- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 1/00 - Croissance des monocristaux à partir de l'état solide
Détention brevets de la classe C30B 1/00
Brevets de cette classe: 58
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11377 |
4 |
University of Houston System | 1079 |
4 |
Nanjing Tongli Crystal Materials Research Institute Co., Ltd | 16 |
3 |
Centre National de La Recherche Scientifique | 10414 |
2 |
Apotex Inc. | 202 |
2 |
Safran Aircraft Engines | 6270 |
2 |
Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | 584 |
2 |
LG Chem, Ltd. | 17598 |
1 |
Micron Technology, Inc. | 26231 |
1 |
Applied Materials, Inc. | 18530 |
1 |
Murata Manufacturing Co., Ltd. | 24465 |
1 |
Lawrence Livermore National Security, LLC | 1931 |
1 |
Boe Technology Group Co., Ltd. | 40912 |
1 |
American Electric Power Company, Inc. | 42 |
1 |
Consejo Superior de Investigaciones Cientificas (csic) | 1366 |
1 |
Daicel Corporation | 2335 |
1 |
Disco Corporation | 1852 |
1 |
GR Intellectual Reserve, LLC | 6 |
1 |
Griffith University | 155 |
1 |
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1371 |
1 |
Autres propriétaires | 26 |