- Sections
- H - Électricité
- H10H - Dispositifs émetteurs de lumière à semi-conducteurs inorganiques ayant des barrières de potentiel
- H10H 20/825 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP contenant de l’azote, p. ex. GaN
Détention brevets de la classe H10H 20/825
Brevets de cette classe: 322
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
0
|
0
|
2
|
8
|
48
|
69
|
24
|
150
|
| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Nichia Corporation | 3762 |
22 |
| Seoul Viosys Co., Ltd. | 1482 |
21 |
| Samsung Display Co., Ltd. | 35702 |
18 |
| Nikkiso Co., Ltd. | 792 |
15 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 148584 |
10 |
| Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | 296 |
10 |
| Enkris Semiconductor, Inc. | 386 |
9 |
| Kyocera Corporation | 14013 |
6 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10959 |
6 |
| Japan Display Inc. | 2766 |
6 |
| Epistar Corporation | 1480 |
6 |
| Nuvoton Technology Corporation Japan | 654 |
6 |
| Ams-osram International GmbH | 1072 |
6 |
| Micron Technology, Inc. | 26365 |
5 |
| Applied Materials, Inc. | 19087 |
5 |
| The Regents of the University of Michigan | 4760 |
5 |
| Sony Group Corporation | 14401 |
5 |
| Centre National de La Recherche Scientifique | 10641 |
4 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11507 |
4 |
| Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | 105 |
4 |
| Autres propriétaires | 149 |