The present invention provides a device and method for a laser based light source using a combination of laser diode or waveguide gain element excitation source based on gallium and nitrogen containing materials and wavelength conversion phosphor materials designed for inherent safety. In this invention a violet, blue, or other wavelength laser diode source based on gallium and nitrogen materials is closely integrated with phosphor materials, such as yellow phosphors, to form a compact, high-brightness, and highly-efficient, light source with closed loop design features to yield the light source as an eye safe light source.
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
The embodiments described herein provide a device and method for an integrated white colored electromagnetic radiation source using a combination of laser diode excitation sources based on gallium and nitrogen containing materials and light emitting source based on phosphor materials. A violet, blue, or other wavelength laser diode source based on gallium and nitrogen materials may be closely integrated with phosphor materials, such as yellow phosphors, to form a compact, high-brightness, and highly-efficient, white light source.
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
H01S 5/02255 - Découplage de lumière utilisant des éléments de déviation de faisceaux lumineux
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
3.
SPECIALIZED MOBILE LIGHT DEVICE CONFIGURED WITH A GALLIUM AND NITROGEN CONTAINING LASER SOURCE
A portable lighting apparatus is provided with a gallium-and-nitrogen containing laser diode based white light source combined with an infrared illumination source which are driven by drivers disposed in a printed circuit board assembly enclosed in a compact housing and powered by a portable power supply therein. The portable lighting apparatus includes a first wavelength converter configured to output a white-color emission and an infrared emission. A beam shaper may be configured to direct the white-color emission and the infrared emission to a front aperture of a compact housing of the portable lighting apparatus. An optical transmitting unit is configured to project or transmit a directional light beam of the white light emission and/or the infrared emission for illuminating a target of interest, transmitting a pulsed sensing signal or modulated data signal generated by the drivers therein. In some configurations, detectors are included for depth sensing and visible/infrared light communications.
H01S 5/02326 - Dispositions pour le positionnement relatif des diodes laser et des composants optiques, p. ex. rainures dans le support pour fixer des fibres optiques ou des lentilles
F21V 9/32 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source caractérisés par la disposition du matériau photoluminescent
G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p. ex. agencements d'éléments optiques
G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière
G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p. ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
H01S 5/02251 - Découplage de lumière utilisant des fibres optiques
H01S 5/02255 - Découplage de lumière utilisant des éléments de déviation de faisceaux lumineux
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
In an example, the present invention provides a system and method for underwater communications and sensing techniques using a gallium and nitride containing laser device configured to emit blue and/or green light. The techniques include LiDAR, LiFi, among others.
H04B 13/02 - Systèmes de transmission dans lesquels le milieu de propagation est constitué par la terre ou une grande masse d'eau la recouvrant, p. ex. télégraphie par le sol
5.
UNDERWATER LASER COMMUNICATION OR SENSING SYSTEM AND METHOD
In an example, the present invention provides a system and method for underwater communications and sensing techniques using a gallium and nitride containing laser device configured to emit blue and/or green light. The techniques include LiDAR, LiFi, among others.
A method for manufacturing a laser diode device includes providing a substrate having a surface region and forming epitaxial material overlying the surface region, the epitaxial material comprising an n-type cladding region, an active region comprising at least one active layer overlying the n-type cladding region, and a p-type cladding region overlying the active layer region. The epitaxial material is patterned to form a plurality of dice, each of the dice corresponding to at least one laser device, characterized by a first pitch between a pair of dice, the first pitch being less than a design width. Each of the plurality of dice are transferred to a carrier wafer such that each pair of dice is configured with a second pitch between each pair of dice, the second pitch being larger than the first pitch.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
The present invention is directed to wearable display technologies. More specifically, various embodiments of the present invention provide wearable augmented reality glasses incorporating projection display systems where one or more laser diodes are used as light source for illustrating images with optical delivery to the eye using transparent waveguides. In one set of embodiments, the present invention provides wearable augmented reality glasses incorporating projector systems that utilize transparent waveguides and blue and/or green laser fabricated using gallium nitride containing material. In another set of embodiments, the present invention provides wearable augmented reality glasses incorporating projection systems having digital lighting processing engines illuminated by blue and/or green laser devices with optical delivery to the eye using transparent waveguides. In one embodiment, the present invention provides wearable augmented reality glasses incorporating a 3D display system with optical delivery to the eye using transparent waveguides. There are other embodiments as well.
G02B 6/00 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
H01S 5/02216 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type papillon, c.-à-d. avec les broches d’électrode s’étendant latéralement depuis le boîtier
H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/30 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
8.
LASER-BASED WAVEGUIDE-COUPLED WHITE LIGHT SYSTEM FOR A LIGHTING APPLICATION
A laser-based fiber-coupled white light system is provided. The system includes a laser device comprising a gallium and nitrogen containing emitting region having an output facet configured to output a laser emission with a first wavelength ranging from 385 nm to 495 nm. The system further includes a phosphor member integrated with light collimation elements. The phosphor member converts the laser emission with the first wavelength to a phosphor emission with a second wavelength in either reflective or transmissive mode and mixed partially with laser emission to produce a white light emission. The system includes a transport fiber coupled to the phosphor member via the light collimation elements to receive the white light emission and deliver the white light emission remotely to one or more passive luminaries substantially free of electrical or moving parts disposed at remote distances from a dedicated source area.
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
F21K 9/61 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des guides de lumière
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
F21K 9/68 - Détails des réflecteurs faisant partie de la source lumineuse
F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p. ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
F21V 14/04 - Commande de la distribution de la lumière émise par réglage d’éléments constitutifs par un mouvement de réflecteurs
A laser-based fiber-coupled wide-spectrum light system is provided. The system includes a laser device and one or more phosphor members configured and arranged to provide wide-spectrum emissions. One or more fibers are configured and arranged to receive the wide-spectrum emissions.
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
F21K 9/61 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des guides de lumière
F21K 9/69 - Détails des réfracteurs faisant partie de la source lumineuse
F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p. ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
10.
HIGH POWER GALLIUM AND NITROGEN CONTAINING LASER DIODE DEVICES WITH A MODULATION DEVICE
According to the present invention, techniques for high power gallium and nitrogen containing laser diode devices are provided. Such high-power devices include straight lasers, tapered lasers, distributed feedback lasers, distributed Bragg reflector laser devices, and power amplifier devices configured with improved mode quality, each of which can be modulated using a modulator device.
H01S 5/02355 - Fixation des puces laser sur des supports
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H01S 5/06 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p. ex. en agissant sur le milieu actif
H01S 5/12 - Structure ou forme du résonateur optique le résonateur ayant une structure périodique, p. ex. dans des lasers à rétroaction répartie [lasers DFB]
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
11.
Vertically emitting laser devices and chip-scale-package laser devices and laser-based, white light emitting devices
Horizontal Cavity Surface Emitting Lasers (HCSELs) with angled facets may be fabricated by a chemical or physical etching process, and the epitaxially grown semiconductor device layers may be transferred through a selective etch and release process from their original epitaxial substrate to a carrier wafer.
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
H01S 5/42 - Réseaux de lasers à émission de surface
12.
MANUFACTURABLE GALLIUM AND NITROGEN CONTAINING COUPLED WAVEGUIDE DEVICES
The present disclosure provides optical devices and methods for forming the optical devices. In some embodiments, the optical devices include active and passive regions. The active regions may include gallium and nitrogen containing epitaxial material, and the passive regions may include waveguide structures. The active and passive regions may be arranged on a carrier wafer in an end-to-end configuration. In other embodiments, the optical devices include laser devices or gain regions and dielectric waveguides. The laser devices or gain regions may include gallium and nitrogen containing epitaxial material.
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/12 - Structure ou forme du résonateur optique le résonateur ayant une structure périodique, p. ex. dans des lasers à rétroaction répartie [lasers DFB]
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
13.
FORMING REFLECTIVE MATERIALS ON SURFACES OF OPTICAL ELEMENTS
A reflective material is formed on surfaces of optical elements by adhering a first adhesive material to a first carrier and a second adhesive material to a second carrier; placing a plurality of un-coated optical elements on the first adhesive material; adhering the second adhesive material to the plurality of un-coated optical elements so that the plurality of un-coated optical elements are sandwiched between the first carrier and the second carrier; applying a liquid form of the reflective material to exposed surfaces of the plurality of un-coated optical elements using a spray process to create a plurality of coated optical elements; and removing the plurality of coated optical elements from the first and second adhesive materials.
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
F21V 29/70 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p. ex. puits thermiques
H01S 5/02224 - Boîtiers remplis de gaz le gaz comprenant de l’oxygène, p. ex. pour éviter une contamination des facettes émettrices de lumière
H01S 5/02257 - Découplage de lumière utilisant des fenêtres optiques, p. ex. spécialement adaptées pour réfléchir de la lumière sur un détecteur à l’intérieur du boîtier
H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
14.
HIGH POWER GALLIUM AND NITROGEN CONTAINING LASER DIODE DEVICES WITH IMPROVED MODE QUALITY
According to the present invention, techniques for high power gallium and nitrogen containing laser diode devices are provided. Such high power devices include straight lasers, tapered lasers, distributed feedback lasers, distributed Bragg reflector laser devices, and master oscillator power amplifier devices, among others configured with improved mode quality.
According to the present invention, techniques for high power gallium and nitrogen containing laser diode devices are provided. Such high power devices include straight lasers, tapered lasers, distributed feedback lasers, distributed Bragg reflector laser devices, and master oscillator power amplifier devices, among others configured with improved mode quality.
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01S 3/063 - Lasers à guide d'ondes, p. ex. amplificateurs laser
H01S 5/125 - Lasers à réflecteurs de Bragg répartis [lasers DBR]
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
An optical connector assembly includes a housing having a mating end shaped to receive an input connector. The housing also has an output end opposite the mating end. A ferrule is disposed within the housing and at least a portion of an optical cable is secured within the ferrule. A plug body is disposed within the housing and in thermal contact with the ferrule and having a plug-body front face. A thermal pad may include a thermal-pad rear face and a thermal-pad front face. The thermal-pad rear face may contact the plug-body front face, and the thermal-pad front face may contact the input connector when the input connector is mated with the optical connector assembly.
The present techniques include a plurality of laser lamp modules. In an example, the plurality of laser lamp modules includes a high beam wide lamp module, a high beam narrow lamp module, a low beam cut lamp module, and a low beam wide lamp module, each of which has a blue laser, and is sealed from an outside environment for reliability.
F21S 41/176 - Sources lumineuses où la lumière est générée par un matériau photoluminescent espacé par rapport à un élément générateur de lumière primaire
F21S 41/20 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. phares caractérisés par des réfracteurs, des glaces de fermeture transparentes, des guides ou des filtres de lumière
F21S 41/33 - Réflecteurs à multi-surfaces, p. ex. réflecteurs à facettes ou réflecteurs avec des sections de courbure différente
F21S 41/40 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. phares caractérisés par des écrans, des éléments non réfléchissants, des éléments faisant écran à la lumière ou des éléments d’occultation fixes
Electronic devices are formed on donor substrates and transferred to carrier substrates using bonding regions on the electronic devices and bonding the bonding regions to a carrier substrate. The transfer process may include forming anchors and removing sacrificial regions.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/10 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
19.
METHOD FOR MANUFACTURING A MICRO LED DISPLAY USING PARALLEL MASS TRANSPORT
Methods for manufacturing LED display panel devices include providing donor wafers having LED die configured to emit different color emissions. At least some of the LED die are selectively transferred from the donor wafers to a carrier wafer such that the carrier wafer is configured with different color emitting LEDs. The different color LEDs may include red-green-blue LEDs to form a RGB display panel.
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A system with optical interconnects includes first and second optical transceivers. The first optical transceiver includes a first array of micro light emitting diodes (LEDs) arranged on a first carrier substrate, a first array of photodetectors (PDs), and a first driver integrated circuit (IC). The second optical transceiver includes a second array of micro LEDs arranged on a second carrier substrate, a second array of PDs, and a second driver IC. The system also includes at least one multicore fiber cable arranged to optically couple the first array of micro LEDs with the second array of PDs and to optically couple the second array of micro LEDs with the first array of PDs.
G02B 6/43 - Dispositions comprenant une série d'éléments opto-électroniques et d'interconnexions optiques associées
G02B 6/42 - Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H04B 10/80 - Aspects optiques concernant l’utilisation de la transmission optique pour des applications spécifiques non prévues dans les groupes , p. ex. alimentation par faisceau optique ou transmission optique dans l’eau
21.
Manufacturable thin film gallium and nitrogen containing devices
A method for manufacturing a display panel comprising light emitting device including micro LEDs includes providing multiple donor wafers having a surface region and forming an epitaxial material overlying the surface region. The epitaxial material includes an n-type region, an active region comprising at least one light emitting layer overlying the n-type region, and a p-type region overlying the active layer region. The multiple donor wafers are configured to emit different color emissions. The epitaxial material on the multiple donor wafers is patterned to form a plurality of dice, characterized by a first pitch between a pair of dice less than a design width. At least some of the dice are selectively transferred from the multiple donor wafers to a common carrier wafer such that the carrier wafer is configured with different color emitting LEDs. The different color LEDs could comprise red-green-blue LEDs to form a RGB display panel.
H01L 29/205 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés dans différentes régions semi-conductrices
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/8252 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie III-V
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01L 21/8258 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une combinaison de technologies couvertes par les groupes , , ou
H01L 27/085 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/43 - Electrodes caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
A method for manufacturing a display panel comprising light emitting device including micro LEDs includes providing multiple donor wafers having a surface region and forming an epitaxial material overlying the surface region. The epitaxial material includes an n-type region, an active region comprising at least one light emitting layer overlying the n-type region, and a p-type region overlying the active layer region. The multiple donor wafers are configured to emit different color emissions. The epitaxial material on the multiple donor wafers is patterned to form a plurality of dice, characterized by a first pitch between a pair of dice less than a design width. At least some of the dice are selectively transferred from the multiple donor wafers to a common carrier wafer such that the carrier wafer is configured with different color emitting LEDs. The different color LEDs could comprise red-green-blue LEDs to form a RGB display panel.
H01L 29/205 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés dans différentes régions semi-conductrices
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/8252 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie III-V
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01L 27/085 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
23.
Laser high beam and low beam headlamp apparatus and method
The present techniques include a plurality of laser lamp modules. In an example, the plurality of laser lamp modules includes a high beam wide lamp module, a high beam narrow lamp module, a low beam cut lamp module, and a low beam wide lamp module, each of which has a blue laser, and is sealed from an outside environment for reliability.
F21S 41/176 - Sources lumineuses où la lumière est générée par un matériau photoluminescent espacé par rapport à un élément générateur de lumière primaire
F21S 41/40 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. phares caractérisés par des écrans, des éléments non réfléchissants, des éléments faisant écran à la lumière ou des éléments d’occultation fixes
F21S 41/33 - Réflecteurs à multi-surfaces, p. ex. réflecteurs à facettes ou réflecteurs avec des sections de courbure différente
F21S 41/20 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. phares caractérisés par des réfracteurs, des glaces de fermeture transparentes, des guides ou des filtres de lumière
In an example, the present invention provides a small form factor package comprising RGB laser diode devices configured with short cavity lengths. In an example, the present laser module includes at least a first red laser diode device, at least a second green laser diode device, and at least a third red laser diode device. At least one of the laser diode devices has a cavity length of less than 200 um, or less than 150 um, or less than 100 um. The optical output beams of the red, green, and blue laser diodes are combined into a single beam or colinear beams using optical techniques. The laser diode devices and the optical combining optics contained in a sealed package device. The sealed package device has a small form factor volume.
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
H01S 5/02253 - Découplage de lumière utilisant des lentilles
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
H01S 5/12 - Structure ou forme du résonateur optique le résonateur ayant une structure périodique, p. ex. dans des lasers à rétroaction répartie [lasers DFB]
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
The present invention is directed to wearable display technologies. More specifically, various embodiments of the present invention provide wearable augmented reality glasses incorporating projection display systems where one or more laser diodes are used as light source for illustrating images with optical delivery to the eye using transparent waveguides. In one set of embodiments, the present invention provides wearable augmented reality glasses incorporating projector systems that utilize transparent waveguides and blue and/or green laser fabricated using gallium nitride containing material. In another set of embodiments, the present invention provides wearable augmented reality glasses incorporating projection systems having digital lighting processing engines illuminated by blue and/or green laser devices with optical delivery to the eye using transparent waveguides. In one embodiment, the present invention provides wearable augmented reality glasses incorporating a 3D display system with optical delivery to the eye using transparent waveguides. There are other embodiments as well.
G02B 6/00 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
H01S 5/02216 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type papillon, c.-à-d. avec les broches d’électrode s’étendant latéralement depuis le boîtier
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/30 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active
An intermediate ultraviolet laser diode device includes a gallium and nitrogen containing substrate member comprising a surface region, a release material overlying the surface region, an n-type gallium and nitrogen containing material; an active region overlying the n-type gallium and nitrogen containing material; a p-type gallium and nitrogen containing material; a first transparent conductive oxide material overlying the p-type gallium and nitrogen containing material; and an interface region overlying the first transparent conductive oxide material.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
B82Y 20/00 - Nano-optique, p. ex. optique quantique ou cristaux photoniques
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
The present invention relates to techniques, including methods and devices, for optical technology. In particular, the present invention provides methods, devices, and structures for optical devices, and in particular, photo diodes, commonly called photo sensors.
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 31/0392 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
H01L 31/109 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PN à hétérojonction
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
29.
Specialized mobile light device configured with a gallium and nitrogen containing laser source
A portable lighting apparatus is provided with a gallium-and-nitrogen containing laser diode based white light source combined with an infrared illumination source which are driven by drivers disposed in a printed circuit board assembly enclosed in a compact housing and powered by a portable power supply therein. The portable lighting apparatus includes a first wavelength converter configured to output a white-color emission and an infrared emission. A beam shaper may be configured to direct the white-color emission and the infrared emission to a front aperture of a compact housing of the portable lighting apparatus. An optical transmitting unit is configured to project or transmit a directional light beam of the white light emission and/or the infrared emission for illuminating a target of interest, transmitting a pulsed sensing signal or modulated data signal generated by the drivers therein. In some configurations, detectors are included for depth sensing and visible/infrared light communications.
H01S 5/02326 - Dispositions pour le positionnement relatif des diodes laser et des composants optiques, p. ex. rainures dans le support pour fixer des fibres optiques ou des lentilles
F21V 9/32 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source caractérisés par la disposition du matériau photoluminescent
G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p. ex. agencements d'éléments optiques
G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p. ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01S 5/02251 - Découplage de lumière utilisant des fibres optiques
H01S 5/02255 - Découplage de lumière utilisant des éléments de déviation de faisceaux lumineux
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
A laser illumination or dazzler device and method. More specifically, examples of the present invention provide laser illumination or dazzling devices power by one or more violet, blue, or green laser diodes characterized by a wavelength from about 390 nm to about 550 nm. In some examples the laser illumination or dazzling devices include a laser pumped phosphor wherein a laser beam with a first wavelength excites a phosphor member to emit electromagnetic at a second wavelength. In various examples, laser illumination or dazzling devices according to the present invention include polar, non-polar, or semi-polar laser diodes. In a specific example, a single laser illumination or dazzling device includes a plurality of violet, blue, or green laser diodes. There are other examples as well.
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
F21S 2/00 - Systèmes de dispositifs d'éclairage non prévus dans les groupes principaux ou , p. ex. à construction modulaire
H04N 9/77 - Circuits pour le traitement l'un par rapport à l'autre des signaux de luminance et de chrominance, p. ex. ajustement de la phase du signal de luminance par rapport au signal de couleur, correction différentielle du gain ou de la phase
H01S 5/02208 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
H04N 9/31 - Dispositifs de projection pour la présentation d'images en couleurs
F41H 13/00 - Moyens d'attaque ou de défense non prévus ailleurs
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
F21V 23/02 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage les éléments étant des transformateurs ou des impédances
A structured phosphor device includes a frame member that includes wall regions separating multiple openings of window regions. Further, the structured phosphor device includes a phosphor material filled in each of the multiple openings with a first surface thereof being exposed to an excitation light from one or more laser sources to generate an emitted light out of each window region. Additionally, the structured phosphor device includes an anti-reflective film overlying the first surface of the phosphor material. Furthermore, the structured phosphor device includes a substrate attached to a second surface of the phosphor material in each of the multiple openings. Alternatively, the structured phosphor device includes an array of phosphor pixels dividing a plate of single-crystalline or poly-crystalline phosphor material separated by optically reflective and thermally conductive walls. A dynamic lighting system based on the arrays of phosphor pixels for single or full color image projection is also disclosed.
G03B 21/00 - Projecteurs ou visionneuses du type par projectionLeurs accessoires
H01S 5/30 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active
H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
32.
Method and system for providing directional light sources with broad spectrum
A system and method for providing laser diodes with broad spectrum is described. GaN-based laser diodes with broad or multi-peaked spectral output operating are obtained in various configurations by having a single laser diode device generating multiple-peak spectral outputs, operate in superluminescene mode, or by use of an RF source and/or a feedback signal. In some other embodiments, multi-peak outputs are achieved by having multiple laser devices output different lasers at different wavelengths.
B82Y 20/00 - Nano-optique, p. ex. optique quantique ou cristaux photoniques
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
H01S 5/065 - Accrochage de modesSuppression de modesSélection de modes
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
An optical device includes a gallium and nitrogen containing substrate comprising a surface region configured in a (20-2-1) orientation, a (30-3-1) orientation, or a (30-31) orientation, within +/−10 degrees toward c-plane and/or a-plane from the orientation. Optical devices having quantum well regions overly the surface region are also disclosed.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01L 33/16 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse
H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
H01L 21/302 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p. ex. gravure, polissage, découpage
H01L 21/461 - Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p. ex. gravure, polissage, découpage
H01L 21/469 - Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p. ex. gravure, polissage, découpage pour y former des couches isolantes, p. ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiquesPost-traitement de ces couches
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
H10N 30/082 - Mise en forme ou usinage de corps piézo-électriques ou électrostrictifs par gravure, p. ex. par lithographie
34.
Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
Laser diode technology incorporating etched facet mirror formation and optical coating techniques for reflectivity modification to enable ultra-high catastrophic optical mirror damage thresholds for high power laser diodes.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
Method and devices for emitting electromagnetic radiation at high power using nonpolar or semipolar gallium containing substrates such as GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN, and AlInGaN, are provided. The laser devices include multiple laser emitters integrated onto a substrate (in a module), which emit green or blue laser radiation.
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
B82Y 20/00 - Nano-optique, p. ex. optique quantique ou cristaux photoniques
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
36.
Strained and strain control regions in optical devices
An optical device has a gallium and nitrogen containing substrate including a surface region and a strain control region, the strain control region being configured to maintain a quantum well region within a predetermined strain state. The device also has a plurality of quantum well regions overlying the strain control region.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/30 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01L 33/16 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
37.
Manufacturable devices formed on gallium and nitrogen material
A method for manufacturing a laser diode device includes providing a substrate having a surface region and forming epitaxial material overlying the surface region, the epitaxial material comprising an n-type cladding region, an active region comprising at least one active layer overlying the n-type cladding region, and a p-type cladding region overlying the active layer region. The epitaxial material is patterned to form a plurality of dice, each of the dice corresponding to at least one laser device, characterized by a first pitch between a pair of dice, the first pitch being less than a design width. Each of the plurality of dice are transferred to a carrier wafer such that each pair of dice is configured with a second pitch between each pair of dice, the second pitch being larger than the first pitch.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
A laser-based light source includes a material arranged on a package base adjacent to a laser diode chip and an optical element coupled to the material. The optical element is aligned to receive electromagnetic radiation from the laser diode chip. The optical element includes a wavelength conversion material and is configured to receive at least a portion of the electromagnetic radiation emitted by the laser diode chip. A reflective material surrounds sides of the optical element.
H01S 5/02224 - Boîtiers remplis de gaz le gaz comprenant de l’oxygène, p. ex. pour éviter une contamination des facettes émettrices de lumière
H01S 5/02257 - Découplage de lumière utilisant des fenêtres optiques, p. ex. spécialement adaptées pour réfléchir de la lumière sur un détecteur à l’intérieur du boîtier
H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
F21V 29/70 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p. ex. puits thermiques
A light source includes a laser diode device and a wavelength conversion member. The wavelength conversion member includes a wavelength conversion element having voids and a dielectric element. The dielectric element fills the voids on a surface of the wavelength conversion element adjacent to the dielectric element. An output facet of the laser diode device is configured to output a laser beam of electromagnetic radiation. The laser beam is incident on a surface of the wavelength conversion member and a light is emitted from the wavelength conversion member. The light emission includes a mixture of wavelengths characterized by at least the second wavelength from the wavelength conversion member.
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/125 - Lasers à réflecteurs de Bragg répartis [lasers DBR]
40.
Systems for photonic integration in non-polar and semi-polar oriented wave-guided optical devices
A monolithically integrated optical device. The device has a gallium and nitrogen containing substrate member having a surface region configured on either a non-polar or semi-polar orientation. The device also has a first waveguide structure configured in a first direction overlying a first portion of the surface region. The device also has a second waveguide structure integrally configured with the first waveguide structure. The first direction is substantially perpendicular to the second direction.
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H01S 5/0625 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p. ex. en agissant sur le milieu actif en faisant varier le potentiel des électrodes dans des lasers à plusieurs sections
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
G02B 6/126 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré utilisant des effets de polarisation
H01S 3/081 - Structure ou forme des résonateurs optiques ou de leurs composants comprenant trois réflecteurs ou plus
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/125 - Lasers à réflecteurs de Bragg répartis [lasers DBR]
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
Electronic devices are formed on donor substrates and transferred to carrier substrates by forming bonding regions on the electronic devices and bonding the bonding regions to a carrier substrate. The transfer process may include forming anchors and removing sacrificial regions.
H01L 29/205 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés dans différentes régions semi-conductrices
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 21/8252 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie III-V
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
42.
OPTICAL MODULE HAVING MULTIPLE LASER DIODE DEVICES AND A SUPPORT MEMBER
A method and device for emitting electromagnetic radiation at high power using nonpolar or semipolar gallium containing substrates such as GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN, and AlInGaN, is provided. In various embodiments, the laser device includes plural laser emitters emitting green or blue laser light, integrated a substrate.
G02B 6/27 - Moyens de couplage optique avec des moyens de sélection et de réglage de la polarisation
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
B82Y 20/00 - Nano-optique, p. ex. optique quantique ou cristaux photoniques
G02B 6/42 - Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
F21K 9/60 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière
F21V 9/32 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source caractérisés par la disposition du matériau photoluminescent
F21V 9/30 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source
H01S 5/0233 - Configuration de montage des puces laser
H01S 5/02251 - Découplage de lumière utilisant des fibres optiques
H01S 5/02255 - Découplage de lumière utilisant des éléments de déviation de faisceaux lumineux
H01S 5/02326 - Dispositions pour le positionnement relatif des diodes laser et des composants optiques, p. ex. rainures dans le support pour fixer des fibres optiques ou des lentilles
H01S 5/02315 - Éléments de support, p. ex. bases ou montures
F21V 29/71 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p. ex. puits thermiques utilisant une combinaison d’éléments séparés interconnectés par des moyens thermo-conducteurs, p. ex. tubes caloporteurs ou barres thermiquement conductrices pour conduire la chaleur entre des éléments séparés de puits thermique
F21V 29/83 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p. ex. puits thermiques les éléments comportant des ouvertures, des conduits ou des canaux, p. ex. des trous de rayonnement thermique
F21V 23/06 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage les éléments étant des dispositifs de couplage
F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p. ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
H01S 5/02224 - Boîtiers remplis de gaz le gaz comprenant de l’oxygène, p. ex. pour éviter une contamination des facettes émettrices de lumière
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
F21K 9/62 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des chambres de mélange, p. ex. des enceintes à parois réfléchissantes
Gallium and nitrogen containing optical devices operable as laser diodes and methods of forming the same are disclosed. The devices include a gallium and nitrogen containing substrate member, which may be semipolar or non-polar. The devices include a chip formed from the gallium and nitrogen substrate member. The chip has a width and a length, a dimension of less than 150 microns characterizing the width of the chip. The devices have a cavity oriented substantially parallel to the length of the chip.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/30 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/0234 - Montage à orientation inversée, p. ex. puce retournée [flip-chip], montage à côté épitaxial au-dessous ou montage à jonction au-dessous
The present disclosure provides an apparatus for generating fiber delivered laser-induced white light. The apparatus includes a package case enclosing a board member with an electrical connector through a cover member and a laser module configured to the board member inside the package case. The laser module comprises a support member, at least one laser diode device configured to emit a laser light of a first wavelength, a set of optics to guide the laser light towards an output port. Additionally, the apparatus includes a fiber assembly configured to receive the laser light from the output port for further delivering to a light head member disposed in a remote destination. A phosphor material disposed in the light head member receives the laser light exited from the fiber assembly to induce a phosphor emission of a second wavelength for producing a white light emission substantially reflected therefrom for various applications.
F21S 41/176 - Sources lumineuses où la lumière est générée par un matériau photoluminescent espacé par rapport à un élément générateur de lumière primaire
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/02251 - Découplage de lumière utilisant des fibres optiques
H01S 5/02253 - Découplage de lumière utilisant des lentilles
H01S 5/02326 - Dispositions pour le positionnement relatif des diodes laser et des composants optiques, p. ex. rainures dans le support pour fixer des fibres optiques ou des lentilles
A method and device for emitting electromagnetic radiation at high power using a gallium containing substrates such as GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN, and AlInGaN, is provided.
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/02208 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/02251 - Découplage de lumière utilisant des fibres optiques
H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
47.
Intelligent visible light with a gallium and nitrogen containing laser source
A smart light source configured for visible light communication. The light source includes a controller comprising a modem configured to receive a data signal and generate a driving current and a modulation signal based on the data signal. Additionally, the light source includes a light emitter configured as a pump-light device to receive the driving current for producing a directional electromagnetic radiation with a first peak wavelength in the ultra-violet or blue wavelength regime modulated to carry the data signal using the modulation signal. Further, the light source includes a pathway configured to direct the directional electromagnetic radiation and a wavelength converter optically coupled to the pathway to receive the directional electromagnetic radiation and to output a white-color spectrum. Furthermore, the light source includes a beam shaper configured to direct the white-color spectrum for illuminating a target of interest and transmitting the data signal.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p. ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/02216 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type papillon, c.-à-d. avec les broches d’électrode s’étendant latéralement depuis le boîtier
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H04B 10/114 - Systèmes d’intérieur ou à courte portée
H01S 5/02326 - Dispositions pour le positionnement relatif des diodes laser et des composants optiques, p. ex. rainures dans le support pour fixer des fibres optiques ou des lentilles
A communication module includes a laser driving unit (LDU) and one or more multifunction illumination units. The one or more multifunction illumination units are be coupled to the LDU with an electrical connection and configured to transmit both electrical power and data.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p. ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
A phosphor integrated laser-based light source includes a thermally conductive material arranged on a package base adjacent to a laser diode chip and an optically transparent material coupled to the thermally conductive material. A groove extends between the thermally conductive material and the optically transport material and is aligned to receive electromagnetic radiation from the laser diode chip. A wavelength conversion material is coupled to the optically transparent material and is configured to receive at least a portion of the electromagnetic radiation emitted into the groove and transmitted through the optically transparent material. A reflective material surrounds sides of the optically transparent material and the wavelength conversion material.
H01S 5/02224 - Boîtiers remplis de gaz le gaz comprenant de l’oxygène, p. ex. pour éviter une contamination des facettes émettrices de lumière
H01S 5/02255 - Découplage de lumière utilisant des éléments de déviation de faisceaux lumineux
H01S 5/02257 - Découplage de lumière utilisant des fenêtres optiques, p. ex. spécialement adaptées pour réfléchir de la lumière sur un détecteur à l’intérieur du boîtier
H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
50.
Fiber-delivered laser-induced dynamic light system
The present disclosure provides an apparatus for generating fiber delivered laser-induced dynamically controlled white light emission. The apparatus includes a laser diode unit for generating a laser electromagnetic radiation with a blue emission in a range from 395 nm to 490 nm that is delivered by an optical fiber. The apparatus further includes a dynamic phosphor unit configured to receive the laser exited from the optical fiber and controllably deflect a beam focused by a first optics sub-unit to a surface spot on a phosphor plate to produce a white light emission. Additionally, and the dynamic phosphor unit includes a second optics sub-unit configured to collect the white light emission and to project to a far field. Furthermore, the apparatus includes an electronics control unit comprising a laser diode driver and a MEMS driver for respectively control the laser diode unit and the dynamic phosphor unit in mutually synchronized manner.
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 3/00 - Lasers, c.-à-d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, du visible ou de l’ultraviolet
F21V 9/32 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source caractérisés par la disposition du matériau photoluminescent
F21S 8/08 - Dispositifs d'éclairage destinés à des installations fixes avec un support
51.
MANUFACTURABLE GALLIUM AND NITROGEN CONTAINING SINGLE FREQUENCY LASER DIODE
A method for manufacturing an optical device includes providing a carrier waver, provide a first substrate having a first surface region, and forming a first gallium and nitrogen containing epitaxial material overlying the first surface region. The first epitaxial material includes a first release material overlying the first substrate. The method also includes patterning the first epitaxial material to form a plurality of first dice arranged in an array; forming a first interface region overlying the first epitaxial material; bonding the first interface region of at least a fraction of the plurality of first dice to the carrier wafer to form bonded structures; releasing the bonded structures to transfer a first plurality of dice to the carrier wafer, the first plurality of dice transferred to the carrier wafer forming mesa regions on the carrier wafer; and forming an optical waveguide in each of the mesa regions, the optical waveguide configured as a cavity to form a laser diode of the electromagnetic radiation.
H01L 29/205 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés dans différentes régions semi-conductrices
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 21/8252 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie III-V
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
52.
Laser-based light guide-coupled wide-spectrum light system
A laser-based fiber-coupled wide-spectrum light system is provided. The system includes a laser device and one or more phosphor members configured and arranged to provide wide-spectrum emissions. One or more fibers are configured and arranged to receive the wide-spectrum emissions.
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
F21K 9/61 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des guides de lumière
F21K 9/69 - Détails des réfracteurs faisant partie de la source lumineuse
F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p. ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
The embodiments described herein provide a high-luminous flux laser-based white light source. A plurality of laser packages are arranged in an array pattern on a common support member. The plurality of laser packages each include one or more laser diode devices and a phosphor member. The phosphor member converts a fraction of the electromagnetic radiation from each of the laser diode devices to an emitted electromagnetic radiation and a white light is outputted.
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
F21K 9/68 - Détails des réflecteurs faisant partie de la source lumineuse
F21K 9/69 - Détails des réfracteurs faisant partie de la source lumineuse
H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
H01S 5/0237 - Fixation des puces laser sur des supports par soudage
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
A distance detecting system for use in mobile machines comprises a gallium and nitrogen containing laser diode disposed within a light of a mobile machine. The gallium and nitrogen containing laser diode is configured to emit a first light with a first peak wavelength. A wavelength conversion member is configured to produce a white light. A first sensing light signal is based on the first peak wavelength. One or more optical elements are configured to direct at least partially the white light to illuminate one or more target objects or areas and to transmit respectively the first sensing light signal for sensing at least one remote point. A detector is configured to detect reflected signals of the first sensing light signal to determine coordinates of the at least one remote point.
G01S 17/86 - Combinaisons de systèmes lidar avec des systèmes autres que lidar, radar ou sonar, p. ex. avec des goniomètres
G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
G01S 17/89 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la cartographie ou l'imagerie
G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p. ex. agencements d'éléments optiques
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
F21V 29/70 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p. ex. puits thermiques
G01S 7/487 - Extraction des signaux d'écho désirés
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
G01S 17/931 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour prévenir les collisions de véhicules terrestres
H01S 5/02251 - Découplage de lumière utilisant des fibres optiques
H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
A packaged integrated white light source configured for illumination and communication or sensing comprises one or more laser diode devices. An output facet configured on the laser diode device outputs a laser beam of first electromagnetic radiation with a first peak wavelength. The first wavelength from the laser diode provides at least a first carrier channel for a data or sensing signal.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p. ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/02216 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type papillon, c.-à-d. avec les broches d’électrode s’étendant latéralement depuis le boîtier
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H04B 10/114 - Systèmes d’intérieur ou à courte portée
H01S 5/02326 - Dispositions pour le positionnement relatif des diodes laser et des composants optiques, p. ex. rainures dans le support pour fixer des fibres optiques ou des lentilles
The embodiments described herein provide a device and method for an integrated white colored electromagnetic radiation source using a combination of laser diode excitation sources based on gallium and nitrogen containing materials and light emitting source based on phosphor materials. A violet, blue, or other wavelength laser diode source based on gallium and nitrogen materials may be closely integrated with phosphor materials, such as yellow phosphors, to form a compact, high-brightness, and highly-efficient, white light source.
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
An intermediate ultraviolet laser diode device includes a gallium and nitrogen containing substrate member comprising a surface region, a release material overlying the surface region, an n-type gallium and nitrogen containing material; an active region overlying the n-type gallium and nitrogen containing material; a p-type gallium and nitrogen containing material; a first transparent conductive oxide material overlying the p-type gallium and nitrogen containing material; and an interface region overlying the first transparent conductive oxide material.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
An optical device includes a gallium and nitrogen containing substrate comprising a surface region configured in a (20-2-1) orientation, a (30-3-1) orientation, or a (30-31) orientation, within +/−10 degrees toward c-plane and/or a-plane from the orientation. Optical devices having quantum well regions overly the surface region are also disclosed.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01L 33/16 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse
H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
H01L 21/302 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p. ex. gravure, polissage, découpage
H01L 21/461 - Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p. ex. gravure, polissage, découpage
H01L 21/469 - Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p. ex. gravure, polissage, découpage pour y former des couches isolantes, p. ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiquesPost-traitement de ces couches
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
H01L 41/332 - Mise en forme ou usinage de corps piézo-électriques ou électrostrictifs par gravure, p.ex. par lithographie
59.
VIOLET AND ULTRAVIOLET ILLUMINATION DEVICE CONFIGURED WITH A GALLIUM AND NITROGEN CONTAINING LASER SOURCE
A light source system or apparatus configured with an infrared illumination source includes a gallium and nitrogen containing laser diode based white light source. The light source system includes a first pathway configured to direct directional electromagnetic radiation from the gallium and nitrogen containing laser diode to a first wavelength converter and to output a white light emission. In some embodiments infrared emitting laser diodes are included to generate the infrared illumination. In some embodiments infrared emitting wavelength converter members are included to generate the infrared illumination. In some embodiments a second wavelength converter is optically excited by a UV or blue emitting gallium and nitrogen containing laser diode, a laser diode operating in the long wavelength visible spectrum such as a green laser diode or a red laser diode, by a near infrared emitting laser diode, by the white light emission produced by the first wavelength converter, or by some combination thereof. A beam shaper may be configured to direct the white light emission and an infrared emission for illuminating a target of interest and transmitting a data signal. In some configurations, sensors and feedback loops are included.
F21V 9/32 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source caractérisés par la disposition du matériau photoluminescent
H01S 5/062 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p. ex. en agissant sur le milieu actif en faisant varier le potentiel des électrodes
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
F21V 7/30 - Réflecteurs pour sources lumineuses caractérisés par les matériaux, traitements de surface ou revêtements caractérisés par des revêtements le revêtement comprenant des substances photoluminescentes
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p. ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
A distance detecting system for use in an automotive application comprises a gallium and nitrogen containing laser diode disposed within an automotive light. The gallium and nitrogen containing laser diode is configured to emit a first light with a first peak wavelength. A wavelength conversion member is configured to produce a white light. A first sensing light signal is based on the first peak wavelength. One or more optical elements are configured to direct at least partially the white light to illuminate one or more target objects or areas and to transmit respectively the first sensing light signal for sensing at least one remote point. A detector is configured to detect reflected signals of the first sensing light signal to determine coordinates of the at least one remote point.
G01S 17/89 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la cartographie ou l'imagerie
G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p. ex. agencements d'éléments optiques
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
F21V 29/70 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p. ex. puits thermiques
G01S 7/487 - Extraction des signaux d'écho désirés
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
G01S 17/86 - Combinaisons de systèmes lidar avec des systèmes autres que lidar, radar ou sonar, p. ex. avec des goniomètres
G01S 17/931 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour prévenir les collisions de véhicules terrestres
H01S 5/02251 - Découplage de lumière utilisant des fibres optiques
H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
The present disclosure provides a method and structure for producing large area gallium and nitrogen engineered substrate members configured for the epitaxial growth of layer structures suitable for the fabrication of high performance semiconductor devices. In a specific embodiment the engineered substrates are used to manufacture gallium and nitrogen containing devices based on an epitaxial transfer process wherein as-grown epitaxial layers are transferred from the engineered substrate to a carrier wafer for processing. In a preferred embodiment, the gallium and nitrogen containing devices are laser diode devices operating in the 390 nm to 425 nm range, the 425 nm to 485 nm range, the 485 nm to 550 nm range, or greater than 550 nm.
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
62.
Semiconductor laser diode on tiled gallium containing material
In an example, the present invention provides a gallium and nitrogen containing structure. The structure has a plurality of gallium and nitrogen containing semiconductor substrates, each of the gallium and nitrogen containing semiconductor substrates having one or more epitaxially grown layers. The structure has a first handle substrate coupled to each of the substrates. The orientation of a reference crystal direction for each of the substrates are parallel to within 10 degrees or less. The structure has a first bonding medium provided between the first handle substrate and each of the substrates.
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01L 33/16 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01S 5/0234 - Montage à orientation inversée, p. ex. puce retournée [flip-chip], montage à côté épitaxial au-dessous ou montage à jonction au-dessous
The present invention provides a device and method for a laser based light source using a combination of laser diode or waveguide gain element excitation source based on gallium and nitrogen containing materials and wavelength conversion phosphor materials designed for inherent safety. In this invention a violet, blue, or other wavelength laser diode source based on gallium and nitrogen materials is closely integrated with phosphor materials, such as yellow phosphors, to form a compact, high-brightness, and highly-efficient, light source with closed loop design features to yield the light source as an eye safe light source.
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
The present disclosure provides an apparatus for generating fiber delivered laser-induced white light. The apparatus includes a package case enclosing a board member with an electrical connector through a cover member and a laser module configured to the board member inside the package case. The laser module comprises a support member, at least one laser diode device configured to emit a laser light of a first wavelength, a set of optics to guide the laser light towards an output port. Additionally, the apparatus includes a fiber assembly configured to receive the laser light from the output port for further delivering to a light head member disposed in a remote destination. A phosphor material disposed in the light head member receives the laser light exited from the fiber assembly to induce a phosphor emission of a second wavelength for producing a white light emission substantially reflected therefrom for various applications.
F21S 41/176 - Sources lumineuses où la lumière est générée par un matériau photoluminescent espacé par rapport à un élément générateur de lumière primaire
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/02251 - Découplage de lumière utilisant des fibres optiques
H01S 5/02253 - Découplage de lumière utilisant des lentilles
H01S 5/02326 - Dispositions pour le positionnement relatif des diodes laser et des composants optiques, p. ex. rainures dans le support pour fixer des fibres optiques ou des lentilles
In an example, the present invention provides an optical engine apparatus. The apparatus has a laser diode device, the laser diode device characterized by a wavelength ranging from 300 to 2000 nm or any variations thereof. In an example, the apparatus has a lens coupled to an output of the laser diode device and a scanning mirror device operably coupled to the laser diode device. In an example, the apparatus has an un-patterned phosphor plate coupled to the scanning mirror and configured with the laser device; and a spatial image formed on a portion of the un-patterned phosphor plate configured by a modulation of the laser and movement of the scanning mirror device.
H04N 9/77 - Circuits pour le traitement l'un par rapport à l'autre des signaux de luminance et de chrominance, p. ex. ajustement de la phase du signal de luminance par rapport au signal de couleur, correction différentielle du gain ou de la phase
H04N 9/31 - Dispositifs de projection pour la présentation d'images en couleurs
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
A structured phosphor device includes a frame member that includes wall regions separating multiple openings of window regions. Further, the structured phosphor device includes a phosphor material filled in each of the multiple openings with a first surface thereof being exposed to an excitation light from one or more laser sources to generate an emitted light out of each window region. Additionally, the structured phosphor device includes an anti-reflective film overlying the first surface of the phosphor material. Furthermore, the structured phosphor device includes a substrate attached to a second surface of the phosphor material in each of the multiple openings. Alternatively, the structured phosphor device includes an array of phosphor pixels dividing a plate of single-crystalline or poly-crystalline phosphor material separated by optically reflective and thermally conductive walls. A dynamic lighting system based on the arrays of phosphor pixels for single or full color image projection is also disclosed.
G03B 21/00 - Projecteurs ou visionneuses du type par projectionLeurs accessoires
H01S 5/30 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
A multi-wavelength light emitting device is manufactured by forming first and second epitaxial materials overlying first and second surface regions. The first and second epitaxial materials are patterned to form a plurality of first and second epitaxial dice. At least one of the first plurality of epitaxial dice and at least one of the second plurality of epitaxial dice are transferred from first and second substrates, respectively, to a carrier wafer by selectively etching a release region, separating from the substrate each of the epitaxial dice that are being transferred, and selectively bonding to the carrier wafer each of the epitaxial dice that are being transferred. The transferred first and second epitaxial dice are processed on the carrier wafer to form a plurality of light emitting devices capable of emitting at least a first wavelength and a second wavelength.
H01S 5/0234 - Montage à orientation inversée, p. ex. puce retournée [flip-chip], montage à côté épitaxial au-dessous ou montage à jonction au-dessous
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
68.
INFRARED ILLUMINATION DEVICE CONFIGURED WITH A GALLIUM AND NITROGEN CONTAINING LASER SOURCE
A light source or system configured to emit visible white light and infrared emissions includes a laser diode, a wavelength converter, and an infrared emitting laser diode.
F21V 9/32 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source caractérisés par la disposition du matériau photoluminescent
H01S 5/062 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p. ex. en agissant sur le milieu actif en faisant varier le potentiel des électrodes
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
F21V 7/30 - Réflecteurs pour sources lumineuses caractérisés par les matériaux, traitements de surface ou revêtements caractérisés par des revêtements le revêtement comprenant des substances photoluminescentes
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p. ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
A plurality of dies includes a gallium and nitrogen containing substrate having a surface region and an epitaxial material formed overlying the surface region. The epitaxial material includes an n-type cladding region, an active region having at least one active layer overlying the n-type cladding region, and a p-type cladding region overlying the active region. The epitaxial material is patterned to form the plurality of dies on the surface region, the dies corresponding to a laser device. Each of the plurality of dies includes a release region composed of a material with a smaller bandgap than an adjacent epitaxial material. A lateral width of the release region is narrower than a lateral width of immediately adjacent layers above and below the release region to form undercut regions bounding each side of the release region. Each die also includes a passivation region extending along sidewalls of the active region.
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/0234 - Montage à orientation inversée, p. ex. puce retournée [flip-chip], montage à côté épitaxial au-dessous ou montage à jonction au-dessous
Gallium and nitrogen containing optical devices operable as laser diodes and methods of forming the same are disclosed. The devices include a gallium and nitrogen containing substrate member, which may be semipolar or non-polar. The devices include a chip formed from the gallium and nitrogen substrate member. The chip has a width and a length, a dimension of less than 150 microns characterizing the width of the chip. The devices have a cavity oriented substantially parallel to the length of the chip.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/30 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/0234 - Montage à orientation inversée, p. ex. puce retournée [flip-chip], montage à côté épitaxial au-dessous ou montage à jonction au-dessous
A monolithically integrated optical device. The device has a gallium and nitrogen containing substrate member having a surface region configured on either a non-polar or semi-polar orientation. The device also has a first waveguide structure configured in a first direction overlying a first portion of the surface region. The device also has a second waveguide structure integrally configured with the first waveguide structure. The first direction is substantially perpendicular to the second direction.
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H01S 5/0625 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p. ex. en agissant sur le milieu actif en faisant varier le potentiel des électrodes dans des lasers à plusieurs sections
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
G02B 6/126 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré utilisant des effets de polarisation
H01S 3/081 - Structure ou forme des résonateurs optiques ou de leurs composants comprenant trois réflecteurs ou plus
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/125 - Lasers à réflecteurs de Bragg répartis [lasers DBR]
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
72.
Low voltage laser diodes on {20-21} gallium and nitrogen containing surfaces
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
B82Y 20/00 - Nano-optique, p. ex. optique quantique ou cristaux photoniques
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
B28D 5/00 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet
H01L 21/467 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
A smart light source configured for visible light communication. The light source includes a controller comprising a modem configured to receive a data signal and generate a driving current and a modulation signal based on the data signal. Additionally, the light source includes a light emitter configured as a pump-light device to receive the driving current for producing a directional electromagnetic radiation with a first peak wavelength in the ultra-violet or blue wavelength regime modulated to carry the data signal using the modulation signal. Further, the light source includes a pathway configured to direct the directional electromagnetic radiation and a wavelength converter optically coupled to the pathway to receive the directional electromagnetic radiation and to output a white-color spectrum. Furthermore, the light source includes a beam shaper configured to direct the white-color spectrum for illuminating a target of interest and transmitting the data signal.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p. ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/02216 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type papillon, c.-à-d. avec les broches d’électrode s’étendant latéralement depuis le boîtier
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H04B 10/114 - Systèmes d’intérieur ou à courte portée
H01S 5/02326 - Dispositions pour le positionnement relatif des diodes laser et des composants optiques, p. ex. rainures dans le support pour fixer des fibres optiques ou des lentilles
A gallium and nitrogen containing laser diode device. The device has a gallium and nitrogen containing substrate material comprising a surface region. The surface region is configured on either a non-polar crystal orientation or a semi-polar crystal orientation. The device has a recessed region formed within a second region of the substrate material, the second region being between a first region and a third region. The recessed region is configured to block a plurality of defects from migrating from the first region to the third region. The device has an epitaxially formed gallium and nitrogen containing region formed overlying the third region. The epitaxially formed gallium and nitrogen containing region is substantially free from defects migrating from the first region and an active region formed overlying the third region.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/30 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
A multi-emitter laser diode device includes a carrier chip singulated from a carrier wafer. The carrier chip has a length and a width, and the width defines a first pitch. The device also includes a plurality of epitaxial mesa dice regions transferred to the carrier chip from a substrate and attached to the carrier chip at a bond region. Each of the epitaxial mesa dice regions is arranged on the carrier chip in a substantially parallel configuration and positioned at a second pitch defining the distance between adjacent epitaxial mesa dice regions. Each of the plurality of epitaxial mesa dice regions includes epitaxial material, which includes an n-type cladding region, an active region having at least one active layer region, and a p-type cladding region. The device also includes one or more laser diode stripe regions, each of which has a pair of facets forming a cavity region.
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
An optical device has a gallium and nitrogen containing substrate including a surface region and a strain control region, the strain control region being configured to maintain a quantum well region within a predetermined strain state. The device also has a plurality of quantum well regions overlying the strain control region.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/30 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01L 33/16 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
77.
Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
Laser diode technology incorporating etched facet mirror formation and optical coating techniques for reflectivity modification to enable ultra-high catastrophic optical mirror damage thresholds for high power laser diodes.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
78.
Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
Laser diode technology incorporating etched facet mirror formation and optical coating techniques for reflectivity modification to enable ultra-high catastrophic optical mirror damage thresholds for high power laser diodes.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
79.
Distance detecting systems for use in mobile machines including gallium and nitrogen containing laser diodes
A distance detecting system for use in mobile machines comprises a gallium and nitrogen containing laser diode disposed within a light of a mobile machine. The gallium and nitrogen containing laser diode is configured to emit a first light with a first peak wavelength. A wavelength conversion member is configured to produce a white light. A first sensing light signal is based on the first peak wavelength. One or more optical elements are configured to direct at least partially the white light to illuminate one or more target objects or areas and to transmit respectively the first sensing light signal for sensing at least one remote point. A detector is configured to detect reflected signals of the first sensing light signal to determine coordinates of the at least one remote point.
G01S 17/89 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la cartographie ou l'imagerie
G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p. ex. agencements d'éléments optiques
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
F21V 29/70 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p. ex. puits thermiques
G01S 7/487 - Extraction des signaux d'écho désirés
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
G01S 17/86 - Combinaisons de systèmes lidar avec des systèmes autres que lidar, radar ou sonar, p. ex. avec des goniomètres
G01S 17/931 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour prévenir les collisions de véhicules terrestres
H01S 5/02251 - Découplage de lumière utilisant des fibres optiques
H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
Methods for fabricating ultraviolet laser diode devices include providing substrate members comprising gallium and nitrogen or aluminum and nitrogen, forming an epitaxial material overlying a surface region of the substrate members, patterning the epitaxial material to form epitaxial mesa regions, depositing a bond media on at least one of the epitaxial mesa regions, bonding the bond media on at least one of the epitaxial mesa regions to a handle substrate, subjecting the sacrificial layer to an energy source to initiate release of the substrate member and transfer the at least one of the epitaxial mesa regions to the handle substrate, and processing the at least one of the epitaxial mesa regions to form the ultraviolet laser diode device.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/0234 - Montage à orientation inversée, p. ex. puce retournée [flip-chip], montage à côté épitaxial au-dessous ou montage à jonction au-dessous
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/30 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active
A laser illumination or dazzler device and method. More specifically, examples of the present invention provide laser illumination or dazzling devices power by one or more violet, blue, or green laser diodes characterized by a wavelength from about 390 nm to about 550 nm. In some examples the laser illumination or dazzling devices include a laser pumped phosphor wherein a laser beam with a first wavelength excites a phosphor member to emit electromagnetic at a second wavelength. In various examples, laser illumination or dazzling devices according to the present invention include polar, non-polar, or semi-polar laser diodes. In a specific example, a single laser illumination or dazzling device includes a plurality of violet, blue, or green laser diodes. There are other examples as well.
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
F41H 13/00 - Moyens d'attaque ou de défense non prévus ailleurs
H01S 5/02208 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
A laser illumination or dazzler device and method. More specifically, examples of the present invention provide laser illumination or dazzling devices power by one or more violet, blue, or green laser diodes characterized by a wavelength from about 390 nm to about 550 nm. In some examples the laser illumination or dazzling devices include a laser pumped phosphor wherein a laser beam with a first wavelength excites a phosphor member to emit electromagnetic at a second wavelength. In various examples, laser illumination or dazzling devices according to the present invention include polar, non-polar, or semi-polar laser diodes. In a specific example, a single laser illumination or dazzling device includes a plurality of violet, blue, or green laser diodes. There are other examples as well.
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
F41H 13/00 - Moyens d'attaque ou de défense non prévus ailleurs
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
H01S 5/02208 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers
H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
83.
Manufacturable laser diode formed on c-plane gallium and nitrogen material
A method for manufacturing a laser diode device includes providing a substrate having a surface region and forming epitaxial material overlying the surface region, the epitaxial material comprising an n-type cladding region, an active region comprising at least one active layer overlying the n-type cladding region, and a p-type cladding region overlying the active layer region. The epitaxial material is patterned to form a plurality of dice, each of the dice corresponding to at least one laser device, characterized by a first pitch between a pair of dice, the first pitch being less than a design width. Each of the plurality of dice are transferred to a carrier wafer such that each pair of dice is configured with a second pitch between each pair of dice, the second pitch being larger than the first pitch.
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
The present invention provides a device and method for an integrated white colored electromagnetic radiation source using a combination of laser diode excitation sources based on gallium and nitrogen containing materials and light emitting source based on phosphor materials. In this invention a violet, blue, or other wavelength laser diode source based on gallium and nitrogen materials is closely integrated with phosphor materials, such as yellow phosphors, to form a compact, high-brightness, and highly-efficient, white light source.
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/02224 - Boîtiers remplis de gaz le gaz comprenant de l’oxygène, p. ex. pour éviter une contamination des facettes émettrices de lumière
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
H01S 5/02257 - Découplage de lumière utilisant des fenêtres optiques, p. ex. spécialement adaptées pour réfléchir de la lumière sur un détecteur à l’intérieur du boîtier
H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
85.
Violet and ultraviolet illumination device configured with a gallium and nitrogen containing laser source
A light source system or apparatus configured with an infrared illumination source includes a gallium and nitrogen containing laser diode based white light source. The light source system includes a first pathway configured to direct directional electromagnetic radiation from the gallium and nitrogen containing laser diode to a first wavelength converter and to output a white light emission. In some embodiments infrared emitting laser diodes are included to generate the infrared illumination. In some embodiments infrared emitting wavelength converter members are included to generate the infrared illumination. In some embodiments a second wavelength converter is optically excited by a UV or blue emitting gallium and nitrogen containing laser diode, a laser diode operating in the long wavelength visible spectrum such as a green laser diode or a red laser diode, by a near infrared emitting laser diode, by the white light emission produced by the first wavelength converter, or by some combination thereof. A beam shaper may be configured to direct the white light emission and an infrared emission for illuminating a target of interest and transmitting a data signal. In some configurations, sensors and feedback loops are included.
F21V 9/32 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source caractérisés par la disposition du matériau photoluminescent
H01S 5/062 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p. ex. en agissant sur le milieu actif en faisant varier le potentiel des électrodes
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
F21V 7/30 - Réflecteurs pour sources lumineuses caractérisés par les matériaux, traitements de surface ou revêtements caractérisés par des revêtements le revêtement comprenant des substances photoluminescentes
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p. ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
H01S 5/02251 - Découplage de lumière utilisant des fibres optiques
G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p. ex. agencements d'éléments optiques
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
H01S 5/02216 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type papillon, c.-à-d. avec les broches d’électrode s’étendant latéralement depuis le boîtier
F21Y 113/13 - Combinaison de sources lumineuses de couleurs différentes comprenant un ensemble de sources lumineuses ponctuelles
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
F21V 29/502 - Dispositions de refroidissement caractérisées par l’adaptation au refroidissement de composants spécifiques
G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière
F21V 29/70 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p. ex. puits thermiques
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
H01S 5/0234 - Montage à orientation inversée, p. ex. puce retournée [flip-chip], montage à côté épitaxial au-dessous ou montage à jonction au-dessous
H01S 5/02257 - Découplage de lumière utilisant des fenêtres optiques, p. ex. spécialement adaptées pour réfléchir de la lumière sur un détecteur à l’intérieur du boîtier
86.
SPECIALIZED MOBILE LIGHT DEVICE CONFIGURED WITH A GALLIUM AND NITROGEN CONTAINING LASER SOURCE
A portable lighting apparatus is provided with a gallium-and-nitrogen containing laser diode based white light source combined with an infrared illumination source which are driven by drivers disposed in a printed circuit board assembly enclosed in a compact housing and powered by a portable power supply therein. The portable lighting apparatus includes a first wavelength converter configured to output a white-color emission and an infrared emission. A beam shaper may be configured to direct the white-color emission and the infrared emission to a front aperture of a compact housing of the portable lighting apparatus. An optical transmitting unit is configured to project or transmit a directional light beam of the white light emission and/or the infrared emission for illuminating a target of interest, transmitting a pulsed sensing signal or modulated data signal generated by the drivers therein. In some configurations, detectors are included for depth sensing and visible/infrared light communications. The portable lighting device may be part of a mobile machine.
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
G01S 17/931 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour prévenir les collisions de véhicules terrestres
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
G01S 7/48 - Détails des systèmes correspondant aux groupes , , de systèmes selon le groupe
A portable lighting apparatus is provided with a gallium-and-nitrogen containing laser diode based white light source combined with an infrared illumination source which are driven by drivers disposed in a printed circuit board assembly enclosed in a compact housing and powered by a portable power supply therein. The portable lighting apparatus includes a first wavelength converter configured to output a white-color emission and an infrared emission. A beam shaper may be configured to direct the white-color emission and the infrared emission to a front aperture of a compact housing of the portable lighting apparatus. An optical transmitting unit is configured to project or transmit a directional light beam of the white light emission and/or the infrared emission for illuminating a target of interest, transmitting a pulsed sensing signal or modulated data signal generated by the drivers therein. In some configurations, detectors are included for depth sensing and visible/infrared light communications.
H01S 5/02326 - Dispositions pour le positionnement relatif des diodes laser et des composants optiques, p. ex. rainures dans le support pour fixer des fibres optiques ou des lentilles
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p. ex. agencements d'éléments optiques
G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p. ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
F21V 9/32 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source caractérisés par la disposition du matériau photoluminescent
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
F21Y 113/13 - Combinaison de sources lumineuses de couleurs différentes comprenant un ensemble de sources lumineuses ponctuelles
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01S 5/02251 - Découplage de lumière utilisant des fibres optiques
H01S 5/02255 - Découplage de lumière utilisant des éléments de déviation de faisceaux lumineux
The present disclosure provides a method and structure for producing large area gallium and nitrogen engineered substrate members configured for the epitaxial growth of layer structures suitable for the fabrication of high performance semiconductor devices. In a specific embodiment the engineered substrates are used to manufacture gallium and nitrogen containing devices based on an epitaxial transfer process wherein as-grown epitaxial layers are transferred from the engineered substrate to a carrier wafer for processing. In a preferred embodiment, the gallium and nitrogen containing devices are laser diode devices operating in the 390 nm to 425 nm range, the 425 nm to 485 nm range, the 485 nm to 550 nm range, or greater than 550 nm.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/784 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs qui consistent chacun en un seul élément de circuit le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
89.
Laser based white light source configured for communication
A packaged integrated white light source configured for illumination and communication or sensing comprises one or more laser diode devices. An output facet configured on the laser diode device outputs a laser beam of first electromagnetic radiation with a first peak wavelength. The first wavelength from the laser diode provides at least a first carrier channel for a data or sensing signal.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p. ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/02216 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type papillon, c.-à-d. avec les broches d’électrode s’étendant latéralement depuis le boîtier
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H04B 10/114 - Systèmes d’intérieur ou à courte portée
H01S 5/02326 - Dispositions pour le positionnement relatif des diodes laser et des composants optiques, p. ex. rainures dans le support pour fixer des fibres optiques ou des lentilles
The embodiments described herein provide a device and method for an integrated white colored electromagnetic radiation source using a combination of laser diode excitation sources based on gallium and nitrogen containing materials and light emitting source based on phosphor materials. A violet, blue, or other wavelength laser diode source based on gallium and nitrogen materials may be closely integrated with phosphor materials, such as yellow phosphors, to form a compact, high-brightness, and highly-efficient, white light source. The phosphor material is provided with a plurality of scattering centers scribed on an excitation surface or inside bulk of a plate to scatter electromagnetic radiation of a laser beam from the excitation source incident on the excitation surface to enhance generation and quality of an emitted light from the phosphor material for outputting a white light emission either in reflection mode or transmission mode.
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
H01S 5/02257 - Découplage de lumière utilisant des fenêtres optiques, p. ex. spécialement adaptées pour réfléchir de la lumière sur un détecteur à l’intérieur du boîtier
H01S 5/02315 - Éléments de support, p. ex. bases ou montures
H01S 5/02326 - Dispositions pour le positionnement relatif des diodes laser et des composants optiques, p. ex. rainures dans le support pour fixer des fibres optiques ou des lentilles
H01S 5/0233 - Configuration de montage des puces laser
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
Method and devices for emitting electromagnetic radiation at high power using nonpolar or semipolar gallium containing substrates such as GaN, AlN, InN, InGaN, AlGaN, and AlInGaN, are provided. The laser devices include multiple laser emitters integrated onto a substrate (in a module), which emit green or blue laser radiation.
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
B82Y 20/00 - Nano-optique, p. ex. optique quantique ou cristaux photoniques
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
92.
Method and system for providing directional light sources with broad spectrum
A system and method for providing laser diodes with broad spectrum is described. GaN-based laser diodes with broad or multi-peaked spectral output operating are obtained in various configurations by having a single laser diode device generating multiple-peak spectral outputs, operate in superluminescene mode, or by use of an RF source and/or a feedback signal. In some other embodiments, multi-peak outputs are achieved by having multiple laser devices output different lasers at different wavelengths.
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
B82Y 20/00 - Nano-optique, p. ex. optique quantique ou cristaux photoniques
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/065 - Accrochage de modesSuppression de modesSélection de modes
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
A laser illumination or dazzler device and method. More specifically, examples of the present invention provide laser illumination or dazzling devices power by one or more violet, blue, or green laser diodes characterized by a wavelength from about 390 nm to about 550 nm. In some examples the laser illumination or dazzling devices include a laser pumped phosphor wherein a laser beam with a first wavelength excites a phosphor member to emit electromagnetic at a second wavelength. In various examples, laser illumination or dazzling devices according to the present invention include polar, non-polar, or semi-polar laser diodes. In a specific example, a single laser illumination or dazzling device includes a plurality of violet, blue, or green laser diodes. There are other examples as well.
F21S 2/00 - Systèmes de dispositifs d'éclairage non prévus dans les groupes principaux ou , p. ex. à construction modulaire
H04N 9/77 - Circuits pour le traitement l'un par rapport à l'autre des signaux de luminance et de chrominance, p. ex. ajustement de la phase du signal de luminance par rapport au signal de couleur, correction différentielle du gain ou de la phase
F21V 23/02 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage les éléments étant des transformateurs ou des impédances
H04N 9/31 - Dispositifs de projection pour la présentation d'images en couleurs
94.
Infrared illumination device configured with a gallium and nitrogen containing laser source
A light source system or apparatus configured with an infrared illumination source includes a gallium and nitrogen containing laser diode based white light source. The light source system includes a first pathway configured to direct directional electromagnetic radiation from the gallium and nitrogen containing laser diode to a first wavelength converter and to output a white light emission. In some embodiments infrared emitting laser diodes are included to generate the infrared illumination. In some embodiments infrared emitting wavelength converter members are included to generate the infrared illumination. In some embodiments a second wavelength converter is optically excited by a UV or blue emitting gallium and nitrogen containing laser diode, a laser diode operating in the long wavelength visible spectrum such as a green laser diode or a red laser diode, by a near infrared emitting laser diode, by the white light emission produced by the first wavelength converter, or by some combination thereof. A beam shaper may be configured to direct the white light emission and an infrared emission for illuminating a target of interest and transmitting a data signal. In some configurations, sensors and feedback loops are included.
F21V 9/32 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source caractérisés par la disposition du matériau photoluminescent
H01S 5/062 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p. ex. en agissant sur le milieu actif en faisant varier le potentiel des électrodes
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
F21V 7/30 - Réflecteurs pour sources lumineuses caractérisés par les matériaux, traitements de surface ou revêtements caractérisés par des revêtements le revêtement comprenant des substances photoluminescentes
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p. ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
H01S 5/02251 - Découplage de lumière utilisant des fibres optiques
G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p. ex. agencements d'éléments optiques
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
H01S 5/02216 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type papillon, c.-à-d. avec les broches d’électrode s’étendant latéralement depuis le boîtier
F21Y 113/13 - Combinaison de sources lumineuses de couleurs différentes comprenant un ensemble de sources lumineuses ponctuelles
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
F21V 29/502 - Dispositions de refroidissement caractérisées par l’adaptation au refroidissement de composants spécifiques
G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière
F21V 29/70 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p. ex. puits thermiques
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
H01S 5/0234 - Montage à orientation inversée, p. ex. puce retournée [flip-chip], montage à côté épitaxial au-dessous ou montage à jonction au-dessous
H01S 5/02257 - Découplage de lumière utilisant des fenêtres optiques, p. ex. spécialement adaptées pour réfléchir de la lumière sur un détecteur à l’intérieur du boîtier
An optical device includes a gallium and nitrogen containing substrate comprising a surface region configured in a (20-2-1) orientation, a (30-3-1) orientation, or a (30-31) orientation, within +/−10 degrees toward c-plane and/or a-plane from the orientation. Optical devices having quantum well regions overly the surface region are also disclosed.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou
H01L 33/16 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure cristalline ou une orientation particulière, p.ex. polycristalline, amorphe ou poreuse
H01L 41/332 - Mise en forme ou usinage de corps piézo-électriques ou électrostrictifs par gravure, p.ex. par lithographie
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
H01L 21/469 - Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p. ex. gravure, polissage, découpage pour y former des couches isolantes, p. ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiquesPost-traitement de ces couches
H01L 21/461 - Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p. ex. gravure, polissage, découpage
H01L 21/302 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p. ex. gravure, polissage, découpage
H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
96.
Intelligent visible light with a gallium and nitrogen containing laser source
A smart light source configured for visible light communication. The light source includes a controller comprising a modem configured to receive a data signal and generate a driving current and a modulation signal based on the data signal. Additionally, the light source includes a light emitter configured as a pump-light device to receive the driving current for producing a directional electromagnetic radiation with a first peak wavelength in the ultra-violet or blue wavelength regime modulated to carry the data signal using the modulation signal. Further, the light source includes a pathway configured to direct the directional electromagnetic radiation and a wavelength converter optically coupled to the pathway to receive the directional electromagnetic radiation and to output a white-color spectrum. Furthermore, the light source includes a beam shaper configured to direct the white-color spectrum for illuminating a target of interest and transmitting the data signal.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p. ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/02216 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type papillon, c.-à-d. avec les broches d’électrode s’étendant latéralement depuis le boîtier
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H04B 10/114 - Systèmes d’intérieur ou à courte portée
H01S 5/02326 - Dispositions pour le positionnement relatif des diodes laser et des composants optiques, p. ex. rainures dans le support pour fixer des fibres optiques ou des lentilles
The present invention is directed to display technologies. More specifically, various embodiments of the present invention provide projection display systems where one or more laser diodes are used as a light source.
H04N 13/363 - Reproducteurs d’images utilisant des écrans de projection
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
H04N 9/31 - Dispositifs de projection pour la présentation d'images en couleurs
H04N 13/334 - Affichage pour le visionnement à l’aide de lunettes spéciales ou de visiocasques utilisant le multiplexage spectral
H04N 13/337 - Affichage pour le visionnement à l’aide de lunettes spéciales ou de visiocasques utilisant le multiplexage par polarisation
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
F21S 41/14 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. phares caractérisés par la source lumineuse caractérisés par le type de source lumineuse
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
99.
Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
B82Y 20/00 - Nano-optique, p. ex. optique quantique ou cristaux photoniques
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
brevets
