- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 23/26 - Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet incluant des matériaux destinés à absorber ou à réagir avec l'humidité ou d'autres substances indésirables
Détention brevets de la classe H01L 23/26
Brevets de cette classe: 217
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Raytheon Company | 8435 |
11 |
| SAES Getters S.p.A. | 325 |
11 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 11124 |
10 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48629 |
9 |
| Global Circuit Innovations Incorporated | 20 |
9 |
| Robert Bosch GmbH | 44252 |
6 |
| Infineon Technologies AG | 8410 |
6 |
| Monolith Semiconductor, Inc. | 22 |
6 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 48236 |
5 |
| Micron Technology, Inc. | 27666 |
4 |
| Boe Technology Group Co., Ltd. | 44484 |
4 |
| Industry-university Cooperation Foundation Hanyang University Erica Campus | 646 |
4 |
| Tesa SE | 1131 |
4 |
| Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | 614 |
4 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158605 |
3 |
| Qualcomm Mems Technologies, Inc. | 585 |
3 |
| International Business Machines Corporation | 62754 |
3 |
| Intel Corporation | 47162 |
3 |
| Kyocera Corporation | 14433 |
3 |
| Dynic Corporation | 16 |
3 |
| Autres propriétaires | 106 |