- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 62/852 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs étant des matériaux du groupe III-V comprenant trois éléments ou plus, p. ex. AlGaN ou InAsSbP
Détention brevets de la classe H10D 62/852
Brevets de cette classe: 43
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
0
|
1
|
0
|
0
|
1
|
3
|
13
|
19
|
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6384 |
4 |
| Toshiba Corporation | 12584 |
3 |
| The Regents of the University of Michigan | 5012 |
3 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 11130 |
2 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2337 |
2 |
| Taiwan-Asia Semiconductor Corporation | 109 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158337 |
1 |
| The Regents of the University of California | 20802 |
1 |
| Toyota Motor Corporation | 35906 |
1 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 16412 |
1 |
| Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | 4024 |
1 |
| Denso Corporation | 25633 |
1 |
| Industrial Technology Research Institute | 5204 |
1 |
| Rohm Co., Ltd. | 6846 |
1 |
| Analog Devices, Inc. | 3321 |
1 |
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5503 |
1 |
| Northwestern University | 3554 |
1 |
| Cornell University | 3438 |
1 |
| Enkris Semiconductor, Inc. | 405 |
1 |
| Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | 1123 |
1 |
| Autres propriétaires | 13 |