Abrégé

A micro LED display includes a first conductive-type electrode; a plurality of micro LEDs that are separately formed on the first conductive-type electrode and each configured to emit ultraviolet light with a wavelength of 405 nm or less; and second conductive-type electrodes formed on the plurality of micro LEDs, respectively. The micro LED display further includes a reflective barrier member erected between the plurality of micro LEDs to reflect light from side surfaces of the micro LEDs; a film-like wiring substrate having a wiring structure that is connected with the second conductive-type electrodes of three micro LEDs that are adjacent to each other, out of the plurality of micro LEDs, so as to constitute one pixel; and a film-like wavelength conversion layer provided on the wiring substrate, and including phosphors that perform wavelength conversion of respective light from the three micro LEDs into red, green, and blue colors. The side surfaces of the micro LEDs are formed into inclined surfaces such that widths of the micro LEDs gradually decrease from the first conductive-type electrode toward the second conductive-type electrodes. The reflective barrier member is erected parallel to a stacking direction of the plurality of micro LEDs and up to a height equal to the micro LEDs.

Classes IPC  ?

• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

The present invention provides a method for manufacturing a GaN light emitting element having adjustable directional characteristics. The method comprises: a step in which an n-type GaN layer (12), an MQW layer (14), and a p-type GaN layer (16) are epitaxially grown in sequence on a sapphire substrate (10) so as to form an epitaxial structure; a step in which a p-type electrode, a metal reflective film, a metal substrate, and a support substrate are formed on the p-type GaN layer (16); a step in which the epitaxial structure is inverted vertically; a step in which the sapphire substrate (10) is separated so as to expose the n-type GaN layer (12) in the surface; a step in which the n-type GaN layer (12) exposed in the surface is etched so as to adjust a resonator length between the surface of the metal reflective film and the surface of the n-type GaN layer (12); and a step in which an n-electrode (24) is formed.

Classes IPC  ?

• H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
• G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote

Abrégé

Provided is a method for obtaining a photonic crystal GaN light-emitting element by efficiently forming a photonic crystal on a GaN layer that constitutes a light-emitting element. This method comprises: a step in which an n-type GaN layer (12), an MQW layer (14), and a p-type GaN layer (16) are epitaxially grown in sequence on a sapphire substrate (10) to form an epitaxial structure; a step in which a p-type electrode, a metal substrate, and a support substrate are formed on the p-type GaN layer (16); a step in which the top and bottom of the epitaxial structure are inverted; a step in which the sapphire substrate (10) is peeled to expose the n-type GaN layer (12) at a surface; a step in which a photonic crystal is formed on the surface of the n-type GaN layer (12) exposed at the surface by electron beam drawing and inductively coupled plasma reactive ion etching; and a step in which an n-electrode (24) is formed.

Classes IPC  ?

• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• F21V 9/35 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source caractérisés par la disposition du matériau photoluminescent aux points focaux, p. ex. des réfracteurs, lentilles, réflecteurs ou réseaux de sources de lumière
• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
• H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
• H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales

Abrégé

Provided are a micro-LED display, and a method for manufacturing same, with which light emission efficiency is improved without the use of different types of micro-LEDs for each color. This micro-LED display comprises: a plurality of micro-UV-LED chips 1; and a film-shaped wavelength conversion layer 32 that comprises phosphors 28R, 20G, 28B that convert the wavelengths of ultraviolet light from the micro-UV-LED chips 1 into red, green and blue, respectively. Oblique surfaces are formed on side surfaces of each micro-UV-LED chip 1, and each micro-UV-LED chip 1 is surrounded by a reflecting barrier wall material 24 that reflects ultraviolet light emitted from the side surfaces.

Classes IPC  ?

• G09F 9/00 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
• G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
• G09F 9/33 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels à semi-conducteurs, p. ex. à diodes
• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants

Abrégé

A UV-LED is disclosed. The UV-LED includes a sapphire substrate, a u-GaN buffer layer formed on the sapphire substrate, an n-GaN contact layer formed on the u-GaN buffer layer, an InGaN light emitting layer formed on the n-GaN contact layer, and a p-GaN layer formed on the InGaN light emitting layer. The UV-LED has a quadrate planar shape with at least one side having a chip size of 50 μm or less.

Classes IPC  ?

• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails