- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 15/18 - Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé en utilisant un chauffage direct par résistance en plus des autres moyens de chauffage, p. ex. en utilisant le chauffage par effet Peltier
Détention brevets de la classe C30B 15/18
Brevets de cette classe: 14
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Hanwha Corporation | 297 |
5 |
Hanwha Solutions Corporation | 802 |
5 |
Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5253 |
1 |
LG Siltron Inc. | 116 |
1 |
Siltronic AG | 424 |
1 |
Shanghai Yinwan Photoelectric Technology Co., Ltd | 3 |
1 |
Autres propriétaires | 0 |