Abrégé

A light-emitting diode, includes a semiconductor stack having a first semiconductor layer, an active region, a second semiconductor layer and a first recess formed in the semiconductor stack, wherein the first recess includes a side wall and a bottom, and wherein the side wall includes side walls of the second semiconductor layer and the active region and the bottom includes an upper surface of the first semiconductor layer; a conductive layer, disposed on the semiconductor stack and electrically connecting the second semiconductor layer; an insulating layer, formed on the conductive layer, including: a first opening on the second semiconductor layer and surrounding the first recess in a plan view; and a first insulating island covering the first recess and on the conductive layer; a first electrode, formed on the insulating layer and electrically connected to the first semiconductor layer; and a second electrode, formed on the insulating layer and connected to the conductive layer through the first opening.

Classes IPC  ?

• H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
• H10H 20/01 - Fabrication ou traitement
• H10H 20/819 - Corps caractérisés par leur forme particulière, p. ex. substrats incurvés ou tronqués

Abrégé

The present disclosure provides a light-emitting device comprising a substrate with a topmost surface; a first semiconductor stack arranged on the substrate, and comprising a first top surface separated from the topmost surface by a first distance; a first bonding layer arranged between the substrate and the first semiconductor stack; a second semiconductor stack arranged on the substrate, and comprising a second top surface separated from the topmost surface by a second distance which is different form the first distance; a second bonding layer arranged between the substrate and the second semiconductor stack; a third semiconductor stack arranged on the substrate, and comprising third top surface separated from the topmost surface by a third distance; and a third bonding layer arranged between the substrate and the third semiconductor stack; wherein the first semiconductor stack, the second semiconductor stack, and the third semiconductor stack are configured to emit different color lights.

Classes IPC  ?

• H01L 33/02 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs
• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/36 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

A method of manufacturing a light-emitting element, includes: providing a base having an upper surface and a lower surface; forming a semiconductor stack on the upper surface; removing part of the semiconductor stack to form a pre-defined dicing region surrounding the semiconductor stack; forming a dielectric stack covering the semiconductor stack and the pre-defined dicing region; and applying a first laser having a first wavelength to irradiate the base along the pre-defined dicing region; wherein the dielectric stack has a reflectance of 10%-50% and/or a transmittance of 50%-90% for the first wavelength.

Classes IPC  ?

• H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

This disclosure discloses an optical sensing device. The device includes a carrier body; a first light-emitting device disposed on the carrier body; and a light-receiving device including a group III-V semiconductor material disposed on the carrier body, including a light-receiving surface having an area, wherein the light-receiving device is capable of receiving a first received wavelength having a largest external quantum efficiency so the ratio of the largest external quantum efficiency to the area is ≥13.

Classes IPC  ?

• H01L 31/167 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface
• A61B 5/021 - Mesure de la pression dans le cœur ou dans les vaisseaux sanguins
• A61B 5/024 - Mesure du pouls ou des pulsations cardiaques
• A61B 5/145 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p. ex. de la concentration des gaz dans le sang ou de la valeur du pH du sang
• A61B 5/1455 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p. ex. de la concentration des gaz dans le sang ou de la valeur du pH du sang en utilisant des capteurs optiques, p. ex. des oxymètres à photométrie spectrale
• G01J 3/10 - Aménagements de sources lumineuses spécialement adaptées à la spectrométrie ou à la colorimétrie
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
• H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
• H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV

Abrégé

A light-emitting device, includes a semiconductor stack, including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer and an active layer formed therebetween; a first electrode formed on the first semiconductor layer, comprising a first pad electrode; a second electrode formed on the second semiconductor layer, comprising a second pad electrode and a second finger electrode extending from the second pad electrode; a second current blocking region formed under the second electrode, comprising a second core region under the second pad electrode and an extending region under the second finger electrode; and a transparent conductive layer, formed on the second semiconductor layer and covering the second core region; wherein in a top view, a contour of the second pad electrode has a circular shape and a contour of the second core region has a shape which is different from the circular shape and selected from square, rectangle, rounded rectangle, rhombus, trapezoid and polygon.

Classes IPC  ?

• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
• H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant

Abrégé

A semiconductor device includes a substrate, a first type semiconductor structure, semiconductor columnar bodies between the substrate and the first type semiconductor structure, a first electrode and a second electrode. The first type semiconductor structure includes a first surface, a second surface opposite the first surface and away from the substrate, a first extension and a second extension respectively extending outward beyond the semiconductor columnar bodies. The first electrode and the second electrode are on the second surface of the first type semiconductor structure.

Classes IPC  ?

• H01S 5/042 - Excitation électrique
• H01S 5/0225 - Découplage de lumière
• H01S 5/023 - Éléments de montage, p. ex. embases
• H01S 5/02315 - Éléments de support, p. ex. bases ou montures
• H01S 5/0233 - Configuration de montage des puces laser
• H01S 5/0235 - Procédé de montage des puces laser
• H01S 5/028 - Revêtements
• H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]

Abrégé

A light-emitting device includes a first carrier, which includes a side surface between a first surface and a second surface, upper conductive pads on the first surface, and lower conductive pads under the second surface; a RDL pixel package includes a RDL which includes bonding pads and bottom electrodes, and the light-emitting units on the RDL, and connected to the bonding pads. A light-transmitting layer on the RDL and covers the light-emitting units, an upper surface, a lower surface, and a lateral surface between the upper surface and the lower surface. The RDL pixel package is on the first surface and electrically connected to the upper conductive pads. A protective layer covers the first surface and contacting the side surface of the RDL pixel package. The lower electrodes and the upper conductive pads are connected, and the distance between two adjacent bonding pads is less than 30 μm.

Classes IPC  ?

• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

The present disclosure provides a semiconductor device. The semiconductor device includes an epitaxial stack including a mesa region and a lower region; a first pad on the lower region and a second pad on the mesa region; a first contact between the epitaxial stack and the first pad; a passivation structure covering the epitaxial stack and including a first opening; and a first metal structure in the first opening and disposed between the first contact and the first pad; wherein the first metal structure includes a first top surface away from the epitaxial stack, and the passivation structure including a second top surface at a position corresponding to the lower region and away from the epitaxial stack, and a first height difference between the first top surface and the second top surface is less than 3 μm and larger than zero; and wherein the first metal structure includes a first width adjacent to the first contact and a second width adjacent to the first pad, and the second width is larger than the first width.

Classes IPC  ?

• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

The present disclosure provides a wavelength conversion structure, a light-emitting apparatus, and a display device using the wavelength conversion structures. The wavelength conversion structure includes a porous inorganic shell and a plurality of organic complex phosphor particles filled in the porous inorganic shell. Wherein the plurality of organic complex phosphor particles is capable of being excited to emit light with a peak wavelength in the visible light range.

Classes IPC  ?

• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
• G03B 21/20 - Boîtes à lumière

Abrégé

A light conversion device includes a light-emitting unit, a photoelectric conversion unit, and an electroconductive bonding layer. Each of the light-emitting unit and the photoelectric conversion unit includes a first-type region and a second-type region opposite to the first-type region. The electroconductive bonding layer is disposed between the light-emitting unit and the photoelectric conversion unit for connecting the photoelectric conversion unit with the light-emitting unit. When the light conversion device is operated to receive a bias and an external light, the light-emitting unit generates a modulated light having a frequency different from that of the external light.

Classes IPC  ?

• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A semiconductor light-emitting device includes: a substrate; a semiconductor stack on the substrate including a first semiconductor contact layer including an upper surface; a light-emitting stack including an active layer on the upper surface; a second semiconductor contact layer on the light-emitting stack; and a recessed region including part of the upper surface; a transparent electrode on the second semiconductor contact layer; a protective layer on the substrate and the light-emitting stack; and a first and a second electrode pad on the substrate and electrically connected to the first semiconductor contact layer and the transparent electrode via first and second openings of the protective layer. A ratio of an area of the substrate to an area of the transparent electrode ranges from 2 to 100. A ratio of an operating current of the semiconductor light-emitting device to the area of the transparent electrode ranges from 10 mA/mm2 to 1000 mA/mm2.

Classes IPC  ?

• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/42 - Matériaux transparents
• H01L 25/13 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

A measurement apparatus for gas sensor includes a wafer-holding module and a vacuuming module. The wafer-holding module includes a holding carrier configured to hold a wafer. The holding carrier includes an uppermost surface, a bottommost surface, an outermost side surface between the uppermost surface and the bottommost surface, a plurality of grooves, and a plurality of through holes. The vacuuming module couples to the plurality of through holes and is configured to generate a negative pressure to attach the gas-sensing cell to the holding carrier. The wafer includes at least one uncut gas-sensing cell. At least one gas-sensing cell has a cavity located right above at least one of the grooves. The grooves extend downwardly from the uppermost surface and not reaching the bottommost surface. The grooves extend outwardly in a horizontal direction to expose out of the outermost side surface.

Classes IPC  ?

• G01N 33/00 - Recherche ou analyse des matériaux par des méthodes spécifiques non couvertes par les groupes
• G01R 31/28 - Test de circuits électroniques, p. ex. à l'aide d'un traceur de signaux
• G01R 1/04 - BoîtiersOrganes de supportAgencements des bornes

Abrégé

An embodiment of the invention discloses an optoelectronic system comprising a plurality of optoelectronic elements, wherein each of the plurality of optoelectronic elements comprises a semiconductor epitaxial layer, a first electrode, a second electrode, a top surface, a bottom surface, and a plurality of lateral surfaces arranged between the top surface and the bottom surface; a layer covering the plurality of lateral surfaces and comprising a side surface; and a reflecting structure having a shape of pyramid, formed between two adjacent optoelectronic elements of the plurality of optoelectronic elements and electrically separated from the plurality of optoelectronic elements, wherein the reflecting structure is configured to reflect light from the two adjacent optoelectronic elements upwards to leave the optoelectronic system.

Classes IPC  ?

• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone

Abrégé

A light-emitting apparatus comprises a board having a plurality of conductive channels penetrating thereof; a plurality of light emitting units for emitting different color lights, disposed on the board and electrically connected to the plurality of conductive channels; and an opaque layer arranged on the board for preventing the plurality of light emitting units from crosstalk, and comprising a plurality of holes for exposing and separating the plurality of light emitting units in a top view.

Classes IPC  ?

• H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails

Abrégé

A semiconductor device includes a substrate, an epitaxial stack disposed on the substrate, a first connection layer between the epitaxial stack and the substrate and a first electrode disposed on the first connection layer. The substrate has a first side surface and a second side surface. The epitaxial stack has a semiconductor structure with a first lateral surface adjacent to the first side surface and a second lateral surface opposing the first lateral surface and adjacent to the second side surface. The first connection layer has a first protruding portion extending beyond the first lateral surface and a second protruding portion extending beyond the second lateral surface. The first electrode is in contact with the first protruding portion and the second protruding portion.

Classes IPC  ?

• H01S 5/042 - Excitation électrique
• H01S 5/028 - Revêtements
• H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
• H01S 5/023 - Éléments de montage, p. ex. embases
• H01S 5/0225 - Découplage de lumière
• H01S 5/0233 - Configuration de montage des puces laser
• H01S 5/0235 - Procédé de montage des puces laser

Abrégé

A light conversion device includes a light-emitting unit, a photoelectric conversion unit, and an electroconductive bonding layer. Each of the light-emitting unit and the photoelectric conversion unit includes a first-type region and a second-type region opposite to the first-type region. The electroconductive bonding layer is disposed between the light-emitting unit and the photoelectric conversion unit for connecting the photoelectric conversion unit with the light-emitting unit. When the photoelectric conversion device is operated to receive a bias and an external light, the light-emitting unit generates a modulated light different from the external light in frequency.

Classes IPC  ?

• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A method of making a semiconductor device includes: providing a substrate; forming an insulating layer on the substrate; forming a first trench in the insulating layer; forming a first semiconductor layer in the first trench; and removing a portion of the insulating layer to expose the first semiconductor layer.

Classes IPC  ?

• H01L 21/8238 - Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
• H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 29/161 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée comprenant plusieurs des éléments prévus en

Abrégé

A light emitting device includes a light-emitting chip; a first light-transmitting layer formed on the light-emitting chip and has two side surfaces; and a first reflective layer formed on the light transmitting layer and extends beyond the two side surfaces of the light-transmitting layer.

Classes IPC  ?

• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou
• G02B 5/00 - Éléments optiques autres que les lentilles

Abrégé

x interlayer together, to form a GaN-based semiconductor power device. The GaN buffer layer is capable of achieving sufficient thickness for higher performance. The engineered substrate structure has a core region made of an aluminum nitride (AlN) substrate, a single crystal silicon layer as top material layer thereof, and bonded together with an encapsulated multi-layered structure containing adhesive layers, thin film layers and the AlN substrate. Higher breakdown voltage and improved overall device quality with respect to epitaxy-induced bow, warp, and cracking issues are achieved by the semiconductor power device.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
• H01L 29/205 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés dans différentes régions semi-conductrices
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

Disclosed are a light-emitting device for digital control of color temperature modulation and its application. The light-emitting device is electrically connected to a wall switch and includes a DIP switch, first LEDs, second LEDs and a control module. The control module is electrically connected to the above components and contains a truth table. The truth table includes at least a first mode, second mode, third mode and a memory and automatically switch mode, and a digital switching is accomplished by correlating the DIP switch to the truth table. In the memory and automatically switch mode, the first to third mode color temperatures are sequentially switched and controlled by turning on or off the wall switch according to the truth table information. The light-emitting device may be applied to light fixtures or mirror products to improve the convenience of use.

Classes IPC  ?

• H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
• F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]
• F21V 33/00 - Combinaisons structurales de dispositifs d'éclairage avec d'autres objets, non prévues ailleurs

Abrégé

A heterogeneously integrated semiconductor device includes a substrate comprising a first material; a recess formed within the substrate and having a bottom portion with a first width, a top portion with a second width and a middle portion with a third width larger than the first width and the second width; and a first semiconductor layer filled in the bottom portion and including a second material different from the first material.

Classes IPC  ?

• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 29/161 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée comprenant plusieurs des éléments prévus en
• H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 21/8238 - Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS

Abrégé

The light fixture includes a frame configured to define a channel, and a substantially flat light emitting diode (LED) panel disposed within the frame. Power circuitry is disposed within the first channel, the power circuitry being configured to electrically couple the substantially flat LED panel to an external AC power supply. The power circuitry is sized to be positioned within the first channel and has a length and a width, the length-to-width ratio being at least 5 to 1, and optionally at least 10 to 1. The power circuitry is configured to convert an AC input into a DC output suitable for powering the substantially flat light emitting diode (LED) panel. The substantially flat light emitting diode (LED) panel includes an optically transmissive panel, and an array of LEDs disposed adjacent to an edge of the optically transmissive panel and disposed adjacent at least one edge of the frame.

Classes IPC  ?

• F21V 21/00 - Soutien, suspension ou fixation des dispositifs d'éclairagePoignées
• F21V 23/02 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage les éléments étant des transformateurs ou des impédances
• G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p. ex. des polariseurs ou des réflecteurs
• F21S 8/04 - Dispositifs d'éclairage destinés à des installations fixes destinés uniquement au montage sur un plafond ou sur une structure similaire en porte-à-faux
• F21V 15/01 - Boîtiers, p. ex. matériau ou assemblage de parties du boîtier
• F21V 23/00 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage
• H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
• F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p. ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
• F21V 21/005 - Soutien, suspension ou fixation des dispositifs d'éclairagePoignées pour plusieurs dispositifs d'éclairage disposés bout à bout, c.-à-d. rails de lumière
• F21V 23/06 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage les éléments étant des dispositifs de couplage
• F21V 21/02 - Socles sur les murs, les plafonds ou les planchersFixation des lustres ou des appliques aux socles
• F21K 9/20 - Sources lumineuses comprenant un moyen de fixation
• F21K 9/61 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des guides de lumière
• F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
• F21V 29/89 - Métaux
• F21K 9/278 - Agencement ou montage d’éléments de circuit intégrés dans la source lumineuse
• F21K 9/275 - Détails des socles ou des enceintes, c.-à-d. les parties entre l’élément générateur de lumière et les calottes d’extrémitéAgencement des composants à l’intérieur des socles ou des enceintes
• F21K 9/235 - Détails des socles ou des calottes, c.-à-d. des parties qui relient la source lumineuse à un culotAgencement des composants à l’intérieur des socles ou des calottes
• F21Y 105/00 - Sources lumineuses planes
• F21Y 101/00 - Sources lumineuses ponctuelles
• F21Y 105/10 - Sources lumineuses planes comprenant un réseau bidimensionnel d’éléments générateurs de lumière ponctuelle
• F21Y 103/10 - Sources lumineuses de forme allongée, p. ex. tubes fluorescents comprenant un réseau linéaire d’éléments générateurs de lumière ponctuelle
• F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]
• F21Y 103/20 - Sources lumineuses de forme allongée, p. ex. tubes fluorescents de forme polygonale, p. ex. carrée ou rectangulaire
• H05B 37/02 - Commande
• F21Y 103/00 - Sources lumineuses de forme allongée, p. ex. tubes fluorescents

Abrégé

A heterogeneously integrated semiconductor devices includes a base substrate; a Ge-containing film formed on the base substrate; a PMOSFET transistor having a first fin formed on the Ge-containing film; and a NMOSFET transistor having a second fin formed on the Ge-containing film; wherein the PMOSFET transistor and the NMOSFET transistor compose a CMOS transistor, and the first fin comprises Ge-containing material and the second fin comprises a Group III-V compound.

Classes IPC  ?

• H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01L 21/8238 - Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS

Abrégé

A method for fabricating a light emitting device, comprising: forming a plurality of light emitting stacked layers above a substrate; forming and patterning a current blocking (CB) layer on the light emitting stacked layers; forming a transparent conductive layer covering the light emitting stacked layers and the current blocking layer; etching the transparent conductive layer and exposing a reserved region for a first pad electrode and a mesa structure, respectively; and etching an exposed portion of the light emitting stacked layers and a portion of the current blocking layer to form a remaining current blocking layer, the mesa structure and a first opening.

Classes IPC  ?

• H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/42 - Matériaux transparents
• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire

Abrégé

The light fixture includes a frame, a substantially flat light emitting diode (LED) panel disposed within the frame, power circuitry disposed within at least one of a number of channels within the frame, and a central wire-way. The frame includes a bottom assembly and a top assembly coupled to the bottom assembly. The bottom assembly and the top assembly cooperate to form the channels within the frame. The bottom assembly has a back surface. The power circuitry is configured to electrically couple the substantially flat LED panel to an external AC power supply. The central wire-way is disposed adjacent the back surface of the bottom assembly and configured to route wiring to or from the power circuitry disposed within at least one of the channels within the frame.

Classes IPC  ?

• F21V 23/02 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage les éléments étant des transformateurs ou des impédances
• G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p. ex. des polariseurs ou des réflecteurs
• F21S 8/04 - Dispositifs d'éclairage destinés à des installations fixes destinés uniquement au montage sur un plafond ou sur une structure similaire en porte-à-faux
• F21V 15/01 - Boîtiers, p. ex. matériau ou assemblage de parties du boîtier
• F21V 23/00 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage
• H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
• F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p. ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
• F21V 21/005 - Soutien, suspension ou fixation des dispositifs d'éclairagePoignées pour plusieurs dispositifs d'éclairage disposés bout à bout, c.-à-d. rails de lumière
• F21V 23/06 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage les éléments étant des dispositifs de couplage
• F21V 21/02 - Socles sur les murs, les plafonds ou les planchersFixation des lustres ou des appliques aux socles
• F21K 9/20 - Sources lumineuses comprenant un moyen de fixation
• F21K 9/61 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des guides de lumière
• F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
• F21V 29/89 - Métaux
• F21K 9/278 - Agencement ou montage d’éléments de circuit intégrés dans la source lumineuse
• F21K 9/275 - Détails des socles ou des enceintes, c.-à-d. les parties entre l’élément générateur de lumière et les calottes d’extrémitéAgencement des composants à l’intérieur des socles ou des enceintes
• F21K 9/235 - Détails des socles ou des calottes, c.-à-d. des parties qui relient la source lumineuse à un culotAgencement des composants à l’intérieur des socles ou des calottes
• F21Y 105/00 - Sources lumineuses planes
• F21Y 101/00 - Sources lumineuses ponctuelles
• F21Y 105/10 - Sources lumineuses planes comprenant un réseau bidimensionnel d’éléments générateurs de lumière ponctuelle
• F21Y 103/10 - Sources lumineuses de forme allongée, p. ex. tubes fluorescents comprenant un réseau linéaire d’éléments générateurs de lumière ponctuelle
• F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]
• F21Y 103/20 - Sources lumineuses de forme allongée, p. ex. tubes fluorescents de forme polygonale, p. ex. carrée ou rectangulaire
• H05B 37/02 - Commande
• F21Y 103/00 - Sources lumineuses de forme allongée, p. ex. tubes fluorescents

Abrégé

A light emitting device, includes a substrate; a plurality of light emitting stacked layers, comprising a first surface and a second surface; a mesa structure; a current blocking (CB) layer; a transparent conductive layer; a first pad electrode and a second pad electrode; and a passivation layer, wherein the second surface is electrically opposite to the first surface, the transparent conductive layer is disposed on or above the first surface, the first pad electrode is disposed on the transparent conductive layer and on the first surface, and the second pad electrode is disposed on the second surface and on the mesa structure, the CB layer is disposed on the first surface, surrounded by the transparent conductive layer, and at a lower region of the first pad electrode, a portion of the first pad electrode is filling a first opening of the transparent conductive layer and the CB layer.

Classes IPC  ?

• H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/42 - Matériaux transparents
• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière

Abrégé

A secondary-side bucking and current-stabilizing flyback power converter adopts a dual-stage isolated circuit architecture and outputs a constant output current to drive a low-power LED module, and its primary stage adopts a flyback circuit architecture with a primary regulated voltage, and its secondary stage adopts of a buck circuit architecture of the current stabilizer, so that after the primary stage converts the constant voltage, the current stabilizer senses the load effect of the output current at the LED module to regulate the output cycle and maintain the total output of the output current constant and reduce the ripple amplitude, so as to achieve a non-strobe output result and improve the illumination effect of the LED module.

Classes IPC  ?

• H05B 37/00 - Circuits pour sources lumineuses électriques en général
• H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
• H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
• H02M 1/14 - Dispositions de réduction des ondulations d'une entrée ou d'une sortie en courant continu
• H02M 1/44 - Circuits ou dispositions pour corriger les interférences électromagnétiques dans les convertisseurs ou les onduleurs

Abrégé

Disclosed are an LED light emitting device and its manufacturing method. A blue LED chip specification is selected, a green phosphor and the blue LED chip are used to determine a green light frame on the CIE1931 chromaticity coordinates and a red phosphor together with a blue LED chip are used to determine a red light frame on the CIE1931 chromaticity coordinates, and a predetermined straight line passing through the color temperature target frame is selected, and both end points of the predetermined straight line fall within the green light frame and the red light frame, so as to determine the concentration of the green phosphor and the red phosphor, and the green and red phosphors and a blue LED chip are packaged to form a first LED and a second LED, and at least one first LED and at least one second LED are installed on a substrate.

Classes IPC  ?

• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 25/13 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde

Abrégé

A heterostructure device includes a channel layer, a barrier layer disposed on the channel layer, and a first electrode and a second electrode disposed on the barrier layer, respectively. The second electrode includes a p-type semiconductor structure and a raised section disposed on the p-type semiconductor structure, the second electrode includes a Schottky contact and an ohmic contact, the Schottky contact is formed between a top surface of the p-type semiconductor structure and a first bottom surface of the raised section, the ohmic contact is formed between a second bottom surface of the raised section and the barrier layer.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 21/283 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique
• H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
• H01L 29/205 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés dans différentes régions semi-conductrices

Abrégé

The present invention relates to a light-emitting diode (LED), which comprises electrodes having a single metal reflective layer. The single metal reflective layer is thicker than the active layer of the LED. Thereby, at least a portion of light emitted from the active layer is reflected by the single metal reflective layer, and thus enhancing the light-emitting efficiency of the LED.

Classes IPC  ?

• H01L 33/40 - Matériaux
• H01L 33/42 - Matériaux transparents
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel

Abrégé

Heterostructure field-effect transistor (HFET) having a channel layer, a barrier layer disposed on the channel layer, and a gate, source and drain electrodes disposed on the barrier layer, respectively, and corresponding fabrication methods are disclosed. The drain electrode includes a p-type semiconductor patterned structure and a raised drain section, the drain electrode includes a Schottky contact and an ohmic contact, the Schottky contact is formed between a top surface together with a side surface of p-type semiconductor patterned structure and a bottom surface together with a side surface of raised drain section, the ohmic contact is formed between another surface of raised drain section and barrier layer, the raised drain section partially surrounding the p-type semiconductor patterned structure, and a bandgap of the channel layer is less than a bandgap of the barrier layer.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01L 29/205 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés dans différentes régions semi-conductrices
• H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
• H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 21/31 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p. ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiquesPost-traitement de ces couchesEmploi de matériaux spécifiés pour ces couches
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/283 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
• H01L 21/308 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
• H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique

Abrégé

An automatically controlled directional speaker includes a sound amplifying device, an image capture device, a computing device, an azimuth control motor and an amplitude control unit. The image capture device is provided for detecting the status of surrounding environment to generate image information, and the computing device is communicatively coupled to the image capture device for determining whether there is at least one face information in the image information, and the azimuth control motor is coupled to the sound amplifying device for controlling the azimuth of an output sound of the sound amplifying device according to the face information, and the amplitude control unit is communicatively coupled to the sound amplifying device for controlling the volume of the output sound of the sound amplifying device according to the face information. The speaker may be combined with a lamp to form an LED lamp with broadcasting and illumination functions.

Classes IPC  ?

• H03G 3/00 - Commande de gain dans les amplificateurs ou les changeurs de fréquence
• H04R 1/34 - Dispositions pour obtenir la fréquence désirée ou les caractéristiques directionnelles pour obtenir la caractéristique directionnelle désirée uniquement en utilisant un seul transducteur avec des moyens réfléchissant, diffractant, dirigeant ou guidant des sons
• H04N 5/225 - Caméras de télévision
• G06K 9/00 - Méthodes ou dispositions pour la lecture ou la reconnaissance de caractères imprimés ou écrits ou pour la reconnaissance de formes, p.ex. d'empreintes digitales
• H04N 5/232 - Dispositifs pour la commande des caméras de télévision, p.ex. commande à distance

Abrégé

An LED panel light fixture and method for assembling the same includes (a) selecting a set of specifications of the LED panel light fixture, the set of specifications comprising a fixture/base specification comprising a form factor of the LED panel light fixture; and a top specification comprising a visual feature of a top in accordance with the top specification; (b) providing a knock-down kit having parts including the top in accordance with the top specification, a frame in accordance with the fixture/base specification, an optically transmissive panel assembly, a set of light emitting diodes (LEDs), and driving circuitry; and (c) assembling the LED panel light fixture using parts of the knock-down kit. An LED panel lighting fixture kit includes a top and a base. The base includes a mounting mechanism that is accessible before joining the top to the base, but not accessible after joining the top to the base.

Classes IPC  ?

• F21V 7/04 - Structure de l'optique
• F21K 9/275 - Détails des socles ou des enceintes, c.-à-d. les parties entre l’élément générateur de lumière et les calottes d’extrémitéAgencement des composants à l’intérieur des socles ou des enceintes
• F21S 8/02 - Dispositifs d'éclairage destinés à des installations fixes encastrables, p. ex. plafonniers à spots lumineux
• F21S 8/04 - Dispositifs d'éclairage destinés à des installations fixes destinés uniquement au montage sur un plafond ou sur une structure similaire en porte-à-faux
• F21V 15/01 - Boîtiers, p. ex. matériau ou assemblage de parties du boîtier
• F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p. ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
• F21K 9/278 - Agencement ou montage d’éléments de circuit intégrés dans la source lumineuse
• F21V 3/00 - GlobesVasquesVerres de protection
• F21V 17/12 - Fixation des parties constitutives des dispositifs d'éclairage, p. ex. des abat-jour, des globes, des réfracteurs, des réflecteurs, des filtres, des écrans, des grilles ou des cages de protection caractérisée par des moyens de fixation spécifiques par vissage
• F21V 23/00 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage
• F21V 23/04 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage les éléments étant des interrupteurs
• F21V 23/06 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage les éléments étant des dispositifs de couplage
• F21Y 101/00 - Sources lumineuses ponctuelles
• F21Y 103/10 - Sources lumineuses de forme allongée, p. ex. tubes fluorescents comprenant un réseau linéaire d’éléments générateurs de lumière ponctuelle
• F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]

Abrégé

An auto-sensing dimming lamp guides ambient light to a sensor installed in a lamp cover and at a base through a light pipe. The auto-sensing dimming lamp automatically adjusts a light emission status of LED light sources according to the ambient light by a processor installed at the base. The processor includes a pass filter unit and a modulation unit, and the pass filter unit receives a detected signal waveform of the sensor and a driving voltage waveform of the LED light sources.

Classes IPC  ?

• H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
• H05B 37/02 - Commande
• F21S 8/02 - Dispositifs d'éclairage destinés à des installations fixes encastrables, p. ex. plafonniers à spots lumineux
• F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p. ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage

Abrégé

An axially symmetric LED light bulb includes a lamp shade, a substrate and a connecting seat. The substrate installed on the connecting seat includes plural LED light sources. The lamp shade has an edge connected to the connecting seat, and the substrate is covered inside the lamp shade. The lamp shade has an unequal thickness with a thicker top and thinner sides. The axially symmetric LED light bulb provides excellent light uniformity and wide-angle illumination.

Classes IPC  ?

• F21K 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
• F21V 19/00 - Montage des sources lumineuses ou des supports de sources lumineuses sur ou dans les dispositifs d'éclairage
• F21V 3/04 - GlobesVasquesVerres de protection caractérisés par les matériaux, traitements de surface ou revêtements
• F21V 3/02 - GlobesVasquesVerres de protection caractérisés par leur forme
• F21K 9/232 - Sources lumineuses rétrocompatibles pour dispositifs d’éclairage avec un seul culot pour chaque source lumineuse, p. ex. pour le remplacement de lampes à incandescence avec un culot à baïonnette ou à vis spécialement adaptées à la génération de lumière essentiellement omnidirectionnelle, p. ex. avec une ampoule en verre
• F21K 9/66 - Détails des globes ou des couvercles faisant partie de la source lumineuse
• F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]

Abrégé

A light emitting device includes a base, a first light emitting unit, a second light emitting unit, a light conversion layer and a lens. The base has a first side slot, a second side slot, and a central slot separated from the first side slot and the second side slot, and the first side slot is formed in a separated recess configuration with a long axis and a short axis. The first light emitting unit is installed in the central slot, and the second light emitting unit is installed in the first side slot. The light conversion layer is covered onto the first light emitting unit or the second light emitting unit, and the lens covers the light conversion layer, the central slot, the first side slot, and the second side slot. The first slot and the lens have first similar contour lines in a top view.

Classes IPC  ?

• F21V 33/00 - Combinaisons structurales de dispositifs d'éclairage avec d'autres objets, non prévues ailleurs
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• F21K 9/00 - Sources lumineuses utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en tant qu’éléments générateurs de lumière, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] ou des lasers
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• F21V 5/04 - Réfracteurs pour sources lumineuses de forme lenticulaire
• F21Y 105/12 - Sources lumineuses planes comprenant un réseau bidimensionnel d’éléments générateurs de lumière ponctuelle caractérisées par la disposition géométrique des éléments générateurs de lumière, p. ex. par la disposition des éléments générateurs de lumière en différents schémas ou densités
• F21Y 105/10 - Sources lumineuses planes comprenant un réseau bidimensionnel d’éléments générateurs de lumière ponctuelle
• F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]
• F21Y 113/13 - Combinaison de sources lumineuses de couleurs différentes comprenant un ensemble de sources lumineuses ponctuelles

Abrégé

An LED spherical lamp includes a base, a power supply unit, a substrate and a cover. The power supply unit is installed inside the base, and the substrate has plural LED light emitting elements and is coupled to a side of the base, and the cover is fixed to the base for covering the substrate. The LED spherical lamp includes an electrical connector installed to the substrate and having a plurality of electrical terminals for electrically connecting the substrate to the power supply unit, and an engaging slot is concavely formed on a side of the electrical connector, such that the power supply unit drives the LED light emitting elements to achieve the lighting effect. The LED spherical lamp has the effects of simplifying the assembling and manufacturing procedure, assuring the electrical conduction of components, and facilitating the maintenance, repair, and replacement of the components.

Classes IPC  ?

• F21S 4/00 - Dispositifs ou systèmes d'éclairage utilisant une guirlande ou une bande de sources lumineuses
• F21K 9/278 - Agencement ou montage d’éléments de circuit intégrés dans la source lumineuse
• F21K 9/232 - Sources lumineuses rétrocompatibles pour dispositifs d’éclairage avec un seul culot pour chaque source lumineuse, p. ex. pour le remplacement de lampes à incandescence avec un culot à baïonnette ou à vis spécialement adaptées à la génération de lumière essentiellement omnidirectionnelle, p. ex. avec une ampoule en verre
• H01R 33/945 - Supports avec composant électrique incorporé
• F21V 23/06 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage les éléments étant des dispositifs de couplage
• F21V 23/00 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage
• F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]
• H01R 33/76 - Supports avec alvéoles, pinces ou contacts analogues, adaptés pour l'engagement axial par glissement, avec des broches, lames ou contacts analogues disposés parallèlement sur la pièce complémentaire, p. ex. support pour tube électronique

Abrégé

A linear dimming LED driver circuit capable of adjusting color temperature used in a lamp of a down light or a tube light to drive a plurality of LED strings to emit light and the LED strings are formed by yellow-light and ultra blue LEDs. The circuit uses a switch to switch the conduction of the LED strings to change the color temperature of the light emission of the lamp, so that the control module will adjust the light emitting brightness of the lamp for better dimming range and work performance of the whole circuit if a driving voltage is in a mono sinusoidal voltage section greater than or equal to 129 volts and smaller than or equal to 135 volts.

Classes IPC  ?

• H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes

Abrégé

An intelligent wireless doorbell alarm system driven and set by a wireless communication protocol includes at least one doorbell switch, plural lamps and an electronic device. The doorbell switch has a wireless signal module for generating a startup signal after the being triggered. The lamps are electrically coupled to one another. Each lamp has a wireless transmission module and a driving module and is electrically coupled to the doorbell switch for receiving the startup signal. The electronic device is electrically coupled to the lamps and has a setup module for setting the lamps.

Classes IPC  ?

• G08B 5/36 - Systèmes de signalisation optique, p. ex. systèmes d'appel de personnes, indication à distance de l'occupation de sièges utilisant une transmission électriqueSystèmes de signalisation optique, p. ex. systèmes d'appel de personnes, indication à distance de l'occupation de sièges utilisant une transmission électromécanique utilisant des sources de lumière visible

Abrégé

A high electron mobility transistor comprises a substrate, an epitaxial stack arranged above the substrate and having a first region and a second region surrounding the first region, a matrix electrode structure arranged in the first region. The matrix electrode comprises a plurality of first electrodes arranged on the epitaxial stack, a plurality of second electrodes arranged on the epitaxial stack and adjacent to the plurality of first electrodes, a plurality of third electrodes arranged adjacent to the plurality of first electrodes and second electrodes. One of the plurality of first electrodes comprises a first side, a second side, a third side and a fourth side. The first side and the third side are opposite sides, and the second side and the fourth side are opposite sides. Two of the plurality of second electrodes are arranged on the first side and the third side, and two of the plurality of third electrodes are arranged on the second side and the fourth side.

Classes IPC  ?

• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
• H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 29/15 - Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
• H01L 29/205 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés dans différentes régions semi-conductrices

Abrégé

In accordance with certain embodiments, multiple light-emitting elements of a light-emitting device are tested via imaging and image analysis.

Classes IPC  ?

• G01J 1/42 - Photométrie, p. ex. posemètres photographiques en utilisant des détecteurs électriques de radiations
• G01D 5/34 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens optiques, c.-à-d. utilisant de la lumière infrarouge, visible ou ultraviolette avec atténuation ou obturation complète ou partielle des rayons lumineux les rayons lumineux étant détectés par des cellules photo-électriques
• G01J 3/46 - Mesure de couleurDispositifs de mesure de couleur, p. ex. colorimètres
• G01J 3/50 - Mesure de couleurDispositifs de mesure de couleur, p. ex. colorimètres en utilisant des détecteurs électriques de radiations
• G01J 3/28 - Étude du spectre

Abrégé

An LED structure is applied to a backlight source to set a white light of a backlight module at a standard D65 position of the CIE1931 chromaticity coordinates and used together with a display module. A red phosphor for emitting a red light, a yellow phosphor for emitting a yellow light, and a blue light LED chip are provided. The mixing ratio of the red phosphor to the yellow phosphor is controlled within a range of (2.33−1):1, so that the original LED white light falls within a region enclosed by ccy≦1.8*ccx−0.12, ccy≧1.8*ccx−0.336, ccy≦0.33 and ccy≧0.15 of the CIE1931 coordinates. Since the red phosphor does not absorb or convert yellow light, the brightness loss of the yellow light that excites the yellow phosphor is minimized. A color filter may be installed to achieve better NTSC effect and luminous efficacy.

Classes IPC  ?

• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/52 - Encapsulations

Abrégé

A self-excited TRIAC dimming circuit applied in a panel light includes a dimming module and at least one conversion module, and a power factor controller (PFC) is installed in the dimming module, and the conversion module is a self-excited electronic isolation transformer, and the TRIAC PFC is integrated with the circuit structure of a self-excited electronic transformer to improve the overall circuit stability, so that the panel light complies with a high safety standard to enhance product applicability and competitiveness.

Classes IPC  ?

• H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes

Abrégé

Disclosed is a purely resistive dimming circuit for driving LEDs to emit light and support an LED dimming function. The LEDs are divided into a first string and a second string connected in series with each other. The purely resistive dimming circuit is respectively and electrically coupled to an anode terminal of the first string and an anode terminal of the second string by a driving resistor and a current limiting resistor which are connected in series with each other. The resistance of the driving resistor restricts the LEDs to emit light at different stages to enhance the working efficiency of circuits, while using the property of the current limiting resistor to limit the overvoltage current, so as to achieve a constant power operating effect.

Classes IPC  ?

• H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes

Abrégé

A driver circuit adopting a primary side regulating architecture and an isolation transformer for improving LED flickers includes a transformer, a primary side regulating module, a feedback portion, a driving module and a dimming portion. The transformer includes an input coil, an auxiliary coil, a driving coil, and a dimming coil. The primary side regulating module is electrically coupled to the input coil; the feedback portion is electrically coupled to the auxiliary coil and the primary side regulating module; the driving module is electrically coupled to the driving coil; the dimming portion is electrically coupled to the dimming coil and the driving module. When a dimming signal inputted to the dimming portion has a voltage of 1V-10V, and the driver circuit is applied to a panel light, the LED flicker is improved effectively.

Classes IPC  ?

• H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
• H05B 41/282 - Circuits dans lesquels la lampe est alimentée par une puissance obtenue à partir de courant continu au moyen d'un convertisseur, p. ex. par courant continu à haute tension utilisant des convertisseurs statiques comportant des dispositifs à semi-conducteurs

Abrégé

A light source device including a light emitting diode (LED) chip and a molding lens is provided. The molding lens is directly formed on the LED chip and includes a center of a bottom where the LED chip located at and a light exiting surface formed corresponding to the center. The light exiting surface comprises a concave portion, a first light exiting region surrounding the concave portion and a second light exiting region surrounding the first light exiting region. The first light exiting region connects between the concave portion and the second light exiting region.

Classes IPC  ?

• F21V 5/04 - Réfracteurs pour sources lumineuses de forme lenticulaire
• F21S 6/00 - Dispositifs d'éclairage destinés à tenir debout tout seuls
• F21W 131/103 - Éclairage de plein air ou d'extérieur des rues ou des routes
• F21Y 101/02 - Structure miniature, p. ex. diodes électroluminescentes (LED)

Abrégé

An LED driver circuit for supplying a TRIAC holding current by using a controllable current source has a single-stage power factor correction circuit architecture, and the circuit receives an input voltage received by a conversion module of the controllable current source to form an operating current for driving an LED light source to emit light and monitoring the change of the input voltage by a control chip, and adopts a switching method of a fixed cut-off time of a switch unit, so that the controllable current source outputs a constant operating current in a standard peak value to achieve the constant current status during the operation of the LED light source while assuring the operating current is always greater than a holding current required by the TRIAC element when the TRIAC element is conducted.

Classes IPC  ?

• H05B 41/34 - Circuits dans lesquels la lampe est alimentée par impulsions, p. ex. lampe éclair pour fournir une série d'éclairs
• H05B 37/02 - Commande
• H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes

Abrégé

1≦130°. The casing has a support member formed on the casing and protruded in a direction opposite to the direction of bending the metal retaining substrate. The LED lead frame enhances the illumination angle and light uniformity of the lightbulb.

Classes IPC  ?

• F21K 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
• F21V 19/00 - Montage des sources lumineuses ou des supports de sources lumineuses sur ou dans les dispositifs d'éclairage
• F21V 21/00 - Soutien, suspension ou fixation des dispositifs d'éclairagePoignées

Abrégé

An LED driving device with open circuit protection and color temperature and brightness adjustment is applied in a lamp to drive LEDs which are divided into strings, and at least one string is formed by connecting blue light diodes in series, and the remaining strings are formed by connecting yellow light LEDs in series, and at least one of the yellow light strings is connected to the blue light string in parallel and then connected to the remaining strings in series to form a node. The LED driving device employs a switch to conduct the blue or yellow light string to change the color temperature of the emitted light of the lamp, and a power input pin of a control chip is electrically coupled to the node. If there is an open circuit caused by an abnormality of the LEDs, the operation will be stopped to provide protection.

Classes IPC  ?

• H05B 37/00 - Circuits pour sources lumineuses électriques en général
• H05B 41/00 - Circuits ou appareils pour allumer ou faire fonctionner des lampes à décharge
• H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes

Abrégé

A capacitor structure is provided, which includes a conductive substrate, a first dielectric layer, and a first metal layer. The conductive substrate includes a first surface and at least one first concave located on the first surface. The first dielectric layer covers the first surface and the first concave. The first metal layer covers the first dielectric layer, wherein the first dielectric layer and the first metal layer respectively have concave structures corresponding to the first concave. A stack-type capacitor structure is also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale
• H01L 27/108 - Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
• H01G 2/00 - Détails de condensateurs non couverts par un seul des groupes
• H01L 23/64 - Dispositions relatives à l'impédance
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 27/08 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
• H01L 29/94 - Dispositifs à métal-isolant-semi-conducteur, p.ex. MOS

Abrégé

A ceiling lamp adopting a non-separating driver circuit includes a conversion module and a control module. The conversion module converts an input voltage into an operating voltage to drive the LEDs and forming a driving current, and the control module monitors the operating voltage and the driving current to adjust the operating cycle of the conversion module, change the output voltage value of the operating voltage, and linearly change the driving current at a constant current state. The conversion module just executes the power conversion for one time to provide the driving power of the LEDs instead of using the conventional driving method that executes a two-stage power conversion by a separating power converter and a negative booster of the conventional ceiling lamp. Therefore, the ceiling lamp adopting a non-separating driver circuit is capable of lowering the circuit cost and improving the operating efficiency.

Classes IPC  ?

• H05B 37/02 - Commande
• H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes

Abrégé

A light-emitting device comprises: a light-emitting stack having an upper side, a first edge having an end point, and a second edge opposite to the first edge; a first bonding region arranged on the upper side, near the first edge, and far from the end point; a second bonding region separated from to the first bonding region by a first distance and being far from the end point; a third bonding region arranged on the upper side; a fourth bonding region separated from the third bonding region by a second distance longer than the first distance; a first electrode connected to the first bonding region; a second electrode connected to the second bonding region; a third electrode connected to the third bonding region; a fourth electrode connected to the fourth bonding region; and a fifth electrode connected to the first bonding region and pointing to the fourth bonding region.

Classes IPC  ?

• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

A method for manufacturing a light-emitting device, comprises steps of: providing an as-cut wafer having an irregularly uneven surface comprising surface roughness greater than 0.5 μm; and forming a light-emitting stack on the irregularly uneven surface of the as-cut wafer by an epitaxial growth method, and the light-emitting stack comprises an upper surface having surface roughness less than 0.2 nm; wherein there is no patterning or roughing process after the step of providing the as-cut wafer and before the step of forming the light-emitting stack on the irregularly uneven surface of the as-cut wafer.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 21/76 - Réalisation de régions isolantes entre les composants
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
• H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon

Abrégé

Disclosed is a variable power dimming control circuit for driving and linearly adjusting the illumination brightness of a plurality of light emitting diodes (LEDs), and the circuit includes a dimming stabilization unit and a control unit. The control unit is provided for detecting an input current of a circuit, and the dimming stabilization unit is driven for outputting a holding current when the input power is smaller than a standard, and stopping the output the holding current when the input power is greater than the standard. When the LEDs are dimmed to low luminance, a chip controls the operation of the dimming stabilization unit to assure the stability of the dimming operation of a TRIAC. When the LEDs are adjusted to high or full brightness, the chip stops the output of the holding current to reduce unnecessary power consumption and enhance the overall circuit performance effectively.

Classes IPC  ?

• H05B 37/02 - Commande
• H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes

Abrégé

The present disclosure discloses a method of manufacturing a light-emitting device comprising the steps of providing a light-emitting wafer having a semiconductor stacked structure and an alignment mark, sensing the alignment mark, and separating the light-emitting wafer into a plurality of light-emitting diodes and removing the alignment mark accordingly.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 33/40 - Matériaux

Abrégé

The present disclosure provides an illumination device. The illumination device includes a cap structure. The cap structure is partially coated with a reflective material operable to reflect light. The illumination device includes one or more lighting-emitting devices disposed within the cap structure. The light-emitting devices may be light-emitting diode (LED) chips. The illumination device also includes a thermal dissipation structure. The thermal dissipation structure is coupled to the cap structure in a first direction. The thermal dissipation structure and the cap structure have a coupling interface. The coupling interface extends in a second direction substantially perpendicular to the first direction. The thermal dissipation structure has a portion that intersects the coupling interface at an angle. The angle is in a range from about 60 degrees to about 90 degrees according to some embodiments.

Classes IPC  ?

• B60Q 1/06 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet les dispositifs étant principalement destinés à éclairer la route en avant du véhicule ou d'autres zones de la route ou des environs les dispositifs étant des phares réglables, p. ex. commandés à distance de l'intérieur du véhicule
• F21K 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
• F21V 3/04 - GlobesVasquesVerres de protection caractérisés par les matériaux, traitements de surface ou revêtements
• F21V 7/00 - Réflecteurs pour sources lumineuses
• B05D 5/06 - Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces pour obtenir des effets, finis ou des structures de surface particuliers pour obtenir des effets multicolores ou d'autres effets optiques
• F21V 29/74 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p. ex. puits thermiques avec ailettes ou lames
• F21V 29/77 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p. ex. puits thermiques avec ailettes ou lames avec ailettes ou lames en plans divergents essentiellement identiques, p. ex. avec une section en forme d’éventail ou d’étoile
• F21K 9/20 - Sources lumineuses comprenant un moyen de fixation
• F21K 9/232 - Sources lumineuses rétrocompatibles pour dispositifs d’éclairage avec un seul culot pour chaque source lumineuse, p. ex. pour le remplacement de lampes à incandescence avec un culot à baïonnette ou à vis spécialement adaptées à la génération de lumière essentiellement omnidirectionnelle, p. ex. avec une ampoule en verre
• F21K 9/60 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière
• F21K 9/66 - Détails des globes ou des couvercles faisant partie de la source lumineuse
• F21Y 101/00 - Sources lumineuses ponctuelles
• F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]

Abrégé

3. Therefore, the stacked LED chips and the phosphor can be used to obtain a white light source with high color saturation.

Classes IPC  ?

• H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde

Abrégé

An LED device includes a substrate including a first and second light emitting modules, and first and second opposite sides. The first light emitting module includes a first conductive electrode located adjacent to the first side, a second conductive electrode located adjacent to the second side, and a first plurality of light emitting micro diodes electrically connected in the form of a plurality of serially connected bridge rectifiers between the first conductive electrode and the second conductive electrode. The second light emitting module includes a third conductive electrode located adjacent to the first side, a fourth conductive electrode adjacent to the second side, and a second plurality of light emitting micro diodes electrically connected in the form of a plurality of serially connected bridge rectifiers between the third conductive electrode and the fourth conductive electrode. The first, second, third, and fourth conductive electrodes are physically separated from each other.

Classes IPC  ?

• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H05B 33/08 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
• F21K 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

A light-emitting element includes: a light-emitting structure; a plurality of first contact portions separately on the light-emitting structure; and a plurality of reflective portions disposed separately among the plurality of first contact portions.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/40 - Matériaux

Abrégé

Disclosed is an all-angle light emitting element having high heat dissipating efficiency. The all-angle light emitting element has a transparent substrate, at least one light emitting chip, at least one heat dissipating rib and thermal glue. The transparent substrate has a chip fixing area with an area A. The heat dissipating rib is attached onto the transparent substrate, and the heat dissipating rib has a heat dissipating section and a heat source contact section, and the heat source contact section has an area B, and 3%≦B/A≦26%. The heat dissipating section and the heat source contact section of the heat dissipating rib can effectively conduct the heat generated by an optical chip and provide a 360-degree all-angle light emission.

Classes IPC  ?

• H01J 1/02 - Électrodes principales

Abrégé

A backlight module is provided, including a back plate, a diffusion plate, multiple lighting bars mounted on the back plate and at least one lighting module mounted on each of the lighting bars, where each of the lighting modules has an LED forward light source and at least one pair of LED non-forward light sources, and the pair of LED non-forward light sources is mounted on the side of the LED forward light source, and light emitted from the LED forward light source and light emitted from each of the pair of LED light sources are spliced together to form a diffusing light shape. Therefore, the backlight module of the present invention has reduced lighting bars to decrease the weight, volume and cost of the whole backlight module and liquid-crystal display device, and overcome the problems of non-uniform brightness of conventional backlight modules.

Classes IPC  ?

• G09F 13/04 - Enseignes, tableaux ou panneaux éclairés de derrière l'illustration

Abrégé

In accordance with certain embodiments, a phosphor element at least partially surrounding a light-emitting die is shaped to influence color-temperature divergence.

Classes IPC  ?

• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique