An optical device is described. The optical device includes a waveguide and an electrode. The waveguide includes at least one electro-optic material. The waveguide has a ridge portion and a thin film portion. The electro-optic material(s) include lithium. The electrode includes a channel region and a plurality of extensions protruding from the channel region. At least one of the extensions extend across at least a portion of the ridge or a portion of the extensions include a first extension and a second extension. The first extension extends from a first portion of the channel region. The second extension extends from a second portion of the channel region such that the first extension is a different height from a substrate structure than the second extension.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
2.
THIN FILM LITHIUM-CONTAINING COMPACT ELECTRO-OPTIC DEVICES
An electro-optic device is described. The electro-optic device includes multiple optical modulators corresponding to multiple channels. Each optical modulator includes at least one thin film lithium-containing (TFLC) material. The optical modulators have a pitch of not more than two hundred micrometers.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
3.
THIN FILM LITHIUM-CONTAINING ELECTRO-OPTIC DEVICES HAVING COMPACT TAPERS
A thin film lithium-containing (TFLC) optical device is described. The TFLC optical device includes at least one electrode and a TFLC waveguide. A portion of each of the electrode(s) is in a modulation region and carries an electrode signal. The TFLC waveguide includes first, second, and third portions. The first portion is optically coupled with a first waveguide. The second portion is optically coupled with a second waveguide. The third portion is in the modulation region. An optical signal in the third portion of the TFLC waveguide is modulated by an electric field generated by the electrode signal. The TFLC waveguide includes a TFLC electro-optic material. At least a part of the first and/or second portion of the waveguide is aligned with the modulation region.
G02B 6/125 - Courbures, branchements ou intersections
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
4.
Lithium niobate photonic devices having engineered lithium niobate, silicon dioxide, and electrode extension thickness
An optical device including a waveguide and an electrode is described. The waveguide includes at least one optical material having an electro-optic effect. The electrode includes a channel region and extensions protruding from the channel region. The extensions are closer to a portion of the waveguide than the channel region is. Each extension includes a connecting portion coupled to the channel region and a retrograde portion. The connecting portion is between the retrograde portion and the channel region. The retrograde portion and/or the channel region has a width of not more than one micrometer.
G02F 1/03 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
5.
CMOS-POCKELS EFFECT MATERIAL INTEGRATED PHOTONICS DEVICES
A photonics device is described. The photonics device includes a plurality of unit cells. Each of the unit cells includes a first portion of a waveguide, an electrode section proximate to the first portion of the waveguide, and an integrated circuit (IC) driver coupled to and configured to drive the electrode section. The unit cells are adjacent and distributed along a second portion of the waveguide. The waveguide includes at least one electro-optic material possessing a Pockels Effect. The waveguide is also configured to carry an optical signal. The IC driver, the electrode section, and the first portion of the waveguide for each of the unit cells are integrated into the photonics device. The unit cells are configured such that the photonics device has a 3 dB bandwidth of at least 70 GHz and the first portion of the waveguide has a length not exceeding five hundred micrometers.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/03 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr
6.
THIN FILM LITHIUM-CONTAINING PHOTONICS WAFER HAVING A TRAP-RICH SUBSTRATE
A substrate configured for an electro-optic device and an electro-optic device formed using the substrate are described. The substrate includes a semiconductor substrate, an insulating layer, and at least one thin film optical material. The semiconductor substrate includes a trap-rich layer and an underlying substrate layer. The insulating layer is on the semiconductor substrate, The trap-rich layer is between the underlying substrate layer and the insulating layer. The thin film optical material(s) have an electro-optic effect and are on the insulating layer.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/293 - Moyens de couplage optique ayant des bus de données, c.-à-d. plusieurs guides d'ondes interconnectés et assurant un système bidirectionnel par nature en mélangeant et divisant les signaux avec des moyens de sélection de la longueur d'onde
G02F 1/00 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire
G02F 1/313 - Dispositifs de déflexion numérique dans une structure de guide d'ondes optique
A photonics device is described. The photonics device includes an optical device and a balun. The optical device includes a waveguide and a signal electrode. The waveguide includes a lithium-containing electro-optic material. The signal electrode varies the electric field at the waveguide. The balun is configured to convert a differential input signal to a single-ended output signal. The balun is connected to the signal electrode and provides the signal electrode with the single-ended output signal.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
A photonics device is described. The photonics device includes an optical device and a balun. The optical device includes a waveguide and a signal electrode. The waveguide includes a lithium-containing electro-optic material. The signal electrode varies the electric field at the waveguide. The balun is configured to convert a differential input signal to a single-ended output signal. The balun is connected to the signal electrode and provides the signal electrode with the single-ended output signal.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
A photonics device package is described. The photonics device package includes a thin film lithium-containing (TFLC) photonics integrated circuit (PIC) and an additional integrated circuit (IC). The TFLC PIC includes TFLC optical structures and electrodes. The TFLC structures include at least one TFLC electro-optic material. At least one of the TFLC structures includes a ridge and a slab and has a width not exceeding one micrometer. The TFLC PIC has a footprint. The TFLC structures occupy not more than fifty percent of the footprint. In addition, the TFLC structures are encapsulated in the TFLC PIC. The additional IC is mechanically coupled with the TFLC PIC after formation of the TFLC structures.
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/132 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication par le dépôt de couches minces
A photonics device package is described. The photonics device package includes a thin film lithium-containing (TFLC) photonics integrated circuit (PIC) and an additional integrated circuit (IC). The TFLC PIC includes TFLC optical structures and electrodes. The TFLC structures include at least one TFLC electro-optic material. At least one of the TFLC structures includes a ridge and a slab and has a width not exceeding one micrometer. The TFLC PIC has a footprint. The TFLC structures occupy not more than fifty percent of the footprint. In addition, the TFLC structures are encapsulated in the TFLC PIC. The additional IC is mechanically coupled with the TFLC PIC after formation of the TFLC structures.
H01L 23/18 - Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/13 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication
H10D 80/30 - Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un dispositif couvert par la présente sous-classe l’au moins un dispositif étant couvert par les groupes , p. ex. des ensembles comprenant des puces de processeur à circuit intégré
11.
THIN FILM LITHIUM-CONTAINING ELECTRO-OPTIC DEVICES HAVING COMPACT TAPERS
A thin film lithium-containing (TFLC) optical device is described. The TFLC optical device includes at least one electrode and a TFLC waveguide. A portion of each of the electrode(s) is in a modulation region and carries an electrode signal. The TFLC waveguide includes first, second, and third portions. The first portion is optically coupled with a first waveguide. The second portion is optically coupled with a second waveguide. The third portion is in the modulation region. An optical signal in the third portion of the TFLC waveguide is modulated by an electric field generated by the electrode signal. The TFLC waveguide includes a TFLC electro-optic material. At least a part of the first and/or second portion of the waveguide is aligned with the modulation region.
G02B 6/125 - Courbures, branchements ou intersections
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
12.
THIN FILM LITHIUM CONTAINING MODULATOR HAVING TIGHT BENDS
A photonics device is described. The photonics devices include at least one electrode and a waveguide. The waveguide includes electro-optic material(s), a ridge, and a slab. A first portion of the waveguide is proximate to the electrode(s), while a second portion of the waveguide includes a bend. The ridge includes a first side and a second side opposite to the first side. Portions of the slab are proximate to the first side and the second side of the ridge in the first portion of the waveguide. A portion of the slab is omitted in the second portion of the waveguide.
G02B 6/125 - Courbures, branchements ou intersections
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
13.
COMPACT LITHIUM NIOBATE PHOTONIC DEVICES HAVING IMPROVED PERFORMANCE
An optical device is described. The optical device includes a substrate, an optical channel, a photodiode and an optical path that couples the channel to the photo diode. The optical path has an optical path length that is at least one fourth of the optical channel length
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/125 - Courbures, branchements ou intersections
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
A photonics device is described. The photonics device includes a plurality of unit cells. Each of the unit cells includes a first portion of a waveguide, an electrode section proximate to the first portion of the waveguide, and an integrated circuit (IC) driver coupled to and configured to drive the electrode section. The unit cells are adjacent and distributed along a second portion of the waveguide. The waveguide includes at least one electro-optic material possessing a Pockels Effect. The waveguide is also configured to carry an optical signal. The IC driver, the electrode section, and the first portion of the waveguide for each of the unit cells are integrated into the photonics device. The unit cells are configured such that the photonics device has a 3 dB bandwidth of at least 70 GHz and the first portion of the waveguide has a length not exceeding five hundred micrometers.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
G02F 1/03 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Photonic integrated chips (PICs); photonic computer chips;
photonic integrated chips (PICs) used for artificial
intelligence (AI) applications; chiplets comprising one or
more photonic integrated chips (PICs); chiplets comprising
one or more photonic integrated chips (PICs) comprising thin
film lithium niobate; computer hardware.
16.
EXTERNAL LAYER WAVEGUIDING IN THIN FILM LITHIUM-CONTAINING PHOTONIC DEVICES
A photonics device is described. The photonics device includes a device region and a coupling region. The device region has a first portion of a waveguide therein. The coupling region includes a second portion of the waveguide, at least one additional structure, and a cladding separating the additional structure(s) from the second portion of the waveguide. The cladding has a cladding index of refraction. The additional structure(s) has index(es) of refraction greater than the cladding index of refraction. The waveguide includes at least one thin film lithium-containing (TFLC) electro-optic material.
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
17.
EXTERNAL LAYER WAVEGUIDING IN THIN FILM LITHIUM-CONTAINING PHOTONIC DEVICES
A photonics device is described. The photonics device includes a device region and a coupling region. The device region has a first portion of a waveguide therein. The coupling region includes a second portion of the waveguide, at least one additional structure, and a cladding separating the additional structure(s) from the second portion of the waveguide. The cladding has a cladding index of refraction. The additional structure(s) has index(es) of refraction greater than the cladding index of refraction. The waveguide includes at least one thin film lithium-containing (TFLC) electro-optic material.
G02B 6/132 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication par le dépôt de couches minces
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/126 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré utilisant des effets de polarisation
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
(1) Photonic integrated chips (PICs); photonic computer chips; photonic integrated chips (PICs) used for artificial intelligence (AI) applications; chiplets comprising one or more photonic integrated chips (PICs); chiplets comprising one or more photonic integrated chips (PICs) comprising thin film lithium niobate; computer hardware.
19.
LOW-LOSS WAVEGUIDING STRUCTURES, IN PARTICULAR MODULATORS
An optical modulator that uses adiabatic tapers to change the width of the waveguides between multimode waveguides and single mode waveguides on a low-loss, e.g. thin-film lithium niobate, electro-optic platform. The architecture enables the utilization of the fundamental mode of multimode wide optical waveguides that have lower optical propagation loss without sacrificing the benefit of the signal integrity and ease of control of single mode operation.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
G02B 6/28 - Moyens de couplage optique ayant des bus de données, c.-à-d. plusieurs guides d'ondes interconnectés et assurant un système bidirectionnel par nature en mélangeant et divisant les signaux
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
20.
PACKAGING OF THIN FILM LITHIUM-CONTAINING PHOTONICS INTEGRATED CIRCUITS
A photonics package is described. The photonics package includes a thin film lithium-containing (TFLC) photonics integrated circuit (PIC), an additional integrated circuit, and an interposer. The TFLC PIC includes an electrode and a TFLC optical component. The TFLC component includes at least one TFLC electro-optic material. The interposer is coupled with the TFLC PIC and the additional IC. At least one of the TFLC PIC or the interposer is configured such that a portion of the TFLC PIC is separated from an other component by an air cladding region.
An interface for an optical modulator and the optical modulator are described. The interface includes first and second differential line pairs. The first differential line pair has a first negative line and a first positive line arranged on opposing sides of a first waveguide. The first negative line is on a distal side of the first waveguide relative to a second waveguide. The first positive line is on a proximal side of the first waveguide relative to the second waveguide. The second differential line pair has a second negative line and a second positive line arranged on opposing sides of the second waveguide. The second negative line is on a distal side of the second waveguide relative to the first waveguide. The second positive line is on a proximal side of the second waveguide relative to the first waveguide. The first and second waveguides each include lithium niobate and/or lithium tantalate.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
22.
Compact lithium niobate photonic devices having improved performance
An optical device is described. The optical device includes a substrate, an optical channel, a photodiode and an optical path that couples the channel to the photo diode. The optical path has an optical path length that is at least one fourth of the optical channel length.
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/125 - Courbures, branchements ou intersections
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
An electro-optic device is described. The electro-optic device includes a thin film electro-optic layer including lithium and a lithium barrier structure. The thin film electro-optic layer has a plurality of surfaces. The lithium barrier structure covers at least a portion of the plurality of surfaces.
G02F 1/00 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire
G02F 1/03 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/055 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr le matériau actif étant une céramique
A photonics device including a waveguide and an index smoothing structure is described. The waveguide is configured to carry an optical signal and includes a thin film lithium-containing electro-optic (TFLCEO) material. The waveguide has a first portion, a transition portion, and a second portion. The optical signal has a first mode in the first portion and a second mode in the second portion. The transition portion transfers the optical signal between the first portion and the second portion and transitions between the first mode and the second mode. The index smoothing structure corresponds to the transition portion. The index smoothing structure is configured to transition a first effective index of refraction for the first mode to a second effective index of refraction for the second mode. The index smoothing structure having an intermediate effective index of refraction.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Photonic integrated chips (PICs); photonic integrated chips
(PICs) comprising thin film lithium niobate; photonic
integrated chips (PICs) comprising thin film lithium
tantalate; photonic integrated chips (PICs) comprising a
pockels material; photonic computer chips; photonic
electro-optic devices; photonic integrated chips (PICs) used
for artificial intelligence (AI) applications; computer
hardware; chiplets comprising one or more photonic
integrated chips (PICs); chiplets comprising one or more
photonic integrated chips (PICs) comprising thin film
lithium niobate, thin film lithium tantalate, a material
containing thin film lithium, or a material that exhibits
the pockels effect; chipsets comprising one or more photonic
integrated chips (PICs); chipsets comprising one or more
photonic integrated chips (PICs) comprising thin film
lithium niobate, thin film lithium tantalate, a material
containing thin film lithium, or a material that exhibits
the pockels effect.
26.
Dual height functional components in lithium niobate optical devices
An electro-optic device is described. The electro-optic device includes an electro-optic component implemented on an electro-optic material having a slab and a ridge portion. The electro-optic component includes a first portion of the slab and a portion of the ridge portion. The first portion of the slab has a first height. The ridge portion has a second height greater than the first height. A passive functionality component is implemented on a second portion of the slab and is optically coupled with the electro-optic component.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
27.
PHOTONICS TRANSCEIVER INCLUDING A LITHIUM-CONTAINING TRANSMITTER
A transceiver including an electronics integrated circuit (EIC), a photonics receiver integrated circuit (photonics RIC), a photonics transmitter integrated circuit (photonics TIC), and an interposer. The photonics RIC and TIC are each electrically coupled with the EIC. The photonics TIC is separate from the photonics RIC and includes at least one optical structure having a thin film lithium-containing (TFLC) electro-optic material. The interposer is coupled with the EIC, the photonics RIC, and the photonics TIC. The interposer is configured to route at least one of electrical or optical signals between at least two of the photonics RIC, the photonics TIC, or the EIC.
A photonics device is described. The photonics device includes a waveguide and an electrode. The waveguide configured to transmit an optical signal having a wavelength less than 1100 nanometers and is a single mode waveguide. The waveguide includes electro-optic material(s). The electrode is proximate to a portion of the waveguide and configured to carry an electrode signal for modulating the optical signal. The photonics device is configured to be coupled with at least one multimode fiber. The multimode fiber(s) is configured to transmit a plurality of modes.
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/13 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication
An electro-optic device including a first waveguide, a second waveguide, and electrodes is described. The first waveguide includes a first thin film lithium-containing (TFLC) electro-optic material and carries a first optical signal. The second waveguide includes a second TFLC electro-optic material and carries a second optical signal. The electrodes include a differential electrode pair proximate to a portion of the first waveguide and to a portion of the second waveguide. The differential electrode pair is configured to provide a first modulation to the first optical signal and a second modulation to the second optical signal. A first magnitude of the first modulation is different from a second magnitude of the second modulation such that the electro-optic device has an engineered chirp.
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/21 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence
30.
THIN FILM LITHIUM CONTAINING MODULATOR HAVING TIGHT BENDS
A photonics device is described. The photonics devices include at least one electrode and a waveguide. The waveguide includes electro-optic material(s), a ridge, and a slab. A first portion of the waveguide is proximate to the electrode(s), while a second portion of the waveguide includes a bend. The ridge includes a first side and a second side opposite to the first side. Portions of the slab are proximate to the first side and the second side of the ridge in the first portion of the waveguide. A portion of the slab is omitted in the second portion of the waveguide.
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/00 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage
G02B 6/10 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques
G02F 1/00 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Photonic integrated chips (PICs); photonic computer chips;
photonic integrated chips (PICs) used for artificial
intelligence (AI) applications; chiplets comprising one or
more photonic integrated chips (PICs); computer hardware;
packaged electro-optic modulators incorporating photonic
chips; chipsets comprising one or more photonic integrated
chips (PICs); photonic electro-optic devices adhering on an
insulator that provide low-power, high speeds, and optical
efficiencies across high electro-optical bandwidths.
An electro-optic device is described. The electro-optic device includes a ridge waveguide and a channel waveguide. The ridge waveguide includes a first portion of at least one electro-optic material. The first portion of the electro-optic material(s) includes a slab and a ridge on the slab. The ridge has a ridge height. The slab has a slab height less than the ridge height. The channel waveguide is optically coupled with the ridge waveguide and includes a second portion of the electro-optic material(s). The channel waveguide has a channel height less than the slab height.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
An electro-optic device is described. The electro-optic device includes at least one optical material having an electro-optic effect. Further, the optical material(s) include lithium. The optical material(s) have a slab and a ridge waveguide. The slab has a top surface. The slab includes free surfaces. Each of the free surfaces is at a nonzero angle from the top surface of the slab and mitigates stress in the slab.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
(1) Photonic integrated chips (PICs); photonic integrated chips (PICs) comprising thin film lithium niobate; photonic integrated chips (PICs) comprising thin film lithium tantalate; photonic integrated chips (PICs) comprising a pockels material; photonic computer chips; photonic electro-optic devices; photonic integrated chips (PICs) used for artificial intelligence (AI) applications; computer hardware; chiplets comprising one or more photonic integrated chips (PICs); chiplets comprising one or more photonic integrated chips (PICs) comprising thin film lithium niobate, thin film lithium tantalate, a material containing thin film lithium, or a material that exhibits the pockels effect; chipsets comprising one or more photonic integrated chips (PICs); chipsets comprising one or more photonic integrated chips (PICs) comprising thin film lithium niobate, thin film lithium tantalate, a material containing thin film lithium, or a material that exhibits the pockels effect.
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Photonic integrated chips (PICs); photonic computer chips; photonic integrated chips (PICs) used for artificial intelligence (AI) applications; chiplets comprising one or more photonic integrated chips (PICs); computer hardware; chipsets comprising one or more photonic integrated chips (PICs); Photonic integrated chips (PICs) comprising thin film lithium niobate; Photonic integrated chips (PICs) comprising thin film lithium tantalate; Photonic integrated chips (PICs) comprising a Pockels material; chiplets comprising one or more photonic integrated chips (PICs) comprising thin film lithium niobate, thin film lithium tantalate, a thin film lithium containing material, or a Pockels material; chipsets comprising one or more photonic integrated chips (PICs) comprising thin film lithium niobate, thin film lithium tantalate, a thin film lithium containing material, or a Pockels material
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Photonic integrated chips (PICs); photonic computer chips;
photonic integrated chips (PICs) used for artificial
intelligence (AI) applications; chiplets comprising one or
more photonic integrated chips (PICs); optical processing
technology; computer hardware; packaged electro-optic
modulators incorporating photonic chips; chipsets comprising
one or more photonic integrated chips (PICs); photonic
electro-optic devices adhering on an insulator that provide
low-power, high speeds, and optical efficiencies across high
electro-optical bandwidths.
37.
POLARIZATION ROTATION BEAM SPLITTER USABLE WITH LITHIUM CONTAINING OPTICAL DEVICES AND DUAL POLARIZATION IQ MODULATION
A polarization rotation splitter/combiner (PRBS) is described. The PRBS includes a waveguide, a combiner, and a polarization rotator. The waveguide includes a first channel and a second channel. The combiner is configured to combine a first beam for the first channel and a second beam for the second channel to a combined output having combined mode. The polarization rotator is coupled with the combiner and is configured to rotate a first polarization of the combined output corresponding to a first combined mode and to rotate a second polarization of the combined output corresponding to a second combined mode. The polarization rotator providing an output having orthogonal output modes. Thus, both of the orthogonal output modes are rotated greater than zero degrees and less than ninety degrees relative to the combined modes.
A photonics device is described. The photonics devices include at least one electrode and a waveguide. The waveguide includes electro-optic material(s), a ridge, and a slab. A first portion of the waveguide is proximate to the electrode(s), while a second portion of the waveguide includes a bend. The ridge includes a first side and a second side opposite to the first side. Portions of the slab are proximate to the first side and the second side of the ridge in the first portion of the waveguide. A portion of the slab is omitted in the second portion of the waveguide.
G02B 6/125 - Courbures, branchements ou intersections
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
39.
THROUGH SILICON VIA FOR THIN FILM LITHIUM-CONTAINING ELECTRO-OPTIC DEVICES
An electro-optic device is described. The electro-optic device includes a substrate, an oxide layer and a thin film lithium-containing (TFLC) electro-optic layer. The oxide layer is on the substrate. The TFLC electro-optic layer is on the oxide layer. The TFLC electro-optic layer includes a waveguide. The electro-optic device also includes a via extending through the substrate, the oxide layer, and the TFLC electro-optic layer. The via includes a conductive filler.
G02F 1/355 - Optique non linéaire caractérisée par les matériaux utilisés
G02F 1/365 - Optique non linéaire dans une structure de guide d'ondes optique
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
40.
Multilayer thin film lithium-containing optical devices
An electro-optic device includes a substrate structure, a first layer, a second layer on the first layer, and a third layer on the second layer. The first layer includes a first thin film lithium-containing (TFLC) electro-optic material and having a first thickness. The second layer includes a second TFLC electro-optic material and has a second thickness. The third layer includes a third TFLC electro-optic material and having a third thickness. Electro-optic structure(s) of the electro-optic device includes the first layer, the second layer, and the third layer. In the electro-optic structure(s), the first layer has a first width, the second layer has a second width, and the third layer has a third width.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
41.
MULTILAYER THIN FILM LITHIUM-CONTAINING OPTICAL DEVICES
An electro-optic device includes a substrate structure, a first layer, a second layer on the first layer, and a third layer on the second layer. The first layer includes a first thin film lithium-containing (TFLC) electro-optic material and having a first thickness. The second layer includes a second TFLC electro-optic material and has a second thickness. The third layer includes a third TFLC electro-optic material and having a third thickness. Electro-optic structure(s) of the electro-optic device includes the first layer, the second layer, and the third layer. In the electro-optic structure(s), the first layer has a first width, the second layer has a second width, and the third layer has a third width.
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
G02B 6/136 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication par gravure
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
42.
HIGH SPEED ELECTRO-OPTIC MODULATOR WITH VARYING ELECTRO-OPTIC MODULATION STRENGTH
An electro-optic modulator including a waveguide and electrodes is described. The waveguide has a length proximate to at least a portion of the electrodes. Each electrode of the at least the portion of the electrodes is a traveling wave electrode and has an effective electro-optic modulation strength disposed along a length of the waveguide. The effective electro-optic modulation strength varies along the length of the waveguide.
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/21 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence
An electro-optic device including a first waveguide, a second waveguide, and electrodes is described. The first waveguide includes a first thin film lithium-containing (TFLC) electro-optic material and carries a first optical signal. The second waveguide includes a second TFLC electro-optic material and carries a second optical signal. The electrodes include a differential electrode pair proximate to a portion of the first waveguide and to a portion of the second waveguide. The differential electrode pair is configured to provide a first modulation to the first optical signal and a second modulation to the second optical signal. A first magnitude of the first modulation is different from a second magnitude of the second modulation such that the electro-optic device has an engineered chirp.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/025 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des éléments à semi-conducteurs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN ou PIN dans une structure de guide d'ondes optique
An electro-optic device including a first waveguide, a second waveguide, and electrodes is described. The first waveguide includes a first thin film lithium-containing (TFLC) electro-optic material and carries a first optical signal. The second waveguide includes a second TFLC electro-optic material and carries a second optical signal. The electrodes include a differential electrode pair proximate to a portion of the first waveguide and to a portion of the second waveguide. The differential electrode pair is configured to provide a first modulation to the first optical signal and a second modulation to the second optical signal. A first magnitude of the first modulation is different from a second magnitude of the second modulation such that the electro-optic device has an engineered chirp.
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/21 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence
An electro-optic device is described. The electro-optic device includes a ridge waveguide and a channel waveguide. The ridge waveguide includes a first portion of at least one electro-optic material. The first portion of the electro-optic material(s) includes a slab and a ridge on the slab. The ridge has a ridge height. The slab has a slab height less than the ridge height. The channel waveguide is optically coupled with the ridge waveguide and includes a second portion of the electro-optic material(s). The channel waveguide has a channel height less than the slab height.
G02F 1/03 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
An optical modulator including a driving module, waveguide(s), and differential electrodes is described. The driving module has a first number of differential inputs and a second number of differential outputs. The second number is equal to the first number multiplied by an even integer. The waveguide(s) include a thin film lithium-containing (TFLC) electro-optic material. Each of the waveguide(s) has multiple arms. The differential electrodes are coupled to the second number of differential outputs, each of the plurality of differential electrodes including a positive electrode and a negative electrode, at least a portion of an arm of the plurality of arms between a portion of the positive electrode and a portion of the negative electrode.
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
(1) Photonic integrated chips (PICs); photonic computer chips; photonic integrated chips (PICs) used for artificial intelligence (AI) applications; chiplets comprising one or more photonic integrated chips (PICs); optical processing technology; computer hardware; packaged electro-optic modulators incorporating photonic chips; chipsets comprising one or more photonic integrated chips (PICs); photonic electro-optic devices adhering on an insulator that provide low-power, high speeds, and optical efficiencies across high electro-optical bandwidths.
48.
Thin film lithium-containing photonics wafer having a trap-rich substrate
A substrate configured for an electro-optic device and an electro-optic device formed using the substrate are described. The substrate includes a semiconductor substrate, an insulating layer, and at least one thin film optical material. The semiconductor substrate includes a trap-rich layer and an underlying substrate layer. The insulating layer is on the semiconductor substrate, The trap-rich layer is between the underlying substrate layer and the insulating layer. The thin film optical material(s) have an electro-optic effect and are on the insulating layer.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/293 - Moyens de couplage optique ayant des bus de données, c.-à-d. plusieurs guides d'ondes interconnectés et assurant un système bidirectionnel par nature en mélangeant et divisant les signaux avec des moyens de sélection de la longueur d'onde
G02F 1/00 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire
G02F 1/313 - Dispositifs de déflexion numérique dans une structure de guide d'ondes optique
An optical modulator including a driving module, waveguide(s), and differential electrodes is described. The driving module has a first number of differential inputs and a second number of differential outputs. The second number is equal to the first number multiplied by an even integer. The waveguide(s) include a thin film lithium-containing (TFLC) electro-optic material. Each of the waveguide(s) has multiple arms. The differential electrodes are coupled to the second number of differential outputs, each of the plurality of differential electrodes including a positive electrode and a negative electrode, at least a portion of an arm of the plurality of arms between a portion of the positive electrode and a portion of the negative electrode.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
50.
THIN FILM LITHIUM-CONTAINING PHOTONICS WAFER HAVING A TRAP-RICH SUBSTRATE
A substrate configured for an electro-optic device and an electro-optic device formed using the substrate are described. The substrate includes a semiconductor substrate, an insulating layer, and at least one thin film optical material. The semiconductor substrate includes a trap-rich layer and an underlying substrate layer. The insulating layer is on the semiconductor substrate, The trap-rich layer is between the underlying substrate layer and the insulating layer. The thin film optical material(s) have an electro-optic effect and are on the insulating layer.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
(1) Photonic integrated chips (PICs); photonic computer chips; photonic integrated chips (PICs) used for artificial intelligence (AI) applications; chiplets comprising one or more photonic integrated chips (PICs); computer hardware; packaged electro-optic modulators incorporating photonic chips; chipsets comprising one or more photonic integrated chips (PICs); photonic electro-optic devices adhering on an insulator that provide low-power, high speeds, and optical efficiencies across high electro-optical bandwidths.
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Photonic integrated chips (PICs); photonic computer chips; photonic integrated chips (PICs) used for artificial intelligence (AI) applications; chiplets comprising one or more photonic integrated chips (PICs); computer hardware; packaged electro-optic modulators incorporating photonic chips; chipsets comprising one or more photonic integrated chips (PICs); photonic electro-optic devices adhering on an insulator that provide low-power, high speeds, and optical efficiencies across high electro-optical bandwidths
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Photonic integrated chips (PICs); photonic computer chips; photonic integrated chips (PICs) used for artificial intelligence (AI) applications; chiplets comprising one or more photonic integrated chips (PICs); computer hardware; packaged electro-optic modulators incorporating photonic chips; chipsets comprising one or more photonic integrated chips (PICs); photonic electro-optic devices adhering on an insulator that provide low-power, high speeds, and optical efficiencies across high electro-optical bandwidths
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Photonic integrated chips (PICs); photonic computer chips; photonic integrated chips (PICs) used for artificial intelligence (AI) applications; computer hardware; chiplets comprising one or more photonic integrated chips (PICs); chiplets comprising one or more photonic integrated chips (PICs) comprising thin film lithium niobate, thin film lithium tantalate, a thin film lithium containing material, or a Pockels material
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Photonic integrated chips (PICs); photonic computer chips; photonic integrated chips (PICs) used for artificial intelligence (AI) applications; chiplets comprising one or more photonic integrated chips (PICs); chiplets comprising one or more photonic integrated chips (PICs) comprising thin film lithium niobate; computer hardware
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Photonic integrated chips (PICs); photonic computer chips; photonic integrated chips (PICs) used for artificial intelligence (AI) applications; computer hardware; chipsets comprising one or more photonic integrated chips (PICs); chipsets comprising one or more photonic integrated chips (PICs) comprising thin film lithium niobate, thin film lithium tantalate, a thin film lithium containing material, or a Pockels material
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Photonic integrated chips (PICs); photonic computer chips; photonic integrated chips (PICs) used for artificial intelligence (AI) applications; computer hardware; chipsets comprising one or more photonic integrated chips (PICs); chipsets comprising one or more photonic integrated chips (PICs) comprising thin film lithium niobate
An optical device including a waveguide, electrodes, and a connecting dielectric is described. The waveguide includes an electro-optic material having a waveguide optical refractive index and a waveguide microwave dielectric constant. The electrodes include a first electrode and a second electrode. The waveguide is between the first electrode and the second electrode. At least a portion of the connecting dielectric is between the waveguide and electrodes. The connecting dielectric has a microwave dielectric constant greater than the waveguide microwave dielectric constant.
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
59.
DOUBLE BLADE DICING OF LITHIUM-CONTAINING PHOTONICS DEVICES
A singulated thin film lithium containing (TFLC) photonics device, as well as a method and system for singulating the device are described. The TFLC photonics device includes a device layer and a silicon substrate. The device layer includes a TFLC layer having a depth. The device layer also has a first sawn edge. The silicon substrate has a second sawn edge and includes an upper portion and a lower portion. The upper portion has the second sawn edge that is mutually aligned with the first sawn edge. The upper portion overhangs the lower portion.
A singulated thin film lithium containing (TFLC) photonics device, as well as a method and system for singulating the device are described. The TFLC photonics device includes a device layer and a silicon substrate. The device layer includes a TFLC layer having a depth. The device layer also has a first sawn edge. The silicon substrate has a second sawn edge and includes an upper portion and a lower portion. The upper portion has the second sawn edge that is mutually aligned with the first sawn edge. The upper portion overhangs the lower portion.
