- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 28/10 - Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée à partir de liquides par tirage hors d'un bain fondu
Détention brevets de la classe C30B 28/10
Brevets de cette classe: 54
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Sumco Corporation | 1115 |
9 |
| The 13th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation | 126 |
3 |
| RGS Development B.V. | 7 |
3 |
| Siltron Inc. | 36 |
3 |
| Corning Incorporated | 10275 |
2 |
| NGK Insulators, Ltd. | 4968 |
2 |
| Toyoda Gosei Co., Ltd. | 1784 |
2 |
| Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences | 159 |
2 |
| Sumco TECHXIV Corporation | 100 |
2 |
| Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | 1231 |
1 |
| Siemens Medical Solutions USA, Inc. | 1517 |
1 |
| The United States of America as represented by the Secretary of the Army | 1215 |
1 |
| 1366 Technologies, Inc. | 17 |
1 |
| Freiberger Compound Materials GmbH | 58 |
1 |
| Globalwafers Japan Co., Ltd. | 68 |
1 |
| Inductotherm Corp. | 159 |
1 |
| Korea Institute of Energy Research | 855 |
1 |
| Osaka University | 3379 |
1 |
| Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1284 |
1 |
| Siltronic AG | 423 |
1 |
| Autres propriétaires | 15 |