (application of shear that is greater than thermal shock) due to press-machining. An Mo-Cu layer 10 on which a metal film 10a is formed on at least one surface thereof, the metal layer 10a comprising one metal selected from the group consisting of Co, Ti, Pd, Pt, and Ni, is disposed on each surface of a Cu-graphite layer 12 obtained by sintering a graphite powder having a Cu film formed on the surface thereof, the Mo-Cu layer 10 being disposed such that the metal film 10a contacts the surface of the Cu-graphite layer 12, and then the Cu-graphite layer 12 and the Mo-Cu layer 10 are heated while pressure is applied therebetween.

Classes IPC  ?

  • B23K 20/00 - Soudage non électrique par percussion ou par une autre forme de pression, avec ou sans chauffage, p. ex. revêtement ou placage
  • H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p. ex. dissipateurs de chaleur
  • C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
  • C22C 27/04 - Alliages à base de tungstène ou de molybdène

34.

DOWA

      
Numéro de série 88320231
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2019-02-28
Date d'enregistrement 2021-03-09
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Classes de Nice  ?
  • 01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture
  • 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques

Produits et services

Magnetic metal oxides for industrial purposes Soft magnetic powders for industrial purposes; soft magnetic powders for industrial purpose for use in the manufacturing of electric wave-absorbing materials, sensors, and injectors

35.

Silver nanowires, method for producing same, and ink

      
Numéro d'application 15542109
Numéro de brevet 10391555
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-01-14
Date de la première publication 2018-09-27
Date d'octroi 2019-08-27
Propriétaire
  • THE UNIVERSITY OF SHIGA PREFECTURE (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ida, Shohei
  • Hirokawa, Yoshitsugu
  • Balachandran, Jeyadevan
  • Huaman, Jhon Lehman Cuya
  • Sato, Kimitaka

Abrégé

Silver nanowires having a thin and long shape that exhibit excellent dispersibility in an aqueous solvent having an alcohol added thereto are provided by silver nanowires having an average diameter of 50 nm or less and an average length of 10 μm or more, covered with a copolymer of a maleimide-based monomer and vinylpyrrolidone. The silver nanowires can be produced by a method for producing silver nanowires, containing reductively depositing silver in a wire form in an alcohol solvent having dissolved therein a silver compound, the deposition being performed in the solvent having dissolved therein a copolymer of a maleimide-based monomer and vinylpyrrolidone.

Classes IPC  ?

  • H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
  • B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
  • B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
  • C09C 1/62 - Pigments ou charges métalliques
  • C09C 3/10 - Traitement par des composés organiques macromoléculaires
  • C09D 11/52 - Encres conductrices de l’électricité
  • H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages
  • C09D 11/037 - Encres d’imprimerie caractérisées par des particularités autres que la nature chimique du liant caractérisées par le pigment
  • C09D 11/106 - Encres d’imprimerie à base de résines artificielles contenant des composés macromoléculaires obtenus par des réactions faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carbone
  • C08K 7/24 - Particules expansibles, poreuses ou creuses inorganiques
  • C08K 9/04 - Ingrédients traités par des substances organiques
  • C08K 3/08 - Métaux
  • C08K 9/08 - Ingrédients agglomérés par traitement avec un liant

36.

DOWA

      
Numéro d'application 190028700
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2018-05-22
Date d'enregistrement 2021-07-28
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Classes de Nice  ?
  • 01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture
  • 06 - Métaux communs et minerais; objets en métal
  • 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques

Produits et services

(1) Electrically conductive paste for soldering electronic components; industrial chemicals, namely carrier particles for use with electrostatic image development toner; electrically conductive paste mixed with metal powder for printing the conductive pattern of electronic circuits and electrodes. (2) Electronic chips for the manufacture of integrated circuits; gallium arsenide semiconductor wafer; LED (light emitting diode) chips; Laser diodes; Light-emitting diodes (LED); Semiconductors; electronic semiconductors; infrared sensors, biochip sensors, pressure sensors, proximity sensors, sensors for determining temperature; Silicon wafers; Semiconductor wafers; electronic tags for goods; LED's (light emitting diodes), electrical conductors for transformers, for fuel cells, for integrated circuits.

37.

Method for producing negative electrode active material for lithium ion secondary battery

      
Numéro d'application 15459132
Numéro de brevet 10256464
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-03-15
Date de la première publication 2017-06-29
Date d'octroi 2019-04-09
Propriétaire
  • TOHOKU UNIVERSITY (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Shimoi, Norihiro
  • Tohji, Kazuyuki
  • Tanaka, Yasumitsu
  • Zhang, Qiwu
  • Kai, Hiroyuki

Abrégé

A method for producing a negative electrode active material for a lithium ion secondary battery, comprising a step of charging either silicon and copper (II) oxide or silicon and copper metal in a pulverization device, pulverizing either the silicon and copper (II) oxide or silicon and copper metal, and simultaneously mixing either silicon and copper (II) oxide or silicon and copper metal thus pulverized. A negative electrode active material for a lithium ion secondary battery is produced by the method.

Classes IPC  ?

  • H01M 4/82 - Procédés à plusieurs étapes pour la fabrication des supports pour accumulateurs au plomb
  • H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
  • C04B 35/626 - Préparation ou traitement des poudres individuellement ou par fournées
  • H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
  • H01M 4/485 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiTi2O4 ou LiTi2OxFy
  • H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
  • C04B 35/58 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de borures, nitrures ou siliciures
  • C01B 33/32 - Silicates de métaux alcalins
  • H01M 4/02 - Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
  • H01M 10/052 - Accumulateurs au lithium

38.

Negative electrode active material for lithium ion secondary battery

      
Numéro d'application 15459088
Numéro de brevet 10044033
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2017-03-15
Date de la première publication 2017-06-29
Date d'octroi 2018-08-07
Propriétaire
  • TOHOKU UNIVERSITY (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Shimoi, Norihiro
  • Tohji, Kazuyuki
  • Tanaka, Yasumitsu
  • Zhang, Qiwu
  • Kai, Hiroyuki

Abrégé

x) measured by an X-ray diffractometry of 50 nm or less, and having elemental ratios, expressed by molar ratios, Cu/(Si+Cu+O) and O/(Si+Cu+O) of from 0.02 to 0.30, wherein the negative electrode active material contains an intermetallic compound of silicon and copper.

Classes IPC  ?

  • H01M 4/00 - Électrodes
  • H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
  • H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
  • H01M 4/485 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiTi2O4 ou LiTi2OxFy
  • H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
  • H01M 4/02 - Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif

39.

Method for producing silver nanowires, silver nanowires, and ink using same

      
Numéro d'application 15122200
Numéro de brevet 10220441
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-03-03
Date de la première publication 2016-12-22
Date d'octroi 2019-03-05
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Saito, Hirotoshi
  • Kodama, Daisuke
  • Sato, Kimitaka

Abrégé

A method for producing silver nanowires, containing reduction-precipitating silver in the form of wire in an alcohol solvent having dissolved therein a silver compound, the deposition being performed in the alcohol solvent having dissolved therein a chloride, a bromide, an alkali metal hydroxide, an aluminum salt, and an organic protective agent, the molar ratio Al/OH of the total Al amount of the aluminum salt dissolved in the solvent and the total hydroxide ion amount of the alkali metal hydroxide dissolved therein being from 0.01 to 0.40, the molar ratio OH/Ag of the total hydroxide ion amount of the alkali metal hydroxide dissolved in the solvent and the total Ag amount of the silver compound dissolved therein being from 0.005 to 0.50.

Classes IPC  ?

  • B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
  • C09D 11/52 - Encres conductrices de l’électricité
  • H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
  • B22F 1/02 - Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes comportant un enrobage des particules
  • B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
  • H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages

40.

Active material composite powder, lithium battery, and method for manufacturing the same

      
Numéro d'application 14914682
Numéro de brevet 10680245
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-07-18
Date de la première publication 2016-07-21
Date d'octroi 2020-06-09
Propriétaire
  • TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Uchiyama, Takayuki
  • Miki, Nariaki
  • Aiki, Yoshiaki
  • Tanoue, Koji

Abrégé

2/g] is 0.93

Classes IPC  ?