A hybrid photonics device package is described. The hybrid photonics device package includes an electro-optic integrated circuit and a photonics integrated circuit. The electro-optic integrated circuit includes an optical structure and an electrode on a first substrate. The optical structure has a thin film electro-optic layer including lithium. The photonics integrated circuit includes a second substrate and a photonics component on the second substrate. The photonics component and the optical structure are optically coupled. One of the electro-optic integrated circuit and the photonics integrated circuit is mounted on an other of the electro-optic integrated circuit and the photonics integrated circuit.
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
62.
LOW-LOSS WAVEGUIDING STRUCTURES, IN PARTICULAR MODULATORS
An optical device is described. The optical device includes a waveguide and a modulation driver. The waveguide includes a first region, a second region, and a tapered region between the first and second regions. The first region supports a first set of modes of an optical signal. The second region supports a second set of modes of the optical signal. The first set of modes is different from the second set of modes. The tapered region is between the first region and the second region. The waveguide includes lithium. The modulation driver is configured to provide modulation of the optical signal in the first region.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
G02B 6/28 - Moyens de couplage optique ayant des bus de données, c.-à-d. plusieurs guides d'ondes interconnectés et assurant un système bidirectionnel par nature en mélangeant et divisant les signaux
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
A wafer for an integrated photonics system is described. The wafer includes a substrate and at least one thin film lithium-containing optical material on the substrate. The wafer also includes at least one photodetecting layer on and bonded with the thin film lithium-containing optical material(s).
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
An optical device including a waveguide, electrodes, and a connecting dielectric is described. The waveguide includes an electro-optic material having a waveguide optical refractive index and a waveguide microwave dielectric constant. The electrodes include a first electrode and a second electrode. The waveguide is between the first electrode and the second electrode. At least a portion of the connecting dielectric is between the waveguide and electrodes. The connecting dielectric has a microwave dielectric constant greater than the waveguide microwave dielectric constant.
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
A velocity mismatch between optical signals and microwave electrical signals in electro-optic devices, such as modulators, may be compensated by utilizing different lengths of bends in the optical waveguides as compared to the microwave electrodes to match the velocity of the microwave signal propagating along the coplanar waveguide to the velocity of the optical signal. To ensure the electrode bends do not affect the light in the optical waveguide bends, the electrode may have to be rerouted, e.g. above or below, the optical waveguide layer. To ensure that the pair of optical waveguides have the same optical length, a waveguide crossing may be used to cross the first waveguide through the second waveguide.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/125 - Courbures, branchements ou intersections
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
An optical device configured to be coupled with an optical fiber is described. The optical device includes a waveguide, a low-confinement waveguide, and a low-confinement layer. The waveguide includes a high-confinement waveguide, which has a first index of refraction. The low-confinement waveguide is optically coupled with the high-confinement waveguide. At least a portion of the low-confinement waveguide has a second index of refraction less than the first index of refraction. The low-confinement waveguide has a thickness of at least a mode diameter in a portion of the optical fiber. The low-confinement layer is adjacent to a portion of the low-confinement waveguide. The low-confinement layer has a third index of refraction less than the second index of refraction.
An optical modulator includes optical material(s) and first and second differential electrode pairs. The optical material(s) exhibit an electro-optic effect and include lithium. The optical material(s) include first and second waveguides and first and second slab portions adjoining the first and second waveguides. The first differential electrode pair has electrodes arranged on opposing sides of the first waveguide. The second differential electrode pair has electrodes arranged on opposing sides of the second waveguide. The negative electrodes are arranged on distal sides of the waveguide relative to the other waveguide. The positive electrodes are arranged on proximal sides of waveguide relative to the other waveguide. The first and second waveguides, the first and second slab portions, and the first and second differential electrode pairs reside on a substrate structure. No portion of the first slab portion is between the first or second differential electrode pair and the substrate structure.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
An optical device including a plurality of electrodes, an electro-optic component, an optical grating, and a buried back reflector is described. The electro-optic component includes at least one optical material exhibiting an electro-optic effect. The optical grating is optically coupled with the electro-optic component. In some embodiments, the optical grating includes a vertical optical grating coupler. The buried back reflector is optically coupled with the optical grating. The buried back reflector is configured to increase a coupling efficiency of the optical grating to an out-of-plane optical mode and configured to reduce a performance perturbation to the plurality of electrodes. The buried back reflector may include a metal layer having a thickness of at least thirty nanometers and not more than five hundred nanometers.
An optical device is described. At least a portion of the optical device includes ferroelectric non-linear optical material(s) and is fabricated utilizing ultraviolet lithography. In some aspects the at least the portion of the optical device is fabricated using deep ultraviolet lithography. In some aspects, the short range root mean square surface roughness of a sidewall of the at least the portion of the optical device is less than ten nanometers. In some aspects, the at least the portion of the optical device has a loss of not more than 2 dB/cm.
G02F 1/03 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr
G02B 6/13 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication
G02F 1/05 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr avec des propriétés ferro-électriques
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
An optical device including a waveguide, electrodes, and a connecting dielectric is described. The waveguide includes an electro-optic material having a waveguide optical refractive index and a waveguide microwave dielectric constant. The electrodes include a first electrode and a second electrode. The waveguide is between the first electrode and the second electrode. At least a portion of the connecting dielectric is between the waveguide and electrodes. The connecting dielectric has a microwave dielectric constant greater than the waveguide microwave dielectric constant.
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
An integrated electro-optic frequency comb generator based on ultralow loss integrated, e.g. thin-film lithium niobate, platform, which enables low power consumption comb generation spanning over a wider range of optical frequencies. The comb generator includes an intensity modulator, and at least one phase modulator, which provides a powerful technique to generate a broad high power comb, without using an optical resonator. A compact integrated electro-optic modulator based frequency comb generator, provides the benefits of integrated, e.g. lithium niobate, platform including low waveguide loss, high electro-optic modulation efficiency, small bending radius and flexible microwave design.
G02F 1/365 - Optique non linéaire dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/355 - Optique non linéaire caractérisée par les matériaux utilisés
72.
Low-loss waveguiding structures, in particular modulators
An optical modulator that uses adiabatic tapers to change the width of the waveguides between multimode waveguides and single mode waveguides on a low-loss, e.g. thin-film lithium niobate, electro-optic platform. The architecture enables the utilization of the fundamental mode of multimode wide optical waveguides that have lower optical propagation loss without sacrificing the benefit of the signal integrity and ease of control of single mode operation.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/28 - Moyens de couplage optique ayant des bus de données, c.-à-d. plusieurs guides d'ondes interconnectés et assurant un système bidirectionnel par nature en mélangeant et divisant les signaux
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
An electro-optic device is described. The electro-optic device includes at least one optical material having an electro-optic effect. Further, the optical material(s) include lithium. The optical material(s) have a slab and a ridge waveguide. The slab has a top surface. The slab includes free surfaces. Each of the free surfaces is at a nonzero angle from the top surface of the slab and mitigates stress in the slab.
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/10 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
An electro-optic device is described. The electro-optic device includes at least one optical material having an electro-optic effect. Further, the optical material(s) include lithium. The optical material(s) have a slab and a ridge waveguide. The slab has a top surface. The slab includes free surfaces. Each of the free surfaces is at a nonzero angle from the top surface of the slab and mitigates stress in the slab.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
75.
Diffusion barrier layer in lithium niobate-containing photonic devices
An electro-optic device is described. The electro-optic device includes a thin film electro-optic layer including lithium and a lithium barrier structure. The thin film electro-optic layer has a plurality of surfaces. The lithium barrier structure covers at least a portion of the plurality of surfaces.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
76.
Thin film lithium niobate hybrid photonics packaging
A hybrid photonics device package is described. The hybrid photonics device package includes an electro-optic integrated circuit and a photonics integrated circuit. The electro-optic integrated circuit includes an optical structure and an electrode on a first substrate. The optical structure has a thin film electro-optic layer including lithium. The photonics integrated circuit includes a second substrate and a photonics component on the second substrate. The photonics component and the optical structure are optically coupled. One of the electro-optic integrated circuit and the photonics integrated circuit is mounted on an other of the electro-optic integrated circuit and the photonics integrated circuit.
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
77.
Thin film lithium niobate optical device having an engineered substrate for heterogeneous integration
An electro-optic device is described. The electro-optic device includes a substrate, an insulator on the substrate, an optical structure on the insulator and an electrode proximate to at least a portion of the optical structure. The substrate includes a trench region having a plurality of trenches therein. The trench region has an effective microwave index based on a substrate material and the plurality of trenches. The insulator is on the substrate. The optical structure is on the insulator. The optical structure has a thin film electro-optic layer including lithium. The electrode is proximate to a portion of the optical structure.
G02F 1/03 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
78.
Singulation of lithium-containing photonic devices
An optical device includes a substrate, an oxide layer on the substrate and an electro-optic device on the oxide layer. The oxide layer is at least one micrometer thick. The electro-optic device includes an electro-optic material having a thickness of not more than one micrometer. The silicon substrate, oxide layer, and the electro-optic material terminate at an edge. At least one of the silicon substrate has a thickness of at least five hundred micrometers or the edge includes a recessed region corresponding to a portion of the oxide layer.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
79.
Electro-optic devices having closely spaced engineered electrodes
An optical device is described. The optical device includes a waveguide, a first engineered electrode, and a second engineered electrode. The waveguide includes at optical material(s) having an electro-optic effect. The optical material(s) include lithium. A portion of the waveguide has a waveguide width. The first engineered electrode includes a first channel region and first extensions protruding from the first channel region. The first extensions are closer to the portion of the waveguide than the first channel region is. The second engineered electrode includes a second channel region and second extensions protruding from the second channel region. The second extensions are closer to the portion of the waveguide than the second channel region is. A first extension of the first extensions is a distance from a second extension of the second \extensions. The distance is less than the waveguide width.
G02F 1/03 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
A velocity mismatch between optical signals and microwave electrical signals in electro-optic devices, such as modulators, may be compensated by utilizing different lengths of bends in the optical waveguides as compared to the microwave electrodes to match the velocity of the microwave signal propagating along the coplanar waveguide to the velocity of the optical signal. To ensure the electrode bends do not affect the light in the optical waveguide bends, the electrode may have to be rerouted, e.g. above or below, the optical waveguide layer. To ensure that the pair of optical waveguides have the same optical length, a waveguide crossing may be used to cross the first waveguide through the second waveguide.
G02F 1/03 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr
G02B 6/125 - Courbures, branchements ou intersections
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
81.
Electro-optic devices having engineered electrodes
An optical device including a waveguide and an electrode is described. The waveguide includes at least one optical material having an electro-optic effect. The electrode includes a channel region and extensions protruding from the channel region. The extensions are closer to a portion of the waveguide than the channel region is.
G02F 1/03 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
An integrated electro-optic frequency comb generator based on ultralow loss integrated, e.g. thin-film lithium niobate, platform, which enables low power consumption comb generation spanning over a wider range of optical frequencies. The comb generator includes an intensity modulator, and at least one phase modulator, which provides a powerful technique to generate a broad high power comb, without using an optical resonator. A compact integrated electro-optic modulator based frequency comb generator, provides the benefits of integrated, e.g. lithium niobate, platform including low waveguide loss, high electro-optic modulation efficiency, small bending radius and flexible microwave design.
An optical modulator that uses adiabatic tapers to change the width of the waveguides between multimode waveguides and single mode waveguides on a low-loss, e.g. thin-film lithium niobate, electro-optic platform. The architecture enables the utilization of the fundamental mode of multimode wide optical waveguides that have lower optical propagation loss without sacrificing the benefit of the signal integrity and ease of control of single mode operation.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
G02B 6/28 - Moyens de couplage optique ayant des bus de données, c.-à-d. plusieurs guides d'ondes interconnectés et assurant un système bidirectionnel par nature en mélangeant et divisant les signaux
An interface for an optical modulator and the optical modulator are described. The interface includes first and second differential line pairs. The first differential line pair has a first negative line and a first positive line arranged on opposing sides of a first waveguide. The first negative line is on a distal side of the first waveguide relative to a second waveguide. The first positive line is on a proximal side of the first waveguide relative to the second waveguide. The second differential line pair has a second negative line and a second positive line arranged on opposing sides of the second waveguide. The second negative line is on a distal side of the second waveguide relative to the first waveguide. The second positive line is on a proximal side of the second waveguide relative to the first waveguide. The first and second waveguides each include lithium niobate and/or lithium tantalate.
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/313 - Dispositifs de déflexion numérique dans une structure de guide d'ondes optique
An interface for an optical modulator and the optical modulator are described. The interface includes first and second differential line pairs. The first differential line pair has a first negative line and a first positive line arranged on opposing sides of a first waveguide. The first negative line is on a distal side of the first waveguide relative to a second waveguide. The first positive line is on a proximal side of the first waveguide relative to the second waveguide. The second differential line pair has a second negative line and a second positive line arranged on opposing sides of the second waveguide. The second negative line is on a distal side of the second waveguide relative to the first waveguide. The second positive line is on a proximal side of the second waveguide relative to the first waveguide. The first and second waveguides each include lithium niobate and/or lithium tantalate.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
A velocity mismatch between optical signals and microwave electrical signals in electro-optic devices, such as modulators, may be compensated by utilizing different lengths of bends in the optical waveguides as compared to the microwave electrodes to match the velocity of the microwave signal propagating along the coplanar waveguide to the velocity of the optical signal. To ensure the electrode bends do not affect the light in the optical waveguide bends, the electrode may have to be rerouted, e.g. above or below, the optical waveguide layer. To ensure that the pair of optical waveguides have the same optical length, a waveguide crossing may be used to cross the first waveguide through the second waveguide.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/125 - Courbures, branchements ou intersections
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
87.
Lithium niobate devices fabricated using deep ultraviolet radiation
An optical device is described. At least a portion of the optical device includes lithium niobate and is fabricated utilizing ultraviolet lithography. In some aspects the at least the portion of the optical device is fabricated using deep ultraviolet lithography. In some aspects, the short range root mean square surface roughness of a sidewall of the at least the portion of the optical device is less than ten nanometers. In some aspects, the at least the portion of the optical device has a loss of not more than 2 dB/cm.
G02F 1/03 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr
G02B 1/02 - Éléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faitsRevêtements optiques pour éléments optiques faits de cristaux, p. ex. sel gemme, semi-conducteurs
G02F 1/07 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des liquides électro-optiques produisant un effet Kerr
An optical device is described. At least a portion of the optical device includes ferroelectric non-linear optical material(s) and is fabricated utilizing ultraviolet lithography. In some aspects the at least the portion of the optical device is fabricated using deep ultraviolet lithography. In some aspects, the short range root mean square surface roughness of a sidewall of the at least the portion of the optical device is less than ten nanometers. In some aspects, the at least the portion of the optical device has a loss of not more than 2 dB/cm.
G02F 1/03 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr
G02F 1/07 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des liquides électro-optiques produisant un effet Kerr
G02B 6/13 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
G02F 1/05 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr avec des propriétés ferro-électriques
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
89.
ELECTRO OPTICAL DEVICES FABRICATED USING DEEP ULTRAVIOLET RADIATION
An optical device is described. At least a portion of the optical device includes ferroelectric non-linear optical material(s) and is fabricated utilizing ultraviolet lithography. In some aspects the at least the portion of the optical device is fabricated using deep ultraviolet lithography. In some aspects, the short range root mean square surface roughness of a sidewall of the at least the portion of the optical device is less than ten nanometers. In some aspects, the at least the portion of the optical device has a loss of not more than 2 dB/cm.
G02B 6/136 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication par gravure
G02F 1/05 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr avec des propriétés ferro-électriques
90.
Lithium niobate devices fabricated using deep ultraviolet radiation
An optical device is described. At least a portion of the optical device includes lithium niobate and is fabricated utilizing ultraviolet lithography. In some aspects the at least the portion of the optical device is fabricated using deep ultraviolet lithography. In some aspects, the short range root mean square surface roughness of a sidewall of the at least the portion of the optical device is less than ten nanometers. In some aspects, the at least the portion of the optical device has a loss of not more than 2 dB/cm.
G02F 1/03 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr
G02F 1/07 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des liquides électro-optiques produisant un effet Kerr
G02B 1/02 - Éléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faitsRevêtements optiques pour éléments optiques faits de cristaux, p. ex. sel gemme, semi-conducteurs
An optical device including a waveguide and an electrode is described. The waveguide includes at least one optical material having an electro-optic effect. The electrode includes a channel region and extensions protruding from the channel region. The extensions are closer to a portion of the waveguide than the channel region is.
G02B 6/00 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage
G02B 6/10 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques
G02B 6/42 - Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
G02F 1/03 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/295 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de la position ou de la direction des rayons lumineux, c.-à-d. déflexion dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/061 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des matériaux organiques électro-optiques
92.
Electro-optic devices having engineered electrodes
An optical device including a waveguide and an electrode is described. The waveguide includes at least one optical material having an electro-optic effect. The electrode includes a channel region and extensions protruding from the channel region. The extensions are closer to a portion of the waveguide than the channel region is.
G02F 1/03 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
An integrated electro-optic frequency comb generator based on ultralow loss integrated, e.g. thin-film lithium niobate, platform, which enables low power consumption comb generation spanning over a wider range of optical frequencies. The comb generator includes an intensity modulator, and at least one phase modulator, which provides a powerful technique to generate a broad high power comb, without using an optical resonator. A compact integrated electro-optic modulator based frequency comb generator, provides the benefits of integrated, e.g. lithium niobate, platform including low waveguide loss, high electro-optic modulation efficiency, small bending radius and flexible microwave design.
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
G02B 6/42 - Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
An integrated electro-optic frequency comb generator based on ultralow loss integrated, e.g. thin-film lithium niobate, platform, which enables low power consumption comb generation spanning over a wider range of optical frequencies. The comb generator includes an intensity modulator, and at least one phase modulator, which provides a powerful technique to generate a broad high power comb, without using an optical resonator. A compact integrated electro-optic modulator based frequency comb generator, provides the benefits of integrated, e.g. lithium niobate, platform including low waveguide loss, high electro-optic modulation efficiency, small bending radius and flexible microwave design.
An optical modulator that uses adiabatic tapers to change the width of the waveguides between multimode waveguides and single mode waveguides on a low-loss, e.g. thin-film lithium niobate, electro-optic platform. The architecture enables the utilization of the fundamental mode of multimode wide optical waveguides that have lower optical propagation loss without sacrificing the benefit of the signal integrity and ease of control of single mode operation.
An optical modulator that uses adiabatic tapers to change the width of the waveguides between multimode waveguides and single mode waveguides on a low-loss, e.g. thin-film lithium niobate, electro-optic platform. The architecture enables the utilization of the fundamental mode of multimode wide optical waveguides that have lower optical propagation loss without sacrificing the benefit of the signal integrity and ease of control of single mode operation.
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
G02B 6/28 - Moyens de couplage optique ayant des bus de données, c.-à-d. plusieurs guides d'ondes interconnectés et assurant un système bidirectionnel par nature en mélangeant et divisant les signaux
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Photonic electro-optic devices integrated on lithium niobate on insulator providing low-power, high speeds and optical efficiencies across high electro-optical bandwidths.
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Photonic electro-optic devices made with lithium niobate films adhering on an insulator that provide low-power, high speeds and optical efficiencies across high electro-optical bandwidths
