A power switch comprising: a cascode having a normally ON transistor connected in series with a normally OFF transistor at a cascode node; a safety switch between a gate of the normally ON transistor and a first ground common to the cascode and the switch; and a controller comprising: a controller power supply having a power supply output connected to the cascode node at which output the controller power supply provides a voltage relative to a second ground that is floating relative to the first ground; a first controller output connected to the gate of the normally ON transistor at which the controller generates a first voltage relative to the second ground; wherein the controller power supply is connected to the safety switch and voltage provided by the controller power supply is coupled to and operates to maintain the safety switch OFF and nonconducting and in the absence of the voltage the safety switch is turned ON and conducting.
H03K 17/08 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
H03K 17/68 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors bipolaires spécialement adaptée pour commuter des courants ou des tensions alternatifs
A power switch comprising: a cascode having a normally ON transistor connected in series with a normally OFF transistor at a cascode node; a safety switch between a gate of the normally ON transistor and a first ground common to the cascode and the switch; and a controller comprising: a controller power supply having a power supply output connected to the cascode node at which output the controller power supply provides a voltage relative to a second ground that is floating relative to the first ground; a first controller output connected to the gate of the normally ON transistor at which the controller generates a first voltage relative to the second ground; wherein the controller power supply is connected to the safety switch and voltage provided by the controller power supply is coupled to and operates to maintain the safety switch OFF and nonconducting and in the absence of the voltage the safety switch is turned ON and conducting.
H03K 17/689 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie
H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
H03K 17/0812 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de commande
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H03K 17/04 - Modifications pour accélérer la commutation
Short circuit protection circuitry comprising: a HEMT (high electron mobility transistor) comprising a source, drain, and gate controllable to be turned ON and OFF by voltage applied to the gate; a comparator having an input coupled to a high-pass filter and an output at which the comparator generates an output signal responsive to a voltage induced across an inductance if the voltage after filtering by the filter exhibits a voltage surge greater than a threshold voltage; and a voltage divider controllable to be turned ON and turned OFF to control voltage provided to the gate of the HEMT, and wherein the voltage divider is turned ON responsive to the output signal from the comparator to provide the gate with a reduced voltage that is less than an ON-threshold voltage of the HEMT.
Short circuit protection circuitry comprising: a HEMT (high electron mobility transistor) comprising a source, drain, and gate controllable to be turned ON and OFF by voltage applied to the gate; a comparator having an input coupled to a high-pass filter and an output at which the comparator generates an output signal responsive to a voltage induced across an inductance if the voltage after filtering by the filter exhibits a voltage surge greater than a threshold voltage; and a voltage divider controllable to be turned ON and turned OFF to control voltage provided to the gate of the HEMT, and wherein the voltage divider is turned ON responsive to the output signal from the comparator to provide the gate with a reduced voltage that is less than an ON-threshold voltage of the HEMT.
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H03K 19/0948 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors à effet de champ utilisant des transistors MOSFET utilisant des dispositifs CMOS
An electrical power switch, the power switch comprising: a pair of substantially parallel half bridges; a printed circuit board (PCB) controller operable to turn ON and turn OFF the half bridges; power terminals for coupling a high energy power source to the half bridges; a power phase output terminal for connecting a load to the half bridges; wherein the half bridges, PCB, power terminals, and power phase output terminal, are encapsulated in a same encapsulation envelope having a relatively large planar first face surface on which contact surfaces of the terminals are exposed.
H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
H01L 23/04 - ConteneursScellements caractérisés par la forme
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p. ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
A semiconductor transistor comprising: a drain region; a plurality of source regions; and a plurality of gate regions interleaved with the source regions.
H10D 84/83 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET de composants à effet de champ uniquement de transistors FET à grille isolée [IGFET] uniquement
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H10D 64/23 - Électrodes transportant le courant à redresser, à amplifier, à faire osciller ou à commuter, p. ex. sources, drains, anodes ou cathodes
H10D 64/27 - Électrodes ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier, à faire osciller ou à commuter, p. ex. grilles
An electrical power switch, the power switch comprising: a pair of substantially parallel half bridges; a printed circuit board (PCB) controller operable to turn ON and turn OFF the half bridges; power terminals for coupling a high energy power source to the half bridges; a power phase output terminal for connecting a load to the half bridges; wherein the half bridges, PCB, power terminals, and power phase output terminal, are encapsulated in a same encapsulation envelope having a relatively large planar first face surface on which contact surfaces of the terminals are exposed.
H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
H01L 23/04 - ConteneursScellements caractérisés par la forme
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p. ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
A half bridge comprising: a high side (HS) transistor; a low side (LS) transistor connected in series with the high side transistor at an output node of the half bridge; and a third quadrant state (TQS) detector connected in parallel with the HS or LS transistor and in series respectively with the LS and/or HS transistor, which TQS detector generates a signal responsive to a direction of a voltage drop across the transistor that is in parallel with the TQS detector.
H02M 1/38 - Moyens pour empêcher la conduction simultanée de commutateurs
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
H02H 7/122 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés aux machines ou aux appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou de ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un changement indésirable des conditions normales de travail pour convertisseursCircuits de protection de sécurité spécialement adaptés aux machines ou aux appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou de ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un changement indésirable des conditions normales de travail pour redresseurs pour convertisseurs ou redresseurs statiques pour onduleurs, c.-à-d. convertisseurs de courant continu en courant alternatif
A half bridge comprising: a high side (HS) transistor; a low side (LS) transistor connected in series with the high side transistor at an output node of the half bridge; and a third quadrant state (TQS) detector connected in parallel with the HS or LS transistor and in series respectively with the LS and/or HS transistor, which TQS detector generates a signal responsive to a direction of a voltage drop across the transistor that is in parallel with the TQS detector.
H02M 1/38 - Moyens pour empêcher la conduction simultanée de commutateurs
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
An electrical power switch, the power switch comprising: an array of rows and columns of lateral field effect (LFET) transistors, each transistor having a source, drain, and gate; a plurality of internal interconnect layers comprising metallizations configured to connect the transistors to operate in parallel; a source electrode and a drain electrode for respectively connecting the sources and drains of the transistors to an external circuit; and a bridging interconnect layer comprising: a plurality of undulating source bridging conductors that provide electrical connections for the sources of the transistors to the source electrode; and a plurality of undulating drain bridging conductors that provide electrical connections for the drains of the transistors to the drain electrode.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
An electrical power switch, the power switch comprising: an array of rows and columns of lateral field effect (LFET) transistors, each transistor having a source, drain, and gate; a plurality of internal interconnect layers comprising metallizations configured to connect the transistors to operate in parallel; a source electrode and a drain electrode for respectively connecting the sources and drains of the transistors to an external circuit; and a bridging interconnect layer comprising: a plurality of undulating source bridging conductors that provide electrical connections for the sources of the transistors to the source electrode; and a plurality of undulating drain bridging conductors that provide electrical connections for the drains of the transistors to the drain electrode.
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 27/085 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ
A power switch comprising: a cascode having a normally ON transistor connected in series with a normally OFF transistor at a cascode node; a safety switch between a gate of the normally ON transistor and a first ground common to the cascode and the switch; and a controller comprising: a controller power supply having a power supply output connected to the cascode node at which output the controller power supply provides a voltage relative to a second ground that is floating relative to the first ground; a first controller output connected to the gate of the normally ON transistor at which the controller generates a first voltage relative to the second ground; wherein the controller power supply is connected to the safety switch and voltage provided by the controller power supply is coupled to and operates to maintain the safety switch OFF and nonconducting and in the absence of the voltage the safety switch is turned ON and conducting.
A power switch comprising: a cascode having a normally ON transistor connected in series with a normally OFF transistor at a cascode node: a first diode connected between a gate of the normally ON transistor and a first ground common to the cascode and the diode; and a controller comprising: a controller power supply having a power supply output connected to the cascode node at which output the controller power supply provides a voltage relative to a second ground that is floating relative to the first ground; and a first controller output connected to the gate of the normally ON transistor at which the controller generates a first voltage relative to the second ground.
An electrical power switch, the power switch comprising: a pair of substantially parallel half bridges; a printed circuit board (PCB) controller operable to turn ON and turn OFF the half bridges; power terminals for coupling a high energy power source to the half bridges; a power phase output terminal for connecting a load to the half bridges; wherein the half bridges, PCB, power terminals, and power phase output terminal, are encapsulated in a same encapsulation envelope having a relatively large planar first face surface on which contact surfaces of the terminals are exposed.
H03K 17/12 - Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
A semiconductor transistor comprising: a drain region; a plurality of source regions; and a plurality of gate regions interleaved with the source regions.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
An interconnect for electrically connecting a semiconductor die to a component of a circuit, the interconnect comprising a monolithic conductor having: a first contact region patterned to overlay and to bond and electrically connect to a relatively large area of a metallization layer of the semiconductor die that is electrically connected to circuit elements of the die; and a second contact region patterned to overlay and to bond and electrically connect to a relatively large area of a metallization layer of the circuit component to which the die is intended to be connected.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
A power switch comprising: a cascode having a normally ON transistor connected in series with a normally OFF transistor at a cascode node; a first diode connected between a gate of the normally ON transistor and a first ground common to the cascode and the diode; and a controller comprising: a controller power supply having a power supply output connected to the cascode node at which output the controller power supply provides a voltage relative to a second ground that is floating relative to the first ground; and a first controller output connected to the gate of the normally ON transistor at which the controller generates a first voltage relative to the second ground.
H03K 17/689 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
Circuitry for reducing the energy losses of a snubber circuit used to protect current switching devices from overvoltage, comprising a switching cell consisting of a switch with alternating opposite conduction states, the switch being serially connected via one contact to a first diode, the switch includes an inherent output capacitance, the switch connects, via a first stray inductance), between one port of a power supply and an output inductor feeding a load, and the first diode connects, via a second stray inductance, between the other port of the power supply and the output inductor, such that whenever the switch passes from a conducting state to a non-conducting state, its inherent output capacitance is charged by a current pulse from the first stray inductance; a snubber circuit consisting of a ferrite bead, a snubber capacitor and a second diode, the snubber circuit being connecting between the other contact of the switch and the other port, for discharging at least a portion of the charge across the inherent output capacitance of the switch to the snubber capacitor via the other port.
H02M 7/537 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p. ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur
H03K 17/0814 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de sortie
A voltage pulse generator comprising: circuitry controllable to generate a voltage pulse at an output of the circuitry; and an interruptor that monitors voltage at the output during a transition edge of the voltage pulse and interrupts a voltage change associated with the transition edge if the monitored voltage differs from a predetermined reference voltage by a predetermined amount.
H03K 5/13 - Dispositions ayant une sortie unique et transformant les signaux d'entrée en impulsions délivrées à des intervalles de temps désirés
H02P 27/08 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p. ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs avec modulation de largeur d'impulsions
Circuitry for reducing the energy losses of a snubber circuit used to protect current switching devices from overvoltage, comprising a switching cell consisting of a switch with alternating opposite conduction states, the switch being serially connected via one contact to a first diode, the switch includes an inherent output capacitance, the switch connects, via a first stray inductance), between one port of a power supply and an output inductor feeding a load, and the first diode connects, via a second stray inductance, between the other port of the power supply and the output inductor, such that whenever the switch passes from a conducting state to a non-conducting state, its inherent output capacitance is charged by a current pulse from the first stray inductance; a snubber circuit consisting of a ferrite bead, a snubber capacitor and a second diode, the snubber circuit being connecting between the other contact of the switch and the other port, for discharging at least a portion of the charge across the inherent output capacitance of the switch to the snubber capacitor via the other port.
H02H 9/02 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de courant
H03K 3/57 - Générateurs caractérisés par le type de circuit ou par les moyens utilisés pour produire des impulsions par l'utilisation d'un élément accumulant de l'énergie déchargé dans une charge par un dispositif interrupteur commandé par un signal extérieur et ne comportant pas de réaction positive le dispositif de commutation étant un dispositif à semi-conducteurs
H03K 17/56 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
G05F 1/56 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
A device for switching a high-voltage source, comprising: a plurality of switching devices coupled in series starting from a first switching device and ending in a last switching device, said device enabling coupling of said high-voltage source with at least a selected one of said switching devices; a voltage limiter coupled with said switching devices; and a switching time synchronizer; wherein said first switching device is configured to directly receive a control signal for changing a switching state of said device, said first switching device is configured to facilitate a cascaded transition of switching states in successive said switching devices in said series, where said switching time synchronizer is configured to synchronize a time at which transitions to said switching states of successive said switching devices take effect, and said voltage limiter is configured to limit overvoltage conditions to said switching devices during said transitions.
H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
H03K 17/0812 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de commande
H03K 17/296 - Modifications pour permettre un choix d'intervalles de temps pour exécuter plusieurs opérations de commutation et arrêtant automatiquement leur fonctionnement lorsque le programme est terminé
A device for at least one of detecting and measuring a pulsed voltage source, the device comprising: a transformer having a primary winding electromagnetically coupled with a secondary winding, said primary winding having a first inductance; and a differentiator that includes at least one resistive element coupled with said primary winding, thereby forming a closed circuit with said pulsed voltage source, said differentiator is configured to electromagnetically induce an induced pulsed voltage on said secondary winding; wherein said induced pulsed voltage is indicative of said pulsed voltage source.
G01R 29/02 - Mesure des caractéristiques d'impulsions individuelles, p. ex. de la pente de l'impulsion, du temps de montée ou de la durée
G01R 19/04 - Mesure des valeurs de pointe d'un courant alternatif ou des impulsions
G01R 29/027 - Indication de ce qu'une caractéristique d'impulsion est, soit supérieure ou inférieure à une valeur prédéterminée, soit à l'intérieur ou à l'extérieur d'une plage de valeurs prédéterminée
A GaN field effect transistor (FET) including a plurality of transistor cells. A gate metal layer of a transistor cell includes a gate-drain overhang (width 0.2 um to 2.5 um) and a gate-source overhang (width 0.3 um to 1 um), and a widening at each narrow edge of the transistor cell, wherein the width of the widening of gate metal layer (150) is of 2-5 um. A metal (1) layer of the transistor sell extends beyond metal (0) layer. A last metal layer includes a drain plate and a source plate, each having a trapezoid form. More than two vias are located at a widening for connecting the gate metal layer to the gate bus. More than six vias distributed along the longitudinal dimension of the transistor cell connect metal (1) layer to metal (0) layer. A plurality of type 2 vias connect metal (1) layer to the last metal layer.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/43 - Electrodes caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
A device for switching a high-voltage source, comprising: a plurality of switching devices coupled in series starting from a first switching device and ending in a last switching device, said device enabling coupling of said high-voltage source with at least a selected one of said switching devices; a voltage limiter coupled with said switching devices; and a switching time synchronizer; wherein said first switching device is configured to directly receive a control signal for changing a switching state of said device, said first switching device is configured to facilitate a cascaded transition of switching states in successive said switching devices in said series, where said switching time synchronizer is configured to synchronize a time at which transitions to said switching states of successive said switching devices take effect, and said voltage limiter is configured to limit overvoltage conditions to said switching devices during said transitions.
H03K 17/296 - Modifications pour permettre un choix d'intervalles de temps pour exécuter plusieurs opérations de commutation et arrêtant automatiquement leur fonctionnement lorsque le programme est terminé
H03K 17/284 - Modifications pour introduire un retard avant commutation dans les commutateurs à transistors à effet de champ
H03K 17/00 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
25.
POWER DEVICE FOR HIGH VOLTAGE AND HIGH CURRENT SWITCHING
An apparatus includes a circuitry to perform a high current and/or a high voltage switching. The circuitry includes a first Gallium Nitride (Ga N) on a silicon (Si) substrate lateral field effect transistor. A source terminal of the first Ga N lateral field effect transistor on the Si substrate includes an electrical connection to backside of P-type Si substrate through a high voltage isolated resistor that is coupled to a source terminal or a second resistor that is operably coupled to a drain terminal and a substrate terminal. The high voltage isolated resistor and the second resistor cause to a leakage current from the drain terminal to the source terminal via a buffer layer. The leakage current equalizes the voltage drop on the first Ga N lateral field effect transistor on the Si substrate to a voltage drop on a serially connected second Ga N lateral field effect transistor on the Si substrate.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
A GaN field effect transistor (FET) including a plurality of transistor cells. A gate metal layer of a transistor cell includes a gate-drain overhang (width 0.2um to 2.5um) and a gate-source overhang (width 0.3um to 1um), and a widening at each narrow edge of the transistor cell, wherein the width of the widening of gate metal layer (150) is of 2-5um. A metal (1) layer of the transistor sell extends beyond metal (0) layer. A last metal layer includes a drain plate and a source plate, each having a trapezoid form. More than two vias are located at a widening for connecting the gate metal layer to the gate bus. More than six vias distributed along the longitudinal dimension of the transistor cell connect metal (1) layer to metal (0) layer. A plurality of type 2 vias connect metal (1) layer to the last metal layer.
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/205 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés dans différentes régions semi-conductrices
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
A switching power device (100) is provided which comprises: a normally-ON transistor (12), a normally-OFF metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) (14), the normally-OFF MOSFET (14) being connected in series to a source terminal (12S) of the normally-ON transistor (12), and a driver (16) connected to and arranged to drive a gate terminal (12G) of the normally-ON transistor (12). A switching transistor (28) can then be positioned between the source terminal (12S) of the normally-ON transistor (12) and a common connection (30) of the driver (16) to protect the switching power device (100) from deleterious over-voltage and over-current spikes.
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p. ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H03K 17/693 - Dispositifs de commutation comportant plusieurs bornes d'entrée et de sortie, p. ex. multiplexeurs, distributeurs
H03K 17/74 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de diodes
28.
Power device for high voltage and high current switching
An apparatus includes a circuitry to perform a high current and/or a high voltage switching. The circuitry includes a first Gallium Nitride (GaN) on a silicon (Si) substrate lateral field effect transistor. A source terminal of the first GaN lateral field effect transistor on the Si substrate includes an electrical connection to backside of P-type Si substrate through a high voltage isolated resistor that is coupled to a source terminal or a second resistor that is operably coupled to a drain terminal and a substrate terminal. The high voltage isolated resistor and the second resistor cause to a leakage current from the drain terminal to the source terminal via a buffer layer. The leakage current equalizes the voltage drop on the first GaN lateral field effect transistor on the Si substrate to a voltage drop on a serially connected second GaN lateral field effect transistor on the Si substrate.
H03K 17/30 - Modifications pour fournir un seuil prédéterminé avant commutation
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H03K 3/01 - Circuits pour produire des impulsions électriquesCircuits monostables, bistables ou multistables Détails
H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
H03K 17/14 - Modifications pour compenser les variations de valeurs physiques, p. ex. de la température
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
A switching power device (100) is provided which comprises: a normally-ON transistor (12), a normally-OFF metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) (14), the normally-OFF MOSFET (14) being connected in series to a source terminal (12S) of the normally-ON transistor (12), and a driver (16) connected to and arranged to drive a gate terminal (12G) of the norraally-ON transistor (12). A switching transistor (28) can then be positioned between the source terminal (12S) of the normally-ON transistor (12) and a common connection (30) of the driver (16) to protect the switching power device (100) from deleterious over-voltage and over-current spikes.
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
H03K 17/74 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de diodes
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
An embodiment of the invention relates to a semiconductor device comprising: first and second electrodes comprising first and second busbars respectively that decrease in cross section in opposite directions; and a plurality of interleaving first and second conducting fingers that extend from the first and second busbars respectively.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
An embodiment of the invention relates to a semiconductor device comprising: first and second electrodes comprising first and second busbars respectively that decrease in cross section in opposite directions; and a plurality of interleaving first and second conducting fingers that extend from the first and second busbars respectively.
H01L 29/745 - Dispositifs désamorçables par la gâchette désamorcés par effet de champ
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 23/50 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes pour des dispositifs à circuit intégré
A normally OFF field effect transistor (FET) comprising: a plurality of contiguous nitride semiconductor layers having different composition and heterojunction interfaces between contiguous layers, a Fermi level, and conduction and valence energy bands; a source and a drain overlying a top nitride layer of the plurality of nitride layers and having source and drain access regions respectively comprising regions of at least two of the heterojunctions near the source and drain; a first gate between the source and drain; wherein when there is no potential difference between the gates and a common ground voltage, a two dimensional electron gas (2DEG) is present in the access region at a plurality of heterojunctions in each of the source and drain access regions, and substantially no 2DEG is present adjacent any regions of the heterojunctions under the first gate.
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/15 - Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
A field effect transistor (FET) comprises a plurality of substantially parallel conductive channels (252, 254) and at least one electrically conducting plug (209) that traverses and forms an ohmic connection with at least two of the plurality of conductive channels.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
The invention relates to a method of producing a semiconductor die comprising a desired plurality of interconnected components, the method comprising: producing on a wafer a number of the components greater than the desired plurality of components; testing the produced components for acceptable functioning; and interconnecting a number of acceptably functioning components equal to the desired plurality.
A semiconductor device comprising: a stack having a plurality of semiconductor layers; a first conducting terminal having electrical contact with layers in the stack; and a second terminal comprising first and second metallic components that interface with layers in the stack at first and second Schottky junctions and have work functions ϕ1 and ϕ2 respectively that satisfy a relationship ϕ1> ϕ2; wherein the metal components are spatially configured so that when the Schottky junctions are back biased, a depletion region generated at the first Schottky junction enhances isolation of the second metal component from mobile current carriers in the device.
A semiconductor die assembly comprising: a semiconductor die (80) having die pads for electrically connecting the die to external circuitry; and a submount (100) which supports the die (80) and has a conductor electrically connected to a die pad of the semiconductor die (80) by a plurality of relatively small diameter bondwires and a submount pad electrically connected to the conductor and having a surface configured to be electrically connected to a relatively large diameter bondwire (140).
H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion
A normally OFF field effect transistor (FET) comprising: a plurality of contiguous nitride semiconductor layers having different composition and heterojunction interfaces between contiguous layers, a Fermi level, and conduction and valence energy bands; a source and a drain overlying a top nitride layer of the plurality of nitride layers and having source and drain access regions respectively comprising regions of at least two of the heterojunctions near the source and drain; a first gate between the source and drain; wherein when there is no potential difference between the gates and a common ground voltage, a two dimensional electron gas (2DEG) is present in the access region at a plurality of heterojunctions in each of the source and drain access regions, and substantially no 2DEG is present adjacent any regions of the heterojunctions under the first gate.
H01L 29/15 - Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
H01L 31/0256 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux
A normally OFF field effect transistor (FET) having a plurality of contiguous nitride semiconductor layers having different composition and heterojunction interfaces, wherein when there is no potential difference between a first gate and a common ground voltage, a two dimensional electron gas (2DEG) is present at a plurality of heterojunctions in each of a source access region and a drain access region, and substantially no 2DEG is present adjacent any regions of the heterojunctions under the first gate.
A normally OFF field effect transistor (FET) comprising: a plurality of contiguous nitride semiconductor layers having different composition and heterojunction interfaces between contiguous layers, a Fermi level, and conduction and valence energy bands; a source and a drain overlying a top nitride layer of the plurality of nitride layers and having source and drain access regions respectively comprising regions of at least two of the heterojunctions near the source and drain; a first gate between the source and drain; wherein when there is no potential difference between the gates and a common ground voltage, a two dimensional electron gas (2DEG) is present in the access region at a plurality of heterojunctions in each of the source and drain access regions, and substantially no 2DEG is present adjacent any regions of the heterojunctions under the first gate.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
brevets
