- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 51/40 - Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 51/40
Brevets de cette classe: 101
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42863 |
50 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 146534 |
23 |
| Micron Technology, Inc. | 26256 |
4 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4815 |
3 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4926 |
3 |
| Kepler Computing Inc. | 304 |
3 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2558 |
2 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2642 |
2 |
| Intel Corporation | 47013 |
1 |
| Renesas Electronics Corporation | 6006 |
1 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11416 |
1 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4381 |
1 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6430 |
1 |
| Industry-university Cooperation Foundation Hanyang University Erica Campus | 579 |
1 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1383 |
1 |
| Sunrise Memory Corporation | 213 |
1 |
| Seoul National University R&db Foundation | 3614 |
1 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 73 |
1 |
| Kioxia Corporation | 10301 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |