Disclosed is a device and a method for manufacturing semiconductor crystal wafer, with the device and the method being capable of easily and reliably manufacture semiconductor crystal wafers of high-quality. This manufacturing method for a SiC wafer, being a semiconductor crystal wafer, includes: a pad groove formation step and a bobbin groove formation step prior to a groove machining step, and after the groove machining step, a polishing step, a cutting step, a first surface machining step, and a second surface machining step.
B28D 5/04 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet par outils autres que ceux du type rotatif, p. ex. par des outils animés d'un mouvement alternatif
B24B 5/04 - Machines ou dispositifs pour meuler des surfaces de révolution des pièces, y compris ceux qui meulent également des surfaces planes adjacentesAccessoires à cet effet possédant des pointes ou des mandrins pour maintenir la pièce pour meuler extérieurement des surfaces cylindriques
B24B 5/50 - Machines ou dispositifs pour meuler des surfaces de révolution des pièces, y compris ceux qui meulent également des surfaces planes adjacentesAccessoires à cet effet caractérisés par le fait qu'ils sont spécialement étudiés en fonction des propriétés de la matière des objets non métalliques à meuler, p. ex. des cordes d'instruments de musique
Semiconductor manufacturing machines for ductile mode grinding; grinders being grinding machines for ductile mode grinding Grinding whetstones for grinders for ductile mode grinding
4.
METHOD FOR GRINDING SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SIC EXTENDED INGOT USING SAID GRINDING METHOD
The present invention provides: a method for grinding a semiconductor crystal, the method being capable of achieving higher grinding accuracy by controlling plastic deformation, which has been abhorred in the past, as a plastic deformation mechanism of a semiconductor crystal ingot end surface or a wafer surface; and a method for producing an SiC extended ingot, the method using the above-described grinding method. In a method for grinding an SiC wafer 100 according to the present invention, a plastic deformation region 100A is formed in a platen 52 (griding plate)-side surface of the wafer 100 by a temperature increase caused by friction due to intervention of diamond abrasive grains 53 between the surface and a platen 52 on the basis of: (1) the grain size of the diamond abrasive grains 53 (diamond grinding stones); (2) the pressing force that presses the wafer 100 against the platen 52 by the intermediary of a spindle 51; and (3) the advance rate of the spindle 51 with respect to the platen 52.
B24B 7/04 - Machines ou dispositifs pour meuler les surfaces planes des pièces, y compris ceux pour le polissage des surfaces planes en verreAccessoires à cet effet comportant une table porte-pièce rotative
The purpose of the present invention is to provide a device and a method for manufacturing a semiconductor crystal wafer, the device and the method being capable of easily and reliably manufacturing a semiconductor crystal wafer of high quality. This method for manufacturing a SiC wafer that is a semiconductor crystal wafer comprises a groove machining step (STEP 100/fig. 1), a polishing step (STEP 110/fig.1), a cutting step (STEP 120/fig. 1), a first surface machining step (STEP 130/fig. 1), and a second surface machining step (STEP 140/ fig. 1), wherein, in the cutting step, before an SiC ingot 10 is cut in a slice shape by causing a plurality of wires 42 that are disposed in a plurality of grooves 11 to move forward while going around, a misalignment angle of the plurality of wires 42 relative to the plurality of grooves 11 is detected from a captured image that is captured by an imaging means 44 that is provided at a position that faces an ingot support means 43 that supports the SiC ingot 10 with the plurality of wires 42 interposed therebetween, said imaging means 44 capturing an image of the plurality of wires 42 that are disposed in the plurality of grooves 11, and an adjustment is made so that the misalignment angle becomes 0.
H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe
B24B 19/02 - Machines ou dispositifs conçus spécialement pour une opération particulière de meulage non couverte par d'autres groupes principaux pour meuler des gorges, p. ex. sur des arbres, dans des gaines, des tubes, des éléments de joint homocinétique
B24B 49/12 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meulerAgencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p. ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage impliquant des dispositifs optiques
B24D 5/00 - Meules agglomérées, ou meules comportant des segments abrasifs rapportés, conçues pour travailler uniquement par leur périphérieBagues ou accessoires pour le montage des ces meules
B28D 5/02 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet par outils rotatifs, p. ex. par forets
B28D 5/04 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet par outils autres que ceux du type rotatif, p. ex. par des outils animés d'un mouvement alternatif
B28D 7/04 - Accessoires spécialement conçus pour leur utilisation avec les machines ou les dispositifs des autres groupes de la présente sous-classe pour supporter ou maintenir les pièces travaillées
6.
METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CRYSTAL WAFER
The purpose of the present invention is to provide a method and apparatus for producing a semiconductor crystal wafer, the method and apparatus being capable of easily and reliably producing a semiconductor crystal wafer of high quality. A method for producing a semiconductor crystal wafer according to the present invention enables the achievement of an Si wafer that is obtained by slicing an Si ingot, which has been ground into a cylindrical shape, into Si wafers with the surface of each Si wafer being subjected to high accuracy grinding. This method for producing a semiconductor crystal wafer comprises: a groove processing step (STEP 100 in Fig. 1); a cutting step (STEP 120 in Fig. 1); a first surface processing step (STEP 120 in Fig. 1); and a second surface processing step (STEP 130 in Fig. 1).
B28D 5/04 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet par outils autres que ceux du type rotatif, p. ex. par des outils animés d'un mouvement alternatif
B24B 19/02 - Machines ou dispositifs conçus spécialement pour une opération particulière de meulage non couverte par d'autres groupes principaux pour meuler des gorges, p. ex. sur des arbres, dans des gaines, des tubes, des éléments de joint homocinétique
B24B 41/06 - Supports de pièces, p. ex. lunettes réglables
H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe
7.
METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CRYSTAL WAFER
The purpose of the present invention is to provide a method and a device for producing a semiconductor crystal wafer that make it possible to easily and reliably produce a semiconductor crystal wafer of high quality. This method is for producing a SiC wafer which is a semiconductor crystal wafer obtained by performing high-precision polishing of the surface of a wafer cut as a slice from a SiC ingot polished into a cylindrical shape. The method comprises a groove processing step (STEP 100 in fig. 1), a cutting step (STEP 110 in fig. 1), an undulation removal step (STEP 120 in fig. 1), a first surface processing step (STEP 130 in fig. 1), and a second surface processing step (STEP 140 in fig. 1).
B24B 7/04 - Machines ou dispositifs pour meuler les surfaces planes des pièces, y compris ceux pour le polissage des surfaces planes en verreAccessoires à cet effet comportant une table porte-pièce rotative
B28D 5/04 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet par outils autres que ceux du type rotatif, p. ex. par des outils animés d'un mouvement alternatif
B24B 19/02 - Machines ou dispositifs conçus spécialement pour une opération particulière de meulage non couverte par d'autres groupes principaux pour meuler des gorges, p. ex. sur des arbres, dans des gaines, des tubes, des éléments de joint homocinétique
H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe
8.
SEMICONDUCTOR CRYSTAL WAFER MANUFACTURING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD
The purpose of the present invention is to provide a device and method for manufacturing a semiconductor crystal wafer, the device and method being capable of easily and reliably producing a semiconductor crystal wafer of high quality. This manufacturing method for an SiC wafer, being a semiconductor crystal wafer, comprises: a pad groove formation step (STEP 10/Fig. 1) and a bobbin groove formation step (STEP 20/Fig. 1) prior to a groove machining step (STEP 100/Fig. 1); and, after the groove machining step (STEP 100/Fig. 1), a polishing step (STEP 110/Fig. 1), a cutting step (STEP 120/Fig. 1), a first surface machining step (STEP 130/Fig. 1), and a second surface machining step (STEP 140/Fig. 1).
The purpose of the present invention is to provide a method and apparatus for producing a semiconductor crystal wafer, the method and apparatus being capable of easily and reliably producing a semiconductor crystal wafer of high quality. A method for producing an SiC wafer, which is a semiconductor crystal wafer, according to the present invention enables the achievement of an SiC wafer which is obtained by slicing an SiC ingot that has been ground into a cylindrical shape, with the surface of the SiC wafer being subjected to high accuracy grinding. This method for producing an SiC wafer comprises: a groove processing step (STEP 100 in Fig. 1); a cutting and polishing step (STEP 200 in Fig. 1); a first surface processing step (STEP 300 in Fig. 1); and a second surface processing step (STEP 400 in Fig. 1).
B24B 7/22 - Machines ou dispositifs pour meuler les surfaces planes des pièces, y compris ceux pour le polissage des surfaces planes en verreAccessoires à cet effet caractérisés par le fait qu'ils sont spécialement étudiés en fonction des propriétés de la matière des objets non métalliques à meuler pour meuler de la matière inorganique, p. ex. de la pierre, des céramiques, de la porcelaine
B28D 5/04 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet par outils autres que ceux du type rotatif, p. ex. par des outils animés d'un mouvement alternatif
H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe
