A sterilization module including a main body, a circuit board disposed in the main body, a light source disposed on the circuit board to emit sterilizing light, and a transparent unit to protect the light source from an outside and including a material that transmits the sterilizing light, in which the light source includes a mesa including a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer, a first electrode electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode disposed on the second semiconductor layer and electrically connected to the second semiconductor layer, in which the first electrode includes a first contact region disposed on the outer area of the first semiconductor layer and a second contact region at least partially surrounded by the mesa, and a distance between the transparent unit and the circuit board is greater than a height of the light source.
A61L 2/10 - Procédés ou appareils de désinfection ou de stérilisation de matériaux ou d'objets autres que les denrées alimentaires ou les lentilles de contactAccessoires à cet effet utilisant des phénomènes physiques des radiations des ultraviolets
A light emitting device for a display including a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer, and having a side surface exposing the active layer, in which a portion of the second conductivity type semiconductor layer and the active layer along an edge of the light emitting structure is insulative in a thickness direction to define an insulation region, and the insulation region includes implanted ions.
H10H 29/14 - Dispositifs intégrés comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs composants émetteurs de lumière à semi-conducteurs
H10H 20/824 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP
A light emitting device for a display including a first LED sub-unit laterally extending along a first direction, a second LED sub-unit, and a third LED sub-unit, electrode pads each overlapping at least a portion of the first LED sub-unit along a vertical direction and electrically connected to at least one of the first, second, and third LED sub-units, a lower insulation layer having a first surface extending in the first direction, a molding member covering each of the first LED sub-unit, the second LED sub-unit, and the third LED sub-unit, and lead electrodes electrically connected to the electrode pads and extending along the first surface and a side surface of the lower insulation layer, in which a portion of an outer region of each of the lead electrodes is disposed inside the outer boundary of the molding member when viewed in a cross-section.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H10H 20/824 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP
H10H 20/825 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP contenant de l’azote, p. ex. GaN
H10H 20/831 - Électrodes caractérisées par leur forme
H10H 20/832 - Électrodes caractérisées par leurs matériaux
A light source unit for plant cultivation includes: a first light emitter emitting a primary light and a converter disposed on a path of the primary light to produce a first light, and a second light emitter emitting a second light, wherein combined light emitted from the first light emitter and the second light emitter produces a basic spectrum including at least three peak wavelengths, with a difference between relative intensities of at least two of the peak wavelengths being less than 20%.
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
A01G 7/04 - Traitement électrique ou magnétique des végétaux pour favoriser leur croissance
A light emitting diode includes a first light emitting cell and a second light emitting cell comprising an n-type semiconductor layer, and a p-type semiconductor layer, respectively; reflection structures contacting the p-type semiconductor layers; a first contact layer in ohmic contact with the n-type semiconductor layer of the first light emitting cell; a second contact layer in ohmic contact with the n-type semiconductor layer of the second light emitting cell and connected to the reflection structure on the first light emitting cell. An n-electrode pad is connected to the first contact layer; and a p-electrode pad is connected to the reflection structure on the second light emitting cell. The first light emitting cell and the second light emitting cell are isolated from each other, and their outer side surfaces are inclined steeper than the inner sides. Therefore, a forward voltage may be lowered and light output may be improved.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H10H 20/813 - Corps ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p. ex. LED à jonctions multiples ou dispositifs émetteurs de lumière ayant des régions photoluminescentes au sein des corps
H10H 20/814 - Corps ayant des moyens réfléchissants, p. ex. des réflecteurs de Bragg en semi-conducteurs
H10H 20/82 - Surfaces rugueuses, p. ex. à l’interface entre les couches épitaxiales
H10H 20/821 - Corps caractérisés par leur forme particulière, p. ex. substrats incurvés ou tronqués des régions électroluminescentes, p. ex. jonctions du type non planaire
H10H 20/825 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP contenant de l’azote, p. ex. GaN
H10H 20/831 - Électrodes caractérisées par leur forme
H10H 20/832 - Électrodes caractérisées par leurs matériaux
H10H 20/84 - Revêtements, p. ex. couches de passivation ou revêtements antireflets
H10H 20/841 - Revêtements réfléchissants, p. ex. réflecteurs de Bragg en diélectriques
H10H 20/851 - Moyens de conversion de la longueur d’onde
H10H 20/858 - Moyens d’extraction de la chaleur ou de refroidissement
H10H 29/14 - Dispositifs intégrés comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs composants émetteurs de lumière à semi-conducteurs
6.
LIGHT EMITTING DEVICE FOR DISPLAY HAVING LED STACKS
A light emitting device for a display including a circuit board, a plurality of light emitting units arranged on the circuit board, each light emitting unit comprising a first LED stack including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, a first electrode disposed on the first conductivity type semiconductor layer, and a second electrode disposed on the second conductivity type semiconductor layer, a plurality of bump pads disposed between the plurality of light emitting units and the circuit board, and a bonding layer disposed between the second electrode and the circuit board, in which the second electrode has a side surface recessed inwardly with respect to a side surface of the light emitting unit to define a recessed portion, and the bonding layer is filled in the recessed portion.
H01L 25/13 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H10H 20/813 - Corps ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p. ex. LED à jonctions multiples ou dispositifs émetteurs de lumière ayant des régions photoluminescentes au sein des corps
A multi-band light emitting diode is provided. The multi-band light emitting diode includes a first conductivity type semiconductor layer, a V-pit generation layer disposed on the first conductivity type semiconductor layer and having a first V-pit of a first inlet width, a stress relief layer disposed on the V-pit generation layer and providing a second V-pit of a second inlet width greater than the first inlet width of the V-pit on the first V-pit, an active layer disposed on the stress relief layer and including a first active layer region formed on a flat surface of the stress relief layer and a second active layer region formed in the second V-pit, and a second conductivity type semiconductor layer disposed on the active layer.
H10H 20/821 - Corps caractérisés par leur forme particulière, p. ex. substrats incurvés ou tronqués des régions électroluminescentes, p. ex. jonctions du type non planaire
H10H 20/812 - Corps ayant des structures ou des superréseaux à effet quantique, p. ex. jonctions tunnel au sein des régions électroluminescentes, p. ex. structures de confinement quantique
H10H 20/815 - Corps ayant des structures de relaxation des contraintes, p. ex. des couches tampons
H10H 20/825 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP contenant de l’azote, p. ex. GaN
Deodorization of air, such as for an internal area of a vehicle, using ultraviolet light is described. Ultraviolet light can be emitted from an ultraviolet source and directed onto a surface including a photocatalyst. A processor can control the ultraviolet light emission from the ultraviolet source in response to an indication for deodorization. The deodorization components can be located in a housing which can be configured to be mounted to an internal surface of the vehicle.
Deodorization of air, such as for an internal area of a vehicle, using ultraviolet light is described. Ultraviolet light can be emitted from an ultraviolet source and directed onto a surface including a photocatalyst. A processor can control the ultraviolet light emission from the ultraviolet source in response to an indication for deodorization. The deodorization components can be located in a housing which can be configured to be mounted to an internal surface of the vehicle.
A light emitting device including a substrate, light emitting structures spaced apart from each other on the substrate, and a protective layer covering an inclined surface of a side surface of the light emitting device, in which the protective layer includes one or more passivation layers. Since the inclined surface is covered with the one or more passivation layers, the inclined surface is protected from an external environment instead of being exposed thereto.
H10H 20/84 - Revêtements, p. ex. couches de passivation ou revêtements antireflets
H10H 20/831 - Électrodes caractérisées par leur forme
H10H 20/825 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP contenant de l’azote, p. ex. GaN
11.
LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING APPARATUS INCLUDING THE SAME
A light emitting device including a substrate, light emitting structures spaced apart from each other on the substrate, and a protective layer covering an inclined surface of a side surface of the light emitting device, in which the protective layer includes one or more passivation 5 layers.
A light emitting device including a board, a first stacked structure configured to emit light having a first wavelength, a second stacked structure configured to emit light having a second wavelength, a third stacked structure configured to emit light having a third wavelength, a first connection electrode electrically connected to the first stacked structure, the second stacked structure, and the third stacked structure, and a protection material covering at least a portion of the first connection electrode, in which each of the first, second, and third stacked structures is configured to selectively emit light while being connected to the first connection electrode, and the protection material is configured to transmit at least 50% of light having the first wavelength, light having the second wavelength, and light having the third wavelength upon operation of each of the first, second, and third stacked structures.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
H10H 29/14 - Dispositifs intégrés comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs composants émetteurs de lumière à semi-conducteurs
13.
LIGHT-EMITTING DEVICE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
A light-emitting device package includes a substrate having a mounting region in which a light-emitting device chip is mounted. The light-emitting device package further includes a reflector and a cover enclosing the reflector. The reflector is disposed around the light-emitting device chip and having an opening through which the mounting region of the substrate is exposed. The reflector has elasticity to allow variation of a diameter thereof.
A flat bonding method of light emitting devices including bonding light emitting devices on a circuit board using a reflow process, and re-bonding at least a portion of the light emitting devices bonded on the circuit board using a press plate while pressing the portion of the light emitting devices.
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
A substrate includes structures formed on a growth surface of the substrate. The structures are formed in a multi-periodic pattern, which includes a first plurality of groups of structures. Each group of structures has a characteristic spacing between adjacent structures in the group. Each group of structures is separated from an adjacent group of structures by a second characteristic spacing. The second characteristic spacing is at least 1.5 times larger than the first characteristic spacing.
A light-emitting diode (LED) unit for a display including a plurality of pixels each including a first light emitting cell, a second light emitting cell, and a third light emitting cell, each of the first, second, and third light emitting cells including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer, a first wavelength converter configured to convert a wavelength of light emitted from the first light emitting cell, a second wavelength converter configured to convert a wavelength of light emitted from the second light emitting cell, in which the first, second, and third light emitting cells of each pixel share the first conductivity type semiconductor layer.
H10H 29/14 - Dispositifs intégrés comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs composants émetteurs de lumière à semi-conducteurs
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
A semiconductor light emitting device including a first semiconductor layer, an active layer disposed thereon to emit ultraviolet light, a second semiconductor layer on the active layer, a contact electrode on the first semiconductor layer, a first electrode including a plurality of metal layers, a second electrode on the second semiconductor layer, a first bump on the first electrode and electrically coupled to the first semiconductor layer by the first electrode, and a second bump on the second electrode and electrically coupled to the second semiconductor layer by the second electrode, in which the first semiconductor layer is formed of AlGaN and has an energy larger than the ultraviolet wavelength energy generated in the active layer, first and second portions of the metal layers electrically contact the contact electrode and the first semiconductor layer, respectively, and at least some of the plurality of metal layers have irregular top surfaces.
H10H 20/812 - Corps ayant des structures ou des superréseaux à effet quantique, p. ex. jonctions tunnel au sein des régions électroluminescentes, p. ex. structures de confinement quantique
H10H 20/819 - Corps caractérisés par leur forme particulière, p. ex. substrats incurvés ou tronqués
H10H 20/825 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP contenant de l’azote, p. ex. GaN
H10H 20/831 - Électrodes caractérisées par leur forme
A fluid processing module includes a main body having a flow channel extending in a first direction therein and allowing a fluid to flow therein, an adsorption filter disposed perpendicular to the first direction inside the main body, a photocatalyst filter disposed parallel to the first direction inside the main body, and a light source unit disposed inside the main body and emitting light towards the photocatalyst filter. The fluid flows at a first flow rate in the region of the flow channel having a first cross-sectional area. The fluid flows at a second flow rate in the region of the flow channel having a second cross-sectional area. The photocatalyst filter has effective deodorizing efficiency when the fluid flows at the second flow rate.
A61L 9/20 - Désinfection, stérilisation ou désodorisation de l'air utilisant des phénomènes physiques des radiations des ultraviolets
F25D 17/04 - Dispositions pour la circulation des fluides de refroidissementDispositions pour la circulation de gaz, p. ex. d'air, dans les enceintes refroidies pour la circulation de gaz, p. ex. convection naturelle
The present disclosure discloses a light emitting module including at least one light emitting device, the light emitting device comprising a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer.
The present invention provides a light-emitting module comprising at least one light-emitting device, which includes: a first conductive semiconductor layer; a second conductive semiconductor layer; an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; and an electron blocking layer disposed between the active layer and the second conductive semiconductor layer, wherein the electron blocking layer includes at least one shading area that is thinner than the adjacent area.
H10H 29/14 - Dispositifs intégrés comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs composants émetteurs de lumière à semi-conducteurs
H10H 29/24 - Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs dispositifs émetteurs de lumière à semi-conducteurs
H10H 29/41 - Couches isolantes formées entre les transistors de commande et les LED
H10H 29/49 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes
H10H 29/853 - Encapsulations caractérisées par leur forme
According to an aspect of the present invention, a light-emitting device may be provided, the light-emitting device comprising: a substrate; a plurality of light-emitting elements disposed on the upper surface of the substrate to generate light; a first electrode disposed between the substrate and the plurality of light-emitting elements and electrically connected to the plurality of light-emitting elements; and a second electrode spaced apart from the substrate and electrically connected to the plurality of light-emitting devices, wherein the first electrode and the second electrode are spaced apart from each other in the vertical direction by at least one light-emitting element from among the plurality of light-emitting elements and, when viewed from above, intersect at the one light-emitting element and extend.
H10H 29/24 - Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs dispositifs émetteurs de lumière à semi-conducteurs
H10H 20/82 - Surfaces rugueuses, p. ex. à l’interface entre les couches épitaxiales
H10H 20/831 - Électrodes caractérisées par leur forme
H10H 20/84 - Revêtements, p. ex. couches de passivation ou revêtements antireflets
A light emitting module including a printed circuit board, a light emitting device including a light source, and a diffuser, in which the light source includes a first conductivity type semiconductor layer, a mesa including an active layer and a second conductivity type semiconductor layer, and a transparent conductive oxide layer disposed on the mesa, a metal reflection layer electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer, and a dielectric layer disposed between the second conductivity type semiconductor layer and the metal reflection layer, the second conductivity type semiconductor layer includes an impurity having a concentration profile with a region where a concentration of the impurity varies along a thickness direction, and the metal reflection layer includes a region spaced apart from the second conductivity type semiconductor layer by the dielectric layer including a region having a thickness in a range between 200 nm and 1000 nm.
H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
H10H 20/814 - Corps ayant des moyens réfléchissants, p. ex. des réflecteurs de Bragg en semi-conducteurs
H10H 20/841 - Revêtements réfléchissants, p. ex. réflecteurs de Bragg en diélectriques
H10H 29/14 - Dispositifs intégrés comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs composants émetteurs de lumière à semi-conducteurs
23.
LED LIGHTING APPARATUS HAVING STERILIZING FUNCTION
A lighting apparatus is disclosed. The lighting apparatus according to one embodiment of the present disclosure includes: a white light emitting device including at least one first light emitting diode and a wavelength converter to implement white light; and at least one second light emitting diode emitting light suitable for producing a cell activating substance, wherein the first light emitting diode emits light having a central wavelength in a range of about 300 nm to about 420 nm, the second light emitting diode emits light having a central wavelength in a range of about 605 nm to about 935 nm, the wavelength converter includes a plurality of wavelength conversion substances to convert light of the first light emitting diode into white light, the lighting apparatus emits the white light implemented in the white light emitting device and light generated by the second light emitting diode to the outside, and, in irradiance spectrum of the white light implemented in the white light emitting device, irradiance of the central wavelength of light emitted from the first light emitting diode is smaller than that of a peak wavelength of blue light emitted from the wavelength conversion substance.
A61N 5/06 - Thérapie par radiations utilisant un rayonnement lumineux
F21K 9/65 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière spécialement adaptés à la modification des caractéristiques ou de la distribution de la lumière, p. ex. par réglage des parties
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H10H 20/851 - Moyens de conversion de la longueur d’onde
H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
24.
LIGHT EMITTING STACKED STRUCTURE AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME
A light module including a circuit substrate and a light emitter, the light emitter including a light source configured to generate light and including a first epitaxial layer, a second epitaxial layer, and an active layer, an insulation layer covering the light source, a first electrode electrically connected to the first epitaxial layer, a light guide configured to guide light generated from the light source, a transparent material covering the light source, and an angle controller disposed on the transparent material, in which the light guide has a guide hole filled with the transparent material, and a refractive index of the light guide is different from that of the light source.
H10H 29/14 - Dispositifs intégrés comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs composants émetteurs de lumière à semi-conducteurs
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
G09G 3/3225 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H10H 20/821 - Corps caractérisés par leur forme particulière, p. ex. substrats incurvés ou tronqués des régions électroluminescentes, p. ex. jonctions du type non planaire
H10H 20/832 - Électrodes caractérisées par leurs matériaux
H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
25.
High Efficiency Light Emitting Device, Unit Pixel Having the Same, and Displaying Apparatus Having the Same
A light emitting device is a micro-scale light emitting device including a semiconductor stack, an insulation layer, and a metal reflection layer. The semiconductor stack includes a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. The insulation layer covers upper and side surfaces of the semiconductor stack. The metal reflection layer is disposed on the insulation layer, and covers at least a portion of the side surface of the semiconductor stack. The insulation layer includes a distributed Bragg reflector.
H10H 20/814 - Corps ayant des moyens réfléchissants, p. ex. des réflecteurs de Bragg en semi-conducteurs
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H10H 20/832 - Électrodes caractérisées par leurs matériaux
A display panel including a circuit board having pads, light emitting devices electrically connected to the pads and arranged on the circuit board, each light emitting device having a first surface facing the circuit board and a second surface opposite to the first surface, a buffer material layer disposed between the circuit board and the light emitting devices to fill a space between the circuit board and the light emitting devices, and a cover layer covering the second surface of the light emitting devices, in which the buffer material layer is disposed under the first surfaces of the light emitting devices and has grooves in a region between adjacent light emitting devices, a portion of a top surface of the buffer material layer is disposed between adjacent light emitting devices, and the cover layer fills the grooves of the buffer material layer.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A light emitting apparatus includes a substrate, a cover layer disposed on an upper surface of the substrate and forming at least one opening that exposes at least a region of the upper surface of the substrate, a light emitting device disposed on the upper surface of the substrate exposed through the opening, and a molding layer covering the cover layer and the light emitting device.
H10H 29/853 - Encapsulations caractérisées par leur forme
H10H 29/34 - Affichages LED à matrice active caractérisés par la géométrie ou l’agencement des sous-pixels à l’intérieur d’un pixel, p. ex. la disposition relative des sous-pixels RGB
H10H 29/855 - Moyens de mise en forme du champ optique, p. ex. lentilles
28.
SINGLE CHIP MULTI BAND LED AND APPLICATION THEREOF
A lighting apparatus includes a light emitting diode, in which the light emitting diode includes an n-type nitride semiconductor layer, an active layer located on the n-type nitride semiconductor layer, and a p-type nitride semiconductor layer located on the active layer. The light emitting diode emits light that varies from yellow light to white light depending on a driving current.
H10H 20/812 - Corps ayant des structures ou des superréseaux à effet quantique, p. ex. jonctions tunnel au sein des régions électroluminescentes, p. ex. structures de confinement quantique
F21S 6/00 - Dispositifs d'éclairage destinés à tenir debout tout seuls
F21W 106/00 - Dispositifs d’éclairage à l’intérieur des véhicules
F21W 107/30 - Utilisation ou application de dispositifs d’éclairage sur ou dans des types véhicules spécifiques pour les aéronefs
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H10H 20/821 - Corps caractérisés par leur forme particulière, p. ex. substrats incurvés ou tronqués des régions électroluminescentes, p. ex. jonctions du type non planaire
H10H 20/825 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP contenant de l’azote, p. ex. GaN
H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
29.
LIGHT-EMITTING DEVICE AND LIGHT-EMITTING MODULE COMPRISING SAME
Disclosed is a light-emitting module comprising at least one light-emitting device, the light-emitting device comprising: a first conductive semiconductor layer; a second conductive semiconductor layer; an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; and an electron blocking layer disposed between the active layer and the second conductive semiconductor layer, wherein the electron blocking layer comprises one or more shading areas which are thinner than the adjacent areas.
H10H 20/816 - Corps ayant des structures contrôlant le transport des charges, p. ex. couches semi-conductrices fortement dopées ou structures bloquant le courant
H10H 20/812 - Corps ayant des structures ou des superréseaux à effet quantique, p. ex. jonctions tunnel au sein des régions électroluminescentes, p. ex. structures de confinement quantique
H10H 29/14 - Dispositifs intégrés comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs composants émetteurs de lumière à semi-conducteurs
H10H 29/24 - Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs dispositifs émetteurs de lumière à semi-conducteurs
H10H 20/825 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP contenant de l’azote, p. ex. GaN
H10H 20/812 - Corps ayant des structures ou des superréseaux à effet quantique, p. ex. jonctions tunnel au sein des régions électroluminescentes, p. ex. structures de confinement quantique
H10H 20/815 - Corps ayant des structures de relaxation des contraintes, p. ex. des couches tampons
H10H 20/816 - Corps ayant des structures contrôlant le transport des charges, p. ex. couches semi-conductrices fortement dopées ou structures bloquant le courant
31.
LIGHT EMITTING MODULE AND DISPLAY DEVICE INCLUDING SAME
A light emitting device according to the present invention comprises: a substrate; a cover layer disposed on the upper surface of the substrate and having at least one opening exposing at least a partial region of the upper surface of the substrate; a light emitting element disposed on the upper surface of the substrate exposed through the opening; and a molding layer covering the cover layer and the light emitting element.
H10H 29/14 - Dispositifs intégrés comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs composants émetteurs de lumière à semi-conducteurs
H10H 20/84 - Revêtements, p. ex. couches de passivation ou revêtements antireflets
A light emitting module includes at least one light emitting device, wherein the light emitting device includes a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, an active layer interposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, and an electron blocking layer disposed between the active layer and the second conductivity type semiconductor layer, and the electron blocking layer includes at least one shading region having a lower thickness than an adjacent region.
H10H 20/816 - Corps ayant des structures contrôlant le transport des charges, p. ex. couches semi-conductrices fortement dopées ou structures bloquant le courant
H10H 20/812 - Corps ayant des structures ou des superréseaux à effet quantique, p. ex. jonctions tunnel au sein des régions électroluminescentes, p. ex. structures de confinement quantique
H10H 20/825 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP contenant de l’azote, p. ex. GaN
The present invention relates to an implant packaging container comprising: a body portion comprising an inner wall that defines a space for containing an implant; a cap separably coupled to one side of the body portion; a securing portion for fixing the position of the implant inside the body portion; a bottom portion coupled to the body portion so as to face the cap; and a body portion reflector provided on the inner wall of the body portion so as to reflect ultraviolet rays emitted from near the bottom portion. In addition, the present invention relates to an implant packaging container wherein, before an implant is installed in the patient's jawbone, the hydrophilicity of a fixture is improved in a simple and efficient manner such that the biocompatibility of the fixture with a biological tissue is improved, the time necessary for coupling with the bone during implantation is shortened, thereby reducing the pain that the patient might feel, and the implant remains in a sterilized condition until being installed in the patient's jawbone.
A61C 8/00 - Moyens destinés à être fixés à l'os de la mâchoire pour consolider les dents naturelles ou pour y assujettir des prothèses dentairesImplants dentairesOutils pour l'implantation
A61C 19/02 - Enveloppes protectrices, p. ex. boîtes à instrumentsSacs
A61L 2/10 - Procédés ou appareils de désinfection ou de stérilisation de matériaux ou d'objets autres que les denrées alimentaires ou les lentilles de contactAccessoires à cet effet utilisant des phénomènes physiques des radiations des ultraviolets
B65D 51/26 - Fermetures non prévues ailleurs combinées avec dispositifs auxiliaires pour des buts autres que la fermeture avec des moyens pour maintenir en place le contenu, p. ex. avec des moyens élastiques
B65D 81/28 - Emploi de moyens de préservation des aliments, de fongicides, d'insecticides ou de produits repoussant les animaux
B65D 81/30 - Adaptations pour empêcher la détérioration ou l'altération du contenuApplications au réceptacle ou au matériau d'emballage d'agents de conservation des aliments, de fongicides, d'insecticides ou de produits repoussant les animaux en excluant la lumière ou toute autre radiation extérieure
34.
NITRIDE BASED LONG WAVELENGTH LIGHT EMITTING DIODE
A red light emitting apparatus includes a first conductivity type semiconductor layer; an active region including a barrier layer and a well layer; a strain-control layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the active region; a superlattice layer disposed between the strain-control layer and the active region; a second conductivity type semiconductor layer disposed on the active region; and an electron-blocking layer disposed between the active region and the second conductivity type semiconductor layer, in which the first conductivity type semiconductor layer and the well layer are expressed by a given formula, and an index value representing a band gap of the well layer and an index value representing a band gap of the first conductivity type semiconductor layer a given equation.
H10H 20/811 - Corps ayant des structures ou des superréseaux à effet quantique, p. ex. jonctions tunnel
H10H 20/816 - Corps ayant des structures contrôlant le transport des charges, p. ex. couches semi-conductrices fortement dopées ou structures bloquant le courant
H10H 20/825 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP contenant de l’azote, p. ex. GaN
35.
LIGHT EMITTING DEVICE WITH LED STACK FOR DISPLAY AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME
A light emitting diode pixel for a display includes a first subpixel including a first LED sub-unit, a second subpixel including a second LED sub-unit, a third subpixel including a third LED sub-unit, and a bonding layer overlapping the first, second, and third subpixels, in which each of the first, second, and third LED sub-units includes a first type of semiconductor layer and a second type of semiconductor layer, each of the first, second, and third LED sub-units is disposed on a different plane, and light generated from the second subpixel is configured to be emitted to an outside of the light emitting diode pixel by passing through a lesser number of LED sub-units than light generated from the first subpixel and emitted to the outside.
H01L 25/13 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A light emitting device including a printed circuit board having a front surface and a rear surface, at least one light emitting source disposed on the front surface to emit light in a direction away from the printed circuit board, and a molding layer surrounding the light emitting source, in which the light emitting source includes a light emitting structure, a substrate disposed on the light emitting structure, and a plurality of bump electrodes disposed between the light emitting structure and the printed circuit board, the molding layer covers an upper surface of the substrate and a fine concavo-convex part is formed on a surface of the molding layer exposed to the outside, and the molding layer has a first thickness to transmit at least a fraction of light emitted from the light emitting source, and includes a filler to change a direction of emitted light.
H10H 20/853 - Encapsulations caractérisées par leur forme
H01L 25/13 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H10H 20/813 - Corps ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p. ex. LED à jonctions multiples ou dispositifs émetteurs de lumière ayant des régions photoluminescentes au sein des corps
H10H 20/854 - Encapsulations caractérisées par leurs matériaux, p. ex. résines époxy ou silicone
H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
37.
LIGHT-EMITTING DEVICE AND LIGHT-EMITTING MODULE COMPRISING SAME
According to an embodiment of the present invention, a light-emitting device comprises a semiconductor layer, an insulating layer, a first electrode and a second electrode. The semiconductor layer includes: a first window layer doped with a first dopant; a second window layer doped with a second dopant; and an active layer arranged between the first window layer and the second window layer. In addition, the insulating layer covers the semiconductor layer and includes an opening exposing a region of the first window layer and/or the second window layer. The first electrode is electrically connected to the first window layer, and the second electrode is electrically connected to the second window layer. Here, the first window layer protrudes in the direction in which the first electrode is arranged, and includes an electrode arrangement region in which the first electrode is arranged. Additionally, the angle formed between the top surface and the side surfaces in at least one region of the electrode arrangement region is an acute angle.
A pixel module includes a circuit board, a plurality of unit pixels arranged on the circuit board, and a molding member covering the plurality of unit pixels. The molding member includes a light diffusion layer and a black molding layer covering the light diffusion layer.
H10H 20/855 - Moyens de mise en forme du champ optique, p. ex. lentilles
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A light emitting device includes a semiconductor layer, an insulation layer, a first electrode, and a second electrode. The semiconductor layer may include a first window layer doped with a first dopant, a second window layer doped with a second dopant, and an active layer disposed between the first window layer and the second window layer. The insulation layer may cover the semiconductor layer and may include an opening exposing a region of at least a window layer of the first window layer or the second window layer. The first electrode may be electrically connected to the first window layer. The second electrode may be electrically connected to the second window layer. The first window layer may protrude in a direction in which the first electrode is disposed and may include an electrode placement region in which the first electrode is disposed. At least a region of the electrode placement region may have an acute angle defined between upper and side surfaces thereof.
Disclosed herein are a light source module for plant cultivation and a light device including the same. The light source module for plant cultivation may include at least one main light source emitting white light. The white light from the main light source is provided to a plant during cultivation to improve the growth and phytochemical content of the plant. In addition, the white light may have peak wavelengths of 430 nm or less, 440 nm to 460 nm, 510 nm to 530 nm, and 600 nm to 630 nm.
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
A01G 7/04 - Traitement électrique ou magnétique des végétaux pour favoriser leur croissance
F21K 9/62 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des chambres de mélange, p. ex. des enceintes à parois réfléchissantes
A deep UV light emitting diode includes a substrate, an n-type semiconductor layer located on the substrate, a mesa disposed on the n-type semiconductor layer, and including an active layer and a p-type semiconductor layer, an n-ohmic contact layer in contact with the n-type semiconductor layer, a p-ohmic contact layer in contact with the p-type semiconductor layer, an n-bump electrically connected to the n-ohmic contact layer, and a p-bump electrically connected to the p-ohmic contact layer. The mesa includes a plurality of vias exposing a first conductivity type semiconductor layer.
An improved heterostructure for an optoelectronic device is provided. The heterostructure includes an active region, an electron blocking layer, and a p-type contact layer. The heterostructure can include a p-type interlayer located between the electron blocking layer and the p-type contact layer. In an embodiment, the electron blocking layer can have a region of graded transition. The p-type interlayer can also include a region of graded transition.
H10H 20/811 - Corps ayant des structures ou des superréseaux à effet quantique, p. ex. jonctions tunnel
H10F 30/222 - Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant une seule barrière de potentiel, p. ex. photodiodes la barrière de potentiel étant une hétérojonction PN
H10F 30/223 - Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant une seule barrière de potentiel, p. ex. photodiodes la barrière de potentiel étant du type PIN
H10F 77/124 - Matériaux actifs comportant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs
H10F 77/14 - Forme des corps semi-conducteursFormes, dimensions relatives ou dispositions des régions semi-conductrices au sein des corps semi-conducteurs
H10H 20/812 - Corps ayant des structures ou des superréseaux à effet quantique, p. ex. jonctions tunnel au sein des régions électroluminescentes, p. ex. structures de confinement quantique
H10H 20/816 - Corps ayant des structures contrôlant le transport des charges, p. ex. couches semi-conductrices fortement dopées ou structures bloquant le courant
H10H 20/824 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP
H10H 20/825 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP contenant de l’azote, p. ex. GaN
43.
Display device having light emitting stacked structure
A display device includes a plurality of pixel tiles spaced apart from each other, each of the pixel tiles including a substrate and a plurality of light emitting stacked structures disposed on the substrate, in which a distance between two adjacent light emitting stacked structures in the same pixel tile is substantially equal to a shortest distance between two adjacent light emitting stacked structures of different pixel tiles.
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
H10H 20/813 - Corps ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p. ex. LED à jonctions multiples ou dispositifs émetteurs de lumière ayant des régions photoluminescentes au sein des corps
H10H 20/824 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP
H10H 20/832 - Électrodes caractérisées par leurs matériaux
H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
H10H 29/14 - Dispositifs intégrés comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs composants émetteurs de lumière à semi-conducteurs
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
H10H 20/82 - Surfaces rugueuses, p. ex. à l’interface entre les couches épitaxiales
44.
DISPLAY DEVICE HAVING LIGHT EMITTING STACKED STRUCTURE
A display apparatus including a plurality of pixel regions disposed on a support substrate, each of the pixel regions including a plurality of subpixel stacks including a first epitaxial stack, a second epitaxial stack, and a third epitaxial stack, in which light generated from the first epitaxial stack is to be emitted to the outside of the display apparatus through the second and third epitaxial stacks, light generated from the second epitaxial stack is to be emitted to the outside of the display apparatus through the third epitaxial stack, during operation, one of the subpixel stacks within each pixel region is configured to be selected and driven, and at least one subpixel stack further includes an electrode disposed between the first epitaxial stack and the support substrate to be in ohmic contact with the first epitaxial stack.
H10H 29/14 - Dispositifs intégrés comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs composants émetteurs de lumière à semi-conducteurs
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H10H 20/813 - Corps ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p. ex. LED à jonctions multiples ou dispositifs émetteurs de lumière ayant des régions photoluminescentes au sein des corps
H10H 20/82 - Surfaces rugueuses, p. ex. à l’interface entre les couches épitaxiales
H10H 20/824 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP
H10H 20/832 - Électrodes caractérisées par leurs matériaux
H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
A light emitting diode including a substrate having a first area and a second area defined by an isolation groove line, a semiconductor stack disposed on the substrate and including a lower semiconductor layer, an upper semiconductor layer, an active layer, a first electrode pad electrically connected to the lower semiconductor layer, a second electrode pad electrically connected to the upper semiconductor layer, and a connecting portion electrically connecting the semiconductor stack disposed in the first and second areas to each other, and including a first portion, a second portion, and a third portion extending from a second distal end of the first portion, in which the isolation groove line is disposed between the first and second electrode pads and exposes the substrate, the first portion extends along a first direction substantially parallel to an extending direction of the isolation groove line, and the second and third portions extend in a second direction crossing the first direction.
H10H 20/816 - Corps ayant des structures contrôlant le transport des charges, p. ex. couches semi-conductrices fortement dopées ou structures bloquant le courant
H10H 20/812 - Corps ayant des structures ou des superréseaux à effet quantique, p. ex. jonctions tunnel au sein des régions électroluminescentes, p. ex. structures de confinement quantique
H10H 20/814 - Corps ayant des moyens réfléchissants, p. ex. des réflecteurs de Bragg en semi-conducteurs
H10H 20/825 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP contenant de l’azote, p. ex. GaN
H10H 20/831 - Électrodes caractérisées par leur forme
H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
H10H 29/10 - Dispositifs intégrés comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe
H10H 29/14 - Dispositifs intégrés comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs composants émetteurs de lumière à semi-conducteurs
46.
LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME
A display device including a base substrate having a front surface and a rear surface, and including a first recess portion recessed from the front surface, a plurality of outer electrodes disposed on the base substrate, a light emitting device disposed in the first recess portion and configured to emit light in a direction away from the base substrate, the light emitting device including a light emitting structure electrically connected to the outer electrodes.
H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
H10H 20/813 - Corps ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p. ex. LED à jonctions multiples ou dispositifs émetteurs de lumière ayant des régions photoluminescentes au sein des corps
H10H 20/831 - Électrodes caractérisées par leur forme
H10H 20/84 - Revêtements, p. ex. couches de passivation ou revêtements antireflets
A footwear treatment system can include a pair of elongate supports, each of which can include a cylindrical footwear extension region configured to be inserted into and hold a footwear item. The system can emit ultraviolet light that is directed into an interior of the footwear item using the corresponding elongate support. The system also can circulate air within the interior of the footwear item using the corresponding elongate support and filter the circulating air. As a result of the treatment, one or more microorganisms and/or compounds associated with odor can be reduced to an acceptable level.
A47L 23/02 - Machines à nettoyer les chaussures, avec ou sans systèmes d'application du cirage
A47L 23/18 - Dispositifs pour maintenir les chaussures pendant le nettoyage ou l'astiquageDispositifs de maintien avec effet de tension
A47L 23/20 - Dispositifs ou instruments pour le séchage des chaussures, éventuellement avec système de chauffage
A61L 2/08 - Procédés ou appareils de désinfection ou de stérilisation de matériaux ou d'objets autres que les denrées alimentaires ou les lentilles de contactAccessoires à cet effet utilisant des phénomènes physiques des radiations
A61L 2/10 - Procédés ou appareils de désinfection ou de stérilisation de matériaux ou d'objets autres que les denrées alimentaires ou les lentilles de contactAccessoires à cet effet utilisant des phénomènes physiques des radiations des ultraviolets
A61L 2/24 - Appareils utilisant des opérations programmées ou automatiques
48.
LIGHT EMITTING DEVICE AND APPARATUS HAVING THE SAME
The disclosed technology relates to a light emitting device and a light emitting apparatus having the same.
The disclosed technology relates to a light emitting device and a light emitting apparatus having the same.
The disclosed technology discloses a light emitting apparatus 10 including a substrate 100 and a plurality of light emitting devices 200 disposed on the substrate 100, and at least one substrate common electrode 110 and a plurality of substrate individual electrodes 120 formed on the substrate 100, wherein N light emitting devices 2001˜200N (N is a natural number greater than or equal to 2) are commonly connected to the substrate common electrode 110 to form a light emitting group G.
H10H 29/49 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes
H10H 29/34 - Affichages LED à matrice active caractérisés par la géométrie ou l’agencement des sous-pixels à l’intérieur d’un pixel, p. ex. la disposition relative des sous-pixels RGB
49.
LIGHT-EMITTING ELEMENT AND LIGHT-EMITTING DEVICE COMPRISING SAME
Disclosed is a light-emitting element comprising: a first window layer doped with a first conductive dopant; a second window layer doped with a second conductive dopant; and an active layer disposed between the first window layer and the second window layer so as to generate light, wherein the active layer comprises at least two quantum barrier layers, at least one quantum well layer, and a supporting layer disposed between the quantum well layer and the quantum barrier layers.
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
50.
Light emitting device and apparatus having the same
The disclosed technology discloses a light emitting device, which includes a first window layer doped with a first conductivity type dopant, a second window layer doped with a second conductivity type dopant, and an active layer disposed between the first window layer and the second window layer to generate light, in which the active layer includes at least two quantum barrier layers, at least one quantum well layer, and an aid layer disposed between the quantum well layer and the quantum barrier layer.
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
51.
LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
A light emitting device includes a substrate; a pattern of a plurality of protrusions protruding from the substrate; a first semiconductor layer provided on the substrate; an active layer provided on the first semiconductor layer; and a second semiconductor layer provided on the active layer, in which each of the protrusions includes a first layer formed integrally with the substrate and protruding from an upper surface of the base substrate; and a second layer provided on the first layer and formed of a material different from that of the first layer.
H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
52.
LIGHT EMITTING DEVICE FOR DISPLAY AND LED DISPLAY APPARTUS HAVING THE SAME
A light emitting device including first, second, and third light emitting stacks each including first and second conductivity type semiconductor layers, a first lower contact electrode in ohmic contact with the first light emitting stack, and second and third lower contact electrodes respectively in ohmic contact with the second conductivity type semiconductor layers of the second and third light emitting stacks, in which the first lower contact electrode is disposed between the first and second light emitting stacks, the second and third lower contact electrodes are disposed between the second and third light emitting stacks, and the first, second, and third lower contact electrodes include transparent conductive oxide layers.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
A lighting device including at least one first light source configured to emit a visible light through a first light emitting surface, at least one second light source spaced apart from the first light source and configured to emit light having a wavelength for sterilization through a second light emitting surface, and a housing having a bottom portion, on which the first and second light sources are disposed. The housing can include at least one sidewall portion connected to the bottom portion to enclose the first light source and the second light source in one common area, in which the first and second light emitting surfaces face substantially the same direction, and both the first light emitting surface and the second light emitting surface can be disposed at a different elevation from the bottom portion of the housing.
A61L 2/10 - Procédés ou appareils de désinfection ou de stérilisation de matériaux ou d'objets autres que les denrées alimentaires ou les lentilles de contactAccessoires à cet effet utilisant des phénomènes physiques des radiations des ultraviolets
F21V 1/20 - Garnitures pour carcassesAbat-jour sans carcasse caractérisés par le matériau le matériau étant du verre
F21V 1/22 - Garnitures pour carcassesAbat-jour sans carcasse caractérisés par le matériau le matériau étant de la matière plastique
F21V 14/02 - Commande de la distribution de la lumière émise par réglage d’éléments constitutifs par un mouvement de sources lumineuses
F21V 15/01 - Boîtiers, p. ex. matériau ou assemblage de parties du boîtier
F21V 23/04 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage les éléments étant des interrupteurs
F21V 33/00 - Combinaisons structurales de dispositifs d'éclairage avec d'autres objets, non prévues ailleurs
A light source module includes at least one substrate, at least one main light source and at least one auxiliary light source. The at least one main light source and the at least one auxiliary light source are disposed on the at least one substrate. The main light source comprises a first main light emitter configured to emit a first main light having a first number of peak wavelengths and a second main light emitter configured to emit a second main light having a second number of peak wavelengths. In addition, the auxiliary light source is configured to emit a third auxiliary light having a third number of peak wavelengths. The first number of peak wavelengths can be different from the second number of peak wavelengths. A peak wavelength of the second main light can be longer than all of the peak wavelengths of the first main light.
According to one aspect of the present invention, a display device can be provided, the display device comprising: a display substrate; a plurality of light-emitting diodes supported on the display substrate and generating light; and electrode bodies electrically connecting the display substrate and the plurality of light-emitting diodes, wherein the difference between the peak wavelengths of light of the light-emitting diodes is at most 5 nm.
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/36 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
57.
LIGHT EMITTING DEVICE AND APPARATUS HAVING THE SAME
A light emitting device and a light emitting apparatus including the same are disclosed. A light emitting device includes a substrate, a plurality of protrusions protruding from one surface of the substrate, and a light emitting structure disposed on the substrate.
H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
Disclosed is a light emitting apparatus. The light emitting apparatus includes a substrate, a plurality of emitters disposed on the substrate and configured to emit light, at least one color-determining layer disposed on the plurality of emitters, and a barrier layer surrounding the color-determining layer.
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
According to one aspect of the present disclosure, there may be provided a display device including: a display board; a plurality of light sources supported by the display board to generate light; and an electrode body electrically connecting the display board and the plurality of light sources, a peak wavelength difference of the light emitted from the plurality of light sources being 5 nm or less.
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
60.
LIGHT EMITTING STACKED STRUCTURE AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME
A display device including a substrate, a light emitting stacked structure disposed on the substrate and including a plurality of epitaxial sub-units disposed one over another, a first adhesive layer bonding the epitaxial sub-units to the substrate; and a line part disposed on the substrate and configured to apply a light emitting signal to each of the epitaxial sub-units, in which the light emitting stacked structure is configured to provide light having various colors by a combination of light emitted from each of the epitaxial sub-units, and the first adhesive layer includes a conductive and non-transparent material.
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
61.
LIGHT EMITTING DIODE FOR DISPLAY AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME
A light emitting device including a first LED sub-unit having a thickness in a first direction, a second LED sub-unit disposed on a portion of the first LED sub-unit in the first direction, each of the first and second LED sub-units comprising a first-type semiconductor layer, a second-type semiconductor layer, and an active layer, a reflective electrode disposed adjacent to the first LED sub-unit and electrically connected to the first-type semiconductor layer of the first LED sub-unit, and a first ohmic electrode forming ohmic contact with the second-type semiconductor layer of the first LED sub-unit, in which the active layer of the first LED sub-unit is configured to generate light, includes AlxGa(1-x-y)InyP (0≤x≤1, 0≤y≤1), and overlaps the active layer of the second LED sub-unit in the first direction, and the active layer of the second LED sub-unit includes the same material as the active layer of the first LED sub-unit.
H01L 25/13 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
62.
PIXEL DEVICE FOR DISPLAY AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME
A pixel device is provided to include: a first light emitting source including a first light emitting structure including a first-1 semiconductor layer, a first active layer, and a first-2 semiconductor layer on a first base; a second light emitting source including a second light emitting structure including a second-1 semiconductor layer, a second active layer, and a second-2 semiconductor layer on the first light emitting source; a third light emitting source including a third light emitting structure including a third-1 semiconductor layer, a third active layer, and a third-2 semiconductor layer on the second light emitting source; a common electrode electrically connected to the first-1 semiconductor layer, the second-1 semiconductor layer, and the third-1 semiconductor layer; a first electrode electrically connected to the first-2 semiconductor layer; a second electrode electrically connected to the second-2 semiconductor layer; and a third electrode electrically connected to the third-2 semiconductor layer.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
63.
LED DISPLAY PANEL AND LED DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME
A display panel including a circuit board having pads thereon, and a plurality of pixel regions arranged on the circuit board, each of the pixel regions including a first LED stack disposed on the circuit board, a first bonding layer disposed between the first LED stack and the circuit board, a second LED stack disposed on the first LED stack, a third LED stack disposed on the second LED stack, first through-vias passing through the first LED stack and the first bonding layer, second through-vias passing through the second LED stack, and third through-vias passing through the third LED stack, in which the first through-vias pass through the first LED stack and the first bonding layer, and are connected to the pads of the circuit board.
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
64.
STERILIZATION MODULE, WATER PURIFICATION DEVICE, AND SYSTEM COMPRISING WATER PURIFICATION DEVICE
In one aspect, a sterilization apparatus is provided to include a flow channel body comprising an inflow unit configured to provide an inflow channel through which water flows in one direction, a discharge unit configured to provide a discharge channel through which water is discharged, and a bypass channel unit configured to provide a bypass channel through which water bypasses in a different direction from the direction of the water flowing in the inflow unit; a mounting unit formed on the flow channel body and configured to provide an installation space connected to the bypass channel, a UV light emitting unit disposed in the installation space and configured to emit UV light towards the bypass channel; and a holder coupled to the mounting unit and securing the UV light emitting unit inside the mounting unit.
C02F 1/32 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par irradiation par la lumière ultraviolette
A61L 2/10 - Procédés ou appareils de désinfection ou de stérilisation de matériaux ou d'objets autres que les denrées alimentaires ou les lentilles de contactAccessoires à cet effet utilisant des phénomènes physiques des radiations des ultraviolets
A light source includes a controller configured to turn on or off a plurality of light sources depending on a light period. The controller can be configured to turn on the light sources during each of a plurality of light periods such that the light sources emit a light having a spectrum with a plurality of peaks toward the plant. At least one light period can include a first period and a second period and the first period preceding or following the second period. The controller can adjust the spectrum of the light between the first period and the second period and/or during different light periods.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
A light emitting device including a first LED stack, a second LED stack disposed on the first LED stack, a third LED stack disposed on the second LED stack, and a common electrode electrically connected to a first conductivity type semiconductor layer of each of the first, second, and third LED stacks, in which the common electrode includes a step in at least one of the first, second and third LED stacks.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
67.
LIGHT EMITTING MODULE HAVING LIGHT EMITTING DEVICE AND DISPLAY APPARATUS HAVING SAME
A light emitting module according to an embodiment includes: a base plate; a light emitting device array substrate disposed on the base plate, and including a plurality of light emitting devices; a molding layer covering the light emitting devices; a circuit board having one end electrically connected to the light emitting device array substrate; a connector electrically connected to an opposite end of the circuit board; and a reinforcement plate disposed under the connector.
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
68.
LIGHT EMITTING DEVICE FOR DISPLAY AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME
A light emitting device for a display including a first LED stack configured to generate light having a first peak wavelength, a second LED stack disposed under the first LED stack, and configured to generate light having a second peak wavelength, a third LED stack disposed under the second LED stack, and configured to generate light having a third peak wavelength; and a floating reflection layer disposed over the first LED stack, in which the first peak wavelength is longer than the second and third peak wavelengths, the first LED stack has a roughened surface to increase the luminous intensity of the light generated in the first LED stack entering the second LED stack, and the floating reflection layer has a high reflectance of 80% or more over light having the first peak wavelength.
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
A display apparatus including a display substrate, light emitting devices disposed on the display substrate, circuit electrodes disposed between the light emitting devices and the display substrate, and a transparent layer covering the light emitting devices and the circuit electrodes, in which at least one of the light emitting devices includes a first LED sub-unit configured to emit light having a first wavelength, a second LED sub-unit adjacent to the first LED sub-unit and configured to emit light having a second wavelength, a third LED sub-unit adjacent to the second LED sub-unit and configured to emit light having a third wavelength, and a substrate disposed on the third LED sub-unit, in which a difference in refractive indices between the 10 transparent layer and air is less than a difference in refractive indices between the substrate and a semiconductor layer of the third LED sub-unit.
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
A light emitting device including a substrate, a first conductivity-type semiconductor layer, a mesa including a second conductivity-type semiconductor layer and an active layer, first and second contact electrodes respectively contacting the first and second conductivity-type semiconductor layers, a passivation layer covering the first and second contact electrodes, the mesa, and including first and second openings, and first and second bump electrodes electrically connected to the first and second contact electrodes, respectively, in which the first and second bump electrodes are disposed on the mesa, the passivation layer is disposed between the first bump electrode and the second contact electrode, the first contact electrode includes a reflective material, and a portion of the first opening is surrounded with a side surface of the mesa, and another portion of the first opening is not surrounded with the side surface of the mesa.
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
71.
LIGHT-EMITTING ELEMENT AND LIGHT-EMITTING DEVICE COMPRISING SAME
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
72.
LIGHT EMITTING DEVICE FOR DISPLAY AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME
A method of fabricating a light emitting device for a display, the method including the steps of growing a first LED stack on a first growth substrate, the first LED stack including a first conductivity type semiconductor layer and a second conductivity type semiconductor layer, growing a second LED stack on a second growth substrate, the second LED stack including a first conductivity type semiconductor layer and a second conductivity type semiconductor layer, bonding the second LED stack to a first temporary substrate, removing the second growth substrate from the second LED stack, bonding the second LED stack to the first LED stack, and removing the first temporary substrate from the second LED stack.
H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
73.
LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
A light emitting device includes a first electrode pad and a second electrode pad, a first semiconductor layer disposed on an upper region of an active layer, a second semiconductor layer disposed on an upper region of the second electrode pad, the active layer disposed on an upper region of the second semiconductor layer, a first contact layer disposed on an upper region of the first semiconductor layer, and a first electrode pad disposed on an upper region of the first contact layer to be electrically connected to the first semiconductor layer through the first contact layer. An upper surface of the first semiconductor layer located in a non-light emitting region is placed higher than a light emitting surface corresponding to the upper surface of the first semiconductor layer located in a light emitting region, the non-light emitting region being a region in which the first contact layer is disposed.
The present invention relates to a light-emitting element and a light-emitting device comprising same. The light-emitting device according to an embodiment of the present invention comprises: first to third light-emitting devices, which include a substrate, a plurality of protrusions protruding from one surface of the substrate, and a light-emitting structure disposed on the substrate; and a circuit board on which the first to third light-emitting devices are mounted. Each of the first to third light-emitting elements includes a first conductive semiconductor layer, an active layer of a multiple quantum well structure, and a second conductive semiconductor layer, and the number of pairs of barrier layers and well layers constituting the active layer of the first light-emitting element is different from the number of pairs of barrier layers and well layers constituting the active layer of the second light-emitting element.
H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
75.
LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
The present invention relates to a light-emitting element and a method for manufacturing same. According to an embodiment, the light-emitting element may comprise a second electrode pad, a second semiconductor layer, an active layer, a first semiconductor layer, a first contact layer, and a first electrode pad. The second semiconductor layer may be formed on the second electrode pad and electrically connected to the second electrode pad. The active layer may be formed on the second semiconductor layer so as to generate and emit light. The first semiconductor layer may be formed on the active layer. The first contact layer may be formed on the first semiconductor layer. In addition, the first electrode pad may be formed on the first contact layer and electrically connected to the first semiconductor layer through the first contact layer. In addition, the upper surface of the first semiconductor layer located in a non-light emitting region may be located higher than the upper surface of the first semiconductor layer located in a light-emitting region which is a light-emitting surface.
H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
76.
UNIT PIXEL AND DISPLAYING APPARATUS INCLUDING THE UNIT PIXEL
A unit pixel and a displaying apparatus including the unit pixel are provided. The unit pixel includes a transparent substrate, a plurality of light emitting devices arranged on the transparent substrate, a light blocking layer disposed between the transparent substrate and the light emitting devices, and having at least one window, and a semi-transmissive layer disposed between at least one of the plurality of light emitting devices and the transparent substrate to overlap with the window at least partially.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
A light emitting diode includes an n-type nitride semiconductor layer, a V-pit generation layer located over the n-type nitride semiconductor layer and having a V-pit, an active layer located on the V-pit generation layer, and a p-type nitride semiconductor layer located on the active layer. The active layer includes a well layer, which includes a first well layer portion formed along a flat surface of the V-pit generation layer and a second well layer portion formed in the V-pit of the V-pit generation layer. The active layer emits light having at least two peak wavelengths at a single chip level.
H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
78.
LIGHT EMITTING DEVICE FOR DISPLAY AND LED DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME
A light emitting device including a first light emitting stack, a second light emitting stack, and a third light emitting stack each including a first conductivity type semiconductor layer and a second conductivity type semiconductor layer, a first adhesive layer bonding the first light emitting stack and the second light emitting stack, and a second adhesive layer bonding the second light emitting stack and the third light emitting stack, in which the second light emitting stack is disposed between the first light emitting stack and the third light emitting stack, and one of the first adhesive layer and the second adhesive layer electrically connects adjacent light emitting stacks.
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
79.
Semiconductor Heterostructure with Improved Light Emission
A semiconductor heterostructure for an optoelectronic device with improved light emission is disclosed. The heterostructure can include a first semiconductor layer having a first index of refraction n1. A second semiconductor layer can be located over the first semiconductor layer. The second semiconductor layer can include a laminate of semiconductor sublayers having an effective index of refraction n2. A third semiconductor layer having a third index of refraction n3 can be located over the second semiconductor layer. The first index of refraction n1 is greater than the second index of refraction n2, which is greater than the third index of refraction n3.
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/36 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
80.
UNIT PIXEL HAVING LIGHT EMITTING DEVICE AND DISPLAYING APPARATUS
A unit pixel includes a transparent substrate, a plurality of light emitting devices arranged on the transparent substrate, and an optical layer disposed between the light emitting devices and the transparent substrate and transmitting light emitted from the light emitting devices. The transparent substrate has a concavo-convex pattern on a surface facing the light emitting devices.
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
81.
PIXEL ELEMENT FOR DISPLAY, AND DISPLAY DEVICE HAVING SAME
The present invention relates to a pixel element for a display, and a display device having same. According to one embodiment, the pixel element comprises: a first light-emitting structure which is formed on a first base, and in which a 1-1 semiconductor layer, a first active layer and a 1-2 semiconductor layer are stacked; a second light-emitting structure which is formed on a first light-emitting unit, and in which a 2-1 semiconductor layer, a second active layer and a 2-2 semiconductor layer are stacked; a third light-emitting structure which is formed on a second light-emitting unit, and in which a 3-1 semiconductor layer, a third active layer, and a 3-2 semiconductor layer are stacked; a common electrode electrically connected to the 1-1 semiconductor layer, the 2-1 semiconductor layer and the 3-1 semiconductor layer at the same time; a first electrode electrically connected to the 1-2 semiconductor layer; a second electrode electrically connected to the 2-2 semiconductor layer; and a third electrode electrically connected to the 3-2 semiconductor layer. The common electrode and the first electrode are formed along one side surface of the 2-1 semiconductor layer and one side surface of the 3-1 semiconductor layer so as to be stair-structured.
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
82.
LIGHT EMITTING MODULE INCLUDING LIGHT EMITTING ELEMENT AND DISPLAY DEVICE USING SAME
A light emitting module according to an embodiment includes: a base plate; a light emitting element array substrate arranged on the base plate and including a plurality of light emitting elements; a molding part covering the light emitting elements; a circuit board having one end electrically connected to the light emitting element array substrate; a connector electrically connected to the other end of the circuit board; and a reinforcing plate arranged under the connector.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
83.
LIGHT SOURCE FOR PLANT CULTIVATION AND PLANT CULTIVATION DEVICE
A plant cultivation light source includes a substrate and a first group of light sources. The first group of light sources includes a plurality of light sources disposed on the substrate, and a light source including a light emitting structure including a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer. The plurality of light sources operates to emit lights having different wavelength bands and includes a first light source that emits first light having an area of at least about 55% compared with an area of a normalized solar spectrum, a second light source that emits second light having a wavelength for cryptochrome, and a third light source that emits third light having a wavelength for phytochrome.
A light emitting device for a display including a first LED stack, a second LED stack disposed under the first LED stack, a third LED stack disposed under the second LED stack, and including a first conductivity type semiconductor layer and a second conductivity type semiconductor layer, a surface protection layer at least partially covering side surfaces of the first LED stack, the second LED stack, or the third LED stack, a first bonding layer interposed between the second LED stack and the third LED stack, a second bonding layer interposed between the first LED stack and the second LED stack, lower buried vias passing through the second LED stack and the first bonding layer, and electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer of the third LED stack, respectively, and upper buried vias passing through the first LED stack.
H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
An optoelectronic device with reduced optical losses is disclosed. The optoelectronic device includes a set of n-type layers; an active region that includes at least one quantum well configured to generate radiation at a peak emitted wavelength and at least one barrier; and a set of p-type layers disposed on the active region. A reflective layer can be disposed on the set of p-type layers. The set of p-type layers can included an electron blocking region, and a thickness of the electron blocking region can be 80% or less than a thicking of the set of p-type layers. Additionally, a thickness of the at least one barrier can be 20% or less than the thickness of the set of p-type layers.
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
A light-emitting diode according to an embodiment comprises: a substrate; a first conductive-type semiconductor layer disposed on the substrate; a mesa disposed on the first conductive-type semiconductor layer and including an active layer and a second conductive-type semiconductor layer; an ohmic contact layer disposed on the second conductive-type semiconductor layer and formed by islands which are spaced apart from each other; a dielectric layer covering the ohmic contact layer and having openings through which the respective islands are exposed; a metal reflective layer covering the dielectric layer and electrically connected to the islands through the openings of the dielectric layer; a lower insulating layer covering the metal reflective layer and having an opening through which the metal reflective layer is exposed; and first and second bump pads disposed on the lower insulating layer and electrically connected to the first and second conductive-type semiconductor layers, respectively.
A light emitting device including a first light emitting part including a first n-type semiconductor layer, a first active layer, a first p-type semiconductor layer, and a first transparent electrode, a second light emitting part disposed over the first light emitting part and including a second n-type semiconductor layer, a second active layer, a second p-type semiconductor layer, and a second transparent electrode, and a third light emitting part disposed over the second light emitting part and including a third n-type semiconductor layer, a third active layer, a third p-type semiconductor layer, and a third transparent electrode, in which the light emitting device has substantially a quadrangular shape when viewed from the top, and has first to fourth corners.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
88.
LED UNIT FOR DISPLAY AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME
A display apparatus including a substrate, and pixel regions and at least one separation region between the pixel regions, each pixel region including a first LED stack, a second LED stack adjacent to the first LED stack, a third LED stack adjacent to the second LED stack and each having a side surface forming a first angle, a second angle, and a third angle with the substrate, respectively, electrode pads electrically connected to the first, second, and third LED stacks, and an insulation layer disposed on at least one of the first, second, and third LED stacks, in which the first LED stack is configured to emit light having a longer peak wavelength than that emitted from the second and third LED stacks, and the first angle is different from the second and third angles.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
89.
UNIT PIXEL HAVING LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND DISPLAYING APPARATUS HAVING THE SAME
A unit pixel is provided. The unit pixel includes a transparent substrate, a first light blocking layer disposed on the transparent substrate and having windows that transmit light, an adhesive layer covering the first light blocking layer, a plurality of light emitting devices disposed on the adhesive layer to be arranged on the windows, and a second light blocking layer covering side surfaces of the light emitting devices.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
90.
LIGHT SOURCE FOR EYE THERAPY AND LIGHT EMITTING DEVICE HAVING THE SAME
A light source for eye wellness configured to emit light having a wavelength range from 380 nm to 780 nm, and has a spectrum area that overlaps at least 55% of an area of a normalized solar spectrum, in which a valley wavelength of the light has a deviation equal to or less than 0.15 form the normalized solar spectrum in the wavelength range from 460 nm to 490 nm, and a color temperature of the light is in a range of 2600K to 7000K.
A light emitting module including a light source configured to irradiate ultraviolet light, a board on which the light source is disposed, a tube accommodating the board and including a transparent region to transmit the ultraviolet light emitted from the light source, a first base coupled to one side of the tube, a second base coupled to the other side of the tube, a fixation groove disposed in the tube and connected to at least one of the first and second bases, in which the board is coupled to be inserted into the fixation groove, and the fixation groove is spaced apart from a center of the first base when viewed in a cross-section perpendicular to a length direction of the tube.
A light emitting device including a substrate having a first region and a second region, a light emitting stack including vertically stacked semiconductor layers disposed on the first region of the substrate, at least one pillar disposed on the second region of the substrate and laterally spaced apart from the light emitting stack, and at least one electrode extending from the first region to the second region of the substrate and electrically connecting the light emitting stack to the at least one pillar, in which the at least one pillar is disposed on the at least one electrode, respectively.
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
93.
LIGHT EMITTING DEVICE AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME
A light emitting device including an insulation unit, a light emitting region including first, second, and third LED stacks each including first and second conductivity type semiconductor layers, a first pillar electrically connected to the first conductivity type semiconductor layers of the first, second, and third LED stacks, and a second pillar, a third pillar, and a fourth pillar electrically connected to the second conductivity type semiconductor layers of the first, second, and third LED stacks, respectively, an intermediate first connector and a lower first connector respectively electrically connecting the first conductivity type semiconductor layers of the second LED stack and the third LED stack to the first pillar, in which the insulation unit have four corners, and the first, second, third, and fourth pillars are disposed near the four corners covering a side surface of the insulation unit, respectively.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
94.
LIGHT EMITTING DEVICE AND APPARATUS USING THE SAME
A light emitting apparatus includes a base substrate, at least a light emitting source disposed on the base substrate, and a multi-refractive layer refracting light emitted from the light emitting source, where the multi-refractive layer includes a first refractive layer and a second refractive layer disposed outside the first refractive layer, the first refractive layer having a lower index of refraction than the second refractive layer.
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
95.
LIGHT EMITTING APPARATUS AND LIGHT EMITTING MODULE INCLUDING THE SAME
A light emitting apparatus is disclosed. The light emitting apparatus includes: a base substrate; a plurality of circuits disposed on an upper side of the base substrate; a light emitting source included in at least one circuit among the plurality of circuits; a first pad and a second pad disposed on a lower side of the base substrate and contacting one electrode or another electrode of each of the plurality of circuits; and an electrodeless pad array disposed on the lower side of the base substrate. The number of electrodeless pads included in the electrodeless pad array is determined based on a number of the plurality of circuits.
F21V 19/00 - Montage des sources lumineuses ou des supports de sources lumineuses sur ou dans les dispositifs d'éclairage
F21Y 105/18 - Sources lumineuses planes comprenant un réseau bidimensionnel d’éléments générateurs de lumière ponctuelle caractérisées par la forme d’ensemble du réseau bidimensionnel annulaireSources lumineuses planes comprenant un réseau bidimensionnel d’éléments générateurs de lumière ponctuelle caractérisées par la forme d’ensemble du réseau bidimensionnel polygonale autre que rectangulaire ou carrée, p. ex. pour les spots lumineux ou pour générer un faisceau lumineux axialement symétrique
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
96.
LIGHT EMITTING DEVICE AND APPARATUS USING THE SAME
A light emitting apparatus is disclosed. The light emitting apparatus includes a base substrate, at least a light emitting source disposed on the base substrate, and a multi-refractive layer refracting light emitted from the light emitting source, wherein the multi-refractive layer includes a first refractive layer and a second refractive layer disposed outside the first refractive layer, the first refractive layer having a lower index of refraction than the second refractive layer.
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
97.
LIGHT EMITTING APPARATUS AND LIGHT EMITTING MODULE INCLUDING THE SAME
A light emitting apparatus is disclosed. The light emitting apparatus includes: a base substrate; a plurality of circuits disposed on an upper side of the base substrate; at least a light emitting source included in at least a circuit among the plurality of circuits; a first pad and a second pad disposed on a lower side of the base substrate and contacting one electrode or the other electrode of each of the plurality of circuits; and an electrodeless pad array disposed on the lower side of the base substrate, wherein the number of electrodeless pads included in the electrodeless pad array is determined based on the number of circuits.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
An air purifier includes a case having an air inlet and an air outlet, a fan disposed adjacent the air inlet, a UV LED unit and a filter unit arranged over the fan along a flow path of air, and a fluid control structure disposed between the fan and the filter unit.
A61L 9/20 - Désinfection, stérilisation ou désodorisation de l'air utilisant des phénomènes physiques des radiations des ultraviolets
B01D 46/00 - Filtres ou procédés spécialement modifiés pour la séparation de particules dispersées dans des gaz ou des vapeurs
F24F 1/0071 - Éléments intérieurs, p. ex. ventilo-convecteurs comportant des moyens de purification de l’air fourni
F24F 8/22 - Traitement, p. ex. purification, de l'air fourni aux locaux de résidence ou de travail des êtres humains autrement que par chauffage, refroidissement, humidification ou séchage par stérilisation utilisant de la lumière ultraviolette
A light emitting diode includes an n-type nitride semiconductor layer, an active layer located on the n-type nitride semiconductor layer, and a p-type nitride semiconductor layer located on the active layer. The active layer has a single structure of a multi-quantum well in which a plurality of barrier layers and a plurality of well layers are stacked, and the active layer emits white light.
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
H01L 33/02 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
