- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 55/155 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement couverts par les groupes , ou structurellement associés à des sources lumineuses électriques et électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sources dans lesquels les dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement commandent la source lumineuse électrique, p. ex. convertisseurs d'images, amplificateurs d'images ou dispositifs de stockage d'image dans lesquels les dispositifs sensibles au rayonnement et la source lumineuse électrique sont tous des dispositifs à semi-conducteurs formés dans ou sur un même substrat
Détention brevets de la classe H10F 55/155
Brevets de cette classe: 10
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Nichia Corporation | 3866 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 156823 |
1 |
| Kyocera Corporation | 14312 |
1 |
| Massachusetts Institute of Technology | 10228 |
1 |
| Boe Technology Group Co., Ltd. | 43816 |
1 |
| Jinko Solar Co., Ltd. | 273 |
1 |
| Nanyang Technological University | 2187 |
1 |
| Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. | 290 |
1 |
| Beijing BOE Sensor Technology Co., Ltd. | 483 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |