- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C01B - Éléments non métalliquesleurs composés
- C01B 33/035 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés en présence de filaments chauffés de silicium, de carbone ou d'un métal réfractaire, p. ex. de tantale ou de tungstène, ou en présence de tiges de silicium chauffées sur lesquelles le silicium formé se dépose avec obtention d'une tige de silicium, p. ex. procédé Siemens
Détention brevets de la classe C01B 33/035
Brevets de cette classe: 307
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5658 |
68 |
Wacker Chemie AG | 2106 |
65 |
Tokuyama Corporation | 1389 |
48 |
Hemlock Semiconductor Corporation | 33 |
12 |
High-purity Silicon Corporation | 73 |
11 |
Group14 Technologies, Inc. | 108 |
10 |
Centrotherm SiTec GmbH | 16 |
8 |
OCI Company Ltd. | 153 |
7 |
Hanwha Chemical Corporation | 321 |
6 |
Schmid Silicon Technology GmbH | 27 |
5 |
LG Chem, Ltd. | 17632 |
4 |
MEMC Electronic Materials SpA | 19 |
4 |
Dynatec Engineering AS | 9 |
3 |
G+R Technology Group AG | 11 |
3 |
Jiangsu Zhongneng Polysilicon Technology Development Co., Ltd. | 10 |
3 |
REC Silicon Inc | 75 |
3 |
Advanced Material Solutions, LLC | 9 |
3 |
LG Energy Solution, Ltd. | 14982 |
3 |
Globalwafers Co., Ltd. | 640 |
2 |
GT Solar Incorporated | 9 |
2 |
Autres propriétaires | 37 |