- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 62/81 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux de structures présentant des effets de confinement quantique, p. ex. des puits quantiques uniquesCorps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux de structures présentant une variation de potentiel périodique ou quasi-périodique
Détention brevets de la classe H10D 62/81
Brevets de cette classe: 12
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
0
|
1
|
9
|
| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 145864 |
1 |
| Intel Corporation | 46962 |
1 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11398 |
1 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 112316 |
1 |
| Microsoft Technology Licensing, LLC | 53693 |
1 |
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5134 |
1 |
| Nederlandse Organisatie voor Toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | 2377 |
1 |
| Research & Business Foundation Sungkyunkwan University | 1933 |
1 |
| Riken | 1689 |
1 |
| Epinovatech AB | 63 |
1 |
| IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-institut für Innovative Mikroelektronik | 99 |
1 |
| Semiqon Technologies oy | 6 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |