- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 25/22 - Procédés dans lesquels la croissance intervient sur les deux faces
Détention brevets de la classe C30B 25/22
Brevets de cette classe: 29
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Advanced Diamond Holdings, LLC | 14 |
5 |
| Applied Materials, Inc. | 18565 |
3 |
| IQE plc. | 114 |
2 |
| The Regents of the University of California | 19887 |
1 |
| Electronics and Telecommunications Research Institute | 9380 |
1 |
| Raytheon Company | 8397 |
1 |
| The Regents of the University of Michigan | 4689 |
1 |
| Nippon Telegraph and Telephone Corporation | 17303 |
1 |
| Korea Electrotechnology Research Institute | 471 |
1 |
| Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology | 137 |
1 |
| Peking University | 1305 |
1 |
| The Penn State Research Foundation | 1516 |
1 |
| SKC Co., Ltd. | 324 |
1 |
| Tivra Corporation | 3 |
1 |
| The University of Manchester | 453 |
1 |
| University of South Carolina | 821 |
1 |
| Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. | 189 |
1 |
| Yale University | 2376 |
1 |
| Monolum Ltd | 2 |
1 |
| Soft-impact Ltd | 2 |
1 |
| Autres propriétaires | 2 |