JSR Corporation

Japon

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Type PI
        Brevet 2 483
        Marque 127
Juridiction
        International 1 781
        États-Unis 788
        Europe 27
        Canada 14
Propriétaire / Filiale
[Owner] JSR Corporation 2 517
Techno Polymer Co., Ltd. 68
JSR Micro Inc. 17
Japan Coloring Co., Ltd. 15
Japan Fine Coatings Co. Ltd. 10
Date
Nouveautés (dernières 4 semaines) 9
2025 juillet 6
2025 juin 20
2025 mai 14
2025 avril 17
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Classe IPC
G03F 7/004 - Matériaux photosensibles 563
G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons 525
G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet 396
H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou 307
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage 243
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Classe NICE
01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture 105
17 - Produits en caoutchouc ou en matières plastiques; matières à calfeutrer et à isoler 29
05 - Produits pharmaceutiques, vétérinaires et hygièniques 14
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques 13
42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception 12
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Statut
En Instance 201
Enregistré / En vigueur 2 409
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1.

WIRING BOARD, METHOD FOR PRODUCING WIRING BOARD, AND COMPOSITION FOR FORMING BARRIER FILM

      
Numéro d'application JP2025002106
Numéro de publication 2025/159166
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-23
Date de publication 2025-07-31
Propriétaire
  • JSR CORPORATION (Japon)
  • NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE (Japon)
Inventeur(s)
  • Mukawa Jun
  • Shimizu Shun
  • Takanashi Kazunori
  • Tabata Yuuki
  • Hamaguchi Hitoshi
  • Kose Osamu
  • Kameyama Takeru
  • Sasaki Takayoshi
  • Sakai Nobuyuki
  • Ebina Yasuo
  • Taniguchi Takaaki

Abrégé

This wiring board comprises a barrier film disposed directly or indirectly on a substrate including copper wiring, and the barrier film contains flaky titanium oxide or a flaky titanium-metal composite oxide.

Classes IPC  ?

  • H05K 3/28 - Application de revêtements de protection non métalliques
  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
  • H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux

2.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, CURED PRODUCT AND METHOD FOR PRODUCING SAME, DISPLAY ELEMENT, AND IMAGING ELEMENT

      
Numéro d'application JP2025002196
Numéro de publication 2025/159178
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-24
Date de publication 2025-07-31
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Akiike,toshiyuki
  • Suzuki,hiroyuki
  • Yasuda,hiroyuki
  • Yoda,kyosuke

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide: a photosensitive composition which has a high refractive index, has little change in viscosity and resolution even after a certain period of time has elapsed, has excellent storage stability, does not solidify when a coating slit nozzle or the like is used, has good coating properties over time, and has high resolution; a cured film which is formed from the photosensitive composition, and a method for producing the cured film; a display element which is provided with the cured film; and an imaging element which is provided with the cured film. The present invention relates to a photosensitive composition for forming an optical member, the photosensitive composition containing: (A) particles which each have a reactive group, an acidic group that is different from the reactive group, and at least one group that is selected from the group consisting of an oxygen atom-containing or oxygen atom-free alkyl group having 2-30 carbon atoms and an oxygen atom-containing or oxygen atom-free alkylene group having 2-30 carbon atoms; (B) a radically polymerizable compound; and (C) a photoradical generator.

Classes IPC  ?

  • G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées
  • C08F 292/00 - Composés macromoléculaires obtenus par polymérisation de monomères sur des substances inorganiques
  • G03F 7/027 - Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p. ex. composés éthyléniques
  • G03F 7/40 - Traitement après le dépouillement selon l'image, p. ex. émaillage
  • H10K 50/858 - Dispositifs pour extraire la lumière des dispositifs comprenant des moyens de réfraction, p. ex. des lentilles

3.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMATION METHOD, POLYMER, AND COMPOUND

      
Numéro d'application JP2024045699
Numéro de publication 2025/158854
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-12-24
Date de publication 2025-07-31
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Abe,shinya
  • Omiya,takuya
  • Satou,yoshihiro
  • Nishikori,katsuaki

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a radiation-sensitive composition and a pattern formation method that enable formation of a resist film that, when a next-generation technology is applied, can exhibit sufficient levels of sensitivity and CDU and suppress development defects. Another purpose of the present invention is to provide a polymer and a compound applicable to the radiation-sensitive composition. The present invention relates to a radiation-sensitive composition containing a solvent and a polymer containing a structural unit (I) having an acid-dissociable group and a structural unit (II) represented by formula (1). (In the formula (1), R1is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group. R2is a divalent organic group having 1 to 50 carbon atoms. Z is an amide bond. R3is a single bond or an organic group having 1 to 5 carbon atoms. Rf1and Rf2are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or a fluorinated hydrocarbon group, and at least one thereof is a fluorine atom or a fluorinated hydrocarbon group. When there are multiple Rf1s and multiple Rf2s, the multiple Rf1s and the multiple Rf2s are each the same or different. n is an integer of 1 to 3. M+ is a monovalent onium cation.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C07C 25/18 - Hydrocarbures halogénés aromatiques polycycliques
  • C07C 309/17 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des groupes carboxyle liés au squelette carboné
  • C07C 381/12 - Composés sulfonium
  • C07D 317/56 - Radicaux substitués par des atomes de soufre
  • C07D 493/08 - Systèmes pontés
  • C08F 220/12 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons

4.

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND PATTERN FORMATION METHOD

      
Numéro d'application 18848176
Statut En instance
Date de dépôt 2023-01-31
Date de la première publication 2025-07-24
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Maruyama, Ken

Abrégé

A radiation-sensitive resin composition includes a solvent and a resin including a structural unit A which includes an acid-dissociable group and a structural unit D which includes an aromatic ring. The aromatic ring has a phenolic hydroxy group and an alkyl group which is adjacent to the phenolic hydroxy group. The radiation-sensitive resin composition satisfies Condition 1 and/or Condition 2. Condition 1: the resin further includes a structural unit B which includes an organic acid anion moiety and an onium cation moiety including an aromatic ring structure having a fluorine atom. Condition 2: the radiation-sensitive resin composition further includes an onium salt which includes an organic acid anion moiety and an onium cation moiety including an aromatic ring structure having a fluorine atom.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
  • C08F 220/18 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
  • C08F 220/28 - Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle ne contenant pas de cycles aromatiques dans la partie alcool
  • G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles

5.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, METHOD OF FORMING RESIST PATTERN, AND POLYMER

      
Numéro d'application 19176934
Statut En instance
Date de dépôt 2025-04-11
Date de la première publication 2025-07-24
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Maruyama, Ken
  • Nishikori, Katsuaki
  • Kiriyama, Kazuya

Abrégé

A radiation-sensitive composition includes a polymer including: an acid-labile side chain including an acid-labile group; and an iodo group-containing side chain including two or more iodo groups and one or more radiation-sensitive onium cation structure(s). A method of forming a resist pattern includes: applying the radiation-sensitive composition directly or indirectly on a substrate to form a resist film; exposing the resist film; and developing the resist film exposed. A polymer includes: an acid-labile side chain including an acid-labile group; and an iodo group-containing side chain including two or more iodo groups and one or more radiation-sensitive onium cation structure(s). A monomer is a vinyl compound including two or more iodo groups and one or more radiation-sensitive onium cation structure(s).

Classes IPC  ?

  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • C07C 69/653 - Esters d'acide acryliqueEsters d'acide méthacryliqueEsters d'acide acrylique halogénéEsters d'acide méthacrylique halogéné
  • C07C 69/78 - Esters d'acide benzoïque
  • C07C 309/12 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des atomes d'oxygène liés au squelette carboné contenant des groupes hydroxy estérifiés liés au squelette carboné
  • C07C 321/30 - Sulfures ayant l'atome de soufre d'au moins un groupe thio lié à deux atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons
  • C07C 323/09 - Thiols, sulfures, hydropolysulfures ou polysulfures substitués par des halogènes, des atomes d'oxygène ou d'azote ou par des atomes de soufre ne faisant pas partie de groupes thio contenant des groupes thio et des atomes d'halogène ou des groupes nitro ou nitroso liés au même squelette carboné ayant des atomes de soufre de groupes thio liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons du squelette carboné
  • C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
  • C08F 220/18 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
  • C08F 220/22 - Esters contenant un halogène
  • C08F 220/30 - Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle contenant des cycles aromatiques dans la partie alcool

6.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING PATTERN

      
Numéro d'application JP2024044195
Numéro de publication 2025/154446
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-12-13
Date de publication 2025-07-24
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Hachiya,asuka
  • Nishikori,katsuaki
  • Omiya,takuya

Abrégé

Provided are: a radiation-sensitive composition which exhibits excellent sensitivity and CDU when a pattern is formed, and which exhibits good storage stability; and a method for forming a pattern. This radiation-sensitive composition contains: a polymer containing a structural unit (I) having an acid-dissociable group; a radiation-sensitive acid generator which contains a second organic acid anion and a second onium cation that is free from the second organic acid anion and which, upon exposure to light, generates an acid that dissociates the acid-dissociable group; an acid diffusion control agent which contains a third organic acid anion and a third onium cation that is free from the third organic acid anion and which, upon exposure to light, generates an acid that does not dissociate the acid-dissociable group; and a solvent. The radiation-sensitive acid generator contains a compound represented by formula (1). The polymer includes, at least, a first organic acid anion and an iodonium cation that is free from the first organic acid anion and includes a structural unit (II) that includes an acid-generating structure which, upon exposure to light, generates an acid that dissociates the acid-dissociable group, or at least a part of the second onium cation or the third onium cation is an iodonium cation. [Chemical formula 1] In formula (1), W is a 5- to 20-membered aromatic ring having a valency of (p+q+1). In a case where multiple W moieties are present, the multiple W moieties may be the same as, or different from, each other. L is a linking group having a valency of (r+1). r is an integer between 1 and 3. p is an integer between 0 and 3. In a case where multiple p values occur, the multiple p values may be the same as, or different from, each other. q is an integer between 1 and 3. In a case where multiple q values occur, the multiple q values may be the same as, or different from, each other. M+ is a monovalent onium cation.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C07C 25/00 - Composés contenant au moins un halogène lié à un cycle aromatique à six chaînons
  • C07C 309/12 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des atomes d'oxygène liés au squelette carboné contenant des groupes hydroxy estérifiés liés au squelette carboné
  • C07C 309/17 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des groupes carboxyle liés au squelette carboné
  • C07C 381/12 - Composés sulfonium
  • C07D 317/24 - Radicaux substitués par des atomes d'oxygène ou de soufre liés par des liaisons simples estérifiés
  • C07D 317/30 - Radicaux substitués par des atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes, avec au plus une liaison à un halogène, p. ex. radicaux ester ou nitrile
  • C07D 317/70 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en ortho ou en péri avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques condensés avec des systèmes cycliques contenant au moins deux cycles déterminants
  • C07D 333/28 - Atomes d'halogènes
  • C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons

7.

METHOD FOR MANUFACTURING GEOPOLYMER FOAM

      
Numéro d'application 18851423
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-30
Date de la première publication 2025-07-10
Propriétaire JSP CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Noro, Jinichiro
  • Naito, Naoki

Abrégé

A method for producing a geopolymer foam, comprising obtaining a reaction slurry containing aluminosilicate, alkali metal silicate, aggregate, and water, adding a foaming agent to the reaction slurry to form a foaming slurry, and heating the foaming slurry, wherein the aggregate used is mica with an average particle size of 50 to 500 μm and a volume fraction (X) of particles with a particle size of 10 μm or less of 3% or less, and wherein the viscosity of the reaction slurry at 23° C. is 3000 to 15000 mPa·s.

Classes IPC  ?

  • C04B 28/00 - Compositions pour mortiers, béton ou pierre artificielle, contenant des liants inorganiques ou contenant le produit de réaction d'un liant inorganique et d'un liant organique, p. ex. contenant des ciments de polycarboxylates
  • C04B 14/20 - MicaVermiculite
  • C04B 38/02 - Mortiers, béton, pierre artificielle ou articles de céramiques poreuxLeur préparation par addition d'agents chimiques gonflants

8.

RESIST PATTERN FORMATION METHOD

      
Numéro d'application 19092092
Statut En instance
Date de dépôt 2025-03-27
Date de la première publication 2025-07-10
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Maruyama, Ken

Abrégé

A method for forming a resist pattern, includes: forming a metal-containing resist film directly or indirectly on a substrate; laminating a protective film on the metal-containing resist film by applying a composition for forming a protective film; exposing to light the metal-containing resist film on which the protective film is laminated; and removing a portion of the exposed metal-containing resist film to form a pattern.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/16 - Procédés de couchageAppareillages à cet effet
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/09 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires
  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • G03F 7/32 - Compositions liquides à cet effet, p. ex. développateurs

9.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, POLYMER, AND COMPOUND

      
Numéro d'application JP2024041546
Numéro de publication 2025/142242
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-11-22
Date de publication 2025-07-03
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Omiya, Takuya
  • Nishikori, Katsuaki
  • Okumura, Takeshi
  • Tsuji, Takashi
  • Ishikawa, Hiroki

Abrégé

A polymer containing a structural unit represented by formula (1) is included in this radiation-sensitive composition. In formula (1), R1is a hydrogen atom, a fluoro group, a methyl group, or a trifluoromethyl group. Ar1is a group obtained by removing (a+2) hydrogen atoms from an aromatic ring. R233 -or COO-. Provided that, R2is bonded to an atom adjacent to the bonding site with the main chain or is bonded to an atom also adjacent to an atom adjacent to the bonding site with the main chain among the atoms constituting the aromatic ring in Ar1. R3is a substituent. Mb+ is a b-valent cation.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • C08F 246/00 - Copolymères dans lesquels la nature des monomères n'est définie que pour les monomères en minorité
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

10.

EXPANDED BEADS, AND EXPANDED BEAD MOLDED BODY

      
Numéro d'application 18850646
Statut En instance
Date de dépôt 2023-02-28
Date de la première publication 2025-06-26
Propriétaire JSP Corporation (Japon)
Inventeur(s) Kitahara, Taizo

Abrégé

An expanded bead containing a linear low-density polyethylene as a base resin, wherein the linear low-density polyethylene has a biomass degree of 40% or more as measured according to ASTM D 6866; the expanded bead has a crystal structure where a melting peak intrinsic to the linear low-density polyethylene (intrinsic peak) and at least one melting peak on a higher temperature side than the intrinsic peak (high-temperature peak) appear on a DSC curve drawn by heating the expanded bead from 23° C. to 200° C. at a heating rate of 10° C./min; a total heat of fusion of the expanded bead is 70 J/g or more and 100 J/g or less; and a heat of fusion at the high-temperature peak is 10 J/g or more and 50 J/g or less.

Classes IPC  ?

  • C08J 9/18 - Fabrication de particules expansibles par imprégnation des particules du polymère avec l'agent de gonflage
  • C08J 9/232 - Façonnage d'articles en mousse par frittage de particules expansibles

11.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, COMPOSITION FOR FORMING LIQUID IMMERSION UPPER LAYER FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND COMPOUND

      
Numéro d'application JP2024041401
Numéro de publication 2025/134675
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-11-22
Date de publication 2025-06-26
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Egawa,fuyuki
  • Furuichi,kota
  • Okazaki,satoshi
  • Uekusa,kouya
  • Nemoto,ryuichi

Abrégé

Provided are: a radiation-sensitive composition capable of exhibiting sensitivity, CDU, LWR, water repellency, and development defect suppression at sufficient levels during pattern formation, while reducing fluorine in a surface modifier; a pattern forming method; and a compound. This radiation-sensitive composition comprises: a first polymer including a structural unit (I) having an acid dissociable group; a second polymer including a structural unit (i) derived from a compound represented by formula (F1); and a solvent. (In formula (F1): W is a polymerizable group; L is a single bond or an (n+1)-valent linking group; R1is a divalent hydrocarbon group having 1-10 carbon atoms; X1, X2, and X3are each independently a hydrogen atom or a fluorine atom, provided that at least one selected from the group consisting of X1, X2, and X3is a fluorine atom; n is an integer from 1 to 3, provided that when L is a single bond, n is 1; and when n is 2 or more, each of the multiple R1s, X1s, X2s, and X3s are the same or different from one another.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • C08L 33/10 - Homopolymères ou copolymères des esters de l'acide méthacrylique
  • C08L 33/14 - Homopolymères ou copolymères des esters d'esters contenant des atomes d'halogène, d'azote, de soufre ou d'oxygène en plus de l'oxygène du radical carboxyle
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables

12.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMATION METHOD, AND RADIATION-SENSITIVE ACID GENERATOR

      
Numéro d'application JP2024044234
Numéro de publication 2025/134937
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-12-13
Date de publication 2025-06-26
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Abe,yudai
  • Furuichi,kota
  • Egawa,fuyuki
  • Inami,hajime
  • Nemoto,ryuichi

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide: a radiation-sensitive composition capable of forming a resist film that can exhibit sensitivity, LWR, DOF, EL, PED, CDU, and pattern circularity at sufficient levels; and a pattern formation method. The purpose of the present invention is also to provide a radiation-sensitive acid generator that can be applied to said radiation-sensitive composition. The radiation-sensitive composition comprises a polymer (A) containing a structural unit (I) having an acid-dissociable group, and a solvent (E), wherein at least the radiation-sensitive composition contains a radiation-sensitive acid generator (B) containing a partial structure represented by formula (a), or the polymer (A) contains a structural unit (VII) containing a partial structure represented by formula (a). (In formula (a): R1is a hydrogen atom, a nitro group, a hydroxy group, a cyano group, a carboxy group, a thiol group, or a monovalent fluorine-free organic group; when there are multiple R1s, the multiple R1s are the same or different from one another; R2and R3are each independently a hydrogen atom, a nitro group, a hydroxy group, a cyano group, a carboxy group, a thiol group, a halogen atom, or a monovalent organic group, or form a divalent alicyclic group which has 3 to 20 carbon atoms and which is formed from R2and R3combined with each other together with carbon atoms binding thereto; when there are multiple R2s and multiple R3s, the multiple R2s and the multiple R3s are the same or different from one another; L is *-C(=O)O-, *-C(=O)NR5-, or *-OC(=O)O-; R5is a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1-10 carbon atoms; * represents a bonding site on the R41side; R41is a divalent organic group having a cyclic structure and having a hetero atom; m is an integer of 1-5; n is an integer of 0-4; ** is a bonding site with the other moiety of the corresponding polymer (A) or radiation-sensitive acid generator (B); and M+ is a monovalent onium cation.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C07C 25/18 - Hydrocarbures halogénés aromatiques polycycliques
  • C07C 309/12 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des atomes d'oxygène liés au squelette carboné contenant des groupes hydroxy estérifiés liés au squelette carboné
  • C07C 381/12 - Composés sulfonium
  • C07D 209/42 - Atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes, avec au plus une liaison à un halogène, p. ex. radicaux ester ou nitrile
  • C07D 211/62 - Atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes, avec au plus une liaison à un halogène, p. ex. radicaux ester ou nitrile liés en position 4
  • C07D 295/15 - Composés hétérocycliques contenant des cycles polyméthylène imine d'au moins cinq chaînons, des cycles aza-3 bicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine ou thiomorpholine, ne comportant que des atomes d'hydrogène liés directement aux atomes de carbone du cycle avec des radicaux hydrocarbonés substitués liés aux atomes d'azote du cycle substitués par des atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes avec au plus une liaison à un halogène, p. ex. radicaux ester ou nitrile avec les atomes d'azote du cycle et les atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes liés à la même chaîne carbonée, qui n'est pas interrompue par des carbocycles à une chaîne acyclique saturée
  • C07D 305/06 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à quatre chaînons comportant un atome d'oxygène comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles ne comportant pas de liaisons doubles entre chaînons cycliques ou entre chaînons cycliques et chaînons non cycliques avec uniquement des atomes d'hydrogène, des radicaux hydrocarbonés ou des radicaux hydrocarbonés substitués, liés directement aux atomes du cycle
  • C07D 307/00 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome d'oxygène comme unique hétéro-atome du cycle
  • C07D 317/08 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3
  • C07D 321/10 - Cycles à sept chaînons condensés avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques
  • C07D 327/06 - Cycles à six chaînons
  • C07D 327/08 - Cycles à six chaînons condensés en [b, e] avec deux carbocycles à six chaînons
  • C07D 333/38 - Atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes avec au plus une liaison à un halogène, p. ex. radicaux ester ou nitrile
  • C07D 333/46 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles substitués sur l'atome de soufre du cycle
  • C07D 333/54 - Benzo [b] thiophènesBenzo [b] thiophènes hydrogénés avec uniquement des atomes d'hydrogène, des radicaux hydrocarbonés ou des radicaux hydrocarbonés substitués, liés directement aux atomes de carbone de l'hétérocycle
  • C07D 333/76 - Dibenzothiophènes
  • C07D 335/02 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à six chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles
  • C07D 407/12 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle, non prévus par le groupe contenant deux hétérocycles liés par une chaîne contenant des hétéro-atomes comme chaînons
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons

13.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMATION METHOD, AND RADIATION-SENSITIVE ACID GENERATION AGENT

      
Numéro d'application JP2024044286
Numéro de publication 2025/134949
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-12-13
Date de publication 2025-06-26
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Abe,yudai
  • Furuichi,kota
  • Egawa,fuyuki
  • Inami,hajime
  • Nemoto,ryuichi

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a radiation-sensitive composition whereby it is possible to form a resist film capable of exhibiting sensitivity, LWR, MEEF, CDU, development defect performance, pattern rectangularity, and pattern circularity at adequate levels, and a pattern formation method. Another purpose of the present invention is to provide a radiation-sensitive acid generation agent that can be applied to the radiation-sensitive composition. This radiation-sensitive composition contains: a polymer (A) including a structural unit (I) with an acid-dissociable group; a radiation-sensitive acid generation agent (B) represented by formula (1); and a solvent (E). Chemical Formula 1 (In formula (1), R1is a hydrogen atom, a nitro group, a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, a methyl group, or an ethyl group. When there are a plurality of R1, the plurality of R1are each the same or different from each other. R2and R3are each independently a hydrogen atom, a nitro group, a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, a thiol group, a halogen atom, a monovalent organic group, or a divalent alicyclic group that has 3 to 20 carbon atoms and is formed together with carbon atoms bonding together R2and R3when combined. When there are a plurality of R2and R3, the plurality of R2and R3are the same or different from each other. L is a divalent linking group. R4is a monovalent linear organic group having 3 or more carbon atoms or a monovalent branched organic group having 5 or more carbon atoms. m is an integer of 1 to 5. n is an integer of 0 to 4. M+ is a monovalent onium cation.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C07C 309/12 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des atomes d'oxygène liés au squelette carboné contenant des groupes hydroxy estérifiés liés au squelette carboné
  • C07C 309/17 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des groupes carboxyle liés au squelette carboné
  • C07C 381/12 - Composés sulfonium
  • C07D 327/06 - Cycles à six chaînons
  • C07D 327/08 - Cycles à six chaînons condensés en [b, e] avec deux carbocycles à six chaînons
  • C07D 333/46 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles substitués sur l'atome de soufre du cycle
  • C07D 333/54 - Benzo [b] thiophènesBenzo [b] thiophènes hydrogénés avec uniquement des atomes d'hydrogène, des radicaux hydrocarbonés ou des radicaux hydrocarbonés substitués, liés directement aux atomes de carbone de l'hétérocycle
  • C07D 335/02 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à six chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons

14.

METHOD FOR PRODUCING POLYPROPYLENE-BASED RESIN EXPANDED BEADS AND POLYPROPYLENE-BASED RESIN EXPANDED BEADS

      
Numéro d'application 19073933
Statut En instance
Date de dépôt 2025-03-07
Date de la première publication 2025-06-26
Propriétaire JSP CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nohara, Tokunobu
  • Ode, Yasutaka

Abrégé

A method for producing polypropylene-based resin expanded beads includes dispersion, blowing agent impregnation, and foaming steps. Beads used in the dispersion step include a core layer having a polypropylene-based resin as a base material resin, and a fusion-bonding layer covering core layer; the beads fusion-bonding layer includes carbon black and a NOR-type hindered amine; a carbon black blending ratio is adjusted to 0.5 wt % or more and 5 wt % or less; and an amine blending ratio of the beads is adjusted to 0.03 wt % or more and 0.5 wt % or less; the polypropylene-based resin expanded beads have a surface on which a fusion-bonding layer is located; the fusion-bonding layer includes the carbon black and hindered amine; a carbon black blending ratio is 0.5 wt % or more and 5 wt % or less; and a blending ratio of the hindered amine is 0.03 wt % or more and 0.5 wt % or less.

Classes IPC  ?

  • C08J 9/18 - Fabrication de particules expansibles par imprégnation des particules du polymère avec l'agent de gonflage
  • B29B 9/06 - Fabrication de granulés par division de matière préformée sous forme de filaments, p. ex. combinée avec l'extrusion
  • B29C 48/05 - Moulage par extrusion, c.-à-d. en exprimant la matière à mouler dans une matrice ou une filière qui lui donne la forme désiréeAppareils à cet effet caractérisées par la forme à l’extrusion de la matière extrudée filamentaire, p. ex. fils
  • B29C 48/21 - Articles comprenant au moins deux composants, p. ex. couches coextrudées les composants étant des couches les couches étant jointes à leurs surfaces
  • B29C 48/36 - Moyens pour plastifier ou homogénéiser la matière à mouler ou pour la forcer dans la filière ou la matrice
  • B29K 23/00 - Utilisation de polyalcènes comme matière de moulage
  • B29K 507/04 - Carbone
  • C08J 9/00 - Mise en œuvre de substances macromoléculaires pour produire des matériaux ou objets poreux ou alvéolairesLeur post-traitement
  • C08K 3/04 - Carbone
  • C08K 5/3492 - Triazines

15.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, COMPOSITION FOR FORMING LIQUID IMMERSION UPPER LAYER FILM, PATTERN FORMATION METHOD, AND COMPOUND

      
Numéro d'application JP2024041416
Numéro de publication 2025/134677
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-11-22
Date de publication 2025-06-26
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Egawa,fuyuki
  • Furuichi,kota
  • Okazaki,satoshi
  • Uekusa,kouya
  • Nemoto,ryuichi

Abrégé

The present invention provides a radiation-sensitive composition that makes it possible to exhibit satisfactory levels of sensitivity, CDU, LWR, water repellency, and development defect suppression performance in pattern formation while achieving reduction in fluorine in a surface modifier, a pattern formation method, and a compound. This radiation-sensitive composition contains: a first polymer including a structural unit (I) having an acid-dissociable group; a second polymer including a structural unit (i) derived from a compound represented by formula (F1); and a solvent. (In formula (F1), W is a polymerizable group. L111+1)-valent linking group. When L122H is –COO-*22H side. Note that L111 is an integer from 1 to 3.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • C08F 20/10 - Esters
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables

16.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, COMPOSITION FOR FORMING LIQUID IMMERSION UPPER LAYER FILM, PATTERN FORMATION METHOD, AND COMPOUND

      
Numéro d'application JP2024041417
Numéro de publication 2025/134678
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-11-22
Date de publication 2025-06-26
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Egawa,fuyuki
  • Furuichi,kota
  • Okazaki,satoshi
  • Uekusa,kouya
  • Nemoto,ryuichi

Abrégé

Provided are a radiation-sensitive composition, a pattern formation method, and a compound, which are capable of exhibiting sufficient levels of development defect suppression, water repellency, LWR, CDU, and sensitivity when forming a pattern, while reducing fluorine in a surface modifier. This radiation-sensitive composition contains: a first polymer including a structural unit (I) having an acid dissociable group; a second polymer including a structural unit (i) derived from a compound represented by formula (F1); and a solvent. (In formula (F1), W represents a polymerizable group. n represents 0 or 1. When n represents 0, L represents a linking group having a valance of (m+1) and having one or more carbon atoms. When n represents 1, L represents a linking group having a valance of (m+1) and having three or more carbon atoms. m represents an integer of 1-3. When m represents 2, L represents a trivalent linking group having four or more carbon atoms.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • C08F 20/10 - Esters
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables

17.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING METHOD AND ONIUM SALT COMPOUND

      
Numéro d'application JP2024042424
Numéro de publication 2025/134736
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-11-29
Date de publication 2025-06-26
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Egawa,fuyuki
  • Abe,yudai
  • Oshiro,taku
  • Otsuka,noboru
  • Nemoto,ryuichi

Abrégé

To provide a radiation-sensitive composition and a pattern forming method capable of exhibiting sensitivity, pattern rectangularity, pattern circularity, exposure margin, focal depth, development defect suppression property, LWR and CDU at sufficient levels when forming a resist pattern, and having good storage stability. A radiation-sensitive composition contains an onium salt compound represented by formula (1), a polymer, and a solvent. In formula (1), Rfis a halogen atom or a cyano group. n is an integer of 0 to 4. When n is 2 or more, multiple Rfgroups are the same or different from each other. R1is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group or a fluorinated alkyl group that binds to a carbon atom to which R1is bonded via *-COO-, *-OCO-, *22-, *-S-, *-CO-, *-O-CO-O-, *-CONR'- or *-NR'CO-. Each R' independently is a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms. *is a bond with a carbon atom to which R1is bonded. Provided that, when n is 0, R1is a halogen atom or a cyano group. R2is a hydroxy group, a nitro group, an amino group, a carboxy group, or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. m is an integer of 0 to 4. When m is 2 or more, multiple R222-. Provided that when X is a methylene group, the aromatic ring of Ar is directly bonded to S+in the formula, and R1does not include a polymerizable group. R41, R42, R43, R44, R45and R48are each independently a hydrogen atom, a hydroxy group, a halogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. R46and R47are each independently a hydrogen atom, a hydroxy group, a halogen atom, or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, or R46and R47 are combined to represent a ring structure having 3 to 10 ring members together with two carbon atoms to which they are bonded.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C07C 309/39 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des atomes d'halogène liés au squelette carboné
  • C07C 309/42 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des atomes d'oxygène, liés par des liaisons simples, liés au squelette carboné ayant les groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons non condensés
  • C07C 309/48 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des atomes d'azote, ne faisant pas partie de groupes nitro ou nitroso, liés au squelette carboné le squelette carboné étant substitué de plus par des atomes d'halogène
  • C07C 309/58 - Groupes acide carboxylique ou leurs esters
  • C07C 317/14 - SulfonesSulfoxydes ayant des groupes sulfone ou sulfoxyde liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons
  • C07D 307/00 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome d'oxygène comme unique hétéro-atome du cycle
  • C07D 307/33 - Atomes d'oxygène en position 2, l'atome d'oxygène étant sous la forme céto ou énol non substituée
  • C07D 317/18 - Radicaux substitués par des atomes d'oxygène ou de soufre liés par des liaisons simples
  • C07D 327/06 - Cycles à six chaînons
  • C07D 335/02 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à six chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles
  • C07D 337/04 - Cycles à sept chaînons non condensés avec d'autres cycles
  • C07D 339/08 - Cycles à six chaînons
  • C07D 409/04 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes de soufre comme uniques hétéro-atomes du cycle contenant deux hétérocycles liés par une liaison directe de chaînon cyclique à chaînon cyclique
  • C07D 409/06 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes de soufre comme uniques hétéro-atomes du cycle contenant deux hétérocycles liés par une chaîne carbonée contenant uniquement des atomes de carbone aliphatiques
  • C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
  • C08F 220/10 - Esters
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons

18.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMATION METHOD, AND RADIATION-SENSITIVE ACID GENERATOR

      
Numéro d'application JP2024044275
Numéro de publication 2025/134946
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-12-13
Date de publication 2025-06-26
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Abe,yudai
  • Furuichi,kota
  • Egawa,fuyuki
  • Inami,hajime
  • Nemoto,ryuichi

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide: a radiation-sensitive composition with which it is possible to form a resist film capable of exhibiting sensitivity, LWR, pattern rectangularity, CDU, pattern circularity, and development defect performance at sufficient levels; and a pattern formation method. Additionally, the purpose of the present invention is to provide a radiation-sensitive acid generator that can be applied to the radiation-sensitive composition. This radiation-sensitive composition contains a polymer (A) that contains a structural unit (I) having an acid-dissociable group, a radiation-sensitive acid generator (B) that is represented by formula (1), and a solvent (E). Formula (1) (In formula (1), R1is a hydrogen atom, a nitro group, a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, a thiol group, a halogen atom, or a monovalent organic group. When there are multiple R1, the R1are each the same or different. R2is a C1-40 monovalent organic group. m1 is an integer from 1 to 5. M+ is a monovalent onium cation.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C07C 309/03 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé
  • C07C 309/17 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des groupes carboxyle liés au squelette carboné
  • C07C 381/12 - Composés sulfonium
  • C07D 307/00 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome d'oxygène comme unique hétéro-atome du cycle
  • C07D 321/10 - Cycles à sept chaînons condensés avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques
  • C07D 327/06 - Cycles à six chaînons
  • C07D 327/08 - Cycles à six chaînons condensés en [b, e] avec deux carbocycles à six chaînons
  • C07D 333/46 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles substitués sur l'atome de soufre du cycle
  • C07D 333/76 - Dibenzothiophènes
  • C07D 335/02 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à six chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons

19.

POLYOLEFIN-BASED RESIN FOAMED PARTICLES AND FOAMED PARTICLE MOLDED ARTICLE

      
Numéro d'application JP2024044873
Numéro de publication 2025/135088
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-12-18
Date de publication 2025-06-26
Propriétaire
  • JSP CORPORATION (Japon)
  • JSP INTERNATIONAL SARL (France)
Inventeur(s)
  • Laurianne Vedie
  • Christophe Trouillet
  • Kopf Valentin
  • Hira Akinobu

Abrégé

Provided are polyolefin-based resin foamed particles with which it is possible to easily mold a polyolefin-based resin foamed particle molded article exhibiting high flame retardancy as well as exceptional fusion properties and surface properties. These polyolefin-based resin foamed particles comprise a foam layer. The foam layer contains a base material resin, a phosphonic-acid-ester-based compound, and a NOR-type hindered-amine-based compound. The base material resin is configured from a polyolefin-based resin. The blending amount of the phosphonic-acid-ester-based compound in the foam layer is 5-25 parts by mass per 100 parts by mass of the base material resin. The blending amount of the NOR-type hindered-amine-based compound in the foam layer is 0.3-5 parts by mass per 100 parts by mass of the base material resin. The closed cell ratio of the foamed particles is 60% or greater.

Classes IPC  ?

  • C08J 9/16 - Fabrication de particules expansibles

20.

METHOD FOR PRODUCING FOAMABLE POLYAMIDE-BASED RESIN PARTICLES, METHOD FOR PRODUCING POLYAMIDE-BASED RESIN FOAMED PARTICLES, AND POLYAMIDE-BASED RESIN FOAMED PARTICLES

      
Numéro d'application 18844770
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-03
Date de la première publication 2025-06-19
Propriétaire JSP CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Yamanaka, Ryo

Abrégé

A method for producing foamable polyamide-based resin particles according to the present invention includes impregnating polyamide-based resin particles with an inorganic physical foaming agent in a gas phase, wherein the polyamide-based resin particles have a water content of at least 2.5 mass % and contain 0.5-10 mass % of carbon black. Foamed polyamide-based resin particles are obtained by heating and foaming the foamable polyamide resin particles.

Classes IPC  ?

  • C08J 9/18 - Fabrication de particules expansibles par imprégnation des particules du polymère avec l'agent de gonflage
  • C08J 9/00 - Mise en œuvre de substances macromoléculaires pour produire des matériaux ou objets poreux ou alvéolairesLeur post-traitement

21.

PRODUCTION METHOD FOR CHROMATOGRAPHIC CARRIER

      
Numéro d'application JP2024032744
Numéro de publication 2025/126602
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-09-12
Date de publication 2025-06-19
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Miyajima, Ken
  • Akiyama, Minato
  • Matsumoto, Kentarou
  • Kobayashi, Kunihiko

Abrégé

The present invention provides a method for easily producing a chromatographic carrier that has a high dynamic binding capacity to antibodies or fragments thereof, inhibits the leakage of protein ligands during isolation, and inhibits the aggregation of carriers. Provided is a production method for a chromatographic carrier comprising the ligand binding step, ligand-bound carrier bed forming step, ligand-bound carrier flushing and cleaning step, and ligand-bound carrier stirring and cleaning step described hereafter. Ligand binding step: a step in which a protein ligand is bound to a solid phase carrier. Ligand-bound carrier bed forming step: a step in which a container is filled with the ligand-bound carrier obtained in the ligand binding step to form a ligand-bound carrier bed. Ligand-bound carrier flushing and cleaning step: a step in which the ligand-bound carrier bed formed in the ligand-bound carrier bed forming step is cleaned one or more times by flushing the bed with a cleaning liquid. Ligand-bound carrier stirring and cleaning step: a step in which the ligand-bound carrier after the ligand-bound carrier flushing and cleaning step is cleaned one or more times by stirring in a cleaning liquid.

Classes IPC  ?

  • B01J 20/281 - Absorbants ou adsorbants spécialement adaptés pour la chromatographie préparative, analytique ou de recherche
  • C07K 1/22 - Chromatographie d'affinité ou techniques analogues basées sur des procédés d'absorption sélective
  • G01N 30/50 - Conditionnement de l'absorbant ou de l'adsorbant ou de la phase liquide stationnaire

22.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND PATTERN FORMATION METHOD

      
Numéro d'application JP2024040000
Numéro de publication 2025/126742
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-11-11
Date de publication 2025-06-19
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nishikori,katsuaki
  • Omiya,takuya
  • Ito,ryo

Abrégé

Provided are a radiation-sensitive composition capable of exhibiting sufficient levels of sensitivity, CDU performance, and development defect suppression property during pattern formation while achieving a reduction of fluorine in a surface modifier, and a pattern formation method. The radiation-sensitive composition comprises: a first polymer having a structural unit containing an acid-dissociable group; a second polymer different from the first polymer; at least one selected from the group consisting of a radiation-sensitive acid generator containing an iodine group, and an acid diffusion control agent containing an iodine group; and a solvent. The content ratio of the second polymer to the total mass of the first polymer and the second polymer is 0.1-20 mass% inclusive. The second polymer includes a partial structure represented by formula (i), and has a structural unit (B1) not containing a fluorine atom. (In formula (i), R1, R2, and R3 are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and * is a bond to a structure other than the partial structure in the structural unit (B1).)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • C08F 12/14 - Monomères ne contenant qu'un seul radical aliphatique non saturé contenant un seul cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
  • C08F 20/10 - Esters
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

23.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMATION METHOD, AND RADIATION-SENSITIVE ACID GENERATOR

      
Numéro d'application JP2024040123
Numéro de publication 2025/126748
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-11-12
Date de publication 2025-06-19
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Okude,ryo
  • Nishikori,katsuaki
  • Nemoto,ryuichi

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide: a radiation-sensitive composition capable of forming a resist film that can exhibit sensitivity and CDU at satisfactory levels when next-generation technology is applied and can suppress development defects; and a pattern formation method. The purpose of the present invention is also to provide a radiation-sensitive acid generator that can be applied to said radiation-sensitive composition. The present invention relates to a radiation-sensitive composition containing: a polymer (A) containing a structural unit (I) having an acid-dissociable group; a radiation-sensitive acid generator (B) represented by formula (1); and a solvent (C). (In formula (1): A is an (n1+n2+n3+1)-valent aromatic ring; R1is a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group, or a monovalent organic group; when there are multiple R1s, the multiple R1s are the same or different from one another; n1 is an integer of 1-5; n2 is an integer of 1-5; n3 is an integer of 0-5; m2 is an integer of 1-3; L is a single bond or an (m2+1)-valent linking group; Rf1and Rf2are each independently a fluorine atom or a monovalent fluorinated hydrocarbon group having 1-20 carbon atoms; Rf3and Rf4are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, a monovalent hydrocarbon group having 1-20 carbon atoms, or a monovalent fluorinated hydrocarbon group having 1-20 carbon atoms; when there are multiple Rf3s and multiple Rf4s, the multiple Rf3s and the multiple Rf4s may each be the same or different from one another; m1 is an integer of 0-10; and M+ is a monovalent onium cation.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C07C 309/11 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des atomes d'oxygène liés au squelette carboné contenant des groupes hydroxy éthérifiés liés au squelette carboné avec l'atome d'oxygène d'au moins un des groupes hydroxy éthérifiés lié de plus à un atome de carbone d'un cycle aromatique à six chaînons
  • C07C 381/12 - Composés sulfonium
  • C07D 317/70 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en ortho ou en péri avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques condensés avec des systèmes cycliques contenant au moins deux cycles déterminants
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons

24.

PRODUCTION METHOD FOR CHROMATOGRAPHIC CARRIER

      
Numéro d'application JP2024032743
Numéro de publication 2025/126601
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-09-12
Date de publication 2025-06-19
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Miyajima, Ken
  • Akiyama, Minato
  • Matsumoto, Kentarou
  • Kobayashi, Kunihiko

Abrégé

The present invention provides a method for easily producing a chromatographic carrier that has a high dynamic binding capacity to antibodies or fragments thereof, inhibits the leakage of protein ligands during isolation, and inhibits the aggregation of carriers. Provided is a production method for a chromatographic carrier comprising the solid phase carrier cleaning step, ligand binding step, and ligand-bound carrier cleaning step described hereafter. Solid phase carrier cleaning step: a step in which a solid phase carrier is cleaned using at least one cleaning liquid selected from cleaning liquids containing hydrogen peroxide, cleaning liquids containing peracetic acid, and cleaning liquids (other than cleaning liquids containing hydrogen peroxide and cleaning liquids containing peracetic acid) having a pH of 0-3 or a pH of higher than 12.5 to 14, and the surface of the solid phase carrier is made hydrophilic. Ligand binding step: a step in which a protein ligand is bound to the solid phase carrier cleaned in the solid phase carrier cleaning step. Ligand-bound carrier cleaning step: a step in which the carrier obtained in the ligand binding step is cleaned.

Classes IPC  ?

  • B01J 20/281 - Absorbants ou adsorbants spécialement adaptés pour la chromatographie préparative, analytique ou de recherche
  • C07K 1/22 - Chromatographie d'affinité ou techniques analogues basées sur des procédés d'absorption sélective
  • G01N 30/50 - Conditionnement de l'absorbant ou de l'adsorbant ou de la phase liquide stationnaire

25.

ANTIFERROMAGNETIC MATERIAL WITH LARGE ANOMALOUS HALL EFFECT

      
Numéro d'application JP2024044191
Numéro de publication 2025/127136
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-12-13
Date de publication 2025-06-19
Propriétaire
  • JSR CORPORATION (Japon)
  • THE UNIVERSITY OF TOKYO (Japon)
  • TOHOKU UNIVERSITY (Japon)
Inventeur(s)
  • Toga,yuuta
  • Inukai,kouji
  • Kubo,koutarou
  • Nakatsuji,satoru
  • Minami,susumu
  • Koretsune,takashi

Abrégé

31-xx331-yyy (0

Classes IPC  ?

  • H10N 52/00 - Dispositifs à effet Hall
  • H10B 61/00 - Dispositifs de mémoire magnétique, p. ex. dispositifs RAM magnéto-résistifs [MRAM]
  • H10N 50/10 - Dispositifs magnéto-résistifs

26.

THERAPEUTIC AGENT FOR OVARIAN CLEAR CELL CARCINOMA

      
Numéro d'application 19040964
Statut En instance
Date de dépôt 2025-01-30
Date de la première publication 2025-06-12
Propriétaire
  • JSR CORPORATION (Japon)
  • KEIO UNIVERSITY (Japon)
Inventeur(s)
  • Ookubo, Aki
  • Chiyoda, Tatsuyuki
  • Yoshimura, Takuma

Abrégé

What is provided is a therapeutic agent that is effective for the treatment of ovarian clear cell carcinoma. A therapeutic agent for ovarian clear cell carcinoma includes, as an active ingredient, a proteasome inhibitor. Furthermore, in the therapeutic agent for ovarian clear cell carcinoma, the proteasome inhibitor is a substance that reversibly or irreversibly binds to a 20s proteasome-β5 subunit and inhibits a chymotrypsin-like activity. Moreover, in the therapeutic agent for ovarian clear cell carcinoma, the proteasome is a 26s proteasome. In addition, in the therapeutic agent for ovarian clear cell carcinoma, a content proportion of the proteasome inhibitor is 80% by mass or more, 90% by mass or more, or 100% by mass.

Classes IPC  ?

27.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND PATTERN FORMATION METHOD

      
Numéro d'application JP2024039222
Numéro de publication 2025/121051
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-11-05
Date de publication 2025-06-12
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Hachiya,asuka
  • Nishikori,katsuaki
  • Omiya,takuya

Abrégé

Provided are a radiation-sensitive composition which has excellent sensitivity and CDU and good storage stability, and a pattern formation method. This radiation-sensitive composition comprises a polymer which contains a structural unit (I) that has an acid-dissociable group, an acid diffusion control agent which includes a third organic acid anion and a third onium cation and which, when exposed to light, generates an acid that does not dissociate the acid-dissociable group, and a solvent, wherein at least: the polymer includes a structural unit (II) which has a first organic acid anion and an iodonium cation and which includes an acid generation structure that, when exposed to light, generates an acid that dissociates the acid-dissociable group; the radiation-sensitive composition contains a radiation-sensitive acid generation agent which contains a second organic acid anion and an iodonium cation and which, when exposed to light, generates an acid that dissociates the acid-dissociable group; or the third onium cation is an iodonium cation, the third organic acid anion of the acid diffusion control agent includes an aromatic ring, -COO-is bound to one of the ring-forming atoms of the aromatic ring, -OH is bound to each of two ring-forming atoms which are adjacent to the one ring-forming atom, and the solvent includes a compound represented by formula (H). (In formula (H), R1to R3 are each independently a substituted or unsubstituted C1-20 monovalent aliphatic hydrocarbon group.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

28.

RESIN COMPOSITION, CURED OBJECT, AND ELECTRONIC COMPONENT

      
Numéro d'application JP2024040247
Numéro de publication 2025/115606
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-11-13
Date de publication 2025-06-05
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Iizuka Shunsuke
  • Satonaka Eri

Abrégé

One embodiment of the present invention pertains to a resin composition, a cured object, or an electronic component. The resin composition contains: a polymer (A) having a structural unit represented by formula (a1-1); and a hydrogenated styrene-based thermoplastic elastomer (B). In formula (a1-1), Ra1represents a divalent group represented by formula (a2), and Ra2represents a substituted or unsubstituted divalent aromatic heterocyclic group. In formula (a2), Ara1and Ara2each independently represent a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, L represents a single bond, -O-, -S-, -N(R822-, -P(O)-, or a divalent organic group, y represents an integer of 0-5, and Ra6and Ra7 each independently represent a single bond, a methylene group, or an alkylene group having 2-4 carbon atoms.

Classes IPC  ?

  • C08L 71/10 - Polyéthers dérivés de composés hydroxylés ou de leurs dérivés métalliques de phénols
  • C08G 65/40 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant une liaison éther dans la chaîne principale de la macromolécule à partir de composés hydroxylés ou de leurs dérivés métalliques dérivés des phénols à partir des phénols et d'autres composés
  • C08L 15/00 - Compositions contenant des dérivés du caoutchouc

29.

POLYOLEFIN-BASED RESIN FOAM PARTICLE, FOAM PARTICLE MOLDED BODY OBTAINED BY IN-MOLD MOLDING OF SAID FOAM PARTICLE, METHOD FOR PRODUCING SAID FOAM PARTICLE, AND METHOD FOR ASSESSING FLAME RETARDANCY OF SAID FOAM PARTICLE

      
Numéro d'application JP2024041680
Numéro de publication 2025/115815
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-11-25
Date de publication 2025-06-05
Propriétaire
  • JSP INTERNATIONAL SARL (France)
  • JSP CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Vedie Laurianne
  • Kopf Valentin
  • Hira Akinobu
  • Dilger Melvin
  • Jimenez Maude
  • Bellayer Severine
  • Duquesne Sophie

Abrégé

215235215tot215235 to t to t is a numerical value that indicates the mass percentage of phosphorus in the foam particle, and falls within the range 0.001-0.06.

Classes IPC  ?

  • C08J 9/18 - Fabrication de particules expansibles par imprégnation des particules du polymère avec l'agent de gonflage

30.

METHOD FOR PRODUCING MOLDED ARTICLE OF THERMOPLASTIC RESIN EXPANDED BEADS

      
Numéro d'application 18840104
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-10
Date de la première publication 2025-05-22
Propriétaire JSP CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Miura, Tomohiro
  • Sasaki, Kenta

Abrégé

A method for producing a molded article of thermoplastic resin expanded beads that includes cracking filling and in-mold molding. The expanded beads have a columnar shape and a defective portion that is a through hole and/or a groove. A ratio Ca/A of an average cross-sectional area Ca per defective portion to an average cross-sectional area A of a cut surface of the expanded bead obtained by cutting the expanded bead at a center in an axial direction along a plane perpendicular to the axial direction is 0.01 or more and 0.20 or less, and a ratio Ct/A of a total cross-sectional area Ct of the defective portion to the average cross-sectional area A of the expanded bead is 0.02 or more and 0.20 or less. When the mold is completely closed, a filling rate F of the expanded beads is 125% or more and 220% or less.

Classes IPC  ?

  • B29C 44/34 - Éléments constitutifs, détails ou accessoiresOpérations auxiliaires
  • B29C 44/02 - Moulage par pression interne engendrée dans la matière, p. ex. par gonflage ou par moussage pour la fabrication d'objets de longueur définie, c.-à-d. d'objets séparés
  • B29C 44/44 - Alimentation en matière à mouler dans une cavité de moulage fermée, c.-à-d. pour la fabrication d'objets de longueur définie sous forme de particules ou de grains expansibles
  • B29C 44/60 - Mesure, commande ou régulation
  • B29K 23/00 - Utilisation de polyalcènes comme matière de moulage

31.

METHOD FOR PRODUCING MOLDED ARTICLE OF THERMOPLASTIC RESIN EXPANDED BEADS

      
Numéro d'application 18841513
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-10
Date de la première publication 2025-05-22
Propriétaire JSP CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Miura, Tomohiro
  • Sasaki, Kenta

Abrégé

A method for producing a molded article of thermoplastic resin expanded beads includes a cracking filling step and an in-mold molding step. Expanded beads to be used in the cracking filling step each have a columnar shape and each have one or more defective portions of one or two kinds, the defective portions being selected from the group consisting of through holes and grooves. A molding cavity of a mold has a first portion having a length in an opening/closing direction of the mold greater than an average length LA and a second portion shorter than the average length LA. In the cracking filling step, a difference P2max−P1min between a minimum value P1min of the compression rate of the first portion and a maximum value P2max of the compression rate of the second portion is 5% or more and 100% or less.

Classes IPC  ?

  • B29C 39/00 - Moulage par coulée, c.-à-d. en introduisant la matière à mouler dans un moule ou entre des surfaces enveloppantes sans pression significative de moulageAppareils à cet effet
  • B29C 39/10 - Moulage par coulée, c.-à-d. en introduisant la matière à mouler dans un moule ou entre des surfaces enveloppantes sans pression significative de moulageAppareils à cet effet pour la fabrication d'objets de longueur définie, c.-à-d. d'objets séparés en incorporant des parties ou des couches préformées, p. ex. coulée autour d'inserts ou sur des objets à recouvrir
  • B29C 39/24 - Alimentation en matière des moules
  • B29C 39/38 - Chauffage ou refroidissement
  • B29K 23/00 - Utilisation de polyalcènes comme matière de moulage
  • B29K 105/04 - Présentation, forme ou état de la matière moulée cellulaire ou poreuse

32.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND RADIATION-SENSITIVE ACID GENERATOR

      
Numéro d'application 19034826
Statut En instance
Date de dépôt 2025-01-23
Date de la première publication 2025-05-22
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nemoto, Ryuichi
  • Miyake, Masayuki
  • Mita, Michihiro
  • Miyao, Kensuke
  • Okazaki, Satoshi

Abrégé

A radiation-sensitive composition contains a polymer having an acid-releasable group, and a compound represented by formula (1). In the formula (1), L1 represents a group having a (thio)acetal ring or the like. W1 represents a single bond or a (b+1)-valent organic group having 1 to 40 carbon atoms. R1, R2, and R3 each independently represent a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a fluorine atom, or a fluoroalkyl group. Rf represents a fluorine atom or a fluoroalkyl group. a represents an integer of 0 to 8. b represents an integer of 1 to 4. d represents 1 or 2. When a represents 2 or more, a plurality of R1 are the same or different, and a plurality of R2 are the same or different. M+ represents a monovalent cation. A radiation-sensitive composition contains a polymer having an acid-releasable group, and a compound represented by formula (1). In the formula (1), L1 represents a group having a (thio)acetal ring or the like. W1 represents a single bond or a (b+1)-valent organic group having 1 to 40 carbon atoms. R1, R2, and R3 each independently represent a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a fluorine atom, or a fluoroalkyl group. Rf represents a fluorine atom or a fluoroalkyl group. a represents an integer of 0 to 8. b represents an integer of 1 to 4. d represents 1 or 2. When a represents 2 or more, a plurality of R1 are the same or different, and a plurality of R2 are the same or different. M+ represents a monovalent cation.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • G03F 7/32 - Compositions liquides à cet effet, p. ex. développateurs

33.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD

      
Numéro d'application 18951824
Statut En instance
Date de dépôt 2024-11-19
Date de la première publication 2025-05-22
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Shiratani, Motohiro
  • Yonezawa, Fumiko
  • Nakayama, Takehiro
  • Araki, Masahiro
  • Sasaki, Hirofumi

Abrégé

A radiation-sensitive composition includes: a first polymer comprising a structural unit (I) having an acid-dissociable group; a second polymer comprising a structural unit (i) represented by formula (f1); and a solvent. The acid-dissociable group has an iodo group. RK1 is a hydrogen atom, a fluorine atom, or the like; LY1 is a divalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms; LY2 is —COO—* or —OCO—*, *is a bond on an Rf1 side; Rf1 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a monovalent fluorinated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms; Rf2 and Rf3 are each independently a fluorine atom or a monovalent fluorinated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms; s is an integer of 0 to 3, and when Rf1 is the monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, s is an integer of 1 to 3. A radiation-sensitive composition includes: a first polymer comprising a structural unit (I) having an acid-dissociable group; a second polymer comprising a structural unit (i) represented by formula (f1); and a solvent. The acid-dissociable group has an iodo group. RK1 is a hydrogen atom, a fluorine atom, or the like; LY1 is a divalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms; LY2 is —COO—* or —OCO—*, *is a bond on an Rf1 side; Rf1 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a monovalent fluorinated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms; Rf2 and Rf3 are each independently a fluorine atom or a monovalent fluorinated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms; s is an integer of 0 to 3, and when Rf1 is the monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, s is an integer of 1 to 3.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • C08L 25/18 - Homopolymères ou copolymères de monomères aromatiques contenant des éléments autres que le carbone et l'hydrogène
  • C08L 33/06 - Homopolymères ou copolymères des esters d'esters ne contenant que du carbone, de l'hydrogène et de l'oxygène, l'oxygène, faisant uniquement partie du radical carboxyle
  • C08L 33/16 - Homopolymères ou copolymères d'esters contenant des atomes d'halogène
  • G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

34.

INORGANIC FOAM

      
Numéro d'application 18724429
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-23
Date de la première publication 2025-05-15
Propriétaire JSP CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Naito, Naoki
  • Noro, Jinichiro

Abrégé

An inorganic foam comprising an inorganic polymer having leucite crystal structure as a base material, the area of the peak derived from leucite crystal in the X-ray diffraction spectrum of the inorganic foam satisfies the following formula (1): D(geo)/D(pur)≥0.5 (1). In formula (1), D(geo) represents the area of the peak located at 2θ=27.3° derived from leucite crystal in the X-ray diffraction spectrum of the inorganic foam, and D(pur) represents the area of the peak located at 2θ=27.3° derived from leucite crystal in the X-ray diffraction spectrum of leucite pure material.

Classes IPC  ?

  • C04B 38/10 - Mortiers, béton, pierre artificielle ou articles de céramiques poreuxLeur préparation en utilisant des agents moussants
  • C04B 35/18 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base de silicates autres que l'argile riches en oxyde d'aluminium

35.

COMPLEX FOR TUMOR CHEMODYNAMIC THERAPY

      
Numéro d'application JP2024039549
Numéro de publication 2025/100466
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-11-07
Date de publication 2025-05-15
Propriétaire
  • NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKAI NATIONAL HIGHER EDUCATION AND RESEARCH SYSTEM (Japon)
  • JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Sato, Kazuhide
  • Shimada, Mibuko

Abrégé

This complex for use in tumor chemodynamic therapy comprises: nanoparticles that enclose iron oxide and include a hydrophilic polymer in a surface layer thereof; and target recognition molecules that bind to the nanoparticles and can bind to target molecules of the tumor cells.

Classes IPC  ?

  • A61K 33/26 - FerSes composés
  • A61K 33/40 - Peroxydes
  • A61K 39/395 - AnticorpsImmunoglobulinesImmunsérum, p. ex. sérum antilymphocitaire
  • A61K 47/36 - PolysaccharidesLeurs dérivés, p. ex. gommes, amidon, alginate, dextrine, acide hyaluronique, chitosane, inuline, agar-agar ou pectine
  • A61K 47/68 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p. ex. les supports ou les additifs inertesAgents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p. ex. conjugués polymère-médicament l’ingrédient non actif étant un agent de modification l’agent de modification étant un anticorps, une immunoglobuline ou son fragment, p. ex. un fragment Fc
  • A61K 49/00 - Préparations pour examen in vivo
  • A61K 49/16 - AnticorpsImmunoglobulinesLeurs fragments
  • A61K 49/18 - Préparations de contraste pour la résonance magnétique nucléaire [RMN]Préparations de contraste pour l'imagerie par résonance magnétique [IRM] caractérisées par un aspect physique particulier, p. ex. émulsions, microcapsules, liposomes
  • A61P 35/00 - Agents anticancéreux

36.

Radiation-Sensitive Composition and Method for Forming Resist Pattern

      
Numéro d'application 18839677
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-19
Date de la première publication 2025-05-15
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Maruyama, Ken

Abrégé

A radiation-sensitive composition contains: (A) a polymer, and (B) a radiation-sensitive acid-generator formed of an onium cation and an organic anion having 4 or more iodine atoms, the onium cation having at least one group Rf1 selected from the group consisting of a fluoroalkyl group and a fluoro group (excluding a fluoro group in the fluoroalkyl group).

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C08K 5/372 - Sulfures
  • C08K 5/42 - Acides sulfoniquesLeurs dérivés
  • G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons

37.

METHOD FOR PRODUCING ABRASIVE GRAINS, COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, AND POLISHING METHOD

      
Numéro d'application 18840479
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-10
Date de la première publication 2025-05-15
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Yanagi, Takanori
  • Wang, Pengyu
  • Nakanishi, Koji

Abrégé

The present invention provides: a composition for chemical mechanical polishing, a polishing method which uses this composition for chemical mechanical polishing, and a method for producing abrasive grains which are used therein. The present invention also provides: a composition for chemical mechanical polishing, the composition being capable of polishing a silicon oxide film at a high polishing rate, while having excellent storage stability; a polishing method which uses this composition for chemical mechanical polishing; and a method for producing abrasive grains which are used therein. A method for producing abrasive grains according to the present invention comprises a step in which particles each having a surface to which a hydroxyl group (—OH) is immobilized via a covalent bond, an alkoxysilane having an epoxy group, and a basic compound are mixed and heated.

Classes IPC  ?

  • C09K 3/14 - Substances antidérapantesAbrasifs

38.

COMPOSITION, FOOD/BEVERAGE ITEM, AND METHOD FOR ASSISTING EXAMINATION AND DIAGNOSIS OF DISEASE CAUSED BY PATHOGENIC BACTERIUM OR PATHOGENIC FUNGUS

      
Numéro d'application JP2024039600
Numéro de publication 2025/100480
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-11-07
Date de publication 2025-05-15
Propriétaire
  • KEIO UNIVERSITY (Japon)
  • JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Honda Kenya
  • Nishiyama Keita
  • Wang Zhujun
  • Ye Ning
  • Atarashi Koji
  • Nagashima Keika
  • Aoto Yoshimasa

Abrégé

The present invention provides: a composition and a food/beverage item which can promote the elongation of pili of an intestinal bacterium and exhibits an anti-bacterial activity; and a method for assisting the examination and diagnosis of a disease caused by a pathogenic bacterium or a pathogenic fungus. The present invention provides a composition containing a bacterium capable of producing 3-phenylpropionic acid (PPA) or 3-(4-hydroxyphenyl)propionic acid (4OHPPA). The present invention also provides a food/beverage item containing PPA or 4OHPPA. The present invention further provides a method for assisting the examination and diagnosis of a disease caused by a pathogenic bacterium or a pathogenic fungus. The method comprises: quantifying the amount of PPA or the amount of 4OHPPA in feces from a subject by using 2-nitrophenylhydrazine; and comparing a value obtained by the quantification of the amount of PPA or the amount of 4OHPPA with a reference value. When the value obtained by the quantification of the amount of PPA or the amount of 4OHPPA is smaller than the reference value, it is determined that the subject is possibly affected by the disease.

Classes IPC  ?

  • A61K 35/74 - Bactéries
  • A23L 33/135 - Bactéries ou leurs dérivés, p. ex. probiotiques
  • A61K 35/741 - Probiotiques
  • A61K 35/742 - Bactéries sporulées, p. ex. Bacillus coagulans, Bacillus subtilis, clostridium ou Lactobacillus sporogenes
  • A61K 35/744 - Bactéries lactiques, p. ex. entérocoques, pédiocoques, lactocoques, streptocoques ou leuconostoques
  • A61K 35/745 - Bifidobactéries
  • A61K 35/747 - Lactobacilles, p. ex. L. acidophilus ou L. brevis
  • A61P 1/00 - Médicaments pour le traitement des troubles du tractus alimentaire ou de l'appareil digestif
  • A61P 1/02 - Préparations stomatologiques, p. ex. médicaments pour le traitement des caries, des aphtes, des périodontites
  • A61P 7/00 - Médicaments pour le traitement des troubles du sang ou du fluide extracellulaire
  • A61P 11/00 - Médicaments pour le traitement des troubles du système respiratoire
  • A61P 13/02 - Médicaments pour le traitement des troubles du système urinaire de l'urine ou des voies urinaires, p. ex. acidificateurs d'urine
  • A61P 15/02 - Médicaments pour le traitement des troubles génitaux ou sexuelsContraceptifs pour les pathologies du vagin
  • A61P 31/04 - Agents antibactériens
  • A61P 31/10 - Antifongiques
  • A61P 43/00 - Médicaments pour des utilisations spécifiques, non prévus dans les groupes
  • C12N 1/20 - BactériesLeurs milieux de culture
  • C12N 9/02 - Oxydoréductases (1.), p. ex. luciférase
  • C12N 9/88 - Lyases (4.)
  • C12Q 1/68 - Procédés de mesure ou de test faisant intervenir des enzymes, des acides nucléiques ou des micro-organismesCompositions à cet effetProcédés pour préparer ces compositions faisant intervenir des acides nucléiques
  • G01N 33/50 - Analyse chimique de matériau biologique, p. ex. de sang ou d'urineTest par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligandsTest immunologique

39.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING RESIST PATTERN FILM, AND METHOD FOR PRODUCING PLATED SHAPED ARTICLE

      
Numéro d'application 18838028
Statut En instance
Date de dépôt 2023-02-13
Date de la première publication 2025-05-08
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nishiguchi, Naoki
  • Endo, Ayako
  • Matsumoto, Tomoyuki

Abrégé

A photosensitive resin composition includes a polymer (A), a photoacid generator (B), and an organic solvent (C). The polymer (A) includes: a structural unit having a phenolic hydroxy group; and a (meth)acrylate-derived structural unit having an acid-dissociable group. The organic solvent (C) includes 3-ethoxyethyl propionate. A solid content concentration of the photosensitive resin composition is 30 mass % or more.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C08K 5/45 - Composés hétérocycliques comportant du soufre dans le cycle
  • C09D 133/06 - Homopolymères ou copolymères d'esters d'esters ne contenant que du carbone, de l'hydrogène et de l'oxygène, l'atome d'oxygène faisant uniquement partie du radical carboxyle
  • C09D 161/18 - Polymères de condensation obtenus uniquement à partir d'aldéhydes ou de cétones avec des hydrocarbures aromatiques ou leurs dérivés halogénés
  • C25D 5/02 - Dépôt sur des surfaces déterminées
  • G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • H01L 21/288 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un liquide, p. ex. dépôt électrolytique

40.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN

      
Numéro d'application 18838262
Statut En instance
Date de dépôt 2022-12-19
Date de la première publication 2025-05-08
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Maruyama, Ken

Abrégé

A radiation-sensitive composition contains: (A) a polymer including a structural unit (U) represented by the following formula (1); and (B) a radiation-sensitive acid-generator formed of an onium cation having at least one group Rf1 selected from the group consisting of a fluoroalkyl group and a fluoro group (excepting a fluoro group in the fluoroalkyl group) and an organic anion having an iodine atom. In formula (1), R1 represents a hydrogen atom, a methyl group, or the like. X1 represents a single bond, an ether bond, an ester bond, or the like. Ar1 represents a cyclic group bound to X1 via an aromatic ring. A hydroxy group or group —ORY is bound to an atom adjacent to the atom bound to X1, among the atoms forming the aromatic group in Ar1. RY represents an acid-releasable group. A radiation-sensitive composition contains: (A) a polymer including a structural unit (U) represented by the following formula (1); and (B) a radiation-sensitive acid-generator formed of an onium cation having at least one group Rf1 selected from the group consisting of a fluoroalkyl group and a fluoro group (excepting a fluoro group in the fluoroalkyl group) and an organic anion having an iodine atom. In formula (1), R1 represents a hydrogen atom, a methyl group, or the like. X1 represents a single bond, an ether bond, an ester bond, or the like. Ar1 represents a cyclic group bound to X1 via an aromatic ring. A hydroxy group or group —ORY is bound to an atom adjacent to the atom bound to X1, among the atoms forming the aromatic group in Ar1. RY represents an acid-releasable group.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • C08F 220/18 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
  • C08F 220/28 - Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle ne contenant pas de cycles aromatiques dans la partie alcool
  • G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
  • G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables

41.

INFORMATION PROCESSING SYSTEM, PROGRAM, AND INFORMATION PROCESSING METHOD

      
Numéro d'application JP2024038737
Numéro de publication 2025/095008
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-10-30
Date de publication 2025-05-08
Propriétaire
  • JSR CORPORATION (Japon)
  • NATIONAL CEREBRAL AND CARDIOVASCULAR CENTER (Japon)
Inventeur(s)
  • Takahashi, Shouadnas
  • Sawada, Katsutoshi
  • Fujioka, Masayasu
  • Kobayashi, Nobutoshi
  • Nakaoka, Yoshikazu
  • Asano, Ryotaro
  • Moriuchi, Kenji

Abrégé

An information processing system (1) according to an embodiment comprises a determination unit (102) that inputs pulse information relating to the heartbeat of a subject and attribute information pertaining to the subject to a trained model and thereby generates a determination result indicating the presence/absence and the degree of heart disease in the subject. The trained model is trained using, for a plurality of providers who provide training data, pulse information relating to the heartbeat of the provider, attribute information pertaining to the provider, and diagnosis information indicating the state of cardiac function of the provider.

Classes IPC  ?

  • A61B 5/346 - Analyse des électrocardiogrammes
  • A61B 5/352 - Détection des crêtes de l'onde R, p. ex. pour la synchronisation d'appareils de diagnosticEstimation de l’intervalle entre crêtes R
  • G16H 50/20 - TIC spécialement adaptées au diagnostic médical, à la simulation médicale ou à l’extraction de données médicalesTIC spécialement adaptées à la détection, au suivi ou à la modélisation d’épidémies ou de pandémies pour le diagnostic assisté par ordinateur, p. ex. basé sur des systèmes experts médicaux
  • G06N 20/00 - Apprentissage automatique

42.

EUVX

      
Numéro d'application 1853555
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2025-03-21
Date d'enregistrement 2025-03-21
Propriétaire JSR Corporation (Japon)
Classes de Nice  ? 01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture

Produits et services

Chemicals for use in industry; industrial chemicals for use in the manufacture of semiconductors; photoresists; chemical compositions for developing photographs; chemical preparations for use in photography; photographic sensitizers; photographic developers.

43.

CRYSTALLINE THERMOPLASTIC RESIN EXPANDED BEAD, MOLDED ARTICLE OF CRYSTALLINE THERMOPLASTIC RESIN EXPANDED BEADS, AND METHOD FOR PRODUCING SAME

      
Numéro d'application 18835855
Statut En instance
Date de dépôt 2023-02-02
Date de la première publication 2025-05-01
Propriétaire JSP CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Sakamura, Takumi
  • Ohta, Hajime

Abrégé

A molded article of expanded beads is obtained by mutual fusion-bonding of columnar crystalline thermoplastic resin expanded beads each having no through-hole. The molded article ratio of the molded article of crystalline thermoplastic resin expanded beads is 15 times or more and 90 times or less. The molded article of crystalline thermoplastic resin expanded beads has a closed cell content of 90% or more. The molded article of crystalline thermoplastic resin expanded beads has an open cell content of 2% or more and 12% or less.

Classes IPC  ?

  • C08J 9/232 - Façonnage d'articles en mousse par frittage de particules expansibles

44.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMATION METHOD, POLYMER, AND COMPOUND

      
Numéro d'application JP2024034915
Numéro de publication 2025/084117
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-09-30
Date de publication 2025-04-24
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Watanabe,daichi
  • Itagaki,masafumi
  • Nonoyama,yoshiki
  • Chosa,tomoya

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide: a radiation sensitive composition which exhibits sensitivity and CDU at satisfactory levels when next generation techniques are used and which can form a resist film in which developing defects are suppressed; and a pattern formation method. Another purpose of the present invention is to provide a polymer and a compound able to be used in the radiation-sensitive composition. The present invention relates to a radiation-sensitive composition which contains: a polymer (A) including a structural unit (I) represented by general formula (1); and a solvent (B). The polymer (A) includes a radiation-sensitive acid-generating structural unit (IV): and/or a radiation-sensitive acid generator (C) is contained in a component other than the polymer (A). An iodo group is contained in at least one component selected from the group consisting of the polymer (A) and the radiation-sensitive acid generator (C). In formula (1), R1is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. L1is a single bond or a divalent linking group. Ar denotes a furan ring, a thiophene ring, or a 9- to 20-membered aromatic heterocyclic ring having a furan ring or a thiophene ring. R2is a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1-20 carbon atoms. R3is a halogen atom, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, an amino group, a thiol group or a monovalent organic group having 1-20 carbon atoms. n is an integer between 0 and 4. If the value of n is 2 or more, multiple R3 moieties may be the same as, or different from, each other.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • C07D 307/68 - Atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes avec au plus une liaison à un halogène
  • C07D 307/85 - Atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes avec au plus une liaison à un halogène liés en position 2
  • C07D 333/38 - Atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes avec au plus une liaison à un halogène, p. ex. radicaux ester ou nitrile
  • C07D 333/70 - Atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes avec au plus une liaison à un halogène liés en position 2
  • C07D 407/12 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle, non prévus par le groupe contenant deux hétérocycles liés par une chaîne contenant des hétéro-atomes comme chaînons
  • C07D 409/12 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes de soufre comme uniques hétéro-atomes du cycle contenant deux hétérocycles liés par une chaîne contenant des hétéro-atomes comme chaînons
  • C08F 8/12 - Hydrolyse
  • C08F 24/00 - Homopolymères ou copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et l'un au moins étant terminé par un hétérocycle contenant de l'oxygène
  • C08F 28/00 - Homopolymères ou copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et l'un au moins étant terminé par une liaison au soufre ou par un hétérocycle contenant du soufre
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

45.

COREDUAL

      
Numéro de série 99144897
Statut En instance
Date de dépôt 2025-04-18
Propriétaire JSP CORPORATION (Japon)
Classes de Nice  ?
  • 12 - Véhicules; appareils de locomotion par terre, par air ou par eau; parties de véhicules
  • 17 - Produits en caoutchouc ou en matières plastiques; matières à calfeutrer et à isoler

Produits et services

structural parts for automobiles; vehicle running boards; body panels for vehicles; roof panels for land vehicles semi-processed thermoplastics; plastic wallboards; semi-processed plastics; plastic padding for shipping containers; Thermoplastic foam in the form of cores for use in the manufacture of insulation; Thermoplastic foam in the form of boards for use in the manufacture of insulation; Fiber-reinforced plastic boards being raw material for use in manufacture

46.

METHOD FOR PRODUCING GENE-MODIFIED T CELL POPULATION

      
Numéro d'application 18683815
Statut En instance
Date de dépôt 2022-08-10
Date de la première publication 2025-04-17
Propriétaire
  • KEIO UNIVERSITY (Japon)
  • JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kawakami, Yutaka
  • Wakui, Seiki
  • Ueno, Masaru
  • Aoyama, Ryo
  • Sekine, Hitoshi

Abrégé

Provided is a method of producing a gene-modified T cell population, including mixing a cell population containing T cells with beads each having bound thereto a virus containing a target gene to introduce the target gene into each of the cells of the cell population, wherein the cell population containing the T cells is cultured in a solution containing a CD3 signal activator that is present without being immobilized on a solid phase.

Classes IPC  ?

  • C12N 5/0783 - Cellules TCellules NKProgéniteurs de cellules T ou NK
  • C12N 5/00 - Cellules non différenciées humaines, animales ou végétales, p. ex. lignées cellulairesTissusLeur culture ou conservationMilieux de culture à cet effet
  • C12N 15/86 - Vecteurs viraux

47.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

      
Numéro d'application JP2024035444
Numéro de publication 2025/079496
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-10-03
Date de publication 2025-04-17
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Serizawa,ryuichi
  • Kimata,hironori
  • Ozaki,yuki

Abrégé

Provided is a method for manufacturing a semiconductor substrate that has excellent embedding properties, in which a composition for forming a metal-containing film is embedded in a substrate pattern. The method for manufacturing the semiconductor substrate comprises: a step for coating a substrate with a film-forming composition; and a step for performing, on the coating film formed in the film-forming composition coating step, at least one process selected from the group consisting of exposure to radiation and exposure to plasma. The film-forming composition contains a metal compound composed of at least a metal atom and an organic acid, and a solvent.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/312 - Couches organiques, p. ex. couche photosensible

48.

JSR NSC

      
Numéro d'application 1849865
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2025-02-27
Date d'enregistrement 2025-02-27
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Classes de Nice  ? 01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture

Produits et services

Chemical source material for the deposition of thin films upon semiconductor wafers for the manufacture of semiconductors; industrial chemicals for use in the manufacture of semiconductors; industrial chemicals; adhesives for industrial purposes; chemical preparations for use in photography; photoresists; unprocessed artificial resins as raw materials in the form of powders, liquids or pastes; unprocessed plastics in primary form.

49.

POLYMER, COMPOSITION, CURED PRODUCT, LAMINATED BODY, AND ELECTRONIC COMPONENT

      
Numéro d'application 18834042
Statut En instance
Date de dépôt 2023-01-30
Date de la première publication 2025-04-17
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kadota, Toshiaki
  • Iizuka, Shunsuke
  • Okamoto, Koichi
  • Nishino, Kenta

Abrégé

A composition includes a polymer containing a repeating unit represented by Formula (1). —N(R′)—R3—N(R′)— is a structure derived from a dimer diamine that is unsubstituted or substituted by a substituent, R′, R1, and R2 each are independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydrocarbon group that is unsubstituted or substituted by a substituent and has 1 to 20 carbon atoms, a heterocyclic aliphatic group that is unsubstituted or substituted by a substituent and has 3 to 20 carbon atoms, or a heterocyclic aromatic group that is unsubstituted or substituted by a substituent and has 3 to 20 carbon atoms, and —NR1R2 may be a nitrogen-containing heterocyclic group which has 5 to 20 ring-constituting atoms and in which R1 and R2 are bonded to each other. A composition includes a polymer containing a repeating unit represented by Formula (1). —N(R′)—R3—N(R′)— is a structure derived from a dimer diamine that is unsubstituted or substituted by a substituent, R′, R1, and R2 each are independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydrocarbon group that is unsubstituted or substituted by a substituent and has 1 to 20 carbon atoms, a heterocyclic aliphatic group that is unsubstituted or substituted by a substituent and has 3 to 20 carbon atoms, or a heterocyclic aromatic group that is unsubstituted or substituted by a substituent and has 3 to 20 carbon atoms, and —NR1R2 may be a nitrogen-containing heterocyclic group which has 5 to 20 ring-constituting atoms and in which R1 and R2 are bonded to each other.

Classes IPC  ?

  • C09D 179/02 - Polyamines
  • C08F 290/06 - Polymères prévus par la sous-classe
  • C08G 73/02 - Polyamines
  • C08G 77/452 - Polymères séquencés ou greffés contenant des segments de polysiloxanes contenant des segments de polymères contenant de l'azote
  • C09D 151/08 - Compositions de revêtement à base de polymères greffés dans lesquels le composant greffé est obtenu par des réactions faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carboneCompositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères greffés sur des composés macromoléculaires obtenus autrement que par des réactions faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carbone
  • C09D 183/10 - Copolymères séquencés ou greffés contenant des séquences de polysiloxanes

50.

RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

      
Numéro d'application JP2024033501
Numéro de publication 2025/079408
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-09-19
Date de publication 2025-04-17
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Dobashi,masato
  • Dei,satoshi
  • Ehara,kengo
  • Akita,shunpei
  • Hayashi,yuya
  • Hayashi,yukihiro
  • Kasai,tatsuya
  • Kawazu,tomoharu
  • Takada,kazuya

Abrégé

Provided are a resist underlayer film-forming composition with which it is possible to form a resist underlayer film having excellent solvent resistance and excellent resist pattern rectangularity, and a method for manufacturing a semiconductor substrate. The resist underlayer film-forming composition contains a polymer having a repeating unit represented by formula (1), and a solvent. (In formula (1), R1represents a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. L1represents a 1+n-valent linking group. Ar1represents a monovalent group having an aromatic ring having 6 to 20 ring members. The aromatic ring has at least one halogen atom. n represents an integer of 1 to 3. When n is 2 or more, a plurality of the Ar1s are the same as or different from one another. L1has at least one group (A) selected from the group consisting of a group represented by formula (2-1), a group represented by formula (2-2), a group represented by formula (2-3), a group represented by formula (2-4), a group represented by formula (2-5), a group represented by formula (2-6), a group represented by formula (2-7), and a group represented by formula (2-8).) (In formulae (2-1) to (2-8), R7each independently represent a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms or a single bond. R8, R9, R10, and R13each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. Cy represents a ring structure constituted together with two carbon atoms in formula (2-2) and having 3 to 20 ring members. R11represents a hydrogen atom, a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, or a single bond. R12represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. ** represents a bond with an atom constituting Cy. Note that if R11is a single bond, R11is combined with **. * represents a bond with an atom constituting L1.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08F 12/32 - Monomères ne contenant qu'un seul radical aliphatique non saturé contenant plusieurs cycles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

51.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMATION METHOD, AND COMPOUND

      
Numéro d'application JP2024035269
Numéro de publication 2025/079475
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-10-02
Date de publication 2025-04-17
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nemoto,ryuichi
  • Miyao,kensuke
  • Abe,yudai
  • Oshiro,taku

Abrégé

Provided are a radiation-sensitive composition and a pattern formation method that can exhibit, at the time of pattern formation, a sufficient level of sensitivity, LWR performance, pattern rectangularity, development defect suppression, CDU performance, and pattern circularity. This radiation-sensitive composition includes: a polymer that includes a structural unit (I) represented by formula (1); an onium salt that includes an organic acid anion including a cyclic structure, and an onium cation; and a solvent. (In formula (1), R1is a hydrogen atom or a C1-20 monovalent organic group, L is a single bond or a divalent linking group, R2is a C1-5 substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, R3is a C1-10 monovalent organic group, a hydroxy group, a nitro group, a cyano group, an amino group, a halogen atom, or a sulfanyl group, in cases in which there are a plurality of R3s present, the plurality of R3s may be the same as or different from each other, and n is an integer from 0 to 10.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • C08F 20/28 - Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle ne contenant pas de cycles aromatiques dans la partie alcool
  • C08L 33/14 - Homopolymères ou copolymères des esters d'esters contenant des atomes d'halogène, d'azote, de soufre ou d'oxygène en plus de l'oxygène du radical carboxyle
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

52.

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN

      
Numéro d'application 18906361
Statut En instance
Date de dépôt 2024-10-04
Date de la première publication 2025-04-10
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Watanabe, Daichi
  • Tomihama, Munehisa
  • Nishikori, Katsuaki

Abrégé

A radiation-sensitive resin composition includes: a first polymer and a compound. A solubility of the first polymer in a developer solution is capable of being altered by an action of an acid. The first polymer includes: a first structural unit containing a partial structure obtained by substituting a hydrogen atom of a carboxy group, a phenolic hydroxy group, or an amide group with a group represented by the following formula (1); and a second structural unit containing a phenolic hydroxy group. The compound includes: a monovalent radiation-sensitive onium cation containing an aromatic ring obtained by substituting at least one hydrogen atom with a fluorine atom or a fluorine atom-containing group; and a monovalent organic acid anion. A radiation-sensitive resin composition includes: a first polymer and a compound. A solubility of the first polymer in a developer solution is capable of being altered by an action of an acid. The first polymer includes: a first structural unit containing a partial structure obtained by substituting a hydrogen atom of a carboxy group, a phenolic hydroxy group, or an amide group with a group represented by the following formula (1); and a second structural unit containing a phenolic hydroxy group. The compound includes: a monovalent radiation-sensitive onium cation containing an aromatic ring obtained by substituting at least one hydrogen atom with a fluorine atom or a fluorine atom-containing group; and a monovalent organic acid anion.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
  • C08F 220/18 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
  • C08F 220/22 - Esters contenant un halogène
  • G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet

53.

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN

      
Numéro d'application 18985206
Statut En instance
Date de dépôt 2024-12-18
Date de la première publication 2025-04-10
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Omiya, Takuya
  • Nishikori, Katsuaki
  • Kiriyama, Kazuya
  • Matsumura, Yuushi
  • Terada, Nozomi

Abrégé

A radiation-sensitive resin composition includes a polymer, solubility of which in a developer solution is capable of being altered by an action of an acid, and which has a first structural unit represented by the following formula (1); a radiation-sensitive acid generating agent; and an acid diffusion control agent having a monovalent radiation-sensitive onium cation and a monovalent organic acid anion. A radiation-sensitive resin composition includes a polymer, solubility of which in a developer solution is capable of being altered by an action of an acid, and which has a first structural unit represented by the following formula (1); a radiation-sensitive acid generating agent; and an acid diffusion control agent having a monovalent radiation-sensitive onium cation and a monovalent organic acid anion.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C08F 2/50 - Polymérisation amorcée par énergie ondulatoire ou par rayonnement corpusculaire par la lumière ultraviolette ou visible avec des agents sensibilisants
  • C08F 20/10 - Esters

54.

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, AND RESIST BASE FILM FORMING COMPOSITION

      
Numéro d'application 18910163
Statut En instance
Date de dépôt 2024-10-09
Date de la première publication 2025-04-03
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Komatsu, Hiroyuki
  • Dobashi, Masato
  • Tatsubo, Daiki
  • Yoshinaka, Sho
  • Akita, Shunpei
  • Dei, Satoshi
  • Yoneda, Eiji
  • Ehara, Kengo

Abrégé

A method for manufacturing a semiconductor substrate includes: applying a composition for forming a resist underlayer film directly or indirectly to a substrate to form a resist underlayer film; applying a composition for forming a resist film to the resist underlayer film to form a resist film; exposing the resist film to radiation; and developing at least the exposed resist film. The composition for forming a resist underlayer film includes a polymer and a solvent. The polymer includes a repeating unit (1) which includes an organic sulfonic acid anion moiety and an onium cation moiety.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • C08F 220/30 - Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle contenant des cycles aromatiques dans la partie alcool
  • C08F 220/38 - Esters contenant du soufre
  • C08G 61/12 - Composés macromoléculaires contenant d'autres atomes que le carbone dans la chaîne principale de la macromolécule
  • G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

55.

THERMOPLASTIC POLYMER FOAMED PARTICLE, THERMOPLASTIC POLYMER FOAMED PARTICLE MOLDED BODY, AND IDENTIFICATION METHOD FOR THERMOPLASTIC POLYMER FOAMED PARTICLE OR THERMOPLASTIC POLYMER FOAMED PARTICLE MOLDED BODY

      
Numéro d'application JP2024030554
Numéro de publication 2025/069866
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-08-27
Date de publication 2025-04-03
Propriétaire
  • JSP CORPORATION (Japon)
  • JSP INTERNATIONAL SARL (France)
Inventeur(s)
  • Antonio Pereira
  • Valentin Kopf
  • Hira Akinobu

Abrégé

Provided are: thermoplastic polymer foamed particles in which it is possible to identify the foamed particles themselves; and a thermoplastic polymer foamed particle molded body that, by being formed from the identifiable thermoplastic polymer foamed particles, can be identified without ruining the aesthetics thereof. Further provided is an identification method for the thermoplastic polymer foamed particles and/or the thermoplastic polymer foamed particle molded body. Thermoplastic polymer foamed particles (100) exhibit a light emission reaction derived from a light-emitting rare-earth element (10) through irradiation with electromagnetic waves. This thermoplastic polymer foamed particle molded body is formed through in-mold molding using the thermoplastic polymer foamed particles (100) and thereby exhibits a light emission reaction. This identification method for the thermoplastic polymer foamed particles or the thermoplastic polymer foamed particle molded body comprises: i) an electromagnetic wave irradiation step for irradiating the surfaces of the thermoplastic polymer foamed particles or the thermoplastic polymer foamed particle molded body with electromagnetic waves; and ii) a detection step for detecting, by using a detection device, a light emission reaction that is derived from a light-emitting rare-earth element and that occurs through the irradiating with the electromagnetic waves to obtain a light emission spectrum. A first method of the identification method further comprises iii-1) an identification step for observing the contrast between the light emission spectrum and a blank spectrum in which the light emission reaction derived from the light-emitting rare-earth element is not exhibited. A second method of the identification method further comprises iii-2) an identification step for comparing the light emission spectrum with a preset standard light emission spectrum in which the light emission reaction derived from the light-emitting rare-earth element is exhibited.

Classes IPC  ?

  • C08J 9/18 - Fabrication de particules expansibles par imprégnation des particules du polymère avec l'agent de gonflage
  • B29C 44/00 - Moulage par pression interne engendrée dans la matière, p. ex. par gonflage ou par moussage
  • B29C 44/44 - Alimentation en matière à mouler dans une cavité de moulage fermée, c.-à-d. pour la fabrication d'objets de longueur définie sous forme de particules ou de grains expansibles

56.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMATION METHOD, AND ONIUM SALT COMPOUND

      
Numéro d'application JP2024032863
Numéro de publication 2025/070119
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-09-13
Date de publication 2025-04-03
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nemoto,ryuichi
  • Miyao,kensuke
  • Okazaki,satoshi
  • Inami,hajime
  • Abe,yudai

Abrégé

The present invention provides a radiation-sensitive composition with which it is possible to from a resist film capable of exhibiting sensitivity, LWR performance, pattern rectangularity, CDU, pattern circularity, MEEF, and DOF at sufficient levels, and a pattern formation method. The radiation-sensitive composition contains: a first onium salt compound represented by formula (1); at least one type of second onium salt compound selected from the group consisting of a carboxylate compound represented by formula (2) and a carboxylic acid intramolecular salt compound represented by formula (3); a polymer including a structure unit having an acid dissociable group; and a solvent. (In formula (1), A is a (1+n)-valent organic group having 1 to 40 carbon atoms. Rf1and Rf2are each independently a hydrogen atom, a monovalent organic group, a fluorine atom, or a monovalent fluorinated hydrocarbon group. If a plurality of Rf1s and a plurality of Rf2s are present, the plurality of Rf1s and the plurality of Rf211 +is a radiation-sensitive onium cation.) (In formula (2), R122 +is an organic cation.) (In formula (3), R233 + is a monovalent organic onium cation.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C08F 20/26 - Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons

57.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN

      
Numéro d'application JP2024028429
Numéro de publication 2025/069728
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-08-08
Date de publication 2025-04-03
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Maruyama Ken

Abrégé

This radiation-sensitive composition contains: a polymer whose solubility with respect to a developer changes due to the action of an acid; and a compound having an anion and a radiation-sensitive onium cation, wherein the polymer has a structural unit including a group that generates sulfonic acid due to the action of radiation, the polymer includes an iodine group, and at least one of the anion and the radiation-sensitive onium cation includes an acid-dissociable group.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C08F 22/24 - Esters contenant du soufre
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons

58.

RESIN COMPOSITION, CURED ARTICLE, PREPREG, COPPER-CLAD LAMINATE BOARD, INTERLAYER INSULATION FILM, AND COMPOUND

      
Numéro d'application JP2024031110
Numéro de publication 2025/069916
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-08-30
Date de publication 2025-04-03
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kawashima Naoyuki
  • Kadota Toshiaki
  • Doi Takashi
  • Satonaka Eri
  • Higuchi Tetsuya

Abrégé

Provided are: a resin composition comprising a compound (A) that comprises at least one compound selected from the group consisting of a compound (A1) having two or more partial structures represented by formula (1) and a compound (A2) represented by formula (2) and a polymer (B) having a group crosslinkable with the compound (A) and an aromatic ring; a cured article; a prepreg; a copper-clad laminate board; an interlayer insulation film; and a compound. The explanation for each substituent in the formulae is as described in the description.

Classes IPC  ?

  • C08L 101/02 - Compositions contenant des composés macromoléculaires non spécifiés caractérisées par la présence de groupes déterminés
  • C08F 290/06 - Polymères prévus par la sous-classe
  • C08F 290/14 - Polymères prévus par la sous-classe
  • C08G 65/40 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant une liaison éther dans la chaîne principale de la macromolécule à partir de composés hydroxylés ou de leurs dérivés métalliques dérivés des phénols à partir des phénols et d'autres composés
  • C08J 5/04 - Renforcement des composés macromoléculaires avec des matériaux fibreux en vrac ou en nappes
  • C08L 15/00 - Compositions contenant des dérivés du caoutchouc
  • C08L 71/10 - Polyéthers dérivés de composés hydroxylés ou de leurs dérivés métalliques de phénols
  • H05K 1/03 - Emploi de matériaux pour réaliser le substrat

59.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMATION METHOD, AND ONIUM SALT COMPOUND

      
Numéro d'application JP2024032894
Numéro de publication 2025/070124
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-09-13
Date de publication 2025-04-03
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nemoto,ryuichi
  • Miyao,kensuke
  • Okazaki,satoshi
  • Inami,hajime
  • Oshiro,taku

Abrégé

Provided are a radiation-sensitive composition, a pattern formation method, and an onium salt compound that make it possible to achieve sufficient sensitivity, CDU performance, pattern circularity, development defect suppression, depth of focus, LWR performance, pattern rectangularity, and exposure latitude when a pattern is formed. A radiation-sensitive composition according to the present invention includes: an onium salt compound represented by formula (1); a polymer that includes a structural unit (I) represented by formula (2); and a solvent. (In formula (1), A is a C3–40 (1+n)-valent organic group that includes a cyclic structure. When A includes a straight-chain alkanediyl group, the number of carbons in the straight-chain alkanediyl group is 1 or 2. A does not include a cyclohexylcarbonyloxy structure. Rf1and Rf2are each independently a hydrogen atom, a C1–20 monovalent organic group, a fluorine atom, or a monovalent fluorinated hydrocarbon group. When there are multiple Rf1and Rf2, the Rf1and Rf2are each the same or different. At least one of Rf1and Rf2is a fluorine atom or a monovalent fluorinated hydrocarbon group. m1 is an integer from 1 to 4, inclusive. m2 is 0 or 1. n is an integer from 1 to 3, inclusive. Z+is a monovalent radiation-sensitive onium cation. The number of fluorine atoms in Z+is no more than 8.) (In formula (2), RAis a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group. L is a single bond or a divalent linking group. W is a monocyclic lactone structure, a monocyclic carbonate structure, a monocyclic sultone structure, a monocyclic sulfone structure, or a monocyclic ether structure. R11is a C1–10 monovalent organic group, a cyano group, a nitro group, a hydroxy group, or an amino group. When there are multiple R11, the R11 are each the same or different. p is an integer from 0 to 3, inclusive. q is 0 or 1.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C08F 20/26 - Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons

60.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND PATTERN FORMATION METHOD

      
Numéro d'application JP2024032896
Numéro de publication 2025/070125
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-09-13
Date de publication 2025-04-03
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nemoto,ryuichi
  • Miyao,kensuke
  • Okazaki,satoshi
  • Inami,hajime
  • Egawa,fuyuki

Abrégé

Provided is a radiation-sensitive composition and a pattern formation method with which sensitivity, LWR performance, pattern rectangularity, CDU performance, pattern circularity, MEEF, and exposure margin can be exhibited at a sufficient level when a pattern is formed. This radiation-sensitive resin composition comprises: a first onium salt compound represented by formula (1), a second onium salt compound represented by formula (2), a polymer containing structural units having an acid-dissociable group, and a solvent. (In formula (1), A is a C1–C40 (1+n)-valent organic group. Rf1and Rf2are each independently a hydrogen atom, a C1–C20 monovalent organic group, a fluorine atom, or a monovalent fluorinated hydrocarbon group. When both Rf1and Rf2are present in pluralities, the plurality of Rf1and Rf2are the same as or different from each other. At least one of Rf1and Rf2is a fluorine atom or a monovalent fluorinated hydrocarbon group. R1and R2are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or a C1–C20 monovalent organic group. When both R1and R2are present in pluralities, the plurality of R1and R211 +11 +.) (In formula (2), R433 −22 + is a monovalent organic cation.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C08F 20/26 - Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons

61.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMATION METHOD, AND POLYMER

      
Numéro d'application JP2024027546
Numéro de publication 2025/062850
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-08-01
Date de publication 2025-03-27
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nonoyama,yoshiki
  • Yokoi,hiroki
  • Yamaguchi,shogo
  • Nishikori,katsuaki
  • Osawa,sosuke

Abrégé

The present invention addresses the problem of providing: a radiation-sensitive composition and a pattern formation method with which it is possible to achieve sufficient levels of sensitivity, development contrast, development residue suppression property, and limit resolution property during formation of a pattern; and a polymer which can be used suitably for the radiation-sensitive composition. The radiation-sensitive composition contains: a polymer (A) containing a structural unit that has an acid-dissociable group, a structural unit that has a first organic acid anion (b1) and a first onium cation (c1) and includes a first acid-generating structure capable of generating, when exposed, an acid that induces the dissociation of the acid-dissociable group, and a structural unit that has a second organic acid anion (b2) and a second onium cation (c2) and includes a second acid-generating structure capable of generating, when exposed, an acid that does not induce the dissociation of the acid-dissociable group; and a solvent (B). The polymer (A) includes a partial structure represented by formula (i). (In formula (i), Ar represents a 5- to 20-membered aromatic ring having a valency of (m1 + m2 + m3 +1); X1represents a hydroxy group, a carboxy group, a sulfonic acid group, or a mercapto group, wherein, when there are a plurality of X1's, the plurality of X1's are the same as or different from each other; R1represents an acid-dissociable group or a non-acid-dissociable group, wherein, when there is one R1, the R1represents an acid-dissociable group, and when there are a plurality of R1's, at least one of the plurality of R1's represents an acid-dissociable group, and when there are a plurality of R1's, the plurality of R1's are the same as or different from each other; R2represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, or a monovalent organic group (excluding -COOR1), wherein, when there are a plurality of R2's, the plurality of R2's are the same as or different from each other; m1 represents an integer of 1-5, m2 represents an integer of 0-5, and m3 represents an integer of 0-6, wherein 2 ≤ m1 + m2; and "*" represents a bond to another structure in the polymer (A).)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
  • C08F 220/10 - Esters
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons

62.

EUVX

      
Numéro de série 79423296
Statut En instance
Date de dépôt 2025-03-21
Propriétaire JSR Corporation (Japon)
Classes de Nice  ? 01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture

Produits et services

Chemicals for use in industry; industrial chemicals for use in the manufacture of semiconductors; photoresists; chemical compositions for developing photographs; chemical preparations for use in photography; photographic sensitizers; photographic developers.

63.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMATION METHOD, AND POLYMER

      
Numéro d'application JP2024025965
Numéro de publication 2025/057562
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-07-19
Date de publication 2025-03-20
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nonoyama,yoshiki
  • Yokoi,hiroki
  • Yamaguchi,shogo
  • Osawa,sosuke

Abrégé

Provided are a radiation-sensitive composition and pattern formation method that can exhibit satisfactory levels of sensitivity, CDU, and development defect suppression during pattern formation; and a polymer that can be advantageously used in said radiation-sensitive composition. This radiation-sensitive composition contains: a polymer (A) comprising a structural unit (I) having an acid-dissociable group, a structural unit (II) that has a first organic acid anion (b1) and a first onium cation (c1) and that contains a first acid-generating structure that upon exposure generates an acid that induces dissociation of the acid-dissociable group, and a structural unit (III) that has a second organic acid anion (b2) and a second onium cation (c2) and that contains a second acid-generating structure that upon exposure generates an acid that does not induce dissociation of the acid-dissociable group; and a solvent (B). The polymer (A) has at least one alcoholic hydroxyl group, and the second onium cation (c2) is a radiation-sensitive onium cation.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
  • C08F 220/18 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons

64.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTROCONDUCTIVE FILM, TOUCH PANEL, AND DISPLAY PANEL

      
Numéro d'application JP2024029040
Numéro de publication 2025/057653
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-08-15
Date de publication 2025-03-20
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Yasuda,hiroyuki
  • Katsui,hiromitsu
  • Oono,ryuuzou
  • Yasuike,nobuo

Abrégé

Provided are an organic resin material that makes it possible to uniformly fix an electroconductive carbon material over the entirety of an electroconductive film formation region, a method for manufacturing an electroconductive film using the organic resin material, and a touch panel and a display panel each comprising an electroconductive film manufactured by means of the manufacturing method. The method comprises: a step (A) for applying an organic resin material containing a polymer obtained by reacting an aliphatic tetracarboxylic acid dianhydride with an aliphatic diamine onto a base material to form an organic resin layer; a step (B) for applying a dispersion liquid containing a dispersant and carbon nanotubes onto the organic resin layer after the step (A) to form a coating film; a step (C) for drying the coating film after the step (B); and a step (D) for depositing a dispersant extraction liquid after the step (C), thereby removing the dispersant from the coating film.

Classes IPC  ?

  • H01B 13/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles
  • B05D 1/36 - Applications successives de liquides ou d'autres matériaux fluides, p. ex. sans traitement intermédiaire
  • B05D 3/10 - Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliquésTraitement ultérieur des revêtements appliqués, p. ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides par d'autres moyens chimiques
  • B05D 7/24 - Procédés, autres que le flocage, spécialement adaptés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides, à des surfaces particulières, ou pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers

65.

SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION, METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

      
Numéro d'application JP2024031111
Numéro de publication 2025/053057
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-08-30
Date de publication 2025-03-13
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamada,shuhei
  • Yoneda,eiji

Abrégé

The present invention provides: a substrate for semiconductor production which is excellent in suppression of collapse of a resist pattern; a method for producing a substrate for semiconductor production; and a method for producing a semiconductor substrate. Provided is a substrate for semiconductor production comprising a substrate that has a thin film, wherein the thin film has a group derived from a compound represented by formula (1). (In formula (1), R1 is an C1-40 n-valent organic group. n is an integer of 1-4.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/09 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

66.

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING PATTERN

      
Numéro d'application 18953228
Statut En instance
Date de dépôt 2024-11-20
Date de la première publication 2025-03-13
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nemoto, Ryuichi
  • Miyake, Masayuki
  • Inami, Hajime
  • Furukawa, Tsuyoshi
  • Otsuka, Noboru
  • Miyao, Kensuke

Abrégé

A radiation-sensitive resin composition includes: an onium salt compound represented by formula (1), a resin including a structural unit having an acid-dissociable group, and an alcohol-based solvent having a boiling point of 90° C. or higher. R1 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group or a group including a divalent hetero atom-containing group between two adjacent carbon atoms of the hydrocarbon group; R2 and R3 are each independently a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group, one of Rf11 and Rf12 is a fluorine atom, and the other is a fluorine atom or a monovalent fluorinated hydrocarbon group, m1 is an integer of 1 to 3; m2 is an integer of 0 to 8; and Z1+ represents a monovalent radiation-sensitive onium cation. A radiation-sensitive resin composition includes: an onium salt compound represented by formula (1), a resin including a structural unit having an acid-dissociable group, and an alcohol-based solvent having a boiling point of 90° C. or higher. R1 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group or a group including a divalent hetero atom-containing group between two adjacent carbon atoms of the hydrocarbon group; R2 and R3 are each independently a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group, one of Rf11 and Rf12 is a fluorine atom, and the other is a fluorine atom or a monovalent fluorinated hydrocarbon group, m1 is an integer of 1 to 3; m2 is an integer of 0 to 8; and Z1+ represents a monovalent radiation-sensitive onium cation.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/029 - Composés inorganiquesComposés d'oniumComposés organiques contenant des hétéro-atomes autres que l'oxygène, l'azote ou le soufre
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles

67.

METHOD FOR MANUFACTURING SURFACE-TREATED SUBSTRATE, METHOD FOR SELECTIVELY MODIFYING SUBSTRATE SURFACE, AND COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR TREATMENT

      
Numéro d'application JP2024024786
Numéro de publication 2025/052776
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-07-09
Date de publication 2025-03-13
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Komatsu, Hiroyuki
  • Suhara, Ryou
  • Hagi, Shin-Ichirou
  • Yamada, Shota
  • Akagi, Soichiro
  • Mori, Kosuke

Abrégé

A method for manufacturing a surface-treated substrate according to the present invention includes a step for applying a composition to the surface of a substrate including a first region and a second region different in material from the first region to selectively modify the surface of the substrate. The composition contains: compound (A) that is at least one compound selected from the group consisting of a compound represented by formula (1), a compound represented by formula (2), and a compound represented by formula (3); and 1 mass% or more of water with respect to the total amount of the composition. R1, R4, and R8 are each independently a monovalent chain group having 9 or more carbon atoms.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes

68.

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING PATTERN

      
Numéro d'application 18951794
Statut En instance
Date de dépôt 2024-11-19
Date de la première publication 2025-03-06
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nemoto, Ryuichi
  • Miyake, Masayuki
  • Inami, Hajime
  • Furukawa, Tsuyoshi
  • Otsuka, Noboru
  • Miyao, Kensuke

Abrégé

A radiation-sensitive resin composition includes: a first onium salt compound represented by formula (1); a second onium salt compound represented by formula (2); a resin including a structural unit having an acid-dissociable group; and a solvent. R1 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group or the like; R2 and R3 are each independently a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group; one of Rf11 and Rf12 is a fluorine atom, and the other is a fluorine atom or a monovalent fluorinated hydrocarbon group; and Z1+ represents a monovalent radiation-sensitive onium cation. R4 is a monovalent organic group including a cyclic structure; Rf21 and Rf22 each independently represent a fluorine atom or a monovalent fluorinated hydrocarbon group; and Z2+ represents a monovalent radiation-sensitive onium cation. A radiation-sensitive resin composition includes: a first onium salt compound represented by formula (1); a second onium salt compound represented by formula (2); a resin including a structural unit having an acid-dissociable group; and a solvent. R1 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group or the like; R2 and R3 are each independently a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group; one of Rf11 and Rf12 is a fluorine atom, and the other is a fluorine atom or a monovalent fluorinated hydrocarbon group; and Z1+ represents a monovalent radiation-sensitive onium cation. R4 is a monovalent organic group including a cyclic structure; Rf21 and Rf22 each independently represent a fluorine atom or a monovalent fluorinated hydrocarbon group; and Z2+ represents a monovalent radiation-sensitive onium cation.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/029 - Composés inorganiquesComposés d'oniumComposés organiques contenant des hétéro-atomes autres que l'oxygène, l'azote ou le soufre
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles

69.

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING PATTERN

      
Numéro d'application 18951861
Statut En instance
Date de dépôt 2024-11-19
Date de la première publication 2025-03-06
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nemoto, Ryuichi
  • Miyake, Masayuki
  • Inami, Hajime
  • Furukawa, Tsuyoshi
  • Otsuka, Noboru
  • Miyao, Kensuke

Abrégé

A radiation-sensitive resin composition includes: a first onium salt compound represented by formula (1); a second onium salt compound represented by formula (2); a resin including an acid-dissociable group; and a solvent. R1 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group or the like; R2 and R3 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or the like; and Z+ represents a monovalent radiation-sensitive onium cation. R4 is a monovalent organic group; one of Rf21 and Rf22 is a fluorine atom, and the other is a fluorine atom or a monovalent fluorinated hydrocarbon group; Ar is a monovalent organic group including an aromatic ring; R5, R6, R7, and R8 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxy group, a halogen atom, or a monovalent organic group; and X is a single bond or a divalent hetero atom-containing group. A radiation-sensitive resin composition includes: a first onium salt compound represented by formula (1); a second onium salt compound represented by formula (2); a resin including an acid-dissociable group; and a solvent. R1 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group or the like; R2 and R3 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or the like; and Z+ represents a monovalent radiation-sensitive onium cation. R4 is a monovalent organic group; one of Rf21 and Rf22 is a fluorine atom, and the other is a fluorine atom or a monovalent fluorinated hydrocarbon group; Ar is a monovalent organic group including an aromatic ring; R5, R6, R7, and R8 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxy group, a halogen atom, or a monovalent organic group; and X is a single bond or a divalent hetero atom-containing group.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/029 - Composés inorganiquesComposés d'oniumComposés organiques contenant des hétéro-atomes autres que l'oxygène, l'azote ou le soufre
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles

70.

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING PATTERN

      
Numéro d'application 18952057
Statut En instance
Date de dépôt 2024-11-19
Date de la première publication 2025-03-06
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nemoto, Ryuichi
  • Miyake, Masayuki
  • Inami, Hajime
  • Furukawa, Tsuyoshi
  • Otsuka, Noboru
  • Miyao, Kensuke

Abrégé

A radiation-sensitive resin composition includes: a first onium salt compound represented by formula (1); a second onium salt compound represented by formula (2); a resin including a structural unit having an acid-dissociable group; and a solvent. R1 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group or a group including a divalent hetero atom-containing group between two adjacent carbon atoms of the hydrocarbon group; R2 and R3 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or the like; and one of Rf11 and Rf12 is a fluorine atom, and the other is a hydrogen atom, a fluorine atom, or a monovalent fluorinated hydrocarbon group. R4 is a monovalent organic group in which neither a fluorine atom nor a fluorinated hydrocarbon group is bonded to an atom adjacent to the sulfur atom. A radiation-sensitive resin composition includes: a first onium salt compound represented by formula (1); a second onium salt compound represented by formula (2); a resin including a structural unit having an acid-dissociable group; and a solvent. R1 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group or a group including a divalent hetero atom-containing group between two adjacent carbon atoms of the hydrocarbon group; R2 and R3 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, or the like; and one of Rf11 and Rf12 is a fluorine atom, and the other is a hydrogen atom, a fluorine atom, or a monovalent fluorinated hydrocarbon group. R4 is a monovalent organic group in which neither a fluorine atom nor a fluorinated hydrocarbon group is bonded to an atom adjacent to the sulfur atom.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C08F 220/18 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
  • C08F 220/28 - Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle ne contenant pas de cycles aromatiques dans la partie alcool
  • C08F 220/36 - Esters contenant de l'azote contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle
  • G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
  • G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons

71.

PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND COMPOSITION FOR RESIST UNDERLAYER FORMATION

      
Numéro d'application JP2024029817
Numéro de publication 2025/047565
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-08-22
Date de publication 2025-03-06
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Hirasawa,kengo
  • Tanaka,ryotaro
  • Oka,yuki
  • Yoshinaka,sho

Abrégé

The present invention provides: a production method for a semiconductor substrate that makes it possible to form a resist underlayer having excellent pattern rectangularity; and a composition for resist underlayer formation. Provided is a production method for a semiconductor substrate, said method comprising: a step for applying a composition for resist underlayer formation directly or indirectly onto a substrate; a step for applying a composition resist film formation directly or indirectly onto a resist underlayer formed in the step for applying the composition for resist underlayer formation; a step for exposing a resist film formed in the step for applying the composition resist film formation; and a step for developing at least the exposed resist film. The composition for resist underlayer formation contains a compound and a solvent. The compound comprises -ORA, where RAis a hydrogen atom, a C1-10 monovalent heteroatom-containing group, or a C1-10 monovalent organic group (excluding C1-10 monovalent heteroatom-containing groups). Among the structures constituting RA, when the proportion of hydrogen atoms is represented as x, the proportion of the C1-10 monovalent heteroatom-containing group is represented as y, and the proportion of the C1-10 monovalent organic group is represented as z, in the entirety of the compound, x+y+z=100, and the relations 20≤x≤95 and 5≤y≤80 are satisfied. The compound is a polymer which has a repeating unit represented by formula (1), an aromatic-ring-containing compound which has a molecular weight of 750-3,000 and which comprises -ORA, or a combination of these. (In formula (1), Ar1is a divalent group having a 5- to 40-membered aromatic ring. R0is a hydrogen atom or a C1-40 monovalent organic group. R1is a C1-40 monovalent organic group. At least one selected from the group consisting of Ar1, R0, and R1has -ORA.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08G 61/10 - Composés macromoléculaires contenant uniquement des atomes de carbone dans la chaîne principale de la molécule, p. ex. polyxylylènes uniquement des atomes de carbone aromatiques, p. ex. polyphénylènes

72.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, CURED PRODUCT, METHOD FOR PRODUCING SAME, LIQUID CRYSTAL DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, POLYMER, AND COMPOUND

      
Numéro d'application JP2024030378
Numéro de publication 2025/047698
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-08-27
Date de publication 2025-03-06
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Murakami, Yoshitaka
  • Okada, Takashi
  • Satou, Mitsuo

Abrégé

This photosensitive composition contains: a polymer derived from a monomer having a C1-C3 halogenated alkyl group containing at least one hydrogen atom, and including a structural unit (a1) having a hydroxyl group; and a photosensitive compound.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/023 - Quinonediazides macromoléculairesAdditifs macromoléculaires, p. ex. liants
  • C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

73.

ARX

      
Numéro d'application 1843142
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2025-01-31
Date d'enregistrement 2025-01-31
Propriétaire JSR Corporation (Japon)
Classes de Nice  ? 01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture

Produits et services

Chemicals for use in industry; industrial chemicals for use in the manufacture of semiconductors; photoresists; chemical compositions for developing photographs; chemical preparations for use in photography; photographic sensitizers; photographic developers.

74.

CELL ADHESIVE PARTICLE AND PARTICLE PRODUCTION METHOD

      
Numéro d'application JP2024024619
Numéro de publication 2025/047128
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-07-08
Date de publication 2025-03-06
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kikuchi, Masahiro
  • Kobayashi, Kunihiko
  • Sakaguchi, Sayaka
  • Tomita, Koki
  • Kawabata, Shingo

Abrégé

The present invention provides particles having excellent cell adhesiveness. Cell adhesive particles according to the present invention each contain, in a molecule, a structural unit having at least one selected from groups represented by formula (1) and groups represented by formula (2). [In formula (1), R1represents an alkanediyl group having 2-10 carbon atoms, R2and R3each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1-10 carbon atoms, and * represents a binding site.] [In formula (2), R4represents an alkanediyl group having 2-10 carbon atoms, R5-R7each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1-10 carbon atoms, X- represents a counter anion, and * represents a binding site.]

Classes IPC  ?

  • C12M 3/00 - Appareillage pour la culture de tissus, de cellules humaines, animales ou végétales, ou de virus
  • C08F 2/18 - Polymérisation en suspension
  • C08F 20/12 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques

75.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND PATTERN FORMATION METHOD

      
Numéro d'application JP2024026468
Numéro de publication 2025/047218
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-07-24
Date de publication 2025-03-06
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nonoyama,yoshiki
  • Yokoi,hiroki
  • Yamaguchi,shogo
  • Osawa,sosuke

Abrégé

Provided are a radiation-sensitive composition and a pattern formation method capable of exhibiting, at sufficient levels, sensitivity, development contrast, development defect suppression property, and limit resolution when forming patterns. This radiation-sensitive composition contains a polymer and a solvent. The polymer includes: a structural unit (I) that has an iodo group and that also has an acid-dissociable group; a structural unit (II) that has a first organic acid anion and a first onium cation and that includes a first acid-generating structure for generating, through exposure to light, an acid that induces dissociation of the acid-dissociable group; and a structural unit (III) that has a second organic acid anion and a second onium cation, and that includes a second acid-generating structure for generating, through exposure to light, an acid that does not induce dissociation of the acid-dissociable group.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • C08F 220/22 - Esters contenant un halogène
  • C08F 220/28 - Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle ne contenant pas de cycles aromatiques dans la partie alcool
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

76.

AEX

      
Numéro d'application 1841925
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2025-01-28
Date d'enregistrement 2025-01-28
Propriétaire JSR Corporation (Japon)
Classes de Nice  ? 01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture

Produits et services

Chemicals for use in industry; industrial chemicals for use in the manufacture of semiconductors; photoresists; chemical compositions for developing photographs; chemical preparations for use in photography; photographic sensitizers; photographic developers.

77.

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCTION METHOD AND FILM-FORMING COMPOSITION

      
Numéro d'application JP2024027062
Numéro de publication 2025/041533
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-07-30
Date de publication 2025-02-27
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kimata,hironori
  • Serizawa,ryuichi
  • Ozaki,yuki

Abrégé

Provided are: a semiconductor substrate production method that uses a metal-containing resist underlayer film capable of imparting favorable rectangularity to a metal resist pattern; and an underlayer film-forming composition for a first metal-containing resist. This semiconductor substrate production method includes a step for coating a substrate with a film-forming composition. The film-forming composition contains a solvent and a metal compound comprising at least a metal atom and an organic acid. The organic acid is a compound represented by formula (1). (In formula (1), R1is a hydroxy group, a nitro group, a halogen atom or a C1-20 monovalent organic group (excluding the structure corresponding to -L1-COOH and the structure corresponding to X in the formula). Ar1is a C3-30 r+s+t-valent aromatic ring structure. X is a crosslinkable group. L1represents a single bond or a divalent linking group. t is an integer of 0-2. When t is 2, the two R1are the same or different. r is an integer of 1-4. When r is 2 or more, the plurality of X are the same or different. s is an integer of 1-4. When s is 2 or more, the plurality of L1 are the same or different.)

Classes IPC  ?

  • H01L 21/314 - Couches inorganiques
  • C09D 7/63 - Adjuvants non macromoléculaires organiques
  • C09D 149/00 - Compositions de revêtement à base d'homopolymères ou de copolymères de composés possédant une ou plusieurs liaisons triples carbone-carboneCompositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères
  • C09D 201/00 - Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires non spécifiés
  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs

78.

JSR NSC

      
Numéro de série 79421714
Statut En instance
Date de dépôt 2025-02-27
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Classes de Nice  ? 01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture

Produits et services

Chemical source material for the deposition of thin films upon semiconductor wafers for the manufacture of semiconductors; industrial chemicals for use in the manufacture of semiconductors; industrial chemicals; adhesives for industrial purposes; chemical preparations for use in photography; photoresists; unprocessed artificial resins as raw materials in the form of powders, liquids or pastes; unprocessed plastics in primary form.

79.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR PRODUCING PLATED MOLDED ARTICLE, METHOD FOR PRODUCING RESIST PATTERN FILM, AND METHOD FOR PRODUCING PLATED MOLDED ARTICLE

      
Numéro d'application JP2024028954
Numéro de publication 2025/041685
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-08-14
Date de publication 2025-02-27
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Horikawa Shuhei
  • Matsumoto Tomoyuki
  • Nishiguchi Naoki
  • Okamoto Erika

Abrégé

An embodiment of the present invention relates to a photosensitive resin composition for producing a plated molded article, a method for producing a resist pattern film, and a method for producing a plated molded article. Said composition contains: a (meth)acrylic polymer (A1) having an acid dissociable group; a photoacid generator (B); at least one compound (C) selected from the group consisting of an organic carboxylic acid compound (C1) having a pKa of 4.5 or less, an organic carboxylic acid anhydride (C2) having a pKa of 4.5 or less, and a polyhydric phenol compound (C3) having a CLogP of 4.5 or less; and a solvent (G).

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • G03F 7/40 - Traitement après le dépouillement selon l'image, p. ex. émaillage

80.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING RESIST PATTERN FILM, AND METHOD FOR PRODUCING PLATED SHAPED ARTICLE

      
Numéro d'application JP2024028955
Numéro de publication 2025/041686
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-08-14
Date de publication 2025-02-27
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Matsumoto Tomoyuki
  • Higuchi Tetsuya
  • Kiriyama Takashi
  • Horikawa Shuhei
  • Nishiguchi Naoki

Abrégé

One embodiment of the present invention relates to a photosensitive resin composition, a method for producing a resist pattern film, or a method for producing a plated shaped article. The photosensitive resin composition contains a polymer (A1) that is selected from among an alkali-soluble polymer and a polymer having an acid dissociable group, a polymer (A2) that is selected from among an alkali-soluble polymer and a polymer having an acid dissociable group, a photoacid generator (B), and a solvent (C). The glass transition temperature (Tg) of the polymer (A2) is -45°C to 25°C, and the glass transition temperature (Tg) of the polymer (A1) is higher than the Tg of the polymer (A2) by 55°C to 120°C.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/40 - Traitement après le dépouillement selon l'image, p. ex. émaillage

81.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, AND POLYMER

      
Numéro d'application JP2024021937
Numéro de publication 2025/037476
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-06-17
Date de publication 2025-02-20
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Miyata, Hiromu
  • Kitamura, Koki
  • Osawa, Sosuke

Abrégé

This radiation-sensitive composition comprises a polymer which contains, in the same molecule, a first structural unit having an acid-dissociable group, a second structural unit having a radiation-sensitive onium cation and a sulfonic acid anion, and a third structural unit having a radiation-sensitive onium cation and a carboxylic acid anion, and in which the content ratio of the first structural unit is at least 55 mol% with respect to all the structural units.

Classes IPC  ?

82.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, AND POLYMER

      
Numéro d'application JP2024021936
Numéro de publication 2025/032972
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-06-17
Date de publication 2025-02-13
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Osawa, Sosuke
  • Hae, Takuma
  • Sakai, Hikaru

Abrégé

This radiation-sensitive composition contains a polymer containing: a first structural unit having a radiation-sensitive onium cation and a sulfonic acid anion; a second structural unit having a radiation-sensitive onium cation and a carboxylic acid anion; and a third structural unit represented by formula (1). In formula (1), R1represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group. B1is a single bond or a divalent hydrocarbon group. L1is a divalent organic group. R2 is an acid-decomposable group.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons

83.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND COMPOSITION FOR FORMING UNDERLAYER FILM FOR METAL-CONTAINING RESIST

      
Numéro d'application JP2024025960
Numéro de publication 2025/033138
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-07-19
Date de publication 2025-02-13
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kasai,tatsuya
  • Takada,kazuya

Abrégé

Provided are a method for manufacturing a semiconductor substrate with which it is possible to form an underlayer film for a metal-containing resist capable of achieving excellent rectangularity in a resist pattern, and a composition for forming an underlayer film for a metal-containing resist. This method for manufacturing a semiconductor substrate comprises: a step for directly or indirectly applying, to a substrate, a composition for forming an underlayer film for a metal-containing resist; a step for forming a metal-containing resist film on an underlayer film for a metal-containing resist, the underlayer film being formed by means of the step for applying the composition for forming an underlayer film for a metal-containing resist; a step for exposing the metal-containing resist film to extreme ultraviolet rays; and a step for developing at least the exposed metal-containing resist film. The composition for forming an underlayer film for a metal-containing resist contains a solvent and a compound having a structural unit (α) represented by formula (1-1). (In formula (1-1), a is an integer of 1-3. R1is a C1-20 monovalent organic group, a hydroxy group, or a halogen atom. b is an integer of 0-2. When b is 2, the two R1 are the same as each other or are different from one another. However, a + b is 3 or less.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C08G 77/24 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes organiques contenant des atomes autres que le carbone, l'hydrogène et l'oxygène groupes contenant des halogènes
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

84.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, AND POLYMER

      
Numéro d'application JP2024021935
Numéro de publication 2025/032971
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-06-17
Date de publication 2025-02-13
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Osawa, Sosuke
  • Kobayashi, Atsushi
  • Motoyama, Kazuki

Abrégé

This radiation-sensitive composition contains a polymer containing: a first structural unit having a radiation-sensitive onium cation and a sulfonic acid anion; a second structural unit having a radiation-sensitive onium cation and a carboxylic acid anion; and a third structural unit represented by formula (1). In formula (1), Ar1is a group obtained by removing (s+t+1) hydrogen atoms from an aromatic hydrocarbon ring. s is an integer of 1 or higher. t is an integer of 1 or higher. R2is a hydroxy group, an alkyl group, an alkoxy group or -OX1. X1 is an acid-decomposable group.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons

85.

RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, METHOD FOR FORMING PATTERN, AND ONIUM SALT

      
Numéro d'application JP2024024568
Numéro de publication 2025/033056
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-07-08
Date de publication 2025-02-13
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nemoto,ryuichi
  • Abe,yudai
  • Nishii,atsuto
  • Mita,michihiro
  • Inami,hajime
  • Egawa,fuyuki

Abrégé

Provided are: a radiation-sensitive composition capable of exhibiting excellent sensitivity, CDU performance, DOF performance, pattern circularity, LWR performance, pattern rectangularity, and development defect suppression when forming a pattern; a pattern formation method; and an onium salt. This radiation-sensitive composition contains an onium salt represented by formula (1) (hereinafter, also referred to as an "onium salt (1)"), a polymer containing a structural unit (I) having an acid-dissociable group, and a solvent. (In formula (1), Ar1is an (a1 + b1 +1)-valent aromatic ring. Ar2is an (a2 + b2 +1)-valent aromatic ring. X1and X2are each independently a monovalent organic group having 1-20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, or a halogen atom. When multiple X1and multiple X2are present, the multiple X1and the multiple X2are each identical to or different from each other. Y1is a monovalent organic group having 4-20 carbon atoms and bonded via Ar122-, or a monovalent perfluoroalkyl group having 1-20 carbon atoms. When multiple Y1are present, the multiple Y1are identical to or different from each other. Y2is a monovalent organic group having 4-20 carbon atoms and bonded via Ar222-, or a monovalent perfluoroalkyl group having 1-20 carbon atoms. When multiple Y2are present, the multiple Y2are identical to or different from each other. L is a single bond or a divalent linking group having 1-5 carbon atoms. a1, a2, b1, and b2 are each independently an integer of 0-5. When the aromatic ring of Ar2 is a benzene ring, b1 + b2 ≥ 1.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • C07C 63/04 - Acides monocarboxyliques monocycliques
  • C07C 65/21 - Composés comportant des groupes carboxyle liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons et contenant l'un des groupes OH, O-métal, —CHO, cétone, éther, des groupes , des groupes ou des groupes contenant des groupes éther, des groupes , des groupes ou des groupes
  • C07C 255/56 - Nitriles d'acides carboxyliques ayant des groupes cyano liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des groupes cyano et des atomes d'oxygène, liés par des liaisons doubles, liés au squelette carboné
  • C07C 317/14 - SulfonesSulfoxydes ayant des groupes sulfone ou sulfoxyde liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons
  • C07D 207/34 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons, non condensés avec d'autres cycles, ne comportant qu'un atome d'azote comme unique hétéro-atome du cycle avec uniquement des atomes d'hydrogène ou de carbone liés directement à l'atome d'azote du cycle comportant deux liaisons doubles entre chaînons cycliques ou entre chaînons cycliques et chaînons non cycliques avec des hétéro-atomes ou avec des atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes, avec au plus une liaison à un halogène, p. ex. radicaux ester ou nitrile, liés directement aux atomes de carbone du cycle
  • C07D 209/30 - IndolesIndoles hydrogénés avec des hétéro-atomes ou avec des atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes, avec au plus une liaison à un halogène, liés directement aux atomes de carbone de l'hétérocycle
  • C07D 209/88 - CarbazolesCarbazoles hydrogénés avec des hétéro-atomes ou des atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes avec au plus une liaison à un halogène, p. ex. radicaux ester ou nitrile, liés directement aux atomes de carbone du système cyclique
  • C07D 307/56 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome d'oxygène comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles comportant deux ou trois liaisons doubles entre chaînons cycliques ou entre chaînons cycliques et chaînons non cycliques avec des hétéro-atomes ou avec des atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes, avec au plus une liaison à un halogène, p. ex. radicaux ester ou nitrile, liés directement aux atomes de carbone du cycle
  • C07D 307/79 - Benzo [b] furannesBenzo [b] furannes hydrogénés avec uniquement des atomes d'hydrogène, des radicaux hydrocarbonés ou des radicaux hydrocarbonés substitués, liés directement aux atomes de carbone de l'hétérocycle
  • C07D 307/88 - Benzo [c] furannesBenzo [c] furannes hydrogénés avec un atome d'oxygène lié directement en position 1 ou 3
  • C07D 317/22 - Radicaux substitués par des atomes d'oxygène ou de soufre liés par des liaisons simples éthérifiés
  • C07D 317/62 - Méthylènedioxybenzènes ou méthylènedioxybenzènes hydrogénés, non substitués sur l'hétérocycle avec des hétéro-atomes ou avec des atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes, avec au plus une liaison à un halogène, p. ex. radicaux ester ou nitrile, liés directement aux atomes du carbocycle
  • C07D 317/72 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en spiro avec des carbocycles
  • C07D 333/28 - Atomes d'halogènes
  • C07D 333/62 - Benzo [b] thiophènesBenzo [b] thiophènes hydrogénés avec des hétéro-atomes ou avec des atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes, avec au plus une liaison à un halogène, p. ex. radicaux ester ou nitrile, liés directement aux atomes de carbone de l'hétérocycle
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons

86.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FILM AND METHOD FOR PRODUCING SAME, DISPLAY DEVICE, OPTICAL MATERIAL, AND SOLID-STATE IMAGING ELEMENT

      
Numéro d'application JP2024027984
Numéro de publication 2025/033396
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-08-06
Date de publication 2025-02-13
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Matsumura, Nobuji
  • Akiike, Toshiyuki

Abrégé

Disclosed is a photosensitive composition which contains the components (A) and (B) described below. (A): One or more Si-containing compounds selected from among (A1) and (A2) described below (A1): An Si-containing compound that has a structural unit a1 having an alkali-soluble group and a polymerizable group, and a structural unit a2 having a polymerizable group or a structural unit a3 having an alkali-soluble group (A2): An Si-containing compound that has a structural unit a2 having a polymerizable group and a structural unit a3 having an alkali-soluble group (B): Photopolymerization initiator

Classes IPC  ?

  • G03F 7/075 - Composés contenant du silicium
  • C08F 299/08 - Composés macromoléculaires obtenus par des interréactions de polymères impliquant uniquement des réactions entre des liaisons non saturées carbone-carbone, en l'absence de monomères non macromoléculaires à partir de polycondensats non saturés à partir de polysiloxanes
  • C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C08G 77/38 - Polysiloxanes modifiés par post-traitement chimique
  • G02B 1/111 - Revêtements antiréfléchissants utilisant des couches comportant des matériaux organiques
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/027 - Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p. ex. composés éthyléniques
  • H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

87.

METHOD FOR PRODUCING POLYAMIDE-BASED RESIN EXPANDED BEADS AND METHOD FOR PRODUCING POLYAMIDE-BASED RESIN EXPANDED MOLDED ARTICLE

      
Numéro d'application 18782655
Statut En instance
Date de dépôt 2024-07-24
Date de la première publication 2025-02-06
Propriétaire JSP CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Hayashi, Tatsuya

Abrégé

A polyamide-based resin melt obtained by melt-kneading a base resin, an organic compound-based additive (A), and an iodide-based additive (X) is granulated to prepare polyamide-based resin particles. The polyamide-based resin particles are expanded by using a physical blowing agent to produce polyamide-based resin expanded beads. The polyamide-based resin expanded beads are in-mold molded to produce a polyamide-based resin expanded molded article. The organic compound-based additive (A) is made of a hindered phenol-based compound and/or an organophosphorus-based compound. The iodide-based additive (X) is made of copper iodide, or copper iodide and potassium iodide.

Classes IPC  ?

  • C08J 9/18 - Fabrication de particules expansibles par imprégnation des particules du polymère avec l'agent de gonflage
  • C08J 3/12 - Pulvérisation ou granulation
  • C08J 3/20 - Formation de mélanges de polymères avec des additifs, p. ex. coloration
  • C08J 9/00 - Mise en œuvre de substances macromoléculaires pour produire des matériaux ou objets poreux ou alvéolairesLeur post-traitement
  • C08J 9/12 - Mise en œuvre de substances macromoléculaires pour produire des matériaux ou objets poreux ou alvéolairesLeur post-traitement utilisant des gaz de gonflage produits par un agent de gonflage introduit au préalable par un agent physique de gonflage

88.

POLYAMIDE RESIN FOAMED PARTICLES AND METHOD FOR PRODUCING SAME

      
Numéro d'application 18886123
Statut En instance
Date de dépôt 2024-09-16
Date de la première publication 2025-02-06
Propriétaire JSP Corporation (Japon)
Inventeur(s)
  • Hayashi, Tatsuya
  • Hira, Akinobu

Abrégé

A polyamide-based resin expanded bead comprising a foam layer formed by expanding a polyamide-based resin, wherein on a first DSC curve and a second DSC curve, the first DSC curve has a melting peak (intrinsic peak) having a peak top temperature on a low temperature side equal to or lower than a peak top temperature of a melting peak of the second DSC curve and a melting peak (high temperature peak) having a peak top temperature on a high temperature side exceeding the peak top temperature of the second DSC curve, and, the peak top temperature of the melting peak of the second DSC curve is 180° C. or higher and 280° C. or lower, and the polyamide-based resin expanded bead has an apparent density of 10 to 300 kg/m3 and a closed cell ratio of 85% or more.

Classes IPC  ?

  • C08J 9/18 - Fabrication de particules expansibles par imprégnation des particules du polymère avec l'agent de gonflage

89.

METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SILICON-CONTAINING COMPOSITION

      
Numéro d'application 18919818
Statut En instance
Date de dépôt 2024-10-18
Date de la première publication 2025-02-06
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Sakai, Kazunori
  • Kasai, Tatsuya
  • Suzuki, Ayaka
  • Nii, Akitaka

Abrégé

A method for producing a semiconductor substrate includes: applying a silicon-containing composition directly or indirectly to a substrate to form a silicon-containing film; applying a composition for forming a resist film to the silicon-containing film to form a resist film; exposing the resist film to radiation; and developing at least the exposed resist film. The silicon-containing composition includes: a silicon-containing compound; a polymer including a structural unit represented by formula (1); and a solvent. A content of the silicon-containing compound in the silicon-containing composition relative to 100% by mass of components other than the solvent in the silicon-containing composition is from 50% to 99.9% by mass. RA1 is a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; and RA2 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. A method for producing a semiconductor substrate includes: applying a silicon-containing composition directly or indirectly to a substrate to form a silicon-containing film; applying a composition for forming a resist film to the silicon-containing film to form a resist film; exposing the resist film to radiation; and developing at least the exposed resist film. The silicon-containing composition includes: a silicon-containing compound; a polymer including a structural unit represented by formula (1); and a solvent. A content of the silicon-containing compound in the silicon-containing composition relative to 100% by mass of components other than the solvent in the silicon-containing composition is from 50% to 99.9% by mass. RA1 is a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; and RA2 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
  • C08K 5/5419 - Composés contenant du silicium contenant de l'oxygène contenant au moins une liaison Si—O contenant au moins une liaison Si—C
  • C09D 133/06 - Homopolymères ou copolymères d'esters d'esters ne contenant que du carbone, de l'hydrogène et de l'oxygène, l'atome d'oxygène faisant uniquement partie du radical carboxyle
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • G03F 7/075 - Composés contenant du silicium
  • G03F 7/16 - Procédés de couchageAppareillages à cet effet
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

90.

METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION

      
Numéro d'application JP2024026067
Numéro de publication 2025/028314
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-07-22
Date de publication 2025-02-06
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Dobashi,masato
  • Akita,shunpei
  • Dei,satoshi
  • Hayashi,yuya
  • Miyauchi,hiroyuki
  • Takanashi,kazunori
  • Takada,kazuya
  • Kasai,tatsuya

Abrégé

Provided are: a resist underlayer film-forming composition that is capable of forming a resist underlayer film that can impart excellent pattern rectangularity to a resist pattern; and a method for producing a semiconductor substrate. The method for producing a semiconductor substrate comprises: a step for directly or indirectly coating a substrate with a resist underlayer film-forming composition; a step for forming a resist film on the resist underlayer film formed by the aforementioned step for coating a resist underlayer film-forming composition; a step for exposing the resist film to radiation; and a step for developing at least the exposed resist film. The resist underlayer film-forming composition contains a polymer and a solvent. The polymer contains a repeating unit (1) having an organosulfonate anion moiety and an onium cation moiety, a repeating unit (2) represented by formula (2), and a repeating unit (3) represented by formula (3). (In formula (2), R4is a group selected from the group consisting of groups represented by any of formulas (2-1) to (2-8).) (In formula (3), R6is a group that contains a substructure represented by formula (3-1) or (3-2).) (In formulas (3-1) and (3-2), X1and X2 are each independently an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom. A formula in which a solid line and a broken line are combined indicates a single bond or a double bond each independently.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08F 220/38 - Esters contenant du soufre
  • C08F 228/02 - Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et l'un au moins étant terminé par une liaison au soufre ou par un hétérocycle contenant du soufre par une liaison au soufre
  • G03F 7/095 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires ayant plus d'une couche photosensible
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

91.

POLYPROPYLENE RESIN FOAM PARTICLES

      
Numéro d'application JP2024026133
Numéro de publication 2025/028323
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-07-22
Date de publication 2025-02-06
Propriétaire JSP CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Koshita Nobumasa

Abrégé

These polypropylene resin foam particles each have a foam core layer composed of a polypropylene resin, and a coating layer covering the foam core layer. The coating layer is composed of linear low-density polyethylene. The mass ratio of the coating layer to the foam core layer is 0.005-0.05. The polypropylene resin constituting the foam core layer satisfies a prescribed condition (i) or (ii). Said foam particles can remarkably reduce the steam pressure at the time of in-mold molding, can shorten the curing time, and furthermore makes it possible to obtain a foam particle molded article that has a desired shape and is excellent in appearance even when the curing time is shortened.

Classes IPC  ?

  • C08J 9/18 - Fabrication de particules expansibles par imprégnation des particules du polymère avec l'agent de gonflage

92.

ANTIFERROMAGNETIC BODY MATERIAL, TWO-LAYER FILM OF MAGNETIC BODY AND INSULATOR, TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY

      
Numéro d'application JP2024026734
Numéro de publication 2025/028421
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-07-26
Date de publication 2025-02-06
Propriétaire
  • JSR CORPORATION (Japon)
  • THE UNIVERSITY OF TOKYO (Japon)
  • TOHOKU UNIVERSITY (Japon)
Inventeur(s)
  • Toga,yuuta
  • Koretsune,takashi
  • Tanaka,katsuhiro
  • Nakatsuji,satoru

Abrégé

31-xx1-pp3qr1-q-r1-q-r (0

Classes IPC  ?

  • H10N 50/10 - Dispositifs magnéto-résistifs
  • H10B 61/00 - Dispositifs de mémoire magnétique, p. ex. dispositifs RAM magnéto-résistifs [MRAM]
  • H10N 50/20 - Dispositifs à courant commandé à polarisation de spin
  • H10N 52/00 - Dispositifs à effet Hall

93.

ARX

      
Numéro de série 79418627
Statut En instance
Date de dépôt 2025-01-31
Propriétaire JSR Corporation (Japon)
Classes de Nice  ? 01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture

Produits et services

Chemicals for use in industry; industrial chemicals for use in the manufacture of semiconductors; photoresists; chemical compositions for developing photographs; chemical preparations for use in photography; photographic sensitizers; photographic developers.

94.

ENZYME SENSOR AND ENZYME SENSOR SYSTEM

      
Numéro d'application 18917137
Statut En instance
Date de dépôt 2024-10-16
Date de la première publication 2025-01-30
Propriétaire JSR Corporation (Japon)
Inventeur(s)
  • Fujioka, Masayasu
  • Ito, Akinori
  • Hamada, Kenichi

Abrégé

An enzyme sensor may be configured to measure a measurement target substance included in a secretion of a living body. The enzyme sensor may include a layered structure including, in this order, (a) an absorber layer configured to absorb the secretion, (b) an enzyme layer containing an enzyme, (c) a mediator layer, and (d) an electrode part. The absorber layer may include a polymeric material having a chemically bound crosslinked structure.

Classes IPC  ?

  • A61B 5/1486 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p. ex. de la concentration des gaz dans le sang ou de la valeur du pH du sang en utilisant des procédés chimiques ou électrochimiques, p. ex. par des moyens polarographiques en utilisant des électrodes enzymatiques, p. ex. avec oxydase immobilisée
  • A61B 5/145 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p. ex. de la concentration des gaz dans le sang ou de la valeur du pH du sang
  • C12Q 1/00 - Procédés de mesure ou de test faisant intervenir des enzymes, des acides nucléiques ou des micro-organismesCompositions à cet effetProcédés pour préparer ces compositions
  • G01N 27/327 - Électrodes biochimiques
  • G01N 27/416 - Systèmes
  • G06F 9/06 - Dispositions pour la commande par programme, p. ex. unités de commande utilisant des programmes stockés, c.-à-d. utilisant un moyen de stockage interne à l'équipement de traitement de données pour recevoir ou conserver les programmes
  • G06F 15/00 - Calculateurs numériques en généralÉquipement de traitement de données en général

95.

AEX

      
Numéro de série 79418146
Statut En instance
Date de dépôt 2025-01-28
Propriétaire JSR Corporation (Japon)
Classes de Nice  ? 01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture

Produits et services

Chemicals for use in industry; industrial chemicals for use in the manufacture of semiconductors; photoresists; chemical compositions for developing photographs; chemical preparations for use in photography; photographic sensitizers; photographic developers.

96.

METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT

      
Numéro d'application JP2024025310
Numéro de publication 2025/018303
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-07-12
Date de publication 2025-01-23
Propriétaire
  • JSR CORPORATION (Japon)
  • THE UNIVERSITY OF TOKYO (Japon)
Inventeur(s)
  • Inukai Kouji
  • Toga Yuuta
  • Nakatsuji Satoru
  • Idzuchi Hiroshi

Abrégé

Provided is a method for manufacturing a magnetic tunnel junction element provided with a magnetic tunnel junction layer and a metal layer in the stated order directly or indirectly on a substrate, the method comprising: a step for applying, to the metal layer, a resist composition containing a polymer that has a structural unit containing an aromatic ring; a step for exposing a resist film formed through the application step; a step for developing the exposed resist film; and a step for etching the magnetic tunnel junction layer and the metal layer using, as a mask, a resist pattern formed through the development step.

Classes IPC  ?

  • H10N 50/01 - Fabrication ou traitement
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
  • G03F 7/40 - Traitement après le dépouillement selon l'image, p. ex. émaillage
  • H05K 1/03 - Emploi de matériaux pour réaliser le substrat
  • H10B 61/00 - Dispositifs de mémoire magnétique, p. ex. dispositifs RAM magnéto-résistifs [MRAM]
  • H10N 50/20 - Dispositifs à courant commandé à polarisation de spin

97.

METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT

      
Numéro d'application JP2024025315
Numéro de publication 2025/018305
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-07-12
Date de publication 2025-01-23
Propriétaire
  • JSR CORPORATION (Japon)
  • THE UNIVERSITY OF TOKYO (Japon)
Inventeur(s)
  • Inukai Kouji
  • Toga Yuuta
  • Nakatsuji Satoru
  • Idzuchi Hiroshi

Abrégé

A method for manufacturing a magnetic tunnel junction element comprising a magnetic tunnel junction layer and a metal layer directly or indirectly on a substrate in this order, the method comprising: a step for forming a resist underlayer film on the metal layer; a step for forming a silicon oxide film on the resist underlayer film; and a step for forming a resist film on the silicon oxide film, wherein the resist underlayer film is formed from a resist underlayer film-forming composition containing a compound having an aromatic ring and a solvent.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • G03F 7/40 - Traitement après le dépouillement selon l'image, p. ex. émaillage
  • H10B 61/00 - Dispositifs de mémoire magnétique, p. ex. dispositifs RAM magnéto-résistifs [MRAM]
  • H10N 50/01 - Fabrication ou traitement
  • H10N 50/10 - Dispositifs magnéto-résistifs
  • H10N 50/20 - Dispositifs à courant commandé à polarisation de spin

98.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION FOR FIRST METAL-CONTAINING RESIST

      
Numéro d'application JP2024024583
Numéro de publication 2025/013817
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-07-08
Date de publication 2025-01-16
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Serizawa,ryuichi
  • Yamada,shuhei
  • Ozaki,yuki
  • Kimata,hironori

Abrégé

Provided are: a method for manufacturing a semiconductor substrate that uses an underlayer film for a metal-containing resist, the underlayer film capable of imparting good rectangularity to a metal resist pattern; and an underlayer film-forming composition for a first metal-containing resist. This method for manufacturing a semiconductor substrate includes: a step for directly or indirectly coating a substrate with an underlayer film-forming composition for a first metal-containing resist; a step for forming a metal-containing resist film, which is made of a second metal-containing resist forming material, on an underlayer film for a metal-containing resist, the underlayer film having been formed by the underlayer film-forming composition coating step for the first metal-containing resist; a step for exposing the metal-containing resist film to extreme ultraviolet rays; and a step for developing the exposed metal-containing resist film. The underlayer film-forming composition for the first metal-containing resist contains a solvent and a metal compound composed of at least a metal atom and an organic acid.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

99.

POLYAMIDE RESIN FOAMED PARTICLES AND METHOD FOR PRODUCING SAME

      
Numéro d'application 18886548
Statut En instance
Date de dépôt 2024-09-16
Date de la première publication 2025-01-09
Propriétaire JSP Corporation (Japon)
Inventeur(s)
  • Hayashi, Tatsuya
  • Hira, Akinobu

Abrégé

A polyamide-based resin expanded bead comprising a foam layer formed by expanding a polyamide-based resin, wherein on a first DSC curve and a second DSC curve, the first DSC curve has a melting peak (intrinsic peak) having a peak top temperature on a low temperature side equal to or lower than a peak top temperature of a melting peak of the second DSC curve and a melting peak (high temperature peak) having a peak top temperature on a high temperature side exceeding the peak top temperature of the second DSC curve, and, the peak top temperature of the melting peak of the second DSC curve is 180° C. or higher and 280° C. or lower, and the polyamide-based resin expanded bead has an apparent density of 10 to 300 kg/m3 and a closed cell ratio of 85% or more.

Classes IPC  ?

  • C08J 9/18 - Fabrication de particules expansibles par imprégnation des particules du polymère avec l'agent de gonflage

100.

METHOD FOR PRODUCING ORGANIC COMPOUND AND MECHANOCHEMICAL REACTOR

      
Numéro d'application JP2024021956
Numéro de publication 2025/009373
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-06-18
Date de publication 2025-01-09
Propriétaire JSR CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Ishimura,toshiki
  • Nawate,yuuya
  • Kato,takumi
  • Sugawara,tetsunori

Abrégé

Provided are: a method for producing an organic compound, the method simply and economically rationally enabling a reaction by a mechanochemical method; and a mechanochemical reactor. Provided is a method for producing an organic compound, the method comprising a step for carrying out a reaction in a reactor, wherein the reactor comprises a non-metal reaction container and a plurality of stirring media having been charged into the reaction container, at least the surfaces of the stirring media being non-metal, and the reaction is carried out by a mechanochemical method by means of relative movement between the reaction container and the stirring media. In this method, the acceleration of the movement of the stirring media caused by the movement of the reaction container is 9.83 m/s2 or less.

Classes IPC  ?

  • C07C 1/32 - Préparation d'hydrocarbures à partir d'un ou plusieurs composés, aucun d'eux n'étant un hydrocarbure à partir de composés renfermant des hétéro-atomes autres que l'oxygène ou les halogènes, ou en addition à ceux-ci
  • C07B 61/00 - Autres procédés généraux
  • C07C 5/44 - Préparation d'hydrocarbures à partir d'hydrocarbures contenant le même nombre d'atomes de carbone par déshydrogénation avec un accepteur d'hydrogène avec un halogène ou un composé contenant un halogène comme accepteur
  • C07C 13/62 - Hydrocarbures polycycliques ou leurs dérivés hydrocarbonés acycliques à cycles condensés à plus de trois cycles condensés
  • C07C 15/24 - Hydrocarbures polycycliques condensés contenant deux cycles
  • C07C 29/40 - Préparation de composés comportant des groupes hydroxyle ou O-métal liés à un atome de carbone ne faisant pas partie d'un cycle aromatique à six chaînons par des réactions augmentant le nombre d'atomes de carbone avec formation de groupes hydroxyle, ces groupes pouvant être produits par l'intermédiaire de dérivés de groupes hydroxyle, p. ex. du dérivé O-métal par réactions avec des aldéhydes ou des cétones avec des composés contenant des liaisons carbone-métal
  • C07C 29/143 - Préparation de composés comportant des groupes hydroxyle ou O-métal liés à un atome de carbone ne faisant pas partie d'un cycle aromatique à six chaînons par réduction d'un groupe fonctionnel contenant de l'oxygène de groupes contenant C=O, p. ex. —COOH de cétones
  • C07C 33/24 - Alcools monohydroxyliques ne contenant que des cycles aromatiques à six chaînons dans la partie cyclique polycycliques sans système cyclique condensé
  • C07C 33/26 - Alcools polyhydroxyliques ne contenant que des cycles aromatiques à six chaînons dans la partie cyclique
  • C07C 45/46 - Préparation de composés comportant des groupes C=O liés uniquement à des atomes de carbone ou d'hydrogènePréparation des chélates de ces composés par condensation par réactions de Friedel-Crafts
  • C07C 49/784 - Cétones comportant un groupe cétone lié à un cycle aromatique à six chaînons polycycliques tous les groupes cétone étant liés à un cycle non condensé
  • C07C 231/02 - Préparation d'amides d'acides carboxyliques à partir d'acides carboxyliques ou à partir de leurs esters, anhydrides ou halogénures par réaction avec de l'ammoniac ou des amines
  • C07C 233/15 - Amides d'acides carboxyliques ayant des atomes de carbone de groupes carboxamide liés à des atomes d'hydrogène ou à des atomes de carbone acycliques ayant l'atome d'azote d'au moins un des groupes carboxamide lié à un atome de carbone d'un radical hydrocarboné substitué par des atomes d'halogène ou par des groupes nitro ou nitroso avec le radical hydrocarboné substitué lié à l'atome d'azote du groupe carboxamide par un atome de carbone d'un cycle aromatique à six chaînons
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