  • H01M 4/04 - Procédés de fabrication en général
  • H01M 4/131 - Électrodes à base d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes, ou de mélanges d'oxydes ou d'hydroxydes, p. ex. LiCoOx
  • H01M 4/1391 - Procédés de fabrication d'électrodes à base d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes, ou de mélanges d'oxydes ou d'hydroxydes, p. ex. LiCoOx
  • H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
  • H01M 10/0562 - Matériaux solides
  • H01M 4/62 - Emploi de substances spécifiées inactives comme ingrédients pour les masses actives, p. ex. liants, charges
  • H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy
  • H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
  • H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
  • H01M 4/485 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiTi2O4 ou LiTi2OxFy
  • C01G 53/00 - Composés du nickel
  • H01M 4/139 - Procédés de fabrication
  • H01M 10/052 - Accumulateurs au lithium
  • H01M 4/02 - Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif

41.

SILVER NANOWIRE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND INK

      
Numéro d'application JP2016051051
Numéro de publication 2016/114370
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2016-01-14
Date de publication 2016-07-21
Propriétaire
  • THE UNIVERSITY OF SHIGA PREFECTURE (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ida Shohei
  • Hirokawa Yoshitsugu
  • Jeyadevan Balachandran
  • Jhon Lehman Cuya Huaman
  • Sato Kimitaka

Abrégé

Provided is a silver nanowire having a long, thin shape that demonstrates excellent dispersibility in an aqueous medium to which alcohol has been added, the silver nanowire being coated with a copolymer of a maleimide monomer and vinylpyrrolidone and having an average diameter of 50 nm or less and an average length of 10 μm or less. A method for manufacturing a silver nanowire in which silver has been reduced and precipitated into a wire shape in an alcohol solvent in which a silver compound has been dissolved, wherein the silver nanowire is manufactured using a technique that promotes the precipitation with the copolymer of a maleimide monomer and vinylpyrrolidone having been dissolved in the solvent.

Classes IPC  ?

  • B22F 1/02 - Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes comportant un enrobage des particules
  • B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
  • B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
  • C09C 1/62 - Pigments ou charges métalliques
  • C09C 3/10 - Traitement par des composés organiques macromoléculaires
  • C09D 11/52 - Encres conductrices de l’électricité
  • H01B 1/00 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
  • H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages
  • H01B 5/00 - Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme
  • H01B 13/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles

42.

Positive-electrode active-material powder and manufacturing method therefor

      
Numéro d'application 14787004
Numéro de brevet 09761907
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-05-06
Date de la première publication 2016-03-31
Date d'octroi 2017-09-12
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tanoue, Koji
  • Aiki, Yoshiaki

Abrégé

3, wherein 0 £ X £ 0.5. An average proportion of a total atom number of Al, Ti and P in a total atom number of Al, Ti, M and P within an etching depth of 1 nm from the outermost surface determined by analysis in a depth direction with XPS is 50% or more. The transition metal M is, for example, at least one kind of Co, Ni and Mn.

Classes IPC  ?

  • H01M 10/0562 - Matériaux solides
  • H01M 4/485 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiTi2O4 ou LiTi2OxFy
  • H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
  • H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy
  • H01M 4/1391 - Procédés de fabrication d'électrodes à base d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes, ou de mélanges d'oxydes ou d'hydroxydes, p. ex. LiCoOx
  • H01M 4/62 - Emploi de substances spécifiées inactives comme ingrédients pour les masses actives, p. ex. liants, charges
  • H01M 4/04 - Procédés de fabrication en général
  • C01B 25/45 - Phosphates contenant plusieurs métaux ou un métal et l'ammonium
  • H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
  • H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
  • H01M 4/02 - Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
  • H01M 4/58 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs de composés inorganiques autres que les oxydes ou les hydroxydes, p. ex. sulfures, séléniures, tellurures, halogénures ou LiCoFyEmploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs de structures polyanioniques, p. ex. phosphates, silicates ou borates

43.

Negative electrode active material for lithium ion secondary battery, method for producing the same, negative electrode, and battery

      
Numéro d'application 14793975
Numéro de brevet 09634327
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-07-08
Date de la première publication 2015-11-12
Date d'octroi 2017-04-25
Propriétaire
  • TOHOKU UNIVERSITY (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Shimoi, Norihiro
  • Tohji, Kazuyuki
  • Tanaka, Yasumitsu
  • Zhang, Qiwu
  • Kai, Hiroyuki

Abrégé

In the case where a silicon substance having a high theoretical capacity as a negative electrode active material for a lithium ion secondary battery is used as a negative electrode active material, such a negative electrode active material is provided that has a high initial battery capacity and suffers less deterioration in performance even when many cycles of charge and discharge are repeated. A lithium ion secondary battery using the negative electrode active material is provided. Silicon and copper (II) oxide, or silicon, metallic copper and water are pulverized and simultaneously mixed in a pulverization device, thereby providing a negative electrode active material that has good cycle characteristics and a large battery capacity.

Classes IPC  ?

  • H01M 4/00 - Électrodes
  • H01M 4/485 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiTi2O4 ou LiTi2OxFy
  • H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
  • C04B 35/626 - Préparation ou traitement des poudres individuellement ou par fournées
  • H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
  • H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
  • C04B 35/58 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de borures, nitrures ou siliciures
  • H01M 4/02 - Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
  • H01M 10/052 - Accumulateurs au lithium

44.

METHOD FOR PRODUCING SILVER NANOWIRES, SILVER NANOWIRES AND INK USING SAME

      
Numéro d'application JP2015056162
Numéro de publication 2015/133453
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-03-03
Date de publication 2015-09-11
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Saito Hirotoshi
  • Kodama Daisuke
  • Sato Kimitaka

Abrégé

A method for producing silver nanowires, wherein silver is precipitated in the form of wires by reduction in an alcohol solvent into which a silver compound is dissolved. The precipitation is carried out in an alcohol solvent into which a chloride, a bromide, an alkali metal hydroxide, an aluminum salt and an organic protection agent, which is a copolymer having a polymer composition of vinyl pyrrolidone and a diallyldimethylammonium salt monomer, are dissolved. The molar ratio of the total amount of Al in the aluminum slat to be dissolved in the solvent to the total amount of hydroxide ions in the alkali metal hydroxide to be dissolved in the solvent, namely Al/OH is set to 0.01-0.40. The molar ratio of the amount of hydroxide ions in the alkali metal hydroxide to be dissolved in the solvent to the total amount of Ag in the silver compound to be dissolved in the solvent, namely OH/Ag is set to 0.005-0.50. Consequently, thin and long silver nanowires, which have an average diameter of 50 nm or less and an average length of 10 μm or more and are suitable for the production of a transparent conductor, are stably produced by this method for producing silver nanowires.

Classes IPC  ?

  • B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
  • B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
  • B22F 1/02 - Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes comportant un enrobage des particules
  • B22F 9/00 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet
  • H01B 1/00 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
  • H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages
  • H01B 5/00 - Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme
  • H01B 13/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles

45.

Radioactive cesium decontaminator and method of producing the same, and method of removing the radioactive cesium

      
Numéro d'application 14427111
Numéro de brevet 10233099
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-09-10
Date de la première publication 2015-08-27
Date d'octroi 2019-03-19
Propriétaire
  • THE JIKEI UNIVERSITY (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Namiki, Yoshihisa
  • Ueyama, Toshihiko
  • Yoshida, Takayuki
  • Watanabe, Ryoei

Abrégé

50 is less than 6. The decontaminator is made by adding a ferrocyanide aqueous solution and an aqueous solution containing at least one transition metal into a suspension liquid containing a precursor formed by magnetic particles coated with organic monomer or polymer while applying a strong shear force.

Classes IPC  ?

  • B03C 1/01 - Prétraitement spécialement adapté à la séparation magnétique par addition d'agents magnétiques
  • C02F 1/00 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout
  • C02F 1/48 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout au moyen de champs magnétiques ou électriques
  • G21F 9/12 - Traitements par absorptionTraitements par adsorptionTraitements par échange d'ions
  • G21F 9/28 - Traitement des solides
  • B01J 20/02 - Compositions absorbantes ou adsorbantes solides ou compositions facilitant la filtrationAbsorbants ou adsorbants pour la chromatographieProcédés pour leur préparation, régénération ou réactivation contenant une substance inorganique
  • B01J 20/26 - Composés macromoléculaires synthétiques
  • B01J 20/28 - Compositions absorbantes ou adsorbantes solides ou compositions facilitant la filtrationAbsorbants ou adsorbants pour la chromatographieProcédés pour leur préparation, régénération ou réactivation caractérisées par leur forme ou leurs propriétés physiques
  • B01J 20/32 - Imprégnation ou revêtement
  • C02F 101/00 - Nature du contaminant

46.

Field electron emission film, field electron emission device, light emission device, and method for producing them

      
Numéro d'application 14424074
Numéro de brevet 09324556
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-08-12
Date de la première publication 2015-08-13
Date d'octroi 2016-04-26
Propriétaire
  • TOHOKU UNIVERSITY (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Shimoi, Norihiro
  • Tohji, Kazuyuki
  • Tanaka, Yasumitsu
  • Kai, Hiroyuki

Abrégé

2 on a surface of the film, and carbon nanotubes are exposed on a wall surface of the grooves. After forming an ITO film containing carbon nanotubes on a substrate, grooves are formed on a surface of the ITO film, and the end portions of the carbon nanotubes exposed to the wall surface of the grooves are designated as an emitter.

Classes IPC  ?

  • H01J 63/06 - Lampes à écran luminescent excité par le rayon cathodique ou le flux électronique
  • H01J 1/304 - Cathodes à émission d'électrons de champ
  • H01J 9/02 - Fabrication des électrodes ou des systèmes d'électrodes
  • H01J 31/12 - Tubes reproducteurs d'images ou de dessins, c.-à-d. comprenant un signal d'entrée électrique et un signal de sortie optiqueTubes analyseurs à spot mobile à écran luminescent
  • H01J 63/02 - Détails, p. ex. électrodes, atmosphère gazeuse, forme de l'enceinte

47.

SILVER NANOWIRE PRODUCTION METHOD

      
Numéro d'application JP2015051235
Numéro de publication 2015/108183
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2015-01-19
Date de publication 2015-07-23
Propriétaire
  • THE UNIVERSITY OF SHIGA PREFECTURE (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Jeyadevan Balachandran
  • Jhon Lehman Cuya Huaman
  • Kodama Daisuke

Abrégé

Provided is a silver nanowire production method which also exhibits a yield improving effect for protective agents other than PVP. When precipitating silver nanowires in an alcohol solvent in which a silver compound, a halogen compound and an organic protective agent are dissolved, the silver precipitation reaction is advanced in a state in which aluminum nitrate is also dissolved in the solvent. Relative to the total amount of the silver compound, the total amount of aluminum nitrate dissolved in the solvent is 0.01-0.50, expressed as the molar ratio Al/Ag, and the organic protective agent comprises, for example, alkylated PVP and/or a PVP/PVA graft copolymer.

Classes IPC  ?

  • B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
  • B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
  • B22F 1/02 - Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes comportant un enrobage des particules

48.

Catalyst, method for producing catalyst, and method for producing hydrogen-containing gas using catalyst, and hydrogen generating device, fuel cell system, and silicon-supported CeZr-based oxide

      
Numéro d'application 14378506
Numéro de brevet 09673465
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-03-07
Date de la première publication 2015-06-18
Date d'octroi 2017-06-06
Propriétaire
  • OITA UNIVERSITY (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nagaoka, Katsutoshi
  • Miyazaki, Tatsuro
  • Yano, Takuya
  • Ikari, Kazumasa
  • Ueyama, Toshihiko

Abrégé

2 (x+y=1) and the silicon satisfies molar ratios of 0.02≦Si/Zr and 0.01

Classes IPC  ?

  • B01J 23/63 - Métaux du groupe du platine avec des terres rares ou des actinides
  • B01J 23/76 - Catalyseurs contenant des métaux, oxydes ou hydroxydes métalliques non prévus dans le groupe du cuivre ou des métaux du groupe du fer en combinaison avec des métaux, oxydes ou hydroxydes prévus dans les groupes
  • H01M 8/12 - Éléments à combustible avec électrolytes solides fonctionnant à haute température, p. ex. avec un électrolyte en ZrO2 stabilisé
  • C01B 3/40 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène par réaction de composés organiques gazeux ou liquides avec des agents gazéifiants, p. ex. de l'eau, du gaz carbonique, de l'air par réaction d'hydrocarbures avec des agents gazéifiants avec des catalyseurs caractérisée par le catalyseur
  • H01M 8/06 - Combinaison d’éléments à combustible avec des moyens de production de réactifs ou pour le traitement de résidus
  • H01M 8/0612 - Combinaison d’éléments à combustible avec des moyens de production de réactifs ou pour le traitement de résidus avec des moyens de production des réactifs gazeux à partir de matériaux contenant du carbone
  • C01B 3/32 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène par réaction de composés organiques gazeux ou liquides avec des agents gazéifiants, p. ex. de l'eau, du gaz carbonique, de l'air
  • B01J 23/00 - Catalyseurs contenant des métaux, oxydes ou hydroxydes métalliques non prévus dans le groupe
  • B01J 23/10 - Catalyseurs contenant des métaux, oxydes ou hydroxydes métalliques non prévus dans le groupe des terres rares
  • B01J 35/00 - Catalyseurs caractérisés par leur forme ou leurs propriétés physiques, en général
  • B01J 8/08 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés avec des particules mobiles
  • B01J 21/06 - Silicium, titane, zirconium ou hafniumLeurs oxydes ou hydroxydes
  • B01J 23/46 - Ruthénium, rhodium, osmium ou iridium
  • B01J 23/755 - Nickel
  • B01J 35/02 - Catalyseurs caractérisés par leur forme ou leurs propriétés physiques, en général solides
  • B01J 37/00 - Procédés de préparation des catalyseurs, en généralProcédés d'activation des catalyseurs, en général
  • B01J 37/02 - Imprégnation, revêtement ou précipitation
  • B01J 37/16 - Réduction
  • H01M 8/124 - Éléments à combustible avec électrolytes solides fonctionnant à haute température, p. ex. avec un électrolyte en ZrO2 stabilisé caractérisés par le procédé de fabrication ou par le matériau de l’électrolyte

49.

ACTIVE MATERIAL COMPOSITE POWDER, LITHIUM BATTERY, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATERIAL COMPOSITE POWDER, AND METHOD FOR MANUFACTURING LITHIUM BATTERY

      
Numéro d'application JP2014069251
Numéro de publication 2015/037330
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-07-18
Date de publication 2015-03-19
Propriétaire
  • TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Uchiyama, Takayuki
  • Miki, Nariaki
  • Aiki, Yoshiaki
  • Tanoue, Koji

Abrégé

Provided are: an active material composite powder which is capable of reducing resistance; and a method for producing the active material composite powder. This active material composite powder contains an active material and lithium niobate adhered to the surface of the active material, and has a BET specific surface area (S [m2/g]) satisfying 0.93 < S < 1.44. This method for producing an active material composite powder comprises: a spray drying step wherein a solution containing lithium and a peroxo complex of niobium is sprayed onto an active material and dried thereon in parallel; and a heat treatment step wherein a heat treatment is carried out after the spray drying step. The temperature of the heat treatment is more than 123°C but less than 350°C.

Classes IPC  ?

  • H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
  • H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
  • H01M 10/058 - Structure ou fabrication

50.

Aggregate of radioactive material removing particles and method of producing the same, and method of removing contaminant

      
Numéro d'application 14280979
Numéro de brevet 09679670
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-05-19
Date de la première publication 2014-11-27
Date d'octroi 2017-06-13
Propriétaire
  • THE JIKEI UNIVERSITY (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Namiki, Yoshihisa
  • Ueyama, Toshihiko
  • Yoshida, Takayuki

Abrégé

There is provided an aggregate of radioactive material removing particles in which two or more radioactive material removing particles having magnetic particles and a radioactive material adsorption component are assembled, wherein a pore volume in the aggregate is 0.5 mL/g or more and 5.0 mL/g or less, and the pore volume means a cumulative value obtained by a mercury press-in method.

Classes IPC  ?

  • G21F 9/12 - Traitements par absorptionTraitements par adsorptionTraitements par échange d'ions
  • C02F 1/28 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par absorption ou adsorption
  • C02F 1/48 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout au moyen de champs magnétiques ou électriques
  • B01J 20/26 - Composés macromoléculaires synthétiques
  • B01J 20/28 - Compositions absorbantes ou adsorbantes solides ou compositions facilitant la filtrationAbsorbants ou adsorbants pour la chromatographieProcédés pour leur préparation, régénération ou réactivation caractérisées par leur forme ou leurs propriétés physiques
  • B01J 20/32 - Imprégnation ou revêtement
  • C02F 101/00 - Nature du contaminant
  • C02F 103/18 - Nature de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux ou boues d'égout à traiter provenant de l'épuration des effluents gazeux par voie humide

51.

POSITIVE-ELECTRODE ACTIVE-MATERIAL POWDER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application JP2014062208
Numéro de publication 2014/181784
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-05-06
Date de publication 2014-11-13
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Tanoue Koji
  • Aiki Yoshiaki

Abrégé

[Problem] To provide a lithium-ion secondary-battery positive-electrode active material with drastically reduced transition-metal content near the outermost surfaces thereof. [Solution] A solid-electrolyte-coated positive-electrode active-material powder comprising particles having solid-electrolyte coating layers that can be represented by Li1+XAlXTi2−X(PO4)3, with 0 ≤ X ≤ 0.5, on the surfaces of particles of a lithium-ion secondary-battery positive-electrode active material comprising a compound oxide of lithium and one or more transition metals (M). An XPS depth profile shows that up to a depth of 1 nm from the outermost surfaces of the abovementioned particles, the total number of atoms of aluminum, titanium, and phosphorus is, on average, at least 50% of the total number of atoms of aluminum, titanium, the transition metal(s) (M), and phosphorus. The transition metal(s) (M) could be, for example, one or more of cobalt, nickel, and manganese.

Classes IPC  ?

  • H01M 4/485 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiTi2O4 ou LiTi2OxFy
  • H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
  • H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy
  • H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy

52.

NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION SECONDARY BATTERIES, METHOD FOR PRODUCING SAME, NEGATIVE ELECTRODE, AND BATTERY

      
Numéro d'application JP2014057967
Numéro de publication 2014/162908
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-03-24
Date de publication 2014-10-09
Propriétaire
  • TOHOKU UNIVERSITY (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Shimoi Norihiro
  • Tohji Kazuyuki
  • Tanaka Yasumitsu
  • Zhang Qiwu
  • Kai Hiroyuki

Abrégé

[Problem] To obtain a negative electrode active material which is composed of a silicon-based substance having a high theoretical capacity in terms of a negative electrode active material for lithium ion secondary batteries, and which has a high initial battery capacity and is suppressed in deterioration of the performance even after a plurality of charge/discharge cycles if used as a negative electrode active material for a lithium ion secondary battery. To provide a lithium ion secondary battery which uses this negative electrode active material. [Solution] A negative electrode active material having good cycle characteristics and a high battery capacity is able to be obtained by pulverizing silicon and copper (II) oxide, or alternatively silicon, copper metal and water, using a pulverization means and mixing these materials at the same time.

Classes IPC  ?

  • H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
  • H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
  • H01M 4/48 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques
  • H01M 10/052 - Accumulateurs au lithium
  • H01M 10/0566 - Matériaux liquides

53.

RADIOACTIVE CESIUM DECONTAMINATING AGENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR REMOVING RADIOACTIVE CESIUM

      
Numéro d'application JP2013074408
Numéro de publication 2014/038713
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-09-10
Date de publication 2014-03-13
Propriétaire
  • THE JIKEI UNIVERSITY (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Namiki Yoshihisa
  • Ueyama Toshihiko
  • Yoshida Takayuki
  • Watanabe Ryoei

Abrégé

Provided is a method for producing a decontaminating agent particle, which enables the easy and high-productivity production of a decontaminating agent particle that can decontaminate a radioactive substance with high efficiency, has high environmental resistance, is suitable for the treatment of a large amount of the radioactive substance, and can be used in a radioactive substance decontamination system or the like. Provided is a method for producing a radioactive cesium decontaminating agent, which comprises: a step of suspending a magnetic particle in a solvent and coating the magnetic particle with a monomer or polymer of an organic substance to form a precursor; a step of adding an aqueous ferrocyanide solution and an aqueous solution containing at least one transition metal to a suspension containing the coated precursor while applying strong shear force to the suspension to produce a radioactive cesium decontaminating agent; and a step of removing water from a slurry containing the radioactive cesium decontaminating agent.

Classes IPC  ?

  • G21F 9/28 - Traitement des solides
  • B01J 20/02 - Compositions absorbantes ou adsorbantes solides ou compositions facilitant la filtrationAbsorbants ou adsorbants pour la chromatographieProcédés pour leur préparation, régénération ou réactivation contenant une substance inorganique
  • B01J 20/28 - Compositions absorbantes ou adsorbantes solides ou compositions facilitant la filtrationAbsorbants ou adsorbants pour la chromatographieProcédés pour leur préparation, régénération ou réactivation caractérisées par leur forme ou leurs propriétés physiques
  • B01J 20/30 - Procédés de préparation, de régénération ou de réactivation
  • B03C 1/00 - Séparation magnétique
  • G21F 9/12 - Traitements par absorptionTraitements par adsorptionTraitements par échange d'ions

54.

FIELD ELECTRON EMISSION FILM, FIELD ELECTRON EMISSION ELEMENT, LIGHT EMITTING ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING SAME

      
Numéro d'application JP2013071772
Numéro de publication 2014/034423
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-08-12
Date de publication 2014-03-06
Propriétaire
  • TOHOKU UNIVERSITY (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Shimoi Norihiro
  • Tohji Kazuyuki
  • Tanaka Yasumitsu
  • Kai Hiroyuki

Abrégé

[Problem] Provided are a field electron emission film that can operate with a small electric power and has high uniformity of brightness in a light emission surface, a field electron emission element and a light emitting element using the field electron emission film, and a method for producing the same. [Solution] Provided is a field electron emission film that contains 60 to 99.9 mass% of tin-doped indium oxide and 0.1 to 20 mass% of carbon nanotubes, wherein grooves having a width in a range of 0.1 to 50 μm each and having a total length of 2 mm or more per 1 mm2 are formed on a surface of the film, and the carbon nanotubes are exposed on walls of the grooves. After an ITO film containing carbon nanotubes is formed on a substrate, grooves are formed on a surface of the ITO film, and ends of carbon nanotubes that are exposed on walls of the grooves are used as emitters.

Classes IPC  ?

  • H01J 1/304 - Cathodes à émission d'électrons de champ
  • H01J 9/02 - Fabrication des électrodes ou des systèmes d'électrodes
  • H01J 31/12 - Tubes reproducteurs d'images ou de dessins, c.-à-d. comprenant un signal d'entrée électrique et un signal de sortie optiqueTubes analyseurs à spot mobile à écran luminescent
  • H01J 63/06 - Lampes à écran luminescent excité par le rayon cathodique ou le flux électronique

55.

