A method for fabricating a hermetic electronic package includes providing a package body; hermetically coupling a package base plate to the package body; thermally coupling a substrate to the base plate; thermally mounting a semiconductor device to the substrate; bonding at least one high-current input/output (I/O) terminal to the first metalized region of the substrate by a strap terminal that is an integral high current heatsink terminal. A ceramic seal surrounding the at least one high-current I/O terminal is hermetically bonded to an outer surface of the package body. A metal hermetic seal washer surrounding the at least one high-current I/O terminal is hermetically bonded to the ceramic seal and to a portion of the at least one high-current I/O terminal. A lid is seam welded onto the package body.
H01L 23/10 - ConteneursScellements caractérisés par le matériau ou par la disposition des scellements entre les parties, p. ex. entre le couvercle et la base ou entre les connexions et les parois du conteneur
H01L 23/06 - ConteneursScellements caractérisés par le matériau du conteneur ou par ses propriétés électriques
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
2.
Planar linear inductive position sensor having edge effect compensation
A planar linear inductive position sensor is formed on a substrate and includes at least one oscillating coil, a first sensing coil having opposing edges extending beyond opposing edges of the oscillating coil along a linear axis along which a linear position of a conductive target is to be sensed, and a second sensing coil having opposing edges extending beyond opposing edges of the oscillating coil along the linear axis. The first and second sensing coils have geometries selected such that equal opposing magnetic fields are induced in the first and second sensing coils in the presence of a magnetic field generated by the oscillating coil when no conductive target is proximate to the first and second sensing coils and unequal opposing magnetic fields are induced in the first and second sensing coils when the conductive target is proximate to the first and second sensing coils, a difference in the unequal opposing magnetic fields induced in the first and second sensing coils correlated to the position of the conductive target.
G01D 5/20 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p. ex. une armature mobile
3.
PLANAR LINEAR INDUCTIVE POSITION SENSOR HAVING EDGE EFFECT COMPENSATION
A planar linear inductive position sensor includes at least one oscillating coil, a first sensing coil having opposing edges extending beyond opposing edges of the oscillating coil along a linear axis along which a linear position of a conductive object is to be sensed, and a second sensing coil having opposing edges extending beyond opposing edges of the oscillating coil along the linear axis. The first and second sensing coils have geometries selected such that equal opposing magnetic fields are induced in the first and second sensing coils in the presence of a magnetic field generated by the oscillating coil when no conductive target is proximate and unequal opposing magnetic fields are induced in the first and second sensing coils when the conductive target is proximate, a difference in the unequal opposing magnetic fields induced in the first and second sensing coils correlated to the position of the conductive target.
G01D 5/20 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p. ex. une armature mobile
A hermetic high-current electronic package includes a package body and a base plate hermetically coupled to the package body. A semiconductor device is thermally mounted to the base plate and has a high-current output. A high-current input/output (I/O) terminal is bonded to the high-current output of the semiconductor device by a strap terminal that is an integral high current heatsink terminal. The high-current I/O terminal passes through a hole formed in a sidewall of the package body. A ceramic seal surrounds the high-current I/O terminal and has a first surface hermetically bonded to an outer surface of the sidewall of the package body. A metal hermetic seal washer surrounds the high- current I/O terminal and is bonded to a second surface of the ceramic seal and bonded to a portion of the high-current I/O terminal that passes through the metal hermetic seal washer.
H01L 23/10 - ConteneursScellements caractérisés par le matériau ou par la disposition des scellements entre les parties, p. ex. entre le couvercle et la base ou entre les connexions et les parois du conteneur
A hermetic high-current electronic package includes a package body and a base plate hermetically coupled to the package body. A semiconductor device is thermally mounted to the base plate and has a high-current output. A high-current input/output (I/O) terminal is bonded to the high-current output of the semiconductor device by a strap terminal that is an integral high current heatsink terminal. The high-current I/O terminal passes through a hole formed in a sidewall of the package body. A ceramic seal surrounds the high-current I/O terminal and has a first surface hermetically bonded to an outer surface of the sidewall of the package body. A metal hermetic seal washer surrounds the high-current I/O terminal and is bonded to a second surface of the ceramic seal and bonded to a portion of the high-current I/O terminal that passes through the metal hermetic seal washer.
H01L 23/10 - ConteneursScellements caractérisés par le matériau ou par la disposition des scellements entre les parties, p. ex. entre le couvercle et la base ou entre les connexions et les parois du conteneur
H01L 23/06 - ConteneursScellements caractérisés par le matériau du conteneur ou par ses propriétés électriques
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
An angular rotation sensor system constituted of: a first target with a member radially extending from, and rotating about a longitudinal axis of the first target; a second target with a member radially extending from, and rotating about a longitudinal axis of the second target; a first receive coil comprising a plurality of loops laid out such that adjacent loops exhibit opposing magnetic polarities responsive to a radio frequency current injected into the transmit coil; a second receive coil comprising a plurality of loops laid out such that adjacent loops exhibit opposing magnetic polarities responsive to a radio frequency current injected into the transmit coil; and an output coupled to each of the first and second receive coils, wherein each of the members is shaped and sized to generally match a shape and size of a pair of loops.
G01L 3/10 - Dynamomètres de transmission rotatifs dans lesquels l'élément transmettant le couple comporte un arbre élastique en torsion impliquant des moyens électriques ou magnétiques d'indication
G01B 7/30 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour mesurer des angles ou des cônesDispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour tester l'alignement des axes
An angular rotation sensor system constituted of: a first target with a member radially extending from, and rotating about a longitudinal axis of the first target; a second target with a member radially extending from, and rotating about a longitudinal axis of the second target; a first receive coil comprising a plurality of loops laid out such that adjacent loops exhibit opposing magnetic polarities responsive to a radio frequency current injected into the transmit coil; a second receive coil comprising a plurality of loops laid out such that adjacent loops exhibit opposing magnetic polarities responsive to a radio frequency current injected into the transmit coil; and an output coupled to each of the first and second receive coils, wherein each of the members is shaped and sized to generally match a shape and size of a pair of loops.
G01L 3/10 - Dynamomètres de transmission rotatifs dans lesquels l'élément transmettant le couple comporte un arbre élastique en torsion impliquant des moyens électriques ou magnétiques d'indication
G01D 5/20 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p. ex. une armature mobile
G01L 5/22 - Appareils ou procédés pour la mesure des forces, du travail, de la puissance mécanique ou du couple, spécialement adaptés à des fins spécifiques pour la mesure de la force appliquée aux organes de commande, p. ex. organes de commande des véhicules, détentes
A distributed amplifier system constituted of: an input transmission line exhibit a plurality of sections; an output transmission line; an amplifier stage, an output of the amplifier stage coupled to the output transmission line and an input of the amplifier stage coupled to the input transmission line between a respective pair of the plurality of sections; a PIN diode coupled between a first end of the input transmission line and a common potential; and a circuitry coupled between a second end of the input transmission line and the common potential, the second end opposing the first end, such that there is a direct current (DC) flow through the first unidirectional electronic valve, the input transmission line and the circuitry.
H03F 3/60 - Amplificateurs dans lesquels les réseaux de couplage ont des constantes réparties, p. ex. comportant des résonateurs de guides d'ondes
H03F 1/52 - Circuits pour la protection de ces amplificateurs
H03F 3/193 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
A distributed amplifier system (10) constituted of: an input transmission line (50) exhibit a plurality of sections (60); an output transmission line (70); an amplifier stage (90), an output of the amplifier stage coupled to the output transmission line and an input of the amplifier stage coupled to the input transmission line between a respective pair of the plurality of sections; a PIN diode (40) coupled between a first end of the input transmission line and a common potential,; and a circuitry coupled between a second end of the input transmission line and the common potential, the second end opposing the first end, such that there is a direct current (DC) flow through the first unidirectional electronic valve, the input transmission line and the circuitry.
H03F 3/60 - Amplificateurs dans lesquels les réseaux de couplage ont des constantes réparties, p. ex. comportant des résonateurs de guides d'ondes
H03F 1/52 - Circuits pour la protection de ces amplificateurs
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03G 11/02 - Limitation d'amplitudeLimitation du taux de variation d'amplitude au moyen de diodes
10.
Multi cycle dual redundant angular position sensing mechanism and associated method of use for precise angular displacement measurement
nd oscillator coil of the same planar inductive sensor, and wound in an opposite geometric direction, and the oscillator coils of the other inductive sensor can also be wound similarly The two sensing coils of the first planar inductive sensor can be 90 degrees out of phase with each another, and the sensing coils of the other inductive sensor can also be wound similarly.
G01D 5/20 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p. ex. une armature mobile
G01D 3/08 - Dispositions pour la mesure prévues pour les objets particuliers indiqués dans les sous-groupes du présent groupe avec dispositions pour protéger l'appareil, p. ex. contre les fonctionnements anormaux, contre les pannes
11.
MULTI CYCLE DUAL REDUNDANT ANGULAR POSITION SENSING MECHANISM AND ASSOCIATED METHOD OF USE FOR PRECISE ANGULAR DISPLACEMENT MEASUREMENT
An apparatus can include a first planar inductive sensor including two oscillator coils and two sensing coils. The apparatus can also include a second planar inductive sensor independent of the first sensor and also including a pair of oscillator and sensing coils. The apparatus can further include a high frequency alternating current carrier generator configured to inject high frequency alternating current carrier signals into the oscillator coils. The carrier signal for the oscillator coil of the first planar inductive sensor is 180 degrees out of phase with a 2nd oscillator coil of the same planar inductive sensor, and wound in an opposite geometric direction, and the oscillator coils of the other inductive sensor can also be wound similarly. The two sensing coils of the first planar inductive sensor can be 90 degrees out of phase with each another, and the sensing coils of the other inductive sensor can also be wound similarly.
G01D 3/08 - Dispositions pour la mesure prévues pour les objets particuliers indiqués dans les sous-groupes du présent groupe avec dispositions pour protéger l'appareil, p. ex. contre les fonctionnements anormaux, contre les pannes
G01D 5/20 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p. ex. une armature mobile
12.
METHOD AND ASSEMBLY FOR OHMIC CONTACT IN THINNED SILICON CARBIDE DEVICES
A silicon carbide semiconductor assembly and a method of forming a silicon carbide (SiC) semiconductor assembly are provided. The silicon carbide semiconductor assembly includes a semiconductor substrate and an electrode. The semiconductor substrate is formed of silicon carbide and includes a first surface, a second surface opposing the first surface, and a thickness extending therebetween. The method includes forming one or more electronic devices on the first surface and thinning the semiconductor substrate by removing the second surface to a predetermined depth of semiconductor substrate and leaving a third surface opposing the first surface. The method further includes forming a non-ohmic alloy layer on the third surface at a first temperature range and annealing the alloy layer at a second temperature range forming an ohmic layer, the second temperature range being greater than the first temperature range.
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe
H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser
13.
Method and assembly for ohmic contact in thinned silicon carbide devices
A silicon carbide semiconductor assembly and a method of forming a silicon carbide (SiC) semiconductor assembly are provided. The silicon carbide semiconductor assembly includes a semiconductor substrate and an electrode. The semiconductor substrate is formed of silicon carbide and includes a first surface, a second surface opposing the first surface, and a thickness extending therebetween. The method includes forming one or more electronic devices on the first surface and thinning the semiconductor substrate by removing the second surface to a predetermined depth of semiconductor substrate and leaving a third surface opposing the first surface. The method further includes forming a non-ohmic alloy layer on the third surface at a first temperature range and annealing the alloy layer at a second temperature range forming an ohmic layer, the second temperature range being greater than the first temperature range.
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe
H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser
14.
METHOD AND ASSEMBLY FOR MITIGATING SHORT CHANNEL EFFECTS IN SILICON CARBIDE MOSFET DEVICES
A power transistor assembly and method of mitigating short channel effects in a power transistor assembly are provided. The power transistor assembly includes a first layer of semiconductor material formed of a first conductivity type material and a hard mask layer covering at least a portion of the first layer and having a window therethrough exposing a surface of the first layer. The power transistor assembly also includes a first region formed in the first layer of semiconductor material of a second conductivity type material and aligned with the window, one or more source regions formed of first conductivity type material within the first region and separated by a portion of the first region, and an extension of the first region extending laterally through the surface of the first layer.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
15.
Method and assembly for mitigating short channel effects in silicon carbide MOSFET devices
A power transistor assembly and method of mitigating short channel effects in a power transistor assembly are provided. The power transistor assembly includes a first layer of semiconductor material formed of a first conductivity type material and a hard mask layer covering at least a portion of the first layer and having a window therethrough exposing a surface of the first layer. The power transistor assembly also includes a first region formed in the first layer of semiconductor material of a second conductivity type material and aligned with the window, one or more source regions formed of first conductivity type material within the first region and separated by a portion of the first region, and an extension of the first region extending laterally through the surface of the first layer.
H01L 29/15 - Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
H01L 31/0312 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIVBIV, p.ex. SiC
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
A semiconductor device constituted of: a semiconductor layer; and a field layer patterned on said semiconductor layer, said field layer constituted of material having characteristics which block diffusion of mobile ions and maintain structural integrity at activation temperatures of up to 1200 degrees centigrade.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
The present invention generally relates to methods and apparatuses for event-driven and stateless precision time transfer. In one embodiment, a master device creates and launches Precision Timing Protocol (PTP) Sync packets, as well as Follow-up packets in the case of two-step clock operation, on an event-driven basis in response to the receipt of a Delay Request message from a slave device, rather than based on scheduling performed by the master device. Doing so reduces the load on the master device and permits the master to serve a larger number of slave devices. In addition, PTP Announce messages, which are not used for calculating the time offset between master and slave devices, may be sent in response to some Delay Request messages using an adjustable sampling rate (e.g., 1 every x Delay Request messages).
A module package can include a substrate; at least one device component configured to be positioned on the substrate; a module package lid configured to be positioned over the at least one device component and on the substrate, the module package lid exhibiting a plateau portion; and at least one mounting spring configured to be positioned on the module package lid, wherein the at least one mounting spring is configured to be mechanically coupled with a mounting surface and further positionally secure the module package lid and the at least one device component. Each mounting spring can include a middle portion; an end portion having a mounting hole; and a curved section between the middle portion and the end portion, the middle portion arranged to mate with the plateau portion of the module package lid when the end portion are secured to the substrate, the curved section being configured to prevent contact with a first corner portion of the module package lid.
An over-current protection apparatus constituted of: a transistor disposed on a substrate; a first thermal sense device arranged to sense a temperature reflective of a junction temperature of the transistor; a second thermal sense device arranged to sense a temperature reflective of a temperature of a casing surrounding the substrate; and a control circuitry, arranged to alternately: responsive to the sensed temperature by the first thermal sense device and the sensed temperature of the second thermal sense device being indicative that the temperature difference between the transistor junction and the substrate casing is greater than a predetermined value, switch off the transistor; and responsive to the sensed temperature by the first thermal sense device and the sensed temperature by the second thermal sense device being indicative that the temperature difference between the transistor junction and the substrate casing is not greater than the predetermined value, switch on the transistor.
H02H 5/04 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions non électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une température anormale
H02H 3/30 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à la différence de tensions ou de courantsCircuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un angle de déphasage entre tensions ou courants comprenant la comparaison des valeurs de tension ou de courant des deux portions séparées d'un même système, p. ex. à deux bouts opposés d'une ligne, à la sortie et à l'entrée d'un appareil utilisant des fils pilotes ou autre canal de signalisation
H02H 3/06 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion Détails avec reconnexion automatique
H02H 3/08 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge
H02H 9/02 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de courant
20.
Voltage sensing mechanism to minimize short-to-ground current for low drop-out and bypass mode regulators
Various electronics systems may benefit from appropriate limitation of short-to-ground current. For example, sensor systems may benefit from a voltage sensing mechanism to minimize short-to-ground current for low drop-out and bypass mode regulators. A system can include a first power transistor configured to operate in a low drop-out mode. The system can also include a short to ground sensor configured to control current to the first power transistor. The short to ground sensor can be configured to limit a maximum short-circuit current below a predefined load current capability.
G05F 1/569 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final sensible à une condition du système ou de sa charge en plus des moyens sensibles aux écarts de la sortie du système, p. ex. courant, tension, facteur de puissance à des fins de protection
G05F 1/575 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final caractérisé par le circuit de rétroaction
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation
G05F 3/24 - Régulation de la tension ou du courant là où la tension ou le courant sont continus utilisant des dispositifs non commandés à caractéristiques non linéaires consistant en des dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des combinaisons diode-transistor dans lesquelles les transistors sont uniquement du type à effet de champ
G05F 1/445 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type alternatif utilisant des tubes à décharge ou des dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale à dispositifs à semi-conducteurs uniquement constitués par des transistors en série avec la charge
21.
Angular position sensor and associated method of use
An angular position sensor comprising at least one planar excitation coil and at least two planar sensing coils positioned within an interior of the at least one planar excitation coil, each of the at least two planar sensing coils comprising a clockwise winding portion positioned opposite a counter-clockwise winding portion and a rotatable inductive coupling element comprising a sector aperture, the rotatable inductive coupling element positioned in overlying relation to the at least one planar excitation coil and separated from the at least one planar excitation coil by an air gap.
G01B 7/30 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour mesurer des angles ou des cônesDispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour tester l'alignement des axes
G01D 5/20 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p. ex. une armature mobile
A dual level current limit apparatus constituted of: an electronically controlled switch coupled between a load and a line voltage; and a control circuitry arranged to alternately: control said electronically controlled switch to limit the magnitude of current flowing therethrough responsive to the difference between a predetermined first function of the current magnitude and a predetermined reference voltage, and control said electronically controlled switch to limit the magnitude of current flowing therethrough responsive to the difference between said first function of the current magnitude and a predetermined second function of the load voltage.
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
An angular rotation sensor system constituted of: an input shaft target and an output shaft target each comprising a plurality of members parallel to a longitudinal axis of an input shaft or output shaft; a gear target with an angular velocity exhibiting a predetermined ratio with an angular velocity of the input shaft, the gear target comprising a plurality of members, each extending away from the input shaft and orthogonal to a plane which is parallel to the longitudinal axis of the input shaft; and a control circuitry arranged to: determine an angular position of the input shaft responsive to a sensed angular rotation of the input shaft target and a sensed angular rotation of the gear target; and determine the amount of torque applied to the input shaft responsive to the sensed angular rotation of the input shaft target and a sensed angular rotation of the output shaft target.
B62D 6/10 - Dispositions pour la commande automatique de la direction en fonction des conditions de conduite, qui sont détectées et pour lesquelles une réaction est appliquée, p. ex. circuits de commande réagissant uniquement au couple d'entrée caractérisées par les moyens pour détecter le couple
B62D 15/02 - Indicateurs de direction ou aides de direction
An angular rotation sensor system constituted of: an input shaft target and an output shaft target each comprising a plurality of members parallel to a longitudinal axis of an input shaft or output shaft; a gear target with an angular velocity exhibiting a predetermined ratio with an angular velocity of the input shaft, the gear target comprising a plurality of members, each extending away from the input shaft and orthogonal to a plane which is parallel to the longitudinal axis of the input shaft; and a control circuitry arranged to: determine an angular position of the input shaft responsive to a sensed angular rotation of the input shaft target and a sensed angular rotation of the gear target; and determine the amount of torque applied to the input shaft responsive to the sensed angular rotation of the input shaft target and a sensed angular rotation of the output shaft target.
G01L 5/00 - Appareils ou procédés pour la mesure des forces, du travail, de la puissance mécanique ou du couple, spécialement adaptés à des fins spécifiques
G01L 5/26 - Appareils ou procédés pour la mesure des forces, du travail, de la puissance mécanique ou du couple, spécialement adaptés à des fins spécifiques pour déterminer la caractéristique de couple en fonction du nombre de tours par unité de temps
B62D 15/02 - Indicateurs de direction ou aides de direction
G01D 5/00 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière
B62D 6/10 - Dispositions pour la commande automatique de la direction en fonction des conditions de conduite, qui sont détectées et pour lesquelles une réaction est appliquée, p. ex. circuits de commande réagissant uniquement au couple d'entrée caractérisées par les moyens pour détecter le couple
G01D 5/20 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p. ex. une armature mobile
B62D 5/04 - Direction assistée ou à relais de puissance électrique, p. ex. au moyen d'un servomoteur relié au boîtier de direction ou faisant partie de celui-ci
A high power, high current Unidirectional Transient Voltage Suppressor, formed on SiC starting material is disclosed. The device is structured to avalanche uniformly across the entire central part (active area) such that very high currents can flow while the device is reversely biased. Forcing the device to avalanche uniformly across designated areas is achieved in different ways but consistently in concept, by creating high electric fields where the device is supposed to avalanche (namely the active area) and by relaxing the electric field across the edge of the structure (namely in the termination), which in all embodiments meets the conditions for an increased reliability under harsh environments.
H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
A hysteretic power converter constituted of: a switched mode power supply comprising an inductor, an electronically controlled switch and an output capacitor, the switch arranged to alternately open and close a loop with the inductor and a power source; a hysteretic comparator, a first input coupled to a feedback connection and arranged to receive from the feedback connection a feedback signal providing a first representation of the voltage across the output capacitor, the electronically controlled switch opened and closed responsive to an output of the hysteretic comparator; a reference voltage source arranged to generate a reference voltage, the generated reference voltage coupled to a second input of the hysteretic comparator; and a voltage coupler, the voltage coupler arranged to couple a second representation of the voltage across the output capacitor to the second input of the hysteretic comparator, such that the second representation is added to the generated reference voltage.
H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
High power multi-chip module packages for packaging semiconductor dice are disclosed. The disclosed packages have an output power of at least 1 kilowatt (kW) and can have an operating signal frequency in a range of hundreds of MHz. The high power multi-chip module packages have base plates with multiple planes or layers that can be conductive and may be thin metal layers in some examples. The multiple planes are formed and overlaid in such a way that they help reduce stray inductance values caused by the packaging itself, which improves overall device operation and efficiency. Current loops created when one of the multi-chip modules is in a turn-on condition are balanced and opposed and generate a minimized B-Field that is restricted by the manner in which the multiples planes of the base plate are overlaid, thus reducing the stray inductance values and improving device operation.
H01H 47/00 - Circuits autres que ceux appropriés à une application particulière du relais et prévue pour obtenir une caractéristique de fonctionnement donnée ou pour assurer un courant d'excitation donné
Various high voltage systems may benefit from a suitable relay system. For example, a relay box may be provided with a shock and vibration resistant arrangement including a sealed coil box within the sealed relay box. For example, an apparatus can include a coil box containing coils, inside pole pieces, and permanent magnets, wherein the coils, inside pole pieces, and permanent magnets can be configured to actuate an armature assembly external to the coil box. The apparatus can also include outside pole pieces configured to move a relay armature of the armature assembly responsive to energizing of the coils. Moving the relay armature can include overcoming a latching of at least one of the permanent magnets.
H01H 50/24 - Éléments rotatifs ou basculants à l'extérieur de la bobine
H01H 51/01 - Relais dans lesquels l'armature est maintenue dans une position par un aimant permanent et libérée par l'excitation d'une bobine produisant un champ magnétique opposé
H01H 51/28 - Relais dont l'armature et les contacts se trouvent dans une enveloppe scellée, à l'extérieur de laquelle est disposée la bobine de commande, p. ex. contact entraîné par un ressort à lames ou une tige magnétiques
Various high voltage systems may benefit from a suitable relay system. For example, a relay box may be provided with a shock and vibration resistant arrangement including a sealed coil box within the sealed relay box. For example, an apparatus can include a coil box containing coils, inside pole pieces, and permanent magnets, wherein the coils, inside pole pieces, and permanent magnets can be configured to actuate an armature assembly external to the coil box. The apparatus can also include outside pole pieces configured to move a relay armature of the armature assembly responsive to energizing of the coils. Moving the relay armature can include overcoming a latching of at least one of the permanent magnets.
B01D 53/02 - Séparation de gaz ou de vapeursRécupération de vapeurs de solvants volatils dans les gazÉpuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p. ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols par adsorption, p. ex. chromatographie préparatoire en phase gazeuse
H01H 50/64 - Dispositions d'entraînement entre en élément mobile de circuit magnétique et un contact
H01H 50/24 - Éléments rotatifs ou basculants à l'extérieur de la bobine
H01H 51/01 - Relais dans lesquels l'armature est maintenue dans une position par un aimant permanent et libérée par l'excitation d'une bobine produisant un champ magnétique opposé
H01H 51/28 - Relais dont l'armature et les contacts se trouvent dans une enveloppe scellée, à l'extérieur de laquelle est disposée la bobine de commande, p. ex. contact entraîné par un ressort à lames ou une tige magnétiques
B01D 53/04 - Séparation de gaz ou de vapeursRécupération de vapeurs de solvants volatils dans les gazÉpuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p. ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols par adsorption, p. ex. chromatographie préparatoire en phase gazeuse avec adsorbants fixes
H01H 50/04 - Montage complet de relais ou d'éléments de relais sur un support ou à l'intérieur d'une enveloppe
A respective electronically controlled switch is provided in series with the output of each PD. A control circuit having a timer functionality is further provided, with the electronically controlled switches responsive to the control circuit. Upon detection that a second PD, defined temporally, is provided with operating power, the respective electronically controlled switch is maintained open for a predetermined hold-off time period sufficient to ensure detection by the respective PD control state machine of the completion of startup. After expiration of the predetermined hold-off time period, the respective electronically controlled switch is closed thus enabling normal operation.
A power detector constituted of: a transconductance element arranged to output a rectified detection current, the magnitude thereof arranged to increase exponentially responsive to a linear increase in the amplitude of an input signal; and at least one p-n junction based device, a function of the rectified 5 detection current arranged to flow there through. The output of the power detector is a function of the voltage across the at least one p-n junction based device.
G01R 21/10 - Dispositions pour procéder aux mesures de la puissance ou du facteur de puissance en utilisant des caractéristiques quadratiques d'éléments de circuit, p. ex. des diodes, pour mesurer la puissance absorbée par des charges d'impédance connue
H03G 3/30 - Commande automatique dans des amplificateurs comportant des dispositifs semi-conducteurs
A power detector constituted of: a transconductance element arranged to output a rectified detection current, the magnitude thereof arranged to increase exponentially responsive to a linear increase in the amplitude of an input signal; and at least one p-n junction based device, a function of the rectified detection current arranged to flow there through. The output of the power detector is a function of the voltage across the at least one p-n junction based device.
G01R 21/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de la puissance ou du facteur de puissance
G01R 19/22 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe utilisant la conversion d'un courant alternatif en courant continu
G01R 21/10 - Dispositions pour procéder aux mesures de la puissance ou du facteur de puissance en utilisant des caractéristiques quadratiques d'éléments de circuit, p. ex. des diodes, pour mesurer la puissance absorbée par des charges d'impédance connue
H03G 3/30 - Commande automatique dans des amplificateurs comportant des dispositifs semi-conducteurs
A high power, high current Unidirectional Transient Voltage Suppressor, formed on SiC starting material is disclosed. The device is structured to avalanche uniformly across the entire central part (active area) such that very high currents can flow while the device is reversely biased. Forcing the device to avalanche uniformly across designated areas is achieved in different ways but consistently in concept, by creating high electric fields where the device is supposed to avalanche (namely the active area) and by relaxing the electric field across the edge of the structure (namely in the termination), which in all embodiments meets the conditions for an increased reliability under harsh environments.
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
A powering arrangement for use with reverse power feeding arranged to detect an improperly connected POTS phone going off-hook by: measuring a first current flow from a power sourcing equipment; identifying a rapid first increase in current flow from the measured first current flow, the rapid increase defined as a rate of change greater than a predetermined minimum rate of change; identifying a second increase in current flow from the measured first current flow, the identified second increase greater than a predetermined minimum amount; confirming that the identified second increase in current flow is maintained for at least a predetermined amount of time beginning with the identified first increase in current flow; and outputting an error signal to the power sourcing equipment in the event of the identified condition.
A powering arrangement for use with reverse power feeding arranged to detect an improperly connected POTS phone going off-hook by: measuring a first current flow from a power sourcing equipment; identifying a rapid first increase in current flow from the measured first current flow, the rapid increase defined as a rate of change greater than a predetermined minimum rate of change; identifying a second increase in current flow from the measured first current flow, the identified second increase greater than a predetermined minimum amount; confirming that the identified second increase in current flow is maintained for at least a predetermined amount of time beginning with the identified first increase in current flow; and outputting an error signal to the power sourcing equipment in the event of the identified condition.
H04M 3/08 - Indication des défauts dans des circuits ou des appareils
H04M 3/22 - Dispositions de supervision, de contrôle ou de test
H04M 1/00 - Équipement de sous-station, p. ex. pour utilisation par l'abonné
H04M 3/14 - Indication des défauts dans des circuits ou des appareils signalant l'existence de l'état "décroché" permanent
H04M 19/02 - Dispositions d'alimentation de courant pour systèmes téléphoniques fournissant un courant de sonnerie ou des tonalités de surveillance, p. ex. tonalité de numérotation ou tonalité d’occupation
H04M 3/30 - Test de service automatique pour les lignes d'abonnés
H04M 19/08 - Dispositions d'alimentation de courant pour systèmes téléphoniques avec des sources d'alimentation de courant aux sous-stations
Inductive displacement sensors and methods of using them may be useful in a variety of contexts. For example, systems for precisely measuring linear or angular motion may use inductive displacement sensors to measure changes in position. An apparatus, such as a sensor, can include a primary inductor. The apparatus can also include a first secondary inductor that is field-coupled to the primary inductor. The apparatus can further include a second secondary inductor that is field-coupled to the primary inductor. The first secondary inductor and the second secondary inductor can be configured as coordinated inductors to detect motion of a coupler. The coordinated inductors can be configured to provide a reference signal and a measurement signal, wherein the reference signal has a constant amplitude across a range of motion of the coupler.
G01D 5/22 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p. ex. une armature mobile influençant deux bobines par une action différentielle
Inductive displacement sensors and methods of using them may be useful in a variety of contexts. For example, systems for precisely measuring linear or angular motion may use inductive displacement sensors to measure changes in position. An apparatus, such as a sensor, can include a primary inductor. The apparatus can also include a first secondary inductor that is field-coupled to the primary inductor. The apparatus can further include a second secondary inductor that is field-coupled to the primary inductor. The first secondary inductor and the second secondary inductor can be configured as coordinated inductors to detect motion of a coupler. The coordinated inductors can be configured to provide a reference signal and a measurement signal, wherein the reference signal has a constant amplitude across a range of motion of the coupler.
G01B 7/12 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour mesurer des diamètres
G01D 5/20 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p. ex. une armature mobile
G01D 5/22 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p. ex. une armature mobile influençant deux bobines par une action différentielle
A power supply unit (120) includes a plurality of the interface ports (132) and a plurality of power delivery units (130), each coupled to one of the interface ports (132) and configured to extract power from data signals communicated over the interface ports (132) by remote devices (110). A sharing circuit (145) is coupled to each of the power delivery units (130) for generating a power supply voltage from the power extracted from the data signals. A controller (155) is configured to generate a communication line power loss estimate for each of the interface ports (132) and configure the power delivery units to balance amounts of power supplied by each of the remote devices (110) based on the communication line power loss estimates.
H04L 12/24 - Dispositions pour la maintenance ou la gestion
H04L 12/28 - Réseaux de données à commutation caractérisés par la configuration des liaisons, p. ex. réseaux locaux [LAN Local Area Networks] ou réseaux étendus [WAN Wide Area Networks]
H04Q 11/00 - Dispositifs de sélection pour systèmes multiplex
H04M 19/08 - Dispositions d'alimentation de courant pour systèmes téléphoniques avec des sources d'alimentation de courant aux sous-stations
A power supply unit includes a plurality of the interface ports and a plurality of power delivery units, each coupled to one of the interface ports and configured to extract power from data signals communicated over the interface ports by remote devices. A sharing circuit is coupled to each of the power delivery units for generating a power supply voltage from the power extracted from the data signals. A controller is configured to generate a communication line power loss estimate for each of the interface ports and configure the power delivery units to balance amounts of power supplied by each of the remote devices based on the communication line power loss estimates.
H04L 12/28 - Réseaux de données à commutation caractérisés par la configuration des liaisons, p. ex. réseaux locaux [LAN Local Area Networks] ou réseaux étendus [WAN Wide Area Networks]
H04M 19/08 - Dispositions d'alimentation de courant pour systèmes téléphoniques avec des sources d'alimentation de courant aux sous-stations
H04Q 11/00 - Dispositifs de sélection pour systèmes multiplex
H04L 12/24 - Dispositions pour la maintenance ou la gestion
Apparatuses and methods for sensing rotations are provided. One embodiment provides an apparatus including a cell containing alkali and active nuclear magnetic resonance (NMR) isotope(s) atoms, a magnet providing a first magnetic field, a light source emitting diverging light that passes through the cell, and optics which circularly polarize the diverging light. A longitudinal component of the diverging light optically pumps the alkali atoms and, in conjunction with a second magnetic field orthogonal to the first magnetic field or a modulation of the diverging light, causes the alkali and NMR isotope atoms to precess about the first field. A transverse component of the diverging light acts as a probe beam for observing the precession. The apparatus further includes a polarizing beam splitter to split light that has passed through the cell into orthogonally polarized components detected by respective photodetectors and used to determine rotations relative to an inertial frame.
A current sensing system constituted of: an impedance element; a switching network arranged to alternately couple a first end of the impedance element between a supply voltage and return, the impedance element arranged to develop a voltage there across reflecting a current flow to a load coupled to the second end of the impedance element; a first stage amplifier, a first and second input thereof respectively coupled to the first and second end of the impedance element, a power supply input thereof coupled to a voltage greater than the supply voltage and a return thereof coupled to the first end of the impedance element, the amplifier having a first and second output, the potential difference reflecting the impedance element voltage times a first stage gain; and a second stage amplifier, a first and second input thereof respectively coupled to a first and second output of the first stage amplifier.
H03F 3/217 - Amplificateurs de puissance de classe DAmplificateurs à commutation
H03F 3/68 - Combinaisons d'amplificateurs, p. ex. amplificateurs à plusieurs voies pour stéréophonie
H03F 3/343 - Amplificateurs de courant continu dans lesquels tous les étages sont couplés en courant continu comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
A current sensing system constituted of: an impedance element; a switching network arranged to alternately couple a first end of the impedance element between a supply voltage and return, the impedance element arranged to develop a voltage there across reflecting a current flow to a load coupled to the second end of the impedance element; a first stage amplifier, a first and second input thereof respectively coupled to the first and second end of the impedance element, a power supply input thereof coupled to a voltage greater than the supply voltage and a return thereof coupled to the first end of the impedance element, the amplifier having a first and second output, the potential difference reflecting the impedance element voltage times a first stage gain; and a second stage amplifier, a first and second input thereof respectively coupled to a first and second output of the first stage amplifier.
G01R 27/08 - Mesure de la résistance par mesure à la fois de la tension et de l'intensité
G01R 27/26 - Mesure de l'inductance ou de la capacitanceMesure du facteur de qualité, p. ex. en utilisant la méthode par résonanceMesure de facteur de pertesMesure des constantes diélectriques
G01R 1/30 - Combinaison structurelle d'appareils de mesures électriques avec des circuits électroniques fondamentaux, p. ex. avec amplificateur
G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
G05G 1/40 - Organes de commande actionnés par le pied réglables
H03F 3/217 - Amplificateurs de puissance de classe DAmplificateurs à commutation
H03F 3/343 - Amplificateurs de courant continu dans lesquels tous les étages sont couplés en courant continu comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H03F 3/68 - Combinaisons d'amplificateurs, p. ex. amplificateurs à plusieurs voies pour stéréophonie
A multiple output power converter constituted of: an inductance element arranged, responsive to a switching circuit to receive power and arranged to output a function of the received power for a predetermined time period, the secondary side exhibiting a predetermined voltage during the predetermined time period; a control circuitry arranged to switch the switching circuit so as to maintain a first output at a predetermined level; a second output; and an electronically controlled switch arranged to be alternately in a closed state and an open state, the second output arranged to receive or not receive a portion of the output power responsive to the state, the switch set in synchronization with the switching circuit.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
A power factor correction (PFC) power converter is disclosed that converts AC input power to DC output power. A single stage of the PFC power converter performs both the DC-DC power conversion and the power factor correction for the power converter. The disclosed PFC power converters are efficient in energy conversion and have a power factor of 0.9-1.0. Further, the disclosed PFC power converters can be implemented in both low and high power applications above 75 W.
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
A wake-up system includes an instigator for transmitting a wake-up message from a primary node to a receiver at a secondary node. The instigator sends a wake-up on either first RF channel or a second RF channel having respective frequencies such that the second RF channel is an image of the first RF channel at a local oscillator frequency of the receiver. The receiver includes an RF filter that passes both the image and non-image channels, a frequency generator for generating a local oscillator signal at the local oscillator frequency, and a mixer for mixing the filtered modulated RF signal with said local oscillator signal to generate a modulated intermediate frequency (IF) signal. The receiver monitors both the image and non-image channels simultaneously for a valid wake-up message. A wake-up message detector indicates a wake-up condition in response to the reception of a valid wake-up message.
In a method of establishing communication between a primary node and secondary nodes over communications channels, the secondary nodes are placed in a sleep state in the absence of active communications and are responsive to a wake-up message transmitted over the one or more communications channels from the primary node to enter a wake-up state. A wake-up message is sent from an instigator at the primary node to a receptor at a said secondary node. The communications channels with the receptor at said secondary node are periodically sniffed for a valid wake-up message. In response to reception of a valid wake-up message the receptor places the secondary node in the wake-up state. The instigator and receptor employ a selected operational mode being defined by the timing of the wake-up message and sniff pattern at the receptor. The selected operational mode is changed to suit different channel conditions.
A voltage regulator includes an input terminal, an output terminal, a control circuitry, a buck mode switching converter, and a low dropout regulator circuit. The buck mode switching converter is arranged to convert a voltage signal received at the input terminal to a first voltage signal at the output terminal responsive to a first predetermined signal output from the control circuitry. The buck mode switching converter includes an electronically controlled switch in communication with an energy storage element. The low dropout regulator circuit is coupled between the input terminal and the output terminal and includes a linear circuit and is arranged to control a voltage drop across the linear circuit so as to provide a second voltage signal at the output terminal responsive to a second predetermined signal output from the control circuitry.
G05F 1/575 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final caractérisé par le circuit de rétroaction
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
A Vertical Multiple Implanted Silicon Carbide Power MOSFET (VMIMOSFET) includes a first conductivity semiconductor substrate, a first conductivity semiconductor drift layer on the top of the substrate, a multitude of second conductivity layers implanted in the drift layer. The body layer is where the channel is formed. A first conductivity source layer is interspaced appropriately inside of the second conductivity layers. A gate oxide of a certain thickness and another oxide of a different thickness, a greater thickness than the gate oxide, placed in between the body layers but in such way that its shape does not distort the gate oxide in the channel. A charge compensated body layer of the second conductivity formed outside of the channel region and only at specific high electric field locations in the structure. The device and the manufacturing method deliver a power SiC MOSFET with increased frequency of operation and reduced switching losses.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
A system can include a semiconductor die having a first side and a second side opposite the first side. The system can also include a first slug coupled to a portion of the first side of the die. The system can further include a second slug coupled to a portion of the second side of the die. The system can additionally include an insulating material voidlessly encapsulating the die. The first slug can include a first portion having a first width in proximity to the die and a second portion having a second width. The first portion can be closer than the second portion to the die and the first width can be smaller than the second width.
H01L 23/051 - ConteneursScellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur une autre connexion étant constituée par le couvercle parallèle à la base, p. ex. du type "sandwich"
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/488 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées
A system can include a semiconductor die having a first side and a second side opposite the first side. The system can also include a first slug coupled to a portion of the first side of the die. The system can further include a second slug coupled to a portion of the second side of the die. The system can additionally include an insulating material voidlessly encapsulating the die. The first slug can include a first portion having a first width in proximity to the die and a second portion having a second width. The first portion can be closer than the second portion to the die and the first width can be smaller than the second width.
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/051 - ConteneursScellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur une autre connexion étant constituée par le couvercle parallèle à la base, p. ex. du type "sandwich"
H01L 23/488 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées
51.
SIC POWER VERTICAL DMOS WITH INCREASED SAFE OPERATING AREA
A SiC Power Semiconductor device of the Field Effect Type (MOSFET, IGBT or the like) with "muted" channel conduction in some cells and with negative temperature coefficient of channel mobility, allowing an optimized thermal management of the cells for increased Safe Operating Area is described. Controlling the location of the Zero Temperature Crossover Point (ZTCP) in relationship to the drain current is achieved by the partition between the "active" and "inactive" ("muted") channels and by adjusting the mobility of the carriers in the channel for the temperature range of interest. The "Thermal management" is realized by surrounding the "active" cells/fingers with "inactive" ones and the "negative" feedback of the drain/collector current due to local increase of the gate bias is achieved by implementing in-situ "ballast" resistors inside of each source contact, among other possibilities.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
52.
Hysteretic current mode control converter with low, medium and high current thresholds
A converter constituted of: an inductor; a plurality of electronically controlled switches; and a control circuitry arranged to operate in a buck-boost mode responsive to the output voltage of the converter being within a predetermined range of the input voltage of the converter, the control circuitry arranged in the buck-boost mode: responsive to a current flowing through the inductor being lower than a predetermined low current threshold, to control the switches to couple the inductor between the input voltage and a common potential; responsive to the current flowing through the inductor being greater than a predetermined medium current threshold, to control the switches to couple the inductor between the input voltage and the output voltage; and responsive to the current flowing through the inductor being greater than a predetermined high current threshold, to control the switches to couple the inductor between the output voltage and the common potential.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
G05F 1/10 - Régulation de la tension ou de l'intensité
A Vertical Multiple Implanted Silicon Carbide Power MOSFET (VMIMOSFET) includes a first conductivity semiconductor substrate, a first conductivity semiconductor drift layer on the top of the substrate, a multitude of second conductivity layers implanted in the drift layer. The body layer is where the channel is formed. A first conductivity source layer is interspaced appropriately inside of the second conductivity layers. A gate oxide of a certain thickness and another oxide of a different thickness, a greater thickness than the gate oxide, placed in between the body layers but in such way that its shape does not distort the gate oxide in the channel. A charge compensated body layer of the second conductivity formed outside of the channel region and only at specific high electric field locations in the structure. The device and the manufacturing method deliver a power SiC MOSFET with increased frequency of operation and reduced switching losses.
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
54.
SOLID-STATE PHOTODETECTOR WITH VARIABLE SPECTRAL RESPONSE
A solid-state photodetector with variable spectral response that can produce a narrow or wide response spectrum of incident light. Some embodiments include a solid-state device structure that includes a first photodiode and a second photodiode that share a common anode region. Bias voltages applied to the first photodiode and/or the second photodiode may be used to control the thicknesses of depletion regions of the photodiodes and/or a common anode region to vary the spectral response of the photodetector. Thickness of the depletion regions and/or the common anode region may be controlled based on resistance between multiple contacts of the common anode region and/or capacitance of the depletion regions. Embodiments include control circuits and methods for determining spectral characteristics of incident light using the variable spectral response photodetector.
A SIC VDMOS transistor is integrated with a SiC SBD, in a seamless way, without any increase of the device area. The SiC SBD is integrated in the active area of the VDMOS by splitting the P- Wells, such that the lightly doped drift region extents all the way to the surface of semiconductor, and by trenching through the source of the VDMOS and partially through the P- Wells to reach the peak of the P-type doping in the P-Well regions. The source of the VDMOS is contacted from the top surface and from the vertical sidewalls of the trenched source and the forward voltage of the Schottky Barrier diode is tailored by using two different metals for the ohmic contact on the source and for the SBD.
Devices and methods for correcting for start-up transients in integrated power amplifiers are disclosed. A delay element (116) is arranged to produce a delay waveform signal that is responsive to an input voltage signal. A transconductance element (118) has an input that receives the delay waveform signal and is arranged to provide an output boost current (102) that is based on the delay waveform signal and a gain of the transconductance element. A reference element (104) provides an output bias current (108) that is responsive to a static reference current (106) and the boost current (102). A bias element (110) has an input that receives the bias current (108) and is arranged to provide a bias control output (112). A power amplifier (114) is responsive to the bias control output (112) and is arranged to provide an amplified power output (RFOUT).
H03F 1/30 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence des variations de la température ou de la tension d'alimentation
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 3/19 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
57.
POWER OVER ETHERNET FOR BI-DIRECTIONAL ETHERNET OVER SINGLE PAIR
A magnetics based hybrid circuit, comprising a receiver side transformer and a transmitter side transformer is described. Power is supplied via respective inductive elements coupled to respective first end of the receiver side transformer and the transmitter side transformer. A DC blocking element is further provided in series between the second end of the receiver side primary winding and the second end of the transmitter side primary winding.
A power amplifier has power detection capabilities that include a radio frequency (RF) power amplifier that has a gain stage that includes a gain stage input, a gain stage output, and a feedback loop coupled between an input and an output of the power amplifier. A detection circuit has a first detection circuit input electrically coupled to the gain stage input and has a detection circuit output. An amplitude control circuit and a phase control circuit are electrically coupled together in series between the gain stage output and a second detection circuit input. The amplitude control circuit and the phase control circuit produce a signal that is received by the second detection circuit input so that the detection circuit can detect a signal at the detection circuit output that is proportional to a the forward power output of the power amplifier and is insensitive to power amplifier output load mismatch.
A magnetics based hybrid circuit, comprising a receiver side transformer and a transmitter side transformer is described. Power is supplied via respective inductive elements coupled to respective first end of the receiver side transformer and the transmitter side transformer. A DC blocking element is further provided in series between the second end of the receiver side primary winding and the second end of the transmitter side primary winding.
A Vertical Multiple Implanted Silicon Carbide Power MOSFET (VMIMOSFET) includes a first conductivity semiconductor substrate, a first conductivity semiconductor drift layer on the top of the substrate, a multitude of second conductivity layers implanted in the drift layer. The body layer is where the channel is formed. A first conductivity source layer is interspaced appropriately inside of the second conductivity layers. A gate oxide of a certain thickness and another oxide of a different thickness, a greater thickness than the gate oxide, placed in between the body layers but in such way that its shape does not distort the gate oxide in the channel. A charge compensated body layer of the second conductivity formed outside of the channel region and only at specific high electric field locations in the structure. The device and the manufacturing method deliver a power SiC MOSFET with increased frequency of operation and reduced switching losses.
A vertical-sidewall dual-mesa static induction transistor (SIT) structure includes a silicon carbide substrate having a layer arrangement formed thereon. Laterally spaced ion implanted gate regions are defined in the layer arrangement. Source regions are defined in the layer arrangement. Each of the source regions can include a channel mesa having a source mesa disposed thereon. The source mesa includes upright sidewalls relative to a principal plane of the substrate defining a horizontal dimension thereof. The channel mesa includes upright sidewalls relative to the source mesa and the principal plane of the substrate. Also disclosed is a method of fabricating a vertical-sidewall dual-mesa SiC transistor device. The method includes implanting ions at an angle relative to a principal plane of the substrate to form gate junctions in upper portions of the substrate and lateral portions of the upright channel mesas.
A Vertical Power MOSFET (VDMOS) device with special features that enable the Power MOSFET or IGBT device to withstand harsh radiation environments and the process of making such a device is described. All implanted and diffused layers are “self aligned” to a “Sacrificial Poly” layer, which later on is removed, preparing the wafers for a “late gate” oxide to be grown. A starting material with graded doping profile in the epitaxial layer on the substrate is shown to increase the SEB capability of the Power MOSFET.
A high voltage power semiconductor device includes high reliability-high voltage junction termination with a charge dissipation layer. An active device area is surrounded by a junction termination structure including one or more regions of a polarity opposite the substrate polarity. A tunneling oxide layer overlays the junction termination area surrounding the active device area in contact with the silicon substrate upper surface. A layer of undoped polysilicon overlays the tunneling oxide layer and spans the junction termination area, with connections to an outer edge of the junction termination structure and to a grounded electrode inside of the active area. The tunneling oxide layer has a thickness that permits hot carriers formed at substrate upper surface to pass through the tunneling oxide layer into the undoped polysilicon layer to be dissipated but sufficient to mitigate stacking faults at the silicon surface.
A traveling wave amplifier includes a tapered attenuator network for mitigating the effects of DC bias inductor self-resonance. The amplifier includes a gain stages connected in a ladder network for successively amplifying a forward traveling wave caused by an input signal to produce an output signal. A back termination is coupled to the gain stages to absorb backwards traveling waves created by reflections from the gain stages and an output of the amplifier. An inductive DC bias circuit is coupled to the gain stages near the back termination for providing DC bias to the gain stages. A tapered multi-section frequency selective attenuator network is connected between the DC bias circuit and a first one of the gain stages for reducing the effect of self-resonance of the inductive DC bias circuit on the output signal.
A SiC Power Semiconductor device of the Field Effect Type (MOSFET, IGBT or the like) with “muted” channel conduction, negative temperature coefficient of channel mobility, in situ “ballasted” source resistors and optimized thermal management of the cells for increased Safe Operating Area is described. Controlling the location of the Zero Temperature Crossover Point (ZTCP) in relationship to the drain current is achieved by the partition between the “active” and “inactive” channels and by adjusting the mobility of the carriers in the channel for the temperature range of interest. The “Thermal management” is realized by surrounding the “active” cells/fingers with “inactive” ones and the “negative” feedback of the drain/collector current due to local increase of the gate bias is achieved by implementing in-situ “ballast” resistors inside of each source contact.
A hysteretic power converter (100) constituted of: a switched mode power supply (40); a hysteretic comparator (20), a first input (FB) of the comparator arranged to receive a feedback signal providing a representation of the output voltage of the switched mode power supply and a second input (VREF) of the comparator arranged to receive a reference voltage; a ramp capacitor (180) coupled to one of the first and second input of the comparator; a current source (140), a terminal of the current source coupled to the ramp capacitor and arranged to drive current to the ramp capacitor; and a switchable current source (150), a terminal of the switchable current source coupled to the ramp capacitor, the switchable current source (150) arranged to drive current to the ramp capacitor in a direction opposite the current driven by the current source (140), wherein the switchable current source is alternately enabled and disabled responsive to the output of the hysteretic comparator (20).
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H03K 3/3565 - Circuits bistables bistables avec hystérésis, p. ex. déclencheur de Schmitt
A hysteretic power converter constituted of: a switched mode power supply; a hysteretic comparator, a first input of the comparator arranged to receive a feedback signal providing a representation of the output voltage of the switched mode power supply and a second input of the comparator arranged to receive a reference voltage; a ramp capacitor coupled to one of the first and second input of the comparator; a current source, a terminal of the current source coupled to the ramp capacitor and arranged to drive current to the ramp capacitor; and a switchable current source, a terminal of the switchable current source coupled to the ramp capacitor, the switchable current source arranged to drive current to the ramp capacitor in a direction opposite the current driven by the current source, wherein the switchable current source is alternately enabled and disabled responsive to the output of the hysteretic comparator.
G05F 1/595 - Dispositifs à semi-conducteurs connectés en série
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
68.
Difference amplifier arrangement with transconductance amplifier based current compensation
An amplifier arrangement constituted of: a first input lead; a second input lead; a difference amplifier; a first buffer, the input of the first buffer coupled to the first input lead, the output of the first buffer coupled to a first input of the difference amplifier; a second buffer, the input of the second buffer coupled to the second input lead, the output of the second buffer coupled to a second input of the difference amplifier; and a transconductance amplifier, the non-inverting input and the non-inverted output of the transconductance amplifier coupled to the first input of the difference amplifier, the inverting input and the inverted output of the transconductance amplifier coupled to the second input of the difference amplifier. The input signals are thus buffered and the offset of the buffers are compensated for.
A safety mechanism for a solar cell group, the safety mechanism constituted of: a signal receiver arranged to assert a permissive signal indicative of reception by the signal receiver of a predetermined signal; an electronically controlled switch arranged to provide in a closed state an effective short circuit across the output of the solar cell group responsive to the absence of the asserted permissive signal of the signal receiver; and a power harvester in communication with the solar cell group and arranged to provide electric power to the signal receiver when the electronically controlled switch is the closed state.
H02H 3/00 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion
H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
70.
Signal acquisition circuit for detecting a wanted signal in the presence of an unwanted signal
A signal acquisition circuit detects a wanted signal in a composite signal containing the wanted signal and an unwanted signal, where the highest frequency in the unwanted signal is higher than the highest frequency in the wanted signal. A sensor captures the composite signal and an analog-to-digital converter samples and converts the composite signal to digital format, and a filter subtracts the unwanted signal from the composite signal. The sampled signal contains a first component containing the sum of the wanted signal and the unwanted signal sampled at a first rate at least equal to the Nyquist rate for the wanted signal but less than a second rate that is at least equal to the Nyquist rate for the unwanted signal, and a second component containing the unwanted signal sampled at the second rate. The analog-to-digital converter outputs to the filter a first digital signal containing the first component sampled at the first rate and a second digital signal containing the second component at the second rate. The circuit is useful for detecting a photoplethysmograph signal in the presence of ambient light in a pulse oximetry sensor.
A61B 5/1455 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p. ex. de la concentration des gaz dans le sang ou de la valeur du pH du sang en utilisant des capteurs optiques, p. ex. des oxymètres à photométrie spectrale
A61B 5/00 - Mesure servant à établir un diagnostic Identification des individus
An arrangement wherein a plurality of LED strings are driven with a balanced drive signal, i.e. a drive signal wherein the positive side and negative side are of equal energy over time, is provided. In a preferred embodiment, the drive signal is balanced responsive to a capacitor provided between a switching network and a driving transformer. Balance of current between various LED strings is provided by a balancing transformer.
A driving arrangement for light emitting diode (LED) based illumination constituted of: a comparison circuitry arranged to compare an integral of a target current over a target illumination time for at least one LED based luminaire with an integral of an illumination current over an illumination time for the at least one LED based luminaire, the comparison circuitry arranged to output a comparison signal; and a control circuitry in communication with the comparison circuitry and arranged to alternately: allow the flow of electrical current through the at least one LED based luminaire responsive to a first condition of the comparison signal; and prevent the flow of electrical current through the at least one LED based luminaire responsive to a second condition of the comparison signal, the second condition different from the first condition.
A millimeter wave energy sensing wand is disclosed. In a particular embodiment, the wand includes a housing adapted to be grasped by a hand of an operator, at least one pixel contained within the housing, where the at least one pixel adapted to detect millimeter or terahertz wave energy emissions, and an alarm, where the alarm is activated when an anomaly of the millimeter wave energy emissions is detected. In addition, the wand may include a digital signal processor for processing millimeter wave emissions detected by the at least one pixel to determine millimeter wave energy values and a memory device for storing the millimeter wave energy values. A comparison module or other similar means may be used for comparing the millimeter wave energy values detected by the at least one pixel to a background millimeter wave energy value that may be a moving average or an absolute value.
A hysteretic power converter wherein an additional adjustment circuit, implemented as an offset correction loop, adds an offset to the comparator detection function to reduce the difference between the average output voltage and the regulation set point voltage. The adjustment circuit lies outside the main hysteretic regulation loop and therefore does not substantially impact the response time of the hysteretic loop, and is slow acting responsive to a low pass filter.
G05F 1/40 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type alternatif utilisant des tubes à décharge ou des dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale
A light emitting diode (LED) based luminaire driving arrangement constituted of: a switched driver; a plurality of LED based luminaires arranged to receive power from the switched driver; at least one electronically controlled switch in series with at least one of the plurality of LED based luminaires and arranged to alternatively pass current through the at least one LED based luminaire when closed and prevent the flow of current through the at least one LED based luminaire when opened; and at least one synchronous driver in communication with the at least one electronically controlled switch, the at least one synchronous driver arranged to close the at least one electronically controlled switch only when the switched driver is actively supplying power.
A merged PN/Schottky diode is provided having a substrate of a first conductivity type and a grid of doped wells of the second conductivity type embedded in the substrate. A Schottky barrier metal layer makes a Schottky barrier contact with the surface of the substrate above the grid. Selected embedded wells in the grid may contact the Schottky barrier metal layer, while most embedded wells do not. The diode forward voltage drop is reduced for the same diode area with reverse blocking benefits similar to a conventional JBS structure.
H01L 21/329 - Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
A power source constituted of: a power factor corrector controller; an electronically controlled switch responsive to the power factor corrector controller; a first inductor serially connected with the electronically controlled switch and arranged to pass a direct current there through when the electronically controlled switch is closed; a second inductor magnetically coupled to the first inductor and coupled to provide power to a load in a flyback arrangement; a third inductor magnetically coupled to the first inductor, a first end of the third inductor arranged to provide a representation of the voltage level of the direct current when the electronically controlled switch is closed, and to provide a representation of the voltage level of the power provided to the load when the electronically controlled switch is open; and an off time control circuit in communication with the power factor corrector controller and responsive to the third inductor representations.
G05F 1/00 - Systèmes automatiques dans lesquels les écarts d'une grandeur électrique par rapport à une ou plusieurs valeurs prédéterminées sont détectés à la sortie et réintroduits dans un dispositif intérieur au système pour ramener la grandeur détectée à sa valeur ou à ses valeurs prédéterminées, c.-à-d. systèmes rétroactifs
78.
LED STRING DRIVER WITH NON-DISSIPATIVE REACTANCE BALANCER
A solid state lighting arrangement constituted of: a power source providing a current which is discontinuous in at least one direction; a plurality of light emitting diode (LED) strings arranged to receive the provided current from the power source; and a plurality of reactance elements, each of the plurality of reactance elements arranged in series with a particular one of the plurality of LED strings, such that current flowing from the power source through each of the LED strings creates a voltage drop across the series arranged reactance element, wherein the voltage drop across each of the series arranged reactance elements responsive to the discontinuous current is at least 10 times greater than the maximum difference between the voltage drops among the plurality of LED strings.
G09G 3/34 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante
H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
79.
LED STRING DRIVER ARRANGEMENT WITH NON-DISSIPATIVE CURRENT BALANCER
A solid state lighting driver arrangement exhibiting a plurality of LED strings receiving power from a single power source, the single power source providing a discontinuous current, wherein a plurality of first windings are provided, each associated with a particular LED string and coupled to provide current balancing between the various LED strings. The discontinuous current resets the windings during the off time or during a reversal period. In one particular embodiment, a second winding is magnetically coupled to each of the first windings, and the second windings are connected in a closed in-phase loop. In another particular embodiment, at least two of the first windings are magnetically coupled to each other, thus ensuring a balance between current in each LED string.
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Semiconductor devices, namely, digital, analog, interface, and mixed signal circuits, FPGAs and microcontrollers; software for operating semiconductor devices; software tools for generating operational software for semiconductor devices; semiconductors and integrated circuits; product performance testing and analysis kits consisting of or comprising one or more electronics circuit boards and software; and downloadable electronic publications, namely, application notes, data sheets, periodicals, newsletters, user guides, product overviews, manuals, catalogs, and corporate reports featuring technical information in the field of semiconductors; electronic publications, namely, application notes, data sheets, periodicals, newsletters, user guides, product overviews, manuals, catalogs, and corporate reports featuring technical information in the field of semiconductors all recorded on computer readable media
81.
IMPROVED ARCHITECTURE FOR COEXISTENCE OF MULTIPLE BAND RADIOS
A front end module for use with a first and a second radio frequency transceiver, constituted of: a control circuitry; a first antenna connection port; a second antenna connection port; a filter arranged to substantially attenuate the carrier frequency bandwidth of the second radio frequency transceiver; and a plurality of electronically controlled switches, wherein the control circuitry is arranged to: in the event that the first and second radio frequency transceivers are simultaneously operative, set the plurality of electronically controlled switches to connect the first radio frequency transceiver to one of the first and second antenna connection ports via the filter; and in the event that the first and second radio frequency transceivers are not simultaneously operative, set the plurality of electronically controlled switches to bypass the filter and connect the first radio frequency transceiver to one of the first and second antenna connection ports.
H04B 1/52 - Dispositions hybrides, c.-à-d. dispositions pour la transition d’une transmission bilatérale sur une voie à une transmission unidirectionnelle sur chacune des deux voies ou vice versa
H04B 1/00 - Détails des systèmes de transmission, non couverts par l'un des groupes Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission
82.
Architecture for coexistence of multiple band radios
A front end module for use with a first and a second radio frequency transceiver, constituted of: a control circuitry; a first antenna connection port; a second antenna connection port; a filter arranged to substantially attenuate the carrier frequency bandwidth of the second radio frequency transceiver; and a plurality of electronically controlled switches, wherein the control circuitry is arranged to: in the event that the first and second radio frequency transceivers are simultaneously operative, set the plurality of electronically controlled switches to connect the first radio frequency transceiver to one of the first and second antenna connection ports via the filter; and in the event that the first and second radio frequency transceivers are not simultaneously operative, set the plurality of electronically controlled switches to bypass the filter and connect the first radio frequency transceiver to one of the first and second antenna connection ports.
H04M 1/00 - Équipement de sous-station, p. ex. pour utilisation par l'abonné
H04B 1/00 - Détails des systèmes de transmission, non couverts par l'un des groupes Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission
H04B 1/52 - Dispositions hybrides, c.-à-d. dispositions pour la transition d’une transmission bilatérale sur une voie à une transmission unidirectionnelle sur chacune des deux voies ou vice versa
H04B 7/08 - Systèmes de diversitéSystèmes à plusieurs antennes, c.-à-d. émission ou réception utilisant plusieurs antennes utilisant plusieurs antennes indépendantes espacées à la station de réception
H04W 88/06 - Dispositifs terminaux adapté au fonctionnement dans des réseaux multiples, p. ex. terminaux multi-mode
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Scientific, nautical, surveying, photographic, cinematographic, optical, weighing, measuring, signalling, supervision, life-saving and teaching apparatus and instruments; apparatus and instruments for conducting, switching, transforming, accumulating, regulating or controlling electricity; apparatus for recording, transmission or reproduction of sound or images; magnetic data carriers, recording discs; automatic vending machines and mechanisms for coin operated apparatus; cash registers; calculating machines, data processing equipment and computers; fire-extinguishing apparatus; recorded media, computer hardware and firmware; computer software; software downloadable from the Internet; downloadable electronic publications; compact discs; digital music; telecommunications apparatus; computer games equipment adapted for use with an external display screen or monitor; mouse mats; mobile phone accessories; contact lenses, spectacles and sunglasses; clothing for protection against injury, accident, irradiation or fire; furniture adapted for laboratory use.
84.
Lips backlight control architecture with low cost dead time transfer
A driving circuitry arranged to pass a dead time over an isolation transformer, the driving circuitry constituted of: a three-state driver arranged to output a first signal, the first signal selectively at one of two complementary voltage levels and a high impedance state; a first capacitor, a first end of the first capacitor coupled to receive the first signal; and a first isolation transformer, a first end of a first winding of the first isolation transformer coupled to a second end of the first capacitor.
H05B 41/282 - Circuits dans lesquels la lampe est alimentée par une puissance obtenue à partir de courant continu au moyen d'un convertisseur, p. ex. par courant continu à haute tension utilisant des convertisseurs statiques comportant des dispositifs à semi-conducteurs
A junction device driver is provided that includes a current regulator, an inductor coupled with the current regulator, and a switching module coupled with the inductor. The current regulator is configured to generate a current, and the inductor is configured to store energy generated by the current produced by the current regulator. The switching module is configured to control a conduction current for a gate of a junction device. The conduction current is generated, initially, from the stored energy of the inductor to thereby provide a relatively high initial current. As the energy stored in the inductor is discharged, the current level drops to a lower level that is sufficient to maintain the junction device in an "on" state.
H03K 17/04 - Modifications pour accélérer la commutation
H03K 17/64 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors bipolaires à charges inductives
86.
SAMPLING EXTERNAL VOLTAGE WHICH MAY EXCEED INTEGRATED CIRCUIT MAXIMUM VOLTAGE RATING
An LED driver arrangement wherein a low voltage IC is arranged to sample the voltage at a terminal of each of the respective electronically controlled switches controlling a plurality of LED strings each receiving power from a single source, with the single source providing voltage in excess of the voltage rating of the IC. For each electronically controlled switch a controllable current source and an isolating unidirectional electronic valve is provided, the respective current source being enabled only when the respective associated electronically controlled switch is at least partially closed thereby ensuring that the respective isolating unidirectional electronic valve associated with the respective illuminating LED string conducts, and the voltage at the terminal of the respective electronically controlled switch is thus seen by the IC when the associated LED string is producing illumination, the voltage then being lower than the maximum voltage rating of the IC.
A power converter constituted of: a reference source; a clock generator exhibiting a variable frequency output, the value of the frequency of the variable frequency output responsive to an input signal; and an error amplifier in communication with the reference source, the error amplifier exhibiting a gain whose value is responsive to the input signal. Preferably the error amplifier is a transconductance amplifier. In one embodiment the power converter further exhibits a current squarer, arranged to produce a squared value of the input signal and provide the squared value to the transconductance amplifier.
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation
A handheld communication device having an RF front end module has a switchable balun comprising a primary winding having a first two port winding and a second two port winding where a low noise amplifier is operatively coupled to the first and second two port windings and a power amplifier is operatively coupled to the first and second two port windings. A secondary winding is operatively coupled to an antenna, and a transceiver is operatively coupled to the low noise amplifier and the power amplifier. When the switchable balun is in a receive state, the antenna is operatively coupled to the transceiver through the low noise amplifier, and when the switchable balun is in a transmit state, the antenna is operatively coupled to the transceiver through the power amplifier. The ratio of the primary winding to the secondary winding is greater than a one-to-one ratio.
A backlight system for light emitting diodes (LEDs), the backlight system constituted of: a controllable power source; a plurality of LED based luminaires arranged to receive power in parallel from the controllable power source; a plurality of driving circuitries, each of the plurality of driving circuitries arranged to control the light output of at least two of the plurality of LED based luminaires and further arranged to output information regarding the voltage drop of at least one of the at least two LED based luminaires controlled thereby, wherein the controllable power source is arranged to output a voltage whose value is responsive to the output information.
G09G 3/34 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice en commandant la lumière provenant d'une source indépendante
H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
A dual-mesa static induction transistor (SIT) structure includes a silicon carbide substrate having a layer arrangement formed thereon. Laterally spaced ion implanted gate regions (132) are defined in the layer arrangement. Source regions (133) are defined in the layer arrangement. Each of the source regions can include a channel mesa (114) having a source mesa (108) disposed thereon. The source mesa includes sidewalls relative to a principal plane of the substrate defining a horizontal dimension thereof. The channel mesa includes slanted sidewalls relative to the source mesa and the principal plane of the substrate. Also disclosed is a method of fabricating a dual-mesa SiC transistor device. The method includes implanting ions at a normal relative to a principal plane of the substrate to form gate junctions in upper portions of the substrate and lateral portions of the slanted channel mesas.
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
Methods, systems, and devices are described for using isolated and non-isolated circuit structures and control methods for achieving multiple independently regulated input and output parameters using a single, simple, primary magnetic circuit element. For example, structures and methods are revealed for achieving single-stage power factor correction with high power factor and multiple independently regulated outputs using a single, simple, primary magnetic circuit element. Other structures and methods are revealed for achieving multiple independently regulated outputs without power factor correction using a single primary magnetic circuit element for both isolated and non-isolated power conversion applications.
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire
92.
LOW VOLTAGE DROP CLOSED LOOP UNIDIRECTIONAL ELECTRONIC VALVE
A low voltage drop unidirectional electronic valve constituted of: a first terminal; a second terminal; a first electronically controlled switch coupled between the first terminal and the second terminal; and a first charge pump arranged to close the first electronically controlled switch when the voltage potential at the first terminal is greater than the voltage potential at the second terminal by a first value. The first charge pump is arranged in a closed loop with the first electronically controlled switch so as to continuously maintain the voltage potential at the first terminal greater than the voltage potential at the second terminal by the first value.
H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
H02J 7/35 - Fonctionnement en parallèle, dans des réseaux, de batteries avec d'autres sources à courant continu, p. ex. batterie tampon avec des cellules sensibles à la lumière
H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
A lighting arrangement constituted of: a power factor correction circuit; a lighting controller operative at an electrical potential consonant with the electric potential of the output of the power factor correction circuit; a switching network, coupled to the output of the power factor correction circuit and to respective outputs of the lighting controller; a transformer, a primary winding of the transformer coupled to the output of the switching network; and at least one luminaire coupled to at least one secondary winding of the transformer and arranged to be driven by the at least one secondary winding, the lighting controller operative to control the switching network via the respective outputs to switchably pass current from the power factor correction circuit through the primary winding, thereby powering the at least one luminaire.
H05B 41/282 - Circuits dans lesquels la lampe est alimentée par une puissance obtenue à partir de courant continu au moyen d'un convertisseur, p. ex. par courant continu à haute tension utilisant des convertisseurs statiques comportant des dispositifs à semi-conducteurs
94.
BOUNDARY MODE COUPLED INDUCTOR BOOST POWER CONVERTER
Methods, systems, and devices are described for using coupled inductor boost circuits to operate in a zero current switching (ZCS) and/or a zero voltage switching (ZVS) boundary mode. Some embodiments include a coupled inductor boost circuit that can substantially eliminate rectifier reverse recovery effects without using a high side primary switch and a high side primary switch driver. Other embodiments include a coupled inductor boost circuit that can achieve substantially zero voltage switching. ZCS and ZVS modes may be effectuated using control techniques. For example, a magnetizing current may be sensed or otherwise represented, and a signal may be generated accordingly for controlling switching of the controller.
H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire
Methods, systems, and devices are described for providing output (e.g., current) sensing and feedback in high-voltage switching power converter topologies. Certain aspects of high voltage switching converter topologies may make output (e.g., current) sensing difficult. In some embodiments, a sampling module implements sample-and-hold techniques in a low-side switch converter topology to provide reliable current sensing. Embodiments of the sampling module provide certain functionality, including integration, blanking, buffering, and adjustable sampling frequency. Further, some embodiments include feedback functionality for generating a converter driver signal (for driving the switching converter) and/or a sample driver signal (for driving the sampling module) as a function of sensed output feedback from the sampling module.
Coaxial-to-microstrip transitions may include a microstrip line and coaxial-line assembly. The microstrip line includes a first dielectric having an aperture, a conductive strip disposed on one face of the first dielectric, and a ground plane disposed on the opposite face of the first dielectric. The coaxial-line assembly includes an outer conductor and an inner conductor. In some examples, the ground plane extends between the outer conductor and the inner conductor proximate the conductive strip and the aperture extends beyond the outer conductor on a side of the coaxial-line assembly distal the conductive strip. In some examples, the ground plane has a non-circular aperture. In some examples, the outer conductor encloses an area that is less than an area of the aperture. In some examples, the enclosed area has a width that is less than a corresponding width of the first aperture.
A backlighting arrangement constituted of: a driving transformer; at least one balancing transformer; a plurality of luminaires, a first end of each of the plurality of luminaires connected to a high voltage lead of the driving transformer and a second end of each of the plurality of luminaires connected to a unique end of a winding of the at least one balancing transformer, wherein each pair of the luminaires is associated with a particular winding of one of the at least one balancing transformers, and wherein the first end and the second end of each of the luminaires is in physical proximity of the driving transformer and the at least one balancing transformer, the constituent lamps of the luminaires arranged in parallel and generally extending axially away from the proximity of the driving transformer.
H05B 41/282 - Circuits dans lesquels la lampe est alimentée par une puissance obtenue à partir de courant continu au moyen d'un convertisseur, p. ex. par courant continu à haute tension utilisant des convertisseurs statiques comportant des dispositifs à semi-conducteurs
98.
ARRANGEMENT SUITABLE FOR DRIVING FLOATING CCFL BASED BACKLIGHT
A backlighting arrangement constituted of: a means for receiving an alternating current comprising a first lead and a second lead; at least one luminaire; and at least one first balancing transformer pair each associated with a particular one of the at least one luminaire, the primary of a first balancing transformer of the first balancing transformer pair serially coupled between the first lead of the means for receiving an alternating current and a first end of each of the at least one luminaire, and the primary of a second balancing transformer of the first balancing transformer pair serially coupled between the second lead of the means for receiving an alternating current and a second end of each of the at least one luminaire. The secondaries of all of the at least one first balancing transformer pair are serially connected in a closed in-phase loop.
H05B 41/282 - Circuits dans lesquels la lampe est alimentée par une puissance obtenue à partir de courant continu au moyen d'un convertisseur, p. ex. par courant continu à haute tension utilisant des convertisseurs statiques comportant des dispositifs à semi-conducteurs
High voltage semiconductor devices with high-voltage termination structures (100, 200, 300) are constructed on lightly doped substrates (12). Lightly doped p-type substrates (12) are particularly prone to depletion and inversion from positive charges, degrading the ability of associated termination structures to block high voltages. To improve the efficiency and stability of termination structures, second termination regions (23, 223, 323) of the same dopant type as the substrate (12), more heavily doped than the substrate (12) but more lightly doped than first termination regions (22), are positioned adjoining the first termination regions (22). The second termination regions raise the field threshold voltage where the surface is vulnerable and render the termination structure (110) substantially insensitive to positive charges at the surface. The use of higher dopant concentration in the gap region without causing premature avalanche is facilitated by only creating second termination regions (323) for regions lacking field plate (10) protection.
