- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 13/10 - Croissance des monocristaux par fusion de zoneAffinage par fusion de zone en introduisant dans la zone fondue le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ avec addition d'un matériau de dopage
Détention brevets de la classe C30B 13/10
Brevets de cette classe: 19
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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North Carolina State University | 1559 |
4 |
Raytheon Company | 8396 |
2 |
National Taiwan University | 1218 |
2 |
Siltronic AG | 423 |
2 |
Tamura Corporation | 356 |
2 |
Ecole Polytechnique | 325 |
1 |
Ewha University-industry Collaboration Foundation | 727 |
1 |
PV Silicon Forschungs und Produktions GmbH | 4 |
1 |
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1285 |
1 |
Silicor Materials Inc. | 21 |
1 |
Tianjin Huanou Semiconductor Material Technology Co., Ltd | 2 |
1 |
Ferrosolar R&D, S.L. | 3 |
1 |
Autres propriétaires | 0 |