CATALYST, METHOD FOR PRODUCING CATALYST, AND METHOD FOR PRODUCING HYDROGEN-CONTAINING GAS USING CATALYST, AND HYDROGEN GENERATING DEVICE, FUEL CELL SYSTEM, AND SILICON-SUPPORTED CeZr-BASED OXIDE

      
Numéro d'application JP2013001457
Numéro de publication 2013/132862
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-03-07
Date de publication 2013-09-12
Propriétaire
  • OITA UNIVERSITY (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Nagaoka, Katsutoshi
  • Miyazaki, Tatsuro
  • Yano, Takuya
  • Ikari, Kazumasa
  • Ueyama, Toshihiko

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a catalyst, etc. having a low reaction start temperature at which a self-heating function appears, and whereby carbon accumulation is suppressed even when reaction is repeated. This catalyst comprises a CeZr-based oxide, silicon, and a catalytically active metal, and is characterized in that the CeZr-based oxide satisfies the formula CexZryO2 (x + y = 1), and the silicon satisfies the mole ratios 0.02 ≤ Si/Zr and 0.01 < Si/(Ce + Zr + Si) < 0.2. This catalyst is capable of lowering the initial reduction temperature for causing oxygen vacancies, and, according to the catalytically active metal, enables reductive activation even at approximately 20°C, at which there is no need for heating. In repeated hydrogen generation reactions, since deposition of generated carbon on the catalyst surface can also be suppressed, and catalytic activity can be prevented from decreasing, the performance of the catalyst can be maintained for a long time.

Classes IPC  ?

  • B01J 23/76 - Catalyseurs contenant des métaux, oxydes ou hydroxydes métalliques non prévus dans le groupe du cuivre ou des métaux du groupe du fer en combinaison avec des métaux, oxydes ou hydroxydes prévus dans les groupes
  • B01J 23/63 - Métaux du groupe du platine avec des terres rares ou des actinides
  • C01B 3/40 - Production d'hydrogène ou de mélanges gazeux contenant de l'hydrogène par réaction de composés organiques gazeux ou liquides avec des agents gazéifiants, p. ex. de l'eau, du gaz carbonique, de l'air par réaction d'hydrocarbures avec des agents gazéifiants avec des catalyseurs caractérisée par le catalyseur
  • H01M 8/06 - Combinaison d’éléments à combustible avec des moyens de production de réactifs ou pour le traitement de résidus
  • H01M 8/12 - Éléments à combustible avec électrolytes solides fonctionnant à haute température, p. ex. avec un électrolyte en ZrO2 stabilisé

56.

Lithium—transition metal oxide powder and method of producing the same, positive electrode active material for lithium ion battery, and lithium ion secondary battery

      
Numéro d'application 13818264
Numéro de brevet 09761868
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2011-09-21
Date de la première publication 2013-08-15
Date d'octroi 2017-09-12
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nagatomi, Akira

Abrégé

There is provided a lithium-transition metal oxide powder with a coating layer containing lithium niobate formed on a part or the whole part of a surface of a lithium-transition metal oxide particle and having a low powder compact resistance, and a positive electrode active material for a lithium ion battery containing the lithium-transition metal oxide powder. Specifically, there is provided the lithium-transition metal oxide powder composed of a lithium-transition metal oxide particle with a part or the whole part of a surface coated with a coating layer containing lithium niobate, wherein a carbon-content is 0.03 mass % or less.

Classes IPC  ?

  • H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
  • H01M 4/131 - Électrodes à base d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes, ou de mélanges d'oxydes ou d'hydroxydes, p. ex. LiCoOx
  • H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
  • H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy
  • H01M 4/485 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiTi2O4 ou LiTi2OxFy
  • H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
  • C01G 33/00 - Composés du niobium
  • C01G 51/00 - Composés du cobalt
  • B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p. ex. nanocomposites
  • H01M 4/1391 - Procédés de fabrication d'électrodes à base d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes, ou de mélanges d'oxydes ou d'hydroxydes, p. ex. LiCoOx
  • H01M 4/04 - Procédés de fabrication en général

57.

DOWA

      
Numéro de série 85955088
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2013-06-10
Date d'enregistrement 2014-08-12
Propriétaire Dowa Holdings Co., Ltd. (Japon)
Classes de Nice  ?
  • 07 - Machines et machines-outils
  • 37 - Services de construction; extraction minière; installation et réparation

Produits et services

Parts washing machines for industrial use; multi-purpose high pressure washers Installation, maintenance and repair of industrial furnaces

58.

DOWA

      
Numéro d'application 011880515
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2013-06-07
Date d'enregistrement 2013-10-10
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Classes de Nice  ?
  • 07 - Machines et machines-outils
  • 37 - Services de construction; extraction minière; installation et réparation

Produits et services

Waste crushing machines; waste compacting machines; washing machines for industrial use; high pressure washers; shredders [machines] for industrial use. Installation, maintenance and repair of contaminated soil purifying apparatus; installation, maintenance and repair of industrial furnaces; installation, maintenance and repair of air pollution control apparatus; installation, maintenance and repair of waste treatment apparatus; installation, maintenance and repair of effluent treatment apparatus; installation, maintenance and repair of sludge treatment apparatus; installation, maintenance and repair of sewage treatment apparatus; repair information.

59.

DOWA

      
Numéro d'application 011161247
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2012-09-04
Date d'enregistrement 2013-01-02
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Classes de Nice  ? 02 - Couleurs, vernis, laques

Produits et services

Foil (Silver -) [leaf]; Powders (Silvering -); Foil (Metal -) for use in the manufacture of paints; Multilayer foils of aluminium alloys for use in the manufacture of paints; Paste (Silver -); Silver emulsions [pigments]; Printing ink.

60.

CHALCOGEN COMPOUND POWDER, CHALCOGEN COMPOUND PASTE, CHALCOGEN COMPOUND POWDER MANUFACTURING METHOD, CHALCOGEN COMPOUND PASTE MANUFACTURING METHOD AND CHALCOGEN COMPOUND THIN FILM MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application JP2010072318
Numéro de publication 2012/077242
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2010-12-07
Date de publication 2012-06-14
Propriétaire DOWA HOLDING Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ishikawa Yuichi
  • Fujino Takatoshi

Abrégé

A method wherein a metal film composed of Cu, In and Ga is formed and then the metal film is selenized is known as a method for obtaining a film-like crystal of a chalcogen compound. This method, however, involves problems of film uniformity and productivity. Although a film-like crystal of a chalcogen compound with high uniformity can be obtained by a low-cost method for obtaining nanoparticles containing Cu, In, Ga and Se, the resistivity of the film-like crystal of a chalcogen compound is high since a large amount of carbon is contained in the chalcogen compound and thus the film-like crystal of the chalcogen compound does not have characteristics sufficient for applications such as solar cells. Specifically disclosed is a chalcogen compound powder which contains Cu, In, Se and optionally Ga, has an average particle diameter (D50) of less than 0.5 μm, and has a carbon content in the powder of 0.2% or less. The chalcogen compound powder is obtained by heating a metal hydroxide powder having an average primary particle diameter of 0.3 μm or less and one or more substances selected from among selenium and selenium compounds to a temperature not less than 220˚C in a reducing gas.

Classes IPC  ?

  • C01G 15/00 - Composés du gallium, de l'indium ou du thallium

61.

CHALCOGEN COMPOUND POWDER, CHALCOGEN COMPOUND PASTE AND METHOD OF PRODUCING THESE

      
Numéro d'application JP2010072319
Numéro de publication 2012/077243
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2010-12-07
Date de publication 2012-06-14
Propriétaire DOWA HOLDINGS Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ishikawa Yuichi
  • Tanoue Koji
  • Fujino Takatoshi

Abrégé

A method wherein a metal film composed of Cu, In and Ga is formed and then the metal film is selenized is known as a method for obtaining a film-like crystal of a chalcogen compound. This method, however, involves problems of film uniformity and productivity. Although a film-like crystal of a chalcogen compound with high uniformity can be obtained by a low-cost method for obtaining nanoparticles containing Cu, In, Ga and Se, the resistivity of the film-like crystal of a chalcogen compound is high and thus the film-like crystal of the chalcogen compound does not have characteristics sufficient for applications such as solar cells. The disclosed low-carbon chalcogen compound powder containing Cu, In, Ga and Se, and having an average particle diameter (DSEM) of 80nm or less is obtained by generating a mixed solvent formed by mixing selenium or a selenium compound, a solvent with a boiling point of 250°C or less, and at least one of a mixture of copper salt and indium salt, a complex hydroxide of copper and indium, and a complex oxide of copper and indium, and heating the mixed solvent at a temperature of 220°C-500°C. By means of a paste of the chalcogen compound powder, a low-resistance thin film is obtained containing Cu, In, Ga and Se.

Classes IPC  ?

  • C01G 15/00 - Composés du gallium, de l'indium ou du thallium

62.

SOLDER POWDER AND PROCESS FOR PRODUCING SOLDER POWDER

      
Numéro d'application JP2010070562
Numéro de publication 2012/066664
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2010-11-18
Date de publication 2012-05-24
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Ishikawa, Yuichi

Abrégé

[Problem] To obtain a solder powder having an average particle diameter of 0.05 µm or more but less than 3 µm. [Solution] A solder powder having an average particle diameter of, for example, 0.05 µm or more but less than 3 µm is obtained by using a process for solder powder production which comprises a step in which a solid or liquid metal, a nonaqueous solvent, and balls for pulverization which have a diameter of 0.05-5 mm are introduced into a vessel to obtain a mixture, a step in which the mixture is heated to 150ºC or higher and stirred, a step in which the balls for pulverization are separated from the stirred mixture to obtain a mixture of a solder powder and the nonaqueous solvent, and a step in which the solder powder/nonaqueous-solvent mixture is subjected to solid/liquid separation to obtain the solder powder.

Classes IPC  ?

  • B22F 9/06 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau liquide

63.

Carbon nanotube and method for producing same

      
Numéro d'application 13376564
Numéro de brevet 08858909
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2010-05-28
Date de la première publication 2012-04-05
Date d'octroi 2014-10-14
Propriétaire
  • Dowa Holdings Co., Ltd. (Japon)
  • Tohoku University (Japon)
Inventeur(s)
  • Sato, Yoshinori
  • Tohji, Kazuyuki
  • Namura, Masaru

Abrégé

There is provided a high-purity carbon nanotube, which can be produced with simple purification by causing graphite to be hardly contained in crude soot obtained immediately after being synthesized by arc-discharge, and a method for producing the same. Soot containing carbon nanotubes produced by arc-discharge using an anode which contains amorphous carbon as a main component is heated at a temperature of not lower than 350° C. to be burned and oxidized, immersed in an acid, heated at a temperature, which is not lower than the heating temperature in the previous burning and oxidation and which is not lower than 500° C., to be burned and oxidized, and immersed in an acid again.

Classes IPC  ?

  • B01J 21/18 - Carbone
  • C01B 31/00 - Carbone; Ses composés
  • C01B 31/02 - Préparation du carbone; Purification
  • H01B 1/04 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement soit de compositions à base de carbone-silicium, soit de carbone soit de silicium
  • B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p. ex. nanocomposites
  • B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures

64.

LITHIUM-TRANSITION METAL OXIDE POWDER, METHOD FOR PRODUCING SAME, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR LITHIUM ION BATTERY, AND LITHIUM ION SECONDARY BATTERY

      
Numéro d'application JP2011071444
Numéro de publication 2012/043321
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2011-09-21
Date de publication 2012-04-05
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Nagatomi Akira

Abrégé

Provided are: a lithium-transition metal oxide powder, which has low powder compact resistance, and wherein a coating layer that contains lithium niobate is formed on a part or the entire of the surface of each lithium-transition metal oxide particle; and a positive electrode active material for a lithium ion battery, which contains the lithium-transition metal oxide powder. Specifically provided is a lithium-transition metal oxide powder that is composed of lithium-transition metal oxide particles each of which has a surface that is partially or entirely covered with a coating layer that contains lithium niobate. The lithium-transition metal oxide powder has a carbon content of not more than 0.03% by mass.

Classes IPC  ?

  • C01G 51/00 - Composés du cobalt
  • H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
  • H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy

65.

METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE FOR GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT FABRICATION, METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR FREE-STANDING SUBSTRATE OR GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND GROUP III NITRIDE GROWTH SUBSTRATE

      
Numéro d'application JP2011073154
Numéro de publication 2012/043885
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2011-09-30
Date de publication 2012-04-05
Propriétaire
  • DOWA Electronics Materials Co., Ltd. (Japon)
  • DOWA HOLDINGS Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Toba, Ryuichi
  • Miyashita, Masahito
  • Yao, Takafumi
  • Fujii, Katsushi

Abrégé

Provided is a method for producing a substrate for group III nitride semiconductor element fabrication with an improved area ratio of chromium nitride microcrystals with a triangular pyramid shape in a chromium nitride layer surface. That is, there is provided a method for producing a substrate for group III nitride semiconductor element fabrication comprising a depositing step of forming a chromium layer on a base substrate for growth, a nitriding step of nitriding the chromium layer under prescribed conditions to form a chromium nitride layer, and a crystalline layer growth step of epitaxially growing at least one layer of a group III nitride semiconductor layer on the chromium nitride layer, characterized in that the chromium layer is deposited by a sputtering method such that the deposition rate is in the range of 7 to 65 Å/sec in the sputtering particle range and the thickness is in the range of 50 to 300 Å, the chromium nitride layer is formed in a MOCVD growth furnace with a furnace pressure of 6.666-66.66 kPa and a temperature of 1,000°C or more in a gas atmosphere containing ammonia gas, the gas component other than the ammonia gas in the gas atmosphere is a carrier gas comprising a nitrogen gas and a hydrogen gas, and the content ratio of the nitrogen gas in the carrier gas is in the range of 60 to 100 volume%.

Classes IPC  ?

  • C30B 29/38 - Nitrures
  • C23C 14/14 - Matériau métallique, bore ou silicium
  • C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
  • C23C 14/58 - Post-traitement
  • C30B 25/18 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat
  • H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote

66.

Group III nitride semiconductor growth substrate, group III nitride semiconductor epitaxial substrate, group III nitride semiconductor element and group III nitride semiconductor free-standing substrate, and method of producing the same

      
Numéro d'application 13259788
Numéro de brevet 08878189
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2010-03-25
Date de la première publication 2012-03-15
Date d'octroi 2014-11-04
Propriétaire
  • Dowa Holdings Co., Ltd. (Japon)
  • Dowa Electronics Materials Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Toba, Ryuichi
  • Miyashita, Masahito
  • Toyota, Tatsunori
  • Kadowaki, Yoshitaka

Abrégé

1-xN having a high Al composition, the growth temperature of which is high; a Group III nitride semiconductor growth substrate used for producing these, and a method for efficiently producing those. The present invention provides a Group III nitride semiconductor growth substrate comprising a crystal growth substrate including a surface portion composed of a Group III nitride semiconductor which contains at least Al, and a scandium nitride film formed on the surface portion are provided.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/15 - Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

67.

III-nitride semiconductor growth substrate, III-nitride semiconductor epitaxial substrate, III-nitride semiconductor element, III-nitride semiconductor freestanding substrate all having improved crystallinity

      
Numéro d'application 13142115
Numéro de brevet 08736025
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2009-12-25
Date de la première publication 2011-10-20
Date d'octroi 2014-05-27
Propriétaire
  • Dowa Electroncs Materials Co., Ltd. (Japon)
  • Dowa Holdings Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Toba, Ryuichi
  • Miyashita, Masahito
  • Toyota, Tatsunori

Abrégé

1-xN, the growth temperature of which is high and which has a high Al composition, as well as a III-nitride semiconductor growth substrate for fabricating these and a method for efficiently fabricating these. The invention is characterized by being equipped with: a crystal growth substrate, at least the surface portion of which substrate includes a III-nitride semiconductor containing Al; and a single metallic layer formed on the surface portion, the single metallic layer being made from Zr or Hf.

Classes IPC  ?

  • H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV

68.

METHOD FOR PRODUCING LOW-MELTING-POINT METAL NANOPARTICLES

      
Numéro d'application JP2010070565
Numéro de publication 2011/114579
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2010-11-18
Date de publication 2011-09-22
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Ishikawa, Yuichi

Abrégé

Provided is a method for producing low-melting-point metal nanoparticles, which can produce low-melting-point metal nanoparticles without using a high-vacuum container and which can produce alloy nanoparticles having a stable metal composition ratio. Specifically, provided is a method for producing low-melting-point metal nanoparticles, which involves: a step for obtaining a mixture by placing a solid or liquid low-melting-point metal, a non-water-based solvent, and pulverization balls having a diameter of 0.015mm to 5mm in a container; a step for stirring and heating the aforementioned mixture between the temperatures of -5°C to +20°C of the melting point of the aforementioned low-melting-point metal; a step for separating the aforementioned pulverization balls from the stirred mixture, and for obtaining a mixture of low-melting-point metal nanoparticles and the non-water-based solvent; and a step for performing solid-liquid separation on the mixture of the low-melting-point nanoparticles and the non-water-based solvent, and for obtaining low-melting-point nanoparticles.

Classes IPC  ?

  • B22F 9/06 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau liquide
  • B22F 9/04 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau solide, p. ex. par broyage, meulage ou écrasement à la meule

69.

PROCESS FOR PRODUCING SOLDER POWDER

      
Numéro d'application JP2010070563
Numéro de publication 2011/062222
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2010-11-18
Date de publication 2011-05-26
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s) Ishikawa, Yuichi

Abrégé

A process for producing a solder powder is provided by which it is possible to efficiently obtain a solder powder having an average particle diameter of 0.05 µm or larger but less than 3 µm in a stable yield. The process for producing a solder powder comprises: a step in which a solid or liquid metal, a nonaqueous solvent, and balls for pulverization that have a diameter of 0.05-5 mm are introduced into a vessel to obtain a mixture; a step in which the mixture is heated to a temperature between (melting point of the metal)-5ºC and (melting point of the metal)+20ºC and stirred; a step in which the balls for pulverization are separated from the stirred mixture to obtain a mixture of a solder powder and the nonaqueous solvent; and a step in which the mixture of a solder powder and the nonaqueous solvent is subjected to solid-liquid separation to obtain the solder powder.

Classes IPC  ?

  • B22F 9/06 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau liquide
  • B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
  • B22F 9/04 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau solide, p. ex. par broyage, meulage ou écrasement à la meule
  • B23K 35/40 - Fabrication de fils ou de barres pour le brasage ou le soudage
  • B23K 35/26 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 400°C
  • C22C 13/00 - Alliages à base d'étain

70.

CHALCOGEN COMPOUND POWDER, CHALCOGEN COMPOUND PASTE, AND METHOD FOR PRODUCING CHALCOGEN COMPOUND POWDER

      
Numéro d'application JP2010063598
Numéro de publication 2011/021546
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2010-08-04
Date de publication 2011-02-24
Propriétaire DOWA HOLDINGS Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Ishikawa, Yuichi
  • Fujino, Takatoshi

Abrégé

A method wherein a metal film composed of Cu, In and Ga is formed and then the metal film is selenized is known as a method for obtaining a film-like crystal of a chalcogen compound. This method, however, involves a problem of film uniformity, a problem of productivity and the like. Although a film-like crystal of a chalcogen compound with high uniformity can be obtained by a low-cost method for obtaining nanoparticles containing Cu, In, Ga and Se, the resistivity of the film-like crystal of a chalcogen compound is high since a large amount of carbon is contained in the chalcogen compound and thus the film-like crystal of the chalcogen compound does not have characteristics sufficient for applications such as solar cells. Specifically disclosed is a chalcogen compound powder which contains Cu, In, Se and optionally Ga, has an average particle diameter (D50) of less than 0.5 μm, and has a carbon content in the powder of 0.2% or less. The chalcogen compound powder is obtained by heating a metal hydroxide powder having an average primary particle diameter of 0.3 μm or less and one or more substances selected from among selenium, selenium compounds, sulfur and sulfur compounds, to a temperature not less than 220˚C in a reducing gas.

Classes IPC  ?

  • C01B 19/00 - SéléniumTellureLeurs composés
  • H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]

71.

CARBON NANOTUBES AND PROCESS FOR PRODUCING SAME

      
Numéro d'application JP2010059492
Numéro de publication 2010/143585
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2010-05-28
Date de publication 2010-12-16
Propriétaire
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
  • TOHOKU UNIVERSITY (Japon)
Inventeur(s)
  • Sato, Yoshinori
  • Tohji, Kazuyuki
  • Namura, Masaru

Abrégé

Provided are high-purity carbon nanotubes which can be produced through simple purification by conducting synthesis by arc discharge so that substantially no graphite is contained in the crude soot obtained immediately after the synthesis. Also provided is a process for producing the carbon nanotubes. Soot containing carbon nanotubes which was produced by arc discharge using an anode comprising amorphous carbon as a main component is burned and oxidized by heating the soot in the air at a temperature of 350ºC or higher, thereafter treated by immersion in an acid, subsequently burned and oxidized by heating the soot in the air at a temperature which is not lower than the heating temperature used in the preceding combustion/oxidation and is 500ºC or higher, and then treated by immersion in an acid again.

Classes IPC  ?

  • C01B 31/02 - Préparation du carbone; Purification

72.

A METAL RECOVERY METHOD USING PROTONEMATA OF MOSS PLANTS

      
Numéro d'application JP2010059584
Numéro de publication 2010/140701
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2010-06-01
Date de publication 2010-12-09
Propriétaire
  • RIKEN (Japon)
  • DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sakakibara, Hitoshi
  • Itouga, Misao
  • Komatsu, Yukari
  • Kawakami, Satoshi

Abrégé

Disclosed is a method for metal recovery using plants. The aforementioned metal recovery method involves bringing protonemata from moss plants belonging to the family Funariaceae into contact with a metal-containing solution in which is dissolved metal having an ionization tendency less than that of silver.

Classes IPC  ?

  • C22B 3/24 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par des procédés physiques, p. ex. par filtration, par des moyens magnétiques par adsorption sur des substances solides, p. ex. par extraction avec des résines solides
  • C02F 3/32 - Traitement biologique de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout caractérisé par les animaux ou végétaux utilisés, p. ex. les algues
  • C22B 7/00 - Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p. ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés
  • C22B 11/00 - Obtention des métaux nobles
  • A01G 1/00 - Horticulture; Culture des légumes (étiquettes ou plaques d'identification G09F 3/00, G09F 7/00)

73.

SUBSTRATE FOR GROWING GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTORS, EPITAXIAL SUBSTRATE FOR GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTORS, GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, STAND-ALONE SUBSTRATE FOR GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTORS, AND METHODS FOR MANUFACTURING THE PRECEDING

      
Numéro d'application JP2010055986
Numéro de publication 2010/110489
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2010-03-25
Date de publication 2010-09-30
Propriétaire
  • DOWA HOLDINGS Co., Ltd. (Japon)
  • DOWA Electronics Materials Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Toba, Ryuichi
  • Miyashita, Masahito
  • Toyota, Tatsunori
  • Kadowaki, Yoshitaka

Abrégé

Provided are an epitaxial substrate for group-III nitride semiconductors, a group-III nitride semiconductor element, and a stand-alone substrate for group-III nitride semiconductors, which produce good crystallinity not only for materials having growth temperatures at or below 1050°C, such as AlGaN, GaN, and GaInN, but also for high-aluminum AlxGa1-xN compositions having high growth temperatures. Also provided are a stand-alone substrate for group-III nitride semiconductors, for fabricating the above, and a method for efficient fabrication thereof. These are characterized by being provided with a crystal growth substrate, at least the surface region of which comprises an aluminum-containing group-III nitride semiconductor, and a scandium nitride film formed on top of said surface region.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
  • H01L 33/02 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs

74.

III-NITRIDE SEMICONDUCTOR GROWTH SUBSTRATE, III-NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE, III-NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, III-NITRIDE SEMICONDUCTOR FREESTANDING SUBSTRATE, AND METHOD FOR FABRICATING THESE

      
Numéro d'application JP2009071903
Numéro de publication 2010/074346
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2009-12-25
Date de publication 2010-07-01
Propriétaire
  • DOWA HOLDINGS Co., Ltd. (Japon)
  • DOWA Electronics Materials Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Toba, Ryuichi
  • Miyashita, Masahito
  • Toyota, Tatsunori

Abrégé

Disclosed are a III-nitride semiconductor epitaxial substrate, a III-nitride semiconductor element, and a III-nitride semiconductor freestanding substrate, which have good crystallinity, not only with AlGaN, GaN, or GaInN, the growth temperature of which is at or below 1050°C, but also with AlxGa1-xN, the growth temperature of which is high and which has a high Al composition, a III-nitride semiconductor growth substrate for fabricating these, and a method to efficiently fabricate these, which is characterized by being equipped with a crystal growth substrate, at least the surface portion of which is made from a III-nitride semiconductor containing Al, and a single metallic layer that is made from Zr or Hf and is formed on the aforementioned surface portion.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale
  • C30B 29/38 - Nitrures
  • H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique

75.

WATER PURIFICATION METHOD AND PURIFICATION APPARATUS

      
Numéro d'application JP2007062525
Numéro de publication 2008/155859
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2007-06-21
Date de publication 2008-12-24
Propriétaire DOWA Holdings Co., Ltd. (Japon)
Inventeur(s)
  • Sakurai, Yasumasa
  • Hanyu, Shinichi
  • Kasamatsu, Toshiki
  • Nakazato, Hiroyuki

Abrégé

A method of water purification that is capable of efficiently reducing the contents of organic matter and nitrogen in various treatment object waters, such as wastewater and polluted water, and that is advantageous from the viewpoint of cost. There are provided a method of water purification, and water purification apparatus, characterized in that treatment object waters are brought into contact with plant materials, such as wood splinters, so as to attain purification thereof. The above method and apparatus are based upon noting of, for example, the availability of organic matter dissolved out from plant materials, such as wood splinters,as a supply source for organic matter needed for nitrogen elimination. The method and apparatus excel in the feasibility of easy, efficient water purification with the use of wood splinters procurable at low cost, etc.

Classes IPC  ?

  • C02F 3/04 - Procédés aérobies utilisant des filtres lents
  • C02F 3/00 - Traitement biologique de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout
  • C02F 3/06 - Procédés aérobies utilisant des filtres immergés
  • C02F 3/32 - Traitement biologique de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout caractérisé par les animaux ou végétaux utilisés, p. ex. les algues
  • C02F 3/34 - Traitement biologique de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout caractérisé par les micro-organismes utilisés
  • C02F 7/00 - Aération des plans d'eau

76.

Semiconductor substrate fabrication by etching of a peeling layer

      
Numéro d'application 12064584
Numéro de brevet 08119499
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2006-08-24
Date de la première publication 2008-12-04
Date d'octroi 2012-02-21
Propriétaire
  • Furukawa Co., Ltd. (Japon)
  • Mitsubishi Chemical Corporation (Japon)
  • Dowa Holdings Co., Ltd. (Japon)
  • Epivalley Co., Ltd. (République de Corée)
  • Wavesquare Inc. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Yao, Takafumi
  • Cho, Meoung-Whan

Abrégé

A semiconductor substrate fabrication method according to the first aspect of this invention is characterized by including a preparation step of preparing an underlying substrate, a stacking step of stacking, on the underlying substrate, at least two multilayered films each including a peeling layer and a semiconductor layer, and a separation step of separating the semiconductor layer.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale
  • H01L 21/46 - Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes
  • H01L 21/36 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale

77.

DOWA

      
Numéro d'application 001132489
Statut Enregistrée
Date de dépôt 1999-03-31
Date d'enregistrement 2000-09-29
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Classes de Nice  ?
  • 01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture
  • 06 - Métaux communs et minerais; objets en métal
  • 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
  • 11 - Appareils de contrôle de l'environnement
  • 40 - Traitement de matériaux; recyclage, purification de l'air et traitement de l'eau
  • 42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception

Produits et services

Battery material, namely silver oxide, silver powder, silver oxide powder, zinc powder, nickel powder, metal powder, ferrite powder. Copper alloy and its coil; high purity metal. Measurement equipment; carrier for use of electrostatic image development; LED (light emitting diode) chips; GaAs wafer. Heat treatment furnaces; environmental equipment, namely waste water treatment unit, incinerators. Heat treatment; waste treatment; recycling; soil remediation, namely purification of soil, treatment of soil for the purpose of prevention of contamination. Site assessment, namely analysis of environment and soil, particularly evaluation of soil substance for the purpose of analyzing contaminated substances in the soil, evaluation of the compatibility of environment and the soil.

78.

DOWA

      
Numéro de série 75414369
Statut Enregistrée
Date de dépôt 1998-01-06
Date d'enregistrement 2000-04-04
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Classes de Nice  ?
  • 01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture
  • 06 - Métaux communs et minerais; objets en métal
  • 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
  • 11 - Appareils de contrôle de l'environnement

Produits et services

SILVER OXIDE POWDERS FOR USE IN MANUFACTURING DRY BATTERY OR CELL ELECTRODES METALS, NAMELY, SILVER POWDERS FOR USE IN THE MANUFACTURE OF CONDUCTIVE PASTES, IRON POWDERS FOR USE IN MANUFACTURING VIDEOTAPES, FERRITE POWDERS FOR USE IN MANUFACTURING MAGNETS, COPPER ALLOYS FOR USE IN MANUFACTURING SPRINGS AND REED FRAMES, COPPER ALLOY WIRES, AND HIGH PURITY METALS INCLUDING GALLIUM, INDIUM, COPPER, ANTIMONY, CADMIUM, ZINC, TELLURIUM, GERMANIUM, SILVER, SELENIUM, BISMUTH AND MAGNESIUM MEASURING EQUIPMENTS FOR MEASURING CARBON DIOXIDE DENSITY WITHIN A FURNACE, LIGHT EMITTING DIODE CHIPS, GALLIUM/ARSENITE WAFERS FOR USE IN MANUFACTURING SEMICONDUCTORS AND BATTERY MATERIALS INCLUDING ZINC POWDERS, SILVER OXIDE POWDERS, LITHIUM-COBALT ALLOY POWDERS, AND LITHIUM-NICKEL ALLOY POWDERS INDUSTRIAL FURNACES

79.

DOWA

      
Numéro de série 75414415
Statut Enregistrée
Date de dépôt 1998-01-06
Date d'enregistrement 2001-10-16
Propriétaire DOWA HOLDINGS CO., LTD. (Japon)
Classes de Nice  ?
  • 02 - Couleurs, vernis, laques
  • 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
  • 11 - Appareils de contrôle de l'environnement
  • 40 - Traitement de matériaux; recyclage, purification de l'air et traitement de l'eau

Produits et services

[ TONER CARRIERS FOR ELECTRO PHOTOGRAPHING APPARATUS ] LED'S (LIGHT EMITTING DIODES), ELECTRICAL CONDUCTORS HAVING SUPERCONDUCTIVE PROPERTIES; CONTROLS AND MEASURING APPARATUS FOR USE IN CONNECTION WITH HEAT TREATMENT EQUIPMENT, NAMELY, FURNACES AND WASTE INCINERATORS EQUIPMENT, NAMELY, ENVIRONMENTAL EQUIPMENT, NAMELY, INCINERATORS, FURNACES, RESERVOIRS, PUMPS, FILTERS AND CLEANERS FOR TREATING SOLID WASTE, CONTAMINATED SOIL, WASTE WATER AND GAS AND FOR RECOVERING BYPRODUCTS FROM WASTE MATERIALS AND INCINERATING WASTE; HEAT TREATMENT EQUIPMENT FOR TREATING METAL PARTS, NAMELY, FURNACES AND GAS GENERATORS HEAT TREATMENT OF METALLIC PARTS, NAMELY, HARDENING, TEMPERING, CARBURIZING AND SHOT PEENING OF AUTOMOTIVE AND CONSTRUCTION MACHINERY METALLIC PARTS; METAL RECYCLING; ENVIRONMENTAL REMEDIATION, NAMELY, SOLID WASTE, WATER, SOIL AND GAS TREATMENT