The invention provides a method of chemically mechanically polishing a substrate, especially a substrate comprising boron-doped polysilicon, comprising contacting the substrate with a chemical-mechanical polishing composition comprising an abrasive selected from α-alumina, silica, and a combination thereof, ferric ion, an organic acid, or a combination thereof, and water. The invention also provides a chemical-mechanical polishing composition comprising α-alumina, a nitrogen-containing compound selected from a zwitterionic homopolymer at, a monomeric ammonium salt, and a combination thereof, an organic acid, and water. The invention further provides a chemical-mechanical polishing composition comprising silica, an organic acid, ferric ion, and water.
Described are containers for storing, transporting, shipping or processing fragile devices such as photomasks, reticles, and semiconductor wafers, including in particular dual containment pods that include an outer pod adapted to contain an inner reticle pod, with the inner reticle pod containing a reticle.
G03F 1/66 - Réceptacles spécialement adaptés aux masques, aux masques vierges ou aux pelliculesLeur préparation
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
Described are reticle pods used to support and transport a reticle in an extreme ultraviolet (EUV) lithography process. An inner reticle pod adapted to contain the reticle comprises a base and a cover. The base comprises: an upper base surface, a first base side, a second base side, a first base end extending between the first base side and the second base side, and a second base end extending between the first base side and the second base side; and at least three reticle supports on the upper base surface, at least one of the at least three reticle supports being positioned at a side position of the base that is nearer to a base side than to a base end. The cover is adapted to engage the base and contain the reticle supported by reticle supports.
G03F 1/66 - Réceptacles spécialement adaptés aux masques, aux masques vierges ou aux pelliculesLeur préparation
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
4.
MULTI-DEVICE CONTAINERS USEFUL WITH SEMICONDUCTOR PROCESSING DEVICES OF DIFFERENT DIMENSIONS, AND RELATED METHODS
Described are containers for storing, transporting, shipping, or processing fragile devices such as a reticles or an inner reticle pod, including, in particular, dual containment pods that are adapted to interchangeably contain either a reticle or an inner reticle pod.
G03F 1/66 - Réceptacles spécialement adaptés aux masques, aux masques vierges ou aux pelliculesLeur préparation
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
Described are containers for storing, transporting, shipping or processing fragile devices such as photomasks, reticles, and semiconductor wafers, including in particular dual containment pods that include an outer pod adapted to contain an inner reticle pod, with the inner reticle pod containing a reticle.
G03F 1/66 - Réceptacles spécialement adaptés aux masques, aux masques vierges ou aux pelliculesLeur préparation
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
6.
MULTI-DEVICE CONTAINERS USEFUL WITH SEMICONDUCTOR PROCESSING DEVICES OF DIFFERENT DIMENSIONS, AND RELATED METHODS
Described are containers for storing, transporting, shipping, or processing fragile devices such as a reticles or an inner reticle pod, including, in particular, dual containment pods that are adapted to interchangeably contain either a reticle or an inner reticle pod.
G03F 1/66 - Réceptacles spécialement adaptés aux masques, aux masques vierges ou aux pelliculesLeur préparation
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
7.
SOLVENT-BASED COMPOSITIONS AND RELATED METHODS FOR MOLYBDENUM ETCHING
Compositions and methods for solvent-based molybdenum etching are provided. A composition comprises a phosphorus oxoacid, an oxidant, and at least 50% by weight of a solvent based on a total weight of the composition. The solvent comprises a compound having at least one sulfur-oxygen double bond.
G03F 1/66 - Réceptacles spécialement adaptés aux masques, aux masques vierges ou aux pelliculesLeur préparation
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
9.
DUAL SILICIDE CONTACTS ENABLED WITH ION IMPLANTATION
The disclosure provides a method for fabricating a low resistance contact on a semiconductor substrate comprising a metal oxide semiconductor (MOS) device. The method comprises fabricating a via to a source or drain region of the MOS device, providing an insulating layer along a sidewall of the via while maintaining or reestablishing the exposed source or drain region, using ion implantation to implant a metallic element into the exposed source or drain region of the semiconductor substrate through the via to form an implanted layer, annealing the implanted layer to form a silicide layer comprising silicon and the metallic element on the source or drain region of the MOS device, and depositing a low resistance metal in the via to form the low resistance contact on the semiconductor substrate comprising the MOS device. The disclosure also provides a device comprising a low resistance contact fabricated by said method.
H10D 64/27 - Électrodes ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier, à faire osciller ou à commuter, p. ex. grilles
H10D 80/20 - Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un dispositif couvert par la présente sous-classe l’au moins un dispositif étant couvert par les groupes , p. ex des ensembles comprenant des condensateurs, des transistors FET de puissance ou des diodes Schottky
10.
SOLVENT-BASED COMPOSITIONS AND RELATED METHODS FOR MOLYBDENUM ETCHING
Compositions and methods for solvent-based molybdenum etching are provided. A composition comprises a phosphorus oxoacid, an oxidant, and at least 50% by weight of a solvent based on a total weight of the composition. The solvent comprises a compound having at least one sulfur-oxygen double bond.
The disclosure provides a method for fabricating a low resistance contact on a semiconductor substrate comprising a metal oxide semiconductor (MOS) device. The method comprises fabricating a via to a source or drain region of the MOS device, providing an insulating layer along a sidewall of the via while maintaining or reestablishing the exposed source or drain region, using ion implantation to implant a metallic element into the exposed source or drain region of the semiconductor substrate through the via to form an implanted layer, annealing the implanted layer to form a silicide layer comprising silicon and the metallic element on the source or drain region of the MOS device, and depositing a low resistance metal in the via to form the low resistance contact on the semiconductor substrate comprising the MOS device. The disclosure also provides a device comprising a low resistance contact fabricated by said method.
A chemical mechanical polishing composition comprises, consists of, or consists essentially of a liquid carrier and anionic silica particles dispersed in the liquid carrier, wherein the anionic silica particles have an aspect ratio of less than about 1.3, a surface area in a range from about 40 m2/g to about 80 m2/g, and a zeta potential in a range from about -10 mV to about -40 mV in the polishing composition.
Selective etchant compositions for reducing foam and related methods are provided herein. The composition may comprise a phosphoric acid; an inhibitor; and 0.01% to 5% by weight of a defoaming agent based on a total weight of the composition. The defoaming agent may comprise at least one of an alkyl carbamate compound, a bicarbonate compound, a sulfuric acid compound, or any combination thereof.
C09K 13/06 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un acide inorganique avec une substance organique
Methods for forming a vapor deposition precursor are provided. The method comprises contacting a metal halide compound, a Grignard reagent, and a carbodiimide compound to form the vapor deposition precursor. The vapor deposition precursor comprises at least one of an indium amidinate, a gallium amidinate, or any combination thereof. The vapor deposition precursor is formed without use of a pyrophoric compound. Various compositions comprising a vapor deposition precursor and related systems and devices are also provided.
Methods for forming a vapor deposition precursor are provided. The method comprises contacting a metal halide compound, a Grignard reagent, and a carbodiimide compound to form the vapor deposition precursor. The vapor deposition precursor comprises at least one of an indium amidinate, a gallium amidinate, or any combination thereof. The vapor deposition precursor is formed without use of a pyrophoric compound. Various compositions comprising a vapor deposition precursor and related systems and devices are also provided.
C07F 5/00 - Composés contenant des éléments des groupes 3 ou 13 du tableau périodique
C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
16.
COATED CONDUITS, RELATED SYSTEMS AND RELATED METHODS
Systems comprising coated components are described. A system includes a first subsystem located in a sub-fabrication area of a semiconductor manufacturing facility, a second subsystem located in a fabrication area of the semiconductor manufacturing facility, and a conduit connecting the first subsystem to the second subsystem. The conduit has an inner surface and an outer surface and a protective coating formed on the inner surface. Coated components and related methods are also described.
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
A chemical mechanical polishing composition comprises, consists of, or consists essentially of a liquid carrier, abrasive particles dispersed in the liquid carrier, an iron-containing accelerator, a stabilizer bound to the iron-containing accelerator, at least one inhibitor of tungsten etching, the inhibitor of tungsten etching including at least one nitrogen containing group, and a substituted piperazine compound.
Methods for forming yttrium complexes are provided herein. A method for forming a yttrium complex comprises contacting a yttrium trihalide adduct with a cyclopentadienyl compound in a presence of a solvent to form a yttrium complex. Compositions are provided. A composition comprises a precursor compound. The precursor compound comprises a yttrium complex formed according to the methods disclosed herein. Various other methods and compositions are provided herein.
Systems comprising coated components are described. A system includes a first subsystem located in a sub-fabrication area of a semiconductor manufacturing facility, a second subsystem located in a fabrication area of the semiconductor manufacturing facility, and a conduit connecting the first subsystem to the second subsystem. The conduit has an inner surface and an outer surface and a protective coating formed on the inner surface. Coated components and related methods are also described.
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
A chemical mechanical polishing composition comprises, consists of, or consists essentially of a liquid carrier, ceria particles dispersed in the liquid carrier, the ceria particles having a weight average particle size of greater than 90 nm as measured using a CPS Disc Centrifuge Particle size analyzer and a BET surface area of greater than 50 m2/g; and a hydroxamic acid or a pyrone compound.
A chemical mechanical polishing composition comprises, consists of, or consists essentially of a liquid carrier, ceria particles dispersed in the liquid carrier; and a hydroxamic acid compound, wherein the hydroxamic compound comprises at least one of (i) a non-cyclic alkyl group having from three to ten carbon atoms, (ii) a halide-substituted phenyl group, (iii) a phenyl group or a substituted phenyl group and an alkyl linking group coupling the phenyl group or substituted phenyl group to a hydroxamic acid group, and (iv) a hydroxamic acid compound having a partition coefficient of at least about 0.9.
Methods for forming yttrium complexes are provided herein. A method for forming a yttrium complex comprises contacting a yttrium trihalide adduct with a cyclopentadienyl compound in a presence of a solvent to form a yttrium complex. Compositions are provided. A composition comprises a precursor compound. The precursor compound comprises a yttrium complex formed according to the methods disclosed herein. Various other methods and compositions are provided herein.
A chemical mechanical polishing composition comprises, consists of, or consists essentially of a liquid carrier, ceria particles dispersed in the liquid carrier; and a hydroxamic acid compound, wherein the hydroxamic compound comprises at least one of (i) a non-cyclic alkyl group having from three to ten carbon atoms, (ii) a halide-substituted phenyl group, (iii) a phenyl group or a substituted phenyl group and an alkyl linking group coupling the phenyl group or substituted phenyl group to a hydroxamic acid group, and (iv) a hydroxamic acid compound having a partition coefficient of at least about 0.9.
Provided are certain silyl amine compounds useful as precursors in the vapor deposition of silicon-containing materials onto the surfaces of microelectronic devices. Such precursors can be utilized with optional co-reactants to deposit silicon-containing films such as silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, silicon oxycarbonitride (SiOCN), silicon carbonitride (SiCN), and silicon carbide.
C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
25.
SELECTIVE DEPOSITION OF COBALT AND RUTHENIUM, AND RELATED STRUCTURES
Described are methods of selectively depositing a cobalt or ruthenium seed layer onto a semiconductor substrate, methods of forming a conductive contact on the semiconductor substrate, and semiconductor substrates formed according to the methods.
A chemical mechanical polishing composition comprises, consists of, or consists essentially of a liquid carrier, ceria particles dispersed in the liquid carrier, the ceria particles having a weight average particle size of greater than 90 nm as measured using a CPS Disc Centrifuge Particle size analyzer and a BET surface area of greater than 50 m2/g; and a hydroxamic acid or a pyrone compound.
Described are methods of selectively depositing a cobalt or ruthenium seed layer onto a semiconductor substrate, methods of forming a conductive contact on the semiconductor substrate, and semiconductor substrates formed according to the methods.
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
An assembly for ion implantation is provided herein. An assembly comprises at least one vessel configured to be fluidly coupled to an arc chamber of an ion implantation device. The at least one vessel comprises a gas component comprising BF3 and B2F4. When the gas component is supplied from the at least one vessel to the arc chamber for implantation into a substrate, a beam current of boron ions generated from the gas component is greater than a beam current of boron ions generated from a control gas component. Related systems, including ion implantation systems, and related methods are provided herein.
H01J 37/317 - Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p. ex. implantation d'ions
3 244. When the gas component is supplied from the at least one vessel to the arc chamber for implantation into a substrate, a beam current of boron ions generated from the gas component is greater than a beam current of boron ions generated from a control gas component. Related systems, including ion implantation systems, and related methods are provided herein.
H01J 37/317 - Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p. ex. implantation d'ions
Described are dry process microporous membranes for filtration, wherein at least one layer of the membrane has an average pore size less than 0.035 microns. The membrane may be used in an ultra-filtration or nano-filtration process such as for processing microelectronics or semiconductor processing fluids.
B01D 69/02 - Membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation, caractérisées par leur forme, leur structure ou leurs propriétésProcédés spécialement adaptés à leur fabrication caractérisées par leurs propriétés
31.
FILTERS FOR MICROPROCESSING OR SEMICONDUCTOR PROCESSING FLUIDS
Described are filters and filter products that contain a microporous membrane for filtration, wherein at least one layer of the membrane has an average pore size less than 0.035 microns; the filter or filter product and its membrane may be used in an ultra-filtration or nano-filtration process such as for processing microelectronics or semiconductor processing fluids.
B01D 69/02 - Membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation, caractérisées par leur forme, leur structure ou leurs propriétésProcédés spécialement adaptés à leur fabrication caractérisées par leurs propriétés
32.
SILANE MODIFICATION OF CERIA NANOPARTICLES IN COLLOIDALLY STABLE SOLUTIONS
The invention provides a chemical-mechanical polishing composition comprising (i) ceria abrasive particles, wherein each ceria abrasive particle comprises at least one associated silane comprising at least one moiety of Formula I: Si(R1n(4-n)(4-n), wherein R1, X, and n are as defined herein, and (ii) water. The invention also provides a method of chemicallymechanically polishing a substrate, especially a silicon oxide and/or silicon nitride substrate, by contacting the substrate with the inventive chemical-mechanical polishing composition.
The disclosure provides a UV-cured sub-pad for chemical-mechanical planarization comprising (a) a (meth)acrylate monomer unit and (b) an oligomer unit selected from a difunctional (meth)acrylate-capped polyether urethane oligomer unit, a difunctional (meth)acrylate-capped polyester urethane oligomer unit, a difunctional (meth)acrylate-capped urethane oligomer unit, and a combination thereof. The disclosure also provides a polishing pad for chemical-mechanical planarization comprising a top sheet and a UV-cured sub-pad, a method of preparing the polishing pad, and an apparatus for performing the method of preparing the polishing pad for chemical-mechanical planarization.
B24D 3/00 - Propriétés physiques des corps ou feuilles abrasives, p. ex. surfaces abrasives de nature particulièreCorps ou feuilles abrasives caractérisés par leurs constituants
B24D 18/00 - Fabrication d'outils pour meuler, p. ex. roues, non prévue ailleurs
The disclosure provides a UV-cured sub-pad for chemical-mechanical planarization comprising (a) a (meth)acrylate monomer unit and (b) an oligomer unit selected from a difunctional (meth)acrylatecapped polyether urethane oligomer unit, a difunctional (meth)acrylate-capped polyester urethane oligomer unit, a difunctional (meth)acrylate-capped urethane oligomer unit, and a combination thereof. The disclosure also provides a polishing pad for chemical-mechanical planarization comprising a top sheet and a UV-cured sub-pad, a method of preparing the polishing pad, and an apparatus for performing the method of preparing the polishing pad for chemical-mechanical planarization.
B24B 37/24 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes caractérisés par la composition ou les propriétés des matériaux du tampon
B24D 3/28 - Propriétés physiques des corps ou feuilles abrasives, p. ex. surfaces abrasives de nature particulièreCorps ou feuilles abrasives caractérisés par leurs constituants les constituants étant utilisés comme agglomérants et étant essentiellement organiques en résines
B24D 18/00 - Fabrication d'outils pour meuler, p. ex. roues, non prévue ailleurs
The invention provides a composition comprising water, a chelating agent, and a pH adjustor. The invention also provides a method for removing residue from a surface of a microelectronic device substrate comprising contacting the surface of the microelectronic device substrate with a composition comprising water, a chelating agent, and a pH adjustor.
The invention provides a composition comprising water, a chelating agent, and a pH adjustor. The invention also provides a method for removing residue from a surface of a microelectronic device substrate comprising contacting the surface of the microelectronic device substrate with a composition comprising water, a chelating agent, and a pH adjustor.
An electrostatic chuck device having reduced charge injection may include a dielectric layer, a bonding layer, an electrode layer, and an isolator layer, the bonding layer being located between the dielectric layer and the electrode layer, the electrode layer being located between the bonding layer and the isolator layer, and the electrode layer does not directly contact the dielectric layer. The bonding layer comprises a nonelectrically conductive polymeric material that covers the electrode layer such that a surface roughness of an upper surface of the bonding layer is less than a surface roughness of an upper surface of the electrode layer. The electrostatic chuck device may also include a charge barrier layer located between the bonding layer and the electrode layer to further reduce a surface roughness of the bonding layer as compared to the electrode layer. The reduced surface roughness reduces charge injection from the electrode layer.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
38.
HIGH PURITY TIN COMPOUNDS AND RELATED COMPOSITIONS AND RELATED METHODS
Compositions comprising tin (IV) alkoxide compounds useful for extreme ultraviolet lithography are provided. The compositions comprise a highly pure tin (IV) alkoxide compound, with low levels of impurities, including, for example and without limitation, at least one of halide impurities, ammonium impurities, or any combination thereof. Halide-free methods for synthesizing the tin (IV) alkoxide compounds are also provided. Various other compositions and methods are provided.
Reticle supports for use in a reticle container are provided for wear reduction. The reticle supports have a proximate end received in a baseplate. A reticle contact region at the distal end of the reticle support body contacts the reticle to suspend the reticle from the baseplate. The reticle support body allows a lateral movement of the distal end of the reticle support body along with the reticle with respect to the baseplate to prevent the reticle contact region of the reticle supports from sliding on and scratching the surface of reticle.
Compositions are provided for selective removal of a polymeric material from a substrate. The composition comprises at least one solvent; 0.1% to 20% by weight of at least one pH adjuster based on a total weight of the wet etch composition; and 1% to 20% by weight of at least one oxidizer based on the total weight of the wet etch composition. When contacted with a non-ultraviolet treated substrate comprising a first polymeric material and a second polymeric material, the composition selectively removes the first polymeric material. Related systems and related methods are also provided.
Aluminum-containing inhibitor compounds for selective deposition are provided. A method for selective deposition comprises obtaining a substrate having a first surface and a second surface, exposing the substrate to an Al-containing inhibitor to modify the first surface, and selectively depositing a film on the second surface. The aluminum-containing inhibitor compound is a compound comprising a substituted aluminum alkyl. Related systems, related compositions, and related devices, among other things, are further provided.
A purge port assembly for a wafer container includes a purge module configured to allow inlet flow of purge gas and a transition portion disposed over an intermediate outlet of the purge module. The transition portion includes a receiver configured to receive the purge gas discharged from the purge module, an outlet connector configured to attach with a diffuser, and an intermediate conduit. The intermediate conduit connects the receiver to the outlet connector and extends from the receiver at an acute angle relative to an axis of the inlet opening of the receiver. The intermediate conduit has a length that spaces apart the outlet connector from the receiver. A wafer container includes a shell and a purge port assembly. The shell includes an interior space. The purge port assembly extends through an opening in the shell into the interior space.
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
43.
COMPOSITIONS FOR SELECTIVE REMOVAL OF POLYMERIC MATERIALS
Compositions are provided for selective removal of a polymeric material from a substrate. The composition comprises at least one solvent; 0.1% to 20% by weight of at least one pH adjuster based on a total weight of the wet etch composition; and 1% to 20% by weight of at least one oxidizer based on the total weight of the wet etch composition. When contacted with a non-ultraviolet treated substrate comprising a first polymeric material and a second polymeric material, the composition selectively removes the first polymeric material. Related systems and related methods are also provided.
C09K 13/00 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage
C09K 13/06 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un acide inorganique avec une substance organique
44.
LEVEL SENSORS FOR PRECURSOR VESSELS AND RELATED SYSTEMS AND RELATED METHODS
Some embodiments of the present disclosure relate to a system, comprising a vessel; at least one tray located in the vessel; a tube extending into the vessel to a location beneath the at least one tray; and a level sensor comprising: at least one reed switch located on the tube; and at least one toroidal magnet, wherein the tube extends through an opening defined by the at least one toroidal magnet, such that the at least one toroidal magnet is slidably engaged with the tube; wherein, when a solid precursor is loaded onto the at least one tray, the at least one toroidal magnet is configured to rest on a surface of the solid precursor; wherein the level sensor is configured to sense changes in the location of the at least one toroidal magnet relative to the at least one reed switch to sense precursor levels within the vessel. Also described is a vessel for delivering solid precursor vapor where a sensor or heater is connected through a gas exchange port of the vessel.
C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
45.
ELECTROSTATIC CHUCK WITH REDUCED CHARGE INJECTION INTO DIELECTRIC LAYER
An electrostatic chuck device having reduced charge injection may include a dielectric layer, a bonding layer, an electrode layer, and an isolator layer, the bonding layer being located between the dielectric layer and the electrode layer, the electrode layer being located between the bonding layer and the isolator layer, and the electrode layer does not directly contact the dielectric layer. The bonding layer comprises a non-electrically conductive polymeric material that covers the electrode layer such that a surface roughness of an upper surface of the bonding layer is less than a surface roughness of an upper surface of the electrode layer. The electrostatic chuck device may also include a charge barrier layer located between the bonding layer and the electrode layer to further reduce a surface roughness of the bonding layer as compared to the electrode layer. The reduced surface roughness reduces charge injection from the electrode layer.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
C09J 123/28 - Adhésifs à base d'homopolymères ou de copolymères d'hydrocarbures aliphatiques non saturés ne possédant qu'une seule liaison double carbone-carboneAdhésifs à base de dérivés de tels polymères modifiés par post-traitement chimique par réaction avec des halogènes ou des composés contenant des halogènes
46.
LEVEL SENSORS FOR PRECURSOR VESSELS AND RELATED SYSTEMS AND RELATED METHODS
Some embodiments of the present disclosure relate to a system, comprising a vessel; at least one tray located in the vessel; a tube extending into the vessel to a location beneath the at least one tray; and a level sensor comprising: at least one reed switch located on the tube; and at least one toroidal magnet, wherein the tube extends through an opening defined by the at least one toroidal magnet, such that the at least one toroidal magnet is slidably engaged with the tube; wherein, when a solid precursor is loaded onto the at least one tray, the at least one toroidal magnet is configured to rest on a surface of the solid precursor; wherein the level sensor is configured to sense changes in the location of the at least one toroidal magnet relative to the at least one reed switch to sense precursor levels within the vessel. Also described is a vessel for delivering solid precursor vapor where a sensor or heater is connected through a gas exchange port of the vessel.
G01F 23/72 - Indication ou mesure du niveau des liquides ou des matériaux solides fluents, p. ex. indication en fonction du volume ou indication au moyen d'un signal d'alarme par des flotteurs du type à flotteur libre en utilisant des moyens d'indication actionnés magnétiquement
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
47.
HIGH PURITY TIN COMPOUNDS AND RELATED COMPOSITIONS AND RELATED METHODS
Compositions comprising tin (IV) alkoxide compounds useful for extreme ultraviolet lithography are provided. The compositions comprise a highly pure tin (IV) alkoxide compound, with low levels of impurities, including, for example and without limitation, at least one of halide impurities, ammonium impurities, or any combination thereof. Halide-free methods for synthesizing the tin (IV) alkoxide compounds are also provided. Various other compositions and methods are provided.
Reticle supports for use in a reticle container are provided for wear reduction. The reticle supports have a proximate end received in a baseplate. A reticle contact region at the distal end of the reticle support body contacts the reticle to suspend the reticle from the baseplate. The reticle support body allows a lateral movement of the distal end of the reticle support body along with the reticle with respect to the baseplate to prevent the reticle contact region of the reticle supports from sliding on and scratching the surface of reticle.
Aluminum-containing inhibitor compounds for selective deposition are provided. A method for selective deposition comprises obtaining a substrate having a first surface and a second surface, exposing the substrate to an Al-containing inhibitor to modify the first surface, and selectively depositing a film on the second surface. The aluminum-containing inhibitor compound is a compound comprising a substituted aluminum alkyl. Related systems, related compositions, and related devices, among other things, are further provided.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
Reticle containers can include reinforcement supports that include support features configured to contact and thereby support corner contacts when shocks deflect corner contacts of the reticle container. The reinforcement supports can be integral to a portion of the reticle container such as a cover portion thereof, or provided on an insert configured to attach to a feature of the reticle container. The reinforcement supports can attach over the corner contacts. The reinforcement supports can additionally include contact regions configured to receive contact from the reticle in the event of a shock.
B65D 81/05 - Réceptacles, éléments d'emballage ou paquets pour contenus présentant des problèmes particuliers de stockage ou de transport ou adaptés pour servir à d'autres fins que l'emballage après avoir été vidés de leur contenu spécialement adaptés pour protéger leur contenu des dommages mécaniques maintenant le contenu en position éloignée des parois de l'emballage ou des autres pièces du contenu
B65D 25/10 - Dispositifs pour placer les objets dans les réceptacles
B65D 85/30 - Réceptacles, éléments d'emballage ou paquets spécialement adaptés à des objets ou à des matériaux particuliers pour objets particulièrement sensibles aux dommages par chocs ou compression
51.
AREA SELECTIVE DEPOSITION OF ALUMINUM BASED FILMS USING ALKYL ALUMINUM AMIDINATE PRECURSORS
Area selective deposition of aluminum-based films using alkyl aluminum amidinate precursors and methods thereof are provided. Area selective deposition comprises depositing an alkyl aluminum amidinate precursor on a substrate with a first surface portion comprising a metal and a second surface portion comprising a non-metal to form an aluminum-based film on the substrate. The aluminum-based film will be located on the second surface portion of the substrate and when the aluminum-based film is located on the first surface portion, a ratio of an average thickness of the film on the first surface portion to an average thickness of the film on the second surface portion is less than 1.
Area selective deposition of aluminum-based films using alkyl aluminum amidinate precursors and methods thereof are provided. Area selective deposition comprises depositing an alkyl aluminum amidinate precursor on a substrate with a first surface portion comprising a metal and a second surface portion comprising a non-metal to form an aluminum-based film on the substrate. The aluminum-based film will be located on the second surface portion of the substrate and when the aluminum-based film is located on the first surface portion, a ratio of an average thickness of the film on the first surface portion to an average thickness of the film on the second surface portion is less than 1.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
Reticle containers can include reinforcement supports that include support features configured to contact and thereby support corner contacts when shocks deflect corner contacts of the reticle container. The reinforcement supports can be integral to a portion of the reticle container such as a cover portion thereof, or provided on an insert configured to attach to a feature of the reticle container. The reinforcement supports can attach over the corner contacts. The reinforcement supports can additionally include contact regions configured to receive contact from the reticle in the event of a shock.
G03F 1/66 - Réceptacles spécialement adaptés aux masques, aux masques vierges ou aux pelliculesLeur préparation
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
Some embodiments relate to a precursor comprising a precursor for vapor deposition. The precursor comprises an aliphatic hydrocarbon and at least one disilylamine group. The at least one disilylamine group is attached to the aliphatic hydrocarbon. The at least one disilylamine group does not comprise a silanide group. Some embodiments relate to a method for making the precursor. The method comprises reacting a polyamine compound and a silylhalide compound in a presence of a base to form a precursor useful for vapor deposition. Some embodiments relate to a method for forming a silicon-containing film using the precursor.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
C23C 16/513 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des jets de plasma
Some embodiments of the present disclosure relate to a cleaning device including a first material having at least a first function; and a second material having at least a second function, wherein, when a probe card contacts the body, the cleaning device performs at least the first function and at least the second function.
B24B 27/033 - Autres machines ou dispositifs à meuler pour le meulage d'une surface à des fins de nettoyage, p. ex. pour décalaminer ou corriger par meulage des défauts de la surface
B24B 37/04 - Machines ou dispositifs de rodageAccessoires conçus pour travailler les surfaces planes
B24B 7/22 - Machines ou dispositifs pour meuler les surfaces planes des pièces, y compris ceux pour le polissage des surfaces planes en verreAccessoires à cet effet caractérisés par le fait qu'ils sont spécialement étudiés en fonction des propriétés de la matière des objets non métalliques à meuler pour meuler de la matière inorganique, p. ex. de la pierre, des céramiques, de la porcelaine
B24B 7/24 - Machines ou dispositifs pour meuler les surfaces planes des pièces, y compris ceux pour le polissage des surfaces planes en verreAccessoires à cet effet caractérisés par le fait qu'ils sont spécialement étudiés en fonction des propriétés de la matière des objets non métalliques à meuler pour meuler de la matière inorganique, p. ex. de la pierre, des céramiques, de la porcelaine pour meuler ou polir le verre
B24B 7/30 - Machines ou dispositifs pour meuler les surfaces planes des pièces, y compris ceux pour le polissage des surfaces planes en verreAccessoires à cet effet caractérisés par le fait qu'ils sont spécialement étudiés en fonction des propriétés de la matière des objets non métalliques à meuler pour meuler des pièces en matière plastique
An overpack assembly and a method of making an overpack assembly is disclosed. The overpack assembly includes a liner positioned within an overpack. In one embodiment, the method includes making a liner including providing a first sheet including a fitment positioned over a second sheet, the first sheet attached to the second sheet along an attachment seam at an entire perimeter edge. The first sheet is pulled apart from the second sheet at a center of the liner, forming a three-dimensional liner with triangular wings. A vertical seam is formed across each triangular wing, the vertical seam being perpendicular to the attachment seam, where a length of the vertical seam corresponds to the height of the liner when in use. The liner is positioned within the overpack.
Provided are certain composite membranes useful for removing various impurities from liquids. In certain aspects, the composite membranes comprise a hydrophobic polymer having a polyamide coated thereon, and in other aspects, such composite membranes having certain acrylic polymers coated thereon. The composite membranes are useful in the removal of various impurities in liquids, such as those encountered in industrial and life sciences processes.
B01D 67/00 - Procédés spécialement adaptés à la fabrication de membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation
B01D 69/02 - Membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation, caractérisées par leur forme, leur structure ou leurs propriétésProcédés spécialement adaptés à leur fabrication caractérisées par leurs propriétés
B01D 69/10 - Membranes sur supportSupports pour membranes
Some embodiments of the present disclosure relate to a cleaning device including a first material having at least a first function; and a second material having at least a second function, wherein, when a probe card contacts the body, the cleaning device performs at least the first function and at least the second function.
B08B 1/54 - Nettoyage par des procédés impliquant l'utilisation d'outils impliquant le nettoyage des éléments de nettoyage utilisant des outils mécaniques
Provided is an efficient and effective process for preparing certain organotin compounds having alkyl and alkylamino substituents. The process provides the organotin compounds in a highly pure crystalline form which are particularly useful as precursors in the deposition of high-purity tin oxide films in, for example, extreme ultraviolet light (EUV) lithography techniques used in the manufacture of certain microelectronic devices.
Systems for delivering precursors and related methods are provided. A system comprises at least one first container, at least one second container, at least one deposition chamber, a first conduit connecting the at least one first container to the at least one second container, and a second conduit connecting the at least one second container to the at least one deposition chamber. The first conduit is configured for delivering a vaporized precursor, at a first temperature, from the at least one first container to the at least one second container. The second conduit is configured for delivering the vaporized precursor, at a second temperature, from the at least one second container to the at least one deposition chamber. The first temperature is less than the second temperature.
C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
61.
MULTI-LAYER POROUS POLYMERIC MEMBRANE AND RELATED FILTERS AND METHODS
Described are assemblies of porous polymeric filter membranes that include two polymeric filter membranes in series, i.e., as part of a membrane assembly; filter components and filter products that include the two polymeric filter membrane layers; methods of assembling the polymeric filter membranes, filter components, and filter products; and methods of using the polymeric filter membranes to remove particles from a liquid such as a semiconductor processing liquid fluid.
B01D 27/14 - Filtres à cartouches du type à jeter ayant plusieurs éléments filtrants
B01D 29/00 - Filtres à éléments filtrants stationnaires pendant la filtration, p. ex. filtres à aspiration ou à pression, non couverts par les groupes Leurs éléments filtrants
B01D 29/05 - Filtres à éléments filtrants stationnaires pendant la filtration, p. ex. filtres à aspiration ou à pression, non couverts par les groupes Leurs éléments filtrants avec des éléments filtrants plats avec des supports
B01D 39/16 - Autres substances filtrantes autoportantes en substance organique, p. ex. fibres synthétiques
62.
SYSTEMS FOR DELIVERING PRECURSORS AND RELATED METHODS
Systems for delivering precursors and related methods are provided. A system comprises at least one first container, at least one second container, at least one deposition chamber, a first conduit connecting the at least one first container to the at least one second container, and a second conduit connecting the at least one second container to the at least one deposition chamber. The first conduit is configured for delivering a vaporized precursor, at a first temperature, from the at least one first container to the at least one second container. The second conduit is configured for delivering the vaporized precursor, at a second temperature, from the at least one second container to the at least one deposition chamber. The first temperature is less than the second temperature.
C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
63.
METHOD FOR SELECTIVE DEPOSITION ON DIELECTRIC MATERIALS
A method includes forming a structure, and the structure includes a first dielectric layer made of silicon oxide and a second dielectric layer made of silicon nitride. The method further includes performing a selective deposition process for depositing a third dielectric layer made of silicon oxide on the first dielectric layer. Performing the selective deposition process includes performing one or more deposition cycles. Performing a deposition cycle includes introducing a silicon-containing precursor over the structure. The silicon-containing precursor comprises a siloxane material having a chemical formula SiaHb(CH3)2a+1−b—O—SicHd(CH3)2c+1−d, where a, c=1 or 2, and b, d≤2a+1. Molecules of the silicon-containing precursor are selectively adsorbed on an exposed surface of the first dielectric layer. Performing the deposition cycle further includes introducing an oxygen-containing precursor over the structure. Molecules of the oxygen-containing precursor react with the molecules of the silicon-containing precursor to form a silicon oxide sub-layer of the third dielectric layer.
Described are metal bodies made of magnesium-containing metal and having a magnesium fluoride surface passivation region formed at a surface of the body, as well as methods of forming a magnesium fluoride surface passivation region at a surface of a metal body, and uses for the bodies.
C23C 22/02 - Traitement chimique de surface de matériaux métalliques par réaction de la surface avec un milieu réactif laissant des produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, p. ex. revêtement par conversion, passivation des métaux au moyen de solutions non aqueuses
C22C 21/08 - Alliages à base d'aluminium avec le magnésium comme second constituant majeur avec du silicium
C23C 22/73 - Traitement chimique de surface de matériaux métalliques par réaction de la surface avec un milieu réactif laissant des produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, p. ex. revêtement par conversion, passivation des métaux caractérisé par le procédé
65.
A METHOD FOR SELECTIVE DEPOSITION ON DIELECTRIC MATERIALS
ab32a+1-bcd32c+1-d2c+1-d, where a, c=1 or 2, and b, d≤2a+1. Molecules of the silicon-containing precursor are selectively adsorbed on an exposed surface of the first dielectric layer. Performing the deposition cycle further includes introducing an oxygen-containing precursor over the structure. Molecules of the oxygen-containing precursor react with the molecules of the silicon-containing precursor to form a silicon oxide sub-layer of the third dielectric layer.
Multi-metal oxide coatings, and related devices and related methods are provided, among other things. A device comprises a substrate, and a coating on the substrate. The coating comprises a multi-metal oxide. The multi-metal oxide comprises a first species and a second species. A concentration of at least one of the first species, the second species, or any combination thereof, varies through a thickness of the coating. The device can be a component used in a semiconductor manufacturing process.
Described are storage and dispensing systems and related methods, for the storage and selective dispensing germane a reagent gas from a vessel in which the reagent gas is held in sorptive relationship to a solid adsorbent medium at an interior of a storage vessel and wherein the methods and dispensing systems provide dispensing of the reagent gas from the storage vessel with a reduced level of atmospheric impurities contained in the dispensed reagent gas.
F17C 11/00 - Utilisation de solvants ou d'absorbants des gaz dans les récipients
B01D 53/02 - Séparation de gaz ou de vapeursRécupération de vapeurs de solvants volatils dans les gazÉpuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p. ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols par adsorption, p. ex. chromatographie préparatoire en phase gazeuse
B01J 20/20 - Compositions absorbantes ou adsorbantes solides ou compositions facilitant la filtrationAbsorbants ou adsorbants pour la chromatographieProcédés pour leur préparation, régénération ou réactivation contenant une substance inorganique contenant du carbone libreCompositions absorbantes ou adsorbantes solides ou compositions facilitant la filtrationAbsorbants ou adsorbants pour la chromatographieProcédés pour leur préparation, régénération ou réactivation contenant une substance inorganique contenant du carbone obtenu par des procédés de carbonisation
B01J 20/30 - Procédés de préparation, de régénération ou de réactivation
68.
PHOTOLITHOGRAPHY SUBSTRATE WITH PURGE FLOW DIRECTION
A photolithography substrate container includes an inlet configured to receive purge gas, baffles, a photolithography substrate accommodation space, and an outlet for the purge gas. The baffles can affect the flow of purge gas received at the inlet to control flow rates, pressure differentials, and the like for the flow of purge gas through the photolithography substrate accommodation space. The baffles can be provided between the inlet and the photolithography substrate accommodation space. The baffles can be included on one or more parts of the photolithography substrate container or on an insert configured to be attached thereto.
G03F 1/66 - Réceptacles spécialement adaptés aux masques, aux masques vierges ou aux pelliculesLeur préparation
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
69.
MULTI-METAL OXIDE COATINGS, RELATED DEVICES AND METHODS
Multi-metal oxide coatings, and related devices and related methods are provided, among other things. A device comprises a substrate, and a coating on the substrate. The coating comprises a multi-metal oxide. The multi-metal oxide comprises a first species and a second species. A concentration of at least one of the first species, the second species, or any combination thereof, varies through a thickness of the coating. The device can be a component used in a semiconductor manufacturing process.
Disclosed herein are membranes having a first surface, a second surface opposing the first surface, a skin at the first surface having visible pores when viewed at a magnification of 10,000 and a pore size gradient, wherein pore size increases from the second surface to the skin.
B01D 69/02 - Membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation, caractérisées par leur forme, leur structure ou leurs propriétésProcédés spécialement adaptés à leur fabrication caractérisées par leurs propriétés
B01D 65/10 - Test de membranes ou d'appareils à membranesDétection ou réparation de fuites
B01D 67/00 - Procédés spécialement adaptés à la fabrication de membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation
B01D 69/10 - Membranes sur supportSupports pour membranes
A photolithography substrate container includes an inlet configured to receive purge gas, baffles, a photolithography substrate accommodation space, and an outlet for the purge gas. The baffles can affect the flow of purge gas received at the inlet to control flow rates, pressure differentials, and the like for the flow of purge gas through the photolithography substrate accommodation space. The baffles can be provided between the inlet and the photolithography substrate accommodation space. The baffles can be included on one or more parts of the photolithography substrate container or on an insert configured to be attached thereto.
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
72.
METHODS, DEVICES, AND SYSTEMS FOR MEASURING A CONCENTRATION OF AN AMINE-BASED COMPOUND IN AN ETCHING SOLUTION
Described are methods of measuring a concentration of a photosensitive group in a liquid, for example a concentration of amine-based inhibitor in an etching solution, and related equipment and systems.
G01N 21/31 - CouleurPropriétés spectrales, c.-à-d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes en recherchant l'effet relatif du matériau pour les longueurs d'ondes caractéristiques d'éléments ou de molécules spécifiques, p. ex. spectrométrie d'absorption atomique
C09K 13/06 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un acide inorganique avec une substance organique
Described are methods of measuring a concentration of a photosensitive group in a liquid, for example a concentration of amine-based inhibitor in an etching solution, and related equipment and systems.
G01N 21/78 - Systèmes dans lesquels le matériau est soumis à une réaction chimique, le progrès ou le résultat de la réaction étant analysé en observant l'effet sur un réactif chimique produisant un changement de couleur
G01N 21/77 - Systèmes dans lesquels le matériau est soumis à une réaction chimique, le progrès ou le résultat de la réaction étant analysé en observant l'effet sur un réactif chimique
In summary, the disclosure provides certain membranes useful as filter materials in the removal of metal ions, metal particulates, and/or organic contaminants from liquid compositions, in particular liquid compositions used in the microelectronic device industry. The membranes of the disclosure are porous membranes comprised of poly(quinoline) polymers. Advantageously, the poly(quinoline) membranes are thermally stable and hydrolytically stable and can thus be cleaned between uses using acidic material such as dilute hydrochloric acid, without suffering from significant degradation. The poly(quinoline) polymers can be designed to be soluble in certain solvents, thus enabling the manufacture of the corresponding porous membranes by immersion-casting techniques.
B01D 67/00 - Procédés spécialement adaptés à la fabrication de membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation
B01D 69/02 - Membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation, caractérisées par leur forme, leur structure ou leurs propriétésProcédés spécialement adaptés à leur fabrication caractérisées par leurs propriétés
An electrostatic chuck includes an electrode and a dielectric layer. When a voltage is applied to the electrode, the electrode is configured to generate an electrostatic force sufficient to flatten a non-flat substrate. The voltage applied to the electrode generates the electrostatic force sufficient to flatten the non-flat substrate such that a surface of the flattened substrate is substantially in contact with a surface of the electrostatic chuck.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
76.
DEVICES FOR LED PIXEL CIRCUITRY INCLUDING HIGH-K DIELECTRIC MATERIALS AND METHODS OF FORMING THE SAME
A method includes forming a feature on a substrate. A deposition process is performed for depositing a high-K dielectric layer on a top and sidewalls of the feature. Performing the deposition process includes performing one or more deposition cycles at a process temperature ranging from about 50°C to about 200°C. The metal-containing precursor includes a core metal and a ligand. Molecules of the metal-containing precursor are adsorbed on the top and sidewalls of the feature to provide a highly uniform dielectric layer having step a coverage of at least 90%.
H10D 86/00 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre
77.
HIGH CLAMP FORCE ELECTROSTATIC CHUCK FOR NON-FLAT SUBSTRATES
An electrostatic chuck includes an electrode and a dielectric layer. When a voltage is applied to the electrode, the electrode is configured to generate an electrostatic force sufficient to flatten a non-flat substrate. The voltage applied to the electrode generates the electrostatic force sufficient to flatten the non-flat substrate such that a surface of the flattened substrate is substantially in contact with a surface of the electrostatic chuck.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
H02N 13/00 - Embrayages ou dispositifs de maintien utilisant l'attraction électrostatique, p. ex. utilisant l'effet Johnson-Rahbek
78.
RETICLE CONTAINER HAVING ROTATING CONNECTOR WITH SPRING FORCE LATCHING
Reticle containers include a rotating latch including a spring. The spring provides force bringing the segments of the reticle container towards one another such that a reticle in the container is clamped between the container segments. The rotating latch can include a head as part of an assembly on one of a cover or a baseplate of the reticle container, with a slot configured to accommodate the head provided on the other of the cover or baseplate. The head can be disposed at an end of a shaft, with the shaft connected to a base, which is contacted by spring providing force such that the contact of the head with the other of the cover or baseplate provides clamping force to a reticle stored between the cover and baseplate.
Tin precursor compounds and related compositions and methods are provided. A composition comprises a compound of the formula: where: a + b = 2 or 4; R1independently comprises at least one of a hydrogen, an alkyl, an alkenyl, an aryl, a silyl, or any combination thereof; R2independently comprises at least one of a hydrogen, an alkyl, an alkenyl, an aryl, a silyl, an amine, an alkoxide, or any combination thereof; E independently comprises N(R3), O, or S, where: R3 independently comprises at least one of a hydrogen, an alkyl, an alkenyl, an aryl, a silyl, or any combination thereof; and Q independently comprises a hydrogen, an alkyl, an alkenyl, an aryl, a silyl, an amine, an alkoxide, a halogen, or any combination thereof. Other precursor compounds, compositions, and methods are provided.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
Tin precursor compounds and related compositions and methods are provided. A composition comprises a compound of the formula:
Tin precursor compounds and related compositions and methods are provided. A composition comprises a compound of the formula:
[(R1)NC(R2)E]aSn(Q)b,
where: a+b=2 or 4; R1 independently comprises at least one of a hydrogen, an alkyl, an alkenyl, an aryl, a silyl, or any combination thereof; R2 independently comprises at least one of a hydrogen, an alkyl, an alkenyl, an aryl, a silyl, an amine, an alkoxide, or any combination thereof; E independently comprises N(R3), O, or S, where: R3 independently comprises at least one of a hydrogen, an alkyl, an alkenyl, an aryl, a silyl, or any combination thereof; and Q independently comprises a hydrogen, an alkyl, an alkenyl, an aryl, a silyl, an amine, an alkoxide, a halogen, or any combination thereof. Other precursor compounds, compositions, and methods are provided.
Described are filtration membranes that include a porous polyimide membrane and thermally stable ionic groups; filters and filter components that include these filtration membranes; methods of making the filtration membranes, filters, and filter components; and method of using a filtration membrane, filter component, or filter to remove unwanted material from fluid.
B01D 65/00 - Accessoires ou opérations auxiliaires, en général, pour les procédés ou les appareils de séparation utilisant des membranes semi-perméables
B01D 69/02 - Membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation, caractérisées par leur forme, leur structure ou leurs propriétésProcédés spécialement adaptés à leur fabrication caractérisées par leurs propriétés
Electrostatic chucks and methods for forming electrostatic chucks are provided. A method comprises obtaining a substrate comprising an etch resistant coating layer; ablating, with a laser, the etch resistant coating layer so as to remove at least a portion of the etch resistant coating layer so as to provide one or more exposed portions of the substrate; and forming an electrostatic chuck, wherein, when measuring an electrical resistance across the one or more exposed portions of the substrate between two metallized portions, the electrostatic chuck exhibits an electrical isolation of 300 GΩ or more. An electrostatic chuck comprises a substrate having at least one etch resistant coating layer comprising a laser ablated pattern, wherein the laser ablated pattern comprises one or more exposed portions of the substate spanning distances of at least 0.5 mm.
B23K 37/04 - Dispositifs ou procédés auxiliaires non spécialement adaptés à un procédé couvert par un seul des autres groupes principaux de la présente sous-classe pour maintenir ou mettre en position les pièces
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
B23K 26/354 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage pour le traitement de surface par fusion
Substrate containers include a deformable surface configured to deflect into an internal space so as to reduce the volume of said internal space when the reticle pod is opened. The deformable surface can be a filter, for example a filter supported by a deformable member, a filter including a deformable member, a filter that is retained under tension in the substrate container, or a filter disposed on a deformable member.
G03F 1/66 - Réceptacles spécialement adaptés aux masques, aux masques vierges ou aux pelliculesLeur préparation
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
84.
PURIFYING PRECURSOR COMPOUNDS AND RELATED SYSTEMS AND METHODS
Systems and methods for purifying precursor compounds are provided. A method comprises one or more of the following steps: mixing a crude product solution with a first solvent, wherein the crude product solution comprises a precursor compound and at least one impurity; wherein a boiling point of the first solvent is greater than a boiling point of the crude product solution; feeding a mixture of at least the crude product solution and the first solvent to an evaporator; and collecting, from the evaporator, a distillate comprising the precursor compound, wherein a purity of the precursor compound in the distillate is greater than 95% as determined by 1H NMR. Other methods and systems are provided herein.
Systems and methods for purifying precursor compounds are provided. A method comprises one or more of the following steps: mixing a crude product solution with a first solvent, wherein the crude product solution comprises a precursor compound and at least one impurity; wherein a boiling point of the first solvent is greater than a boiling point of the crude product solution; feeding a mixture of at least the crude product solution and the first solvent to an evaporator; and collecting, from the evaporator, a distillate comprising the precursor compound, wherein a purity of the precursor compound in the distillate is greater than 95% as determined by 1H NMR. Other methods and systems are provided herein.
B01D 3/34 - Distillation ou procédés d'échange apparentés dans lesquels des liquides sont en contact avec des milieux gazeux, p. ex. extraction avec une ou plusieurs substances auxiliaires
B01D 1/22 - Évaporation par amenée d'une pellicule liquide au contact d'une surface chauffée
Substrate containers include a deformable surface configured to deflect into an internal space so as to reduce the volume of said internal space when the reticle pod is opened. The deformable surface can be a filter, for example a filter supported by a deformable member, a filter including a deformable member, a filter that is retained under tension in the substrate container, or a filter disposed on a deformable member.
Electrostatic chucks and methods for forming electrostatic chucks are provided. A method comprises obtaining a substrate comprising an etch resistant coating layer; ablating, with a laser, the etch resistant coating layer so as to remove at least a portion of the etch resistant coating layer so as to provide one or more exposed portions of the substrate; and forming an electrostatic chuck, wherein, when measuring an electrical resistance across the one or more exposed portions of the substrate between two metallized portions, the electrostatic chuck exhibits an electrical isolation of 300 GΩ or more. An electrostatic chuck comprises a substrate having at least one etch resistant coating layer comprising a laser ablated pattern, wherein the laser ablated pattern comprises one or more exposed portions of the substrate spanning distances of at least 0.5 mm.
Described are methods and apparatus that are useful to for purifying a substrate container that is used to hold, store, or transport semiconductor substrates.
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
89.
FILTRATION MEMBRANES, SYSTEMS, AND METHODS FOR PRODUCING PURIFIED WATER
Described are filter membranes, related systems, and related method useful for producing purified (e.g., ultrapure) water, including membranes, systems, and methods of preparing purified water that will be useable in processes of manufacturing electronic and semiconductor devices.
Methods for purifying bis (arene) nickel complex products and related products are provided. A method comprises obtaining a crude mixture comprising a bis (arene) nickel complex and at least one impurity; obtaining a separation solvent; distilling the separation solvent to generate a distilled separation solvent; filtering the crude mixture with the distilled separation solvent so as to obtain a filtrate comprising the distilled separation solvent and at least a portion of the bis (arene) nickel complex; and removing the separation solvent from the filtrate so as to obtain a purified bis (arene) nickel complex product.
Methods for purifying bis (arene) nickel complex products and related products are provided. A method comprises obtaining a crude mixture comprising a bis (arene) nickel complex and at least one impurity, dissolving the crude mixture in a recrystallization solvent so as to obtain a saturated solution of the crude mixture, recrystallizing the bis (arene) nickel complex, and removing the recrystallization solvent so as to obtain a purified bis (arene) nickel complex product.
Described are methods and apparatus that are useful for purifying a substrate container that is used to hold, store, or transport semiconductor substrates. A purification system for purifying the substrate container, the substrate container comprising: a container body comprising an opening; a door adapted to cover the opening; an interior defined by the container body; and a gas within the interior, comprises: a contaminant removal device in fluid communication with the interior; and a control system adapted to measure a concentration of airborne molecular contaminant in the gas.
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
B01D 53/30 - Commande par appareil d'analyse des gaz
B01D 53/72 - Composés organiques non prévus dans les groupes , p. ex. hydrocarbures
B01D 53/04 - Séparation de gaz ou de vapeursRécupération de vapeurs de solvants volatils dans les gazÉpuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p. ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols par adsorption, p. ex. chromatographie préparatoire en phase gazeuse avec adsorbants fixes
B01D 53/22 - Séparation de gaz ou de vapeursRécupération de vapeurs de solvants volatils dans les gazÉpuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p. ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols par diffusion
93.
METHODS FOR PURIFYING BIS (ARENE) NICKEL COMPLEXES AND RELATED PRODUCTS
Methods for purifying bis (arene) nickel complex products and related products are provided. A method comprises obtaining a crude mixture comprising a bis (arene) nickel complex and at least one impurity; obtaining a separation solvent; distilling the separation solvent to generate a distilled separation solvent; filtering the crude mixture with the distilled separation solvent so as to obtain a filtrate comprising the distilled separation solvent and at least a portion of the bis (arene) nickel complex; and removing the separation solvent from the filtrate so as to obtain a purified bis (arene) nickel complex product.
Methods for purifying bis (arene) nickel complex products and related products are provided. A method comprises obtaining a crude mixture comprising a bis (arene) nickel complex and at least one impurity, dissolving the crude mixture in a recrystallization solvent so as to obtain a saturated solution of the crude mixture, recrystallizing the bis (arene) nickel complex, and removing the recrystallization solvent so as to obtain a purified bis (arene) nickel complex product.
Method for purifying metal halide precursors, and related compositions, related methods, and the like. A method comprises one or more of the following steps: obtaining a metal halide precursor, the metal halide precursor comprising a metal halide compound and at least one impurity; contacting the metal halide precursor with an oxygen-containing compound in a presence of a polar oxygen-free solvent to form a reaction product in solution; and separating the reaction product from at least one of at least a portion of the at least one impurity, at least a portion of the solution, or any combination thereof. Other compositions and methods are provided herein.
Coatings applicable to a variety of substrate articles, structures, materials, and equipment are described. In various applications, the substrate includes metal surface susceptible to formation of oxide, nitride, fluoride, or chloride of such metal thereon, wherein the metal surface is configured to be contacted in use with gas, solid, or liquid that is reactive therewith to form a reaction product that is deleterious to the substrate article, structure, material, or equipment. The metal surface is coated with a protective coating preventing reaction of the coated surface with the reactive gas, and/or otherwise improving the electrical, chemical, thermal, or structural properties of the substrate article or equipment. Various methods of coating the metal surface are described, and for selecting the coating material that is utilized.
C23C 28/04 - Revêtements uniquement de matériaux inorganiques non métalliques
B01D 39/20 - Autres substances filtrantes autoportantes en substance inorganique, p. ex. papier d'amiante ou substance filtrante métallique faite de fils métalliques non-tissés
B01D 67/00 - Procédés spécialement adaptés à la fabrication de membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
Method for purifying metal halide precursors, and related compositions, related methods, and the like. A method comprises one or more of the following steps: obtaining a metal halide precursor, the metal halide precursor comprising a metal halide compound and at least one impurity; contacting the metal halide precursor with an oxygen-containing compound in a presence of a polar oxygen-free solvent to form a reaction product in solution; and separating the reaction product from at least one of at least a portion of the at least one impurity, at least a portion of the solution, or any combination thereof. Other compositions and methods are provided herein.
Polymers of the present disclosure include aromatic fluoropolymers or incorporation of fluorine groups into polymers, which can increase the chemical resistance and thermal stability of polymers. The combination of these properties provides for potential uses in membrane applications. Porous membranes obtained from disclosed polymers have improved resistance and chemical stability.
B01D 71/44 - Polymères obtenus par des réactions faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carbone, non prévus dans un seul des groupes
99.
POROUS MEMBRANES HAVING AROMATIC FLUORINATED POLYMERS AND FORMATION THEREOF
Polymers of the present disclosure include aromatic fluoropolymers or incorporation of fluorine groups into polymers, which can increase the chemical resistance and thermal stability of polymers. The combination of these properties provides for potential uses in membrane applications. Porous membranes obtained from disclosed polymers have improved resistance and chemical stability.
B01D 71/82 - Matériaux macromoléculaires non prévus spécifiquement dans un seul des groupes caractérisés par la présence de groupes déterminés, p. ex. introduits par un post-traitement chimique
B01D 71/32 - Polyhalogénures alcènyliques contenant des atomes de fluor
B01D 69/02 - Membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation, caractérisées par leur forme, leur structure ou leurs propriétésProcédés spécialement adaptés à leur fabrication caractérisées par leurs propriétés
100.
TEMPERATURE PROBE INSERT, ASSEMBLY THEREOF, AND KIT THEREOF
A temperature probe insert includes a coupling portion, a first arm extending from the coupling portion, and a second arm extending from the coupling portion. The first arm and the second arm extend from different sides of the coupling portion. The coupling portion includes an aperture that extends through the coupling portion. The first arm and the second arm are configured to contact a storage bag shell and prevent movement of the coupling portion in the opening in the storage bag shell. The aperture is configured to direct a temperature probe into a storage bag disposed in the internal volume of the storage bag shell. A storage bag temperature monitoring assembly includes a temperature probe insert and a storage bag shell. A kit includes a temperature probe insert and a temperature probe.
