- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/87 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET de transistors FET à grille à jonction PN
Détention brevets de la classe H10D 84/87
Brevets de cette classe: 8
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Microchip Technology Incorporated | 3353 |
2 |
| Texas Instruments Incorporated | 19639 |
1 |
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5521 |
1 |
| MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. | 859 |
1 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4932 |
1 |
| Hon Young Semiconductor Corporation | 38 |
1 |
| Hai Precision Industry Co., Ltd. | 1 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |