Abrégé

A photovoltaic device comprises a PIN structure in which a p-type hole transporting layer (2) is carried by a substrate (1) and a perovskite layer (3) and an n-type electron transporting layer (4) are arranged in sequence on the p-type layer. A light transmissive electrically conductive layer (9) is provided on top of the n-type electron transporting layer to form a light receiving top surface. Between the n-type electron transporting layer and the light transmissive conductive layer there is provided a structure comprising two inorganic electrically insulative layers (6, 8) having a layer of a conductive material (7) therebetween, wherein the two inorganic electrically insulative layers comprise a material having a band gap of greater than 4.5 eV and the layer of a conductive material comprises a material having a band gap of less than the band gap of the electrically insulative layers, wherein each electrically insulative layer forms a type-1 offset junction with the layer of conductive material.

Classes IPC  ?

• H10K 30/40 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant une structure p-i-n, ayant p. ex. un absorbeur pérovskite entre des couches de transport de charge de type p et de type n
• H10K 30/57 - Dispositifs photovoltaïques [PV] comprenant des jonctions multiples, p. ex. des cellules PV en tandem

Abrégé

The invention provides a method for producing a perovskite material which comprises: i. The deposition of a first metal halide precursor; and ii. The deposition of a second metal halide precursor, wherein the halide component in the second metal halide precursor is different from that of the first metal halide precursor and the first and second metal halide precursors are deposited separately; and iii. The deposition of an inorganic halide precursor; and/or iv. The deposition of a first organic halide precursor; and v. Optionally, the deposition of a second organic halide precursor which is different from the first organic halide precursor; and vi. Optionally, the deposition of a third organic halide precursor which is different from the first and second organic halide precursors; to form the perovskite material which comprises a mixed halide; wherein steps i., ii., and iii., when present, are carried out by physical vapour deposition.

Classes IPC  ?

• H10K 71/16 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt physique en phase vapeur [PVD], p. ex. un dépôt sous vide ou une pulvérisation cathodique
• H10K 30/40 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant une structure p-i-n, ayant p. ex. un absorbeur pérovskite entre des couches de transport de charge de type p et de type n
• H10K 30/57 - Dispositifs photovoltaïques [PV] comprenant des jonctions multiples, p. ex. des cellules PV en tandem

Abrégé

The invention provides a method of forming a perovskite material from a plurality of evaporation sources comprising co-subliming from: (i) a first evaporation source comprising a mixture of co-sublimable organic halides, wherein the organic halides comprise: a. a first organic halide comprising an organic cation A; b. a second organic halide comprising an organic cation A′ which is different to A and has a larger ionic radius than the first organic cation A; and (ii) a second evaporation source comprising one or more metal halides having the formula (I): B(XyX′1-y)2 (I) wherein B is a divalent metal cation, X and X′ are different halides and 0≤y<1; and (iii) one or more further organic halides from one or more further evaporation sources; and/or (iv) one or more inorganic halides from one or more further evaporation sources; to form the perovskite material, wherein the perovskite material comprises three or more different cations in the A site. Perovskite materials and semiconductor devices, typically photovoltaic devices, are also provided.

Classes IPC  ?

• H10K 71/16 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt physique en phase vapeur [PVD], p. ex. un dépôt sous vide ou une pulvérisation cathodique
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
• H10K 30/10 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant des hétérojonctions entre des semi-conducteurs organiques et des semi-conducteurs inorganiques
• H10K 30/57 - Dispositifs photovoltaïques [PV] comprenant des jonctions multiples, p. ex. des cellules PV en tandem

Abrégé

The present invention provides a photovoltaic device (20) comprising: an electrode layer (21 ) for receiving electrical energy, the electrode layer being in electrical contact with a photovoltaic component (22), the electrode layer (21 ) comprising a first surface (21 a) in contact with the photovoltaic component (22) and a second surface (21 b) opposite to the first surface (21 a); a first metallic array (23) connectable to an electric circuit and being arranged across the second surface (21 b) of the electrode layer; and an intermediate barrier layer (24) provided across and encapsulating all or substantially all of the electrode layer and the first metallic array, wherein the intermediate barrier layer comprises a first surface (24a) in contact with the electrode layer (21 ) and the first metallic array (23) and a second surface (24b) opposite to the first surface (24a); further comprising a second metallic array (25) connectable to an electric circuit, the second metallic array (25) being arranged across the second surface (24b) of the intermediate barrier layer and being electrically connected to the first metallic array (23).

Classes IPC  ?

• H10F 77/20 - Électrodes
• H10F 77/30 - Revêtements
• H10K 30/50 - Dispositifs photovoltaïques [PV]
• H10K 30/81 - Électrodes

Abrégé

There is provided a method of producing a photovoltaic device comprising a photoactive region comprising a layer of perovskite material, wherein the layer of perovskite material is disposed on a surface that has a roughness average (Ra) or root mean square roughness (Rms) of greater than or equal to 50 nm. The method comprises using vapour deposition to deposit a substantially continuous and conformal solid layer comprising one or more initial precursor compounds of the perovskite material, and subsequently treating the solid layer with one or more further precursor compounds to form a substantially continuous and conformal solid layer of the perovskite material on the rough surface. There is also provided a photovoltaic device comprising a photoactive region comprising a layer of perovskite material disposed using the method.

Classes IPC  ?

• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles
• C23C 18/12 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtementDépôt par contact par décomposition thermique caractérisée par le dépôt sur des matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
• H01G 9/00 - Condensateurs électrolytiques, redresseurs électrolytiques, détecteurs électrolytiques, dispositifs de commutation électrolytiques, dispositifs électrolytiques photosensibles ou sensibles à la températureProcédés pour leur fabrication
• H10F 10/161 - Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à hétérojonction PN comportant plusieurs hétérojonctions PN, p. ex. cellules dites "tandem"
• H10F 10/164 - Cellules photovoltaïques ayant uniquement des barrières de potentiel du type à hétérojonction PN comprenant des hétérojonctions avec des matériaux du groupe IV, p. ex. cellules photovoltaïques ITO/Si ou GaAs/SiGe
• H10F 77/70 - Textures de surface, p. ex. structures pyramidales
• H10K 30/15 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibilisés à large bande interdite, p. ex. TiO2sensibilisé aux colorants
• H10K 30/87 - Moyens de piégeage de la lumière
• H10K 71/16 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt physique en phase vapeur [PVD], p. ex. un dépôt sous vide ou une pulvérisation cathodique
• H10K 102/10 - Électrodes transparentes, p. ex. utilisant du graphène

Abrégé

There is provided a perovskite material A perovskite material having the formula (I): AaA′bA″cSn(y)Pb(1-y)X3 (I) wherein A consists of a monovalent cation; A′ consists of a monovalent organic cation having an ionic radius greater than 2.53 Å; A″ consists of a monovalent inorganic cation; X comprises one or more halide anions; 0

Classes IPC  ?

• H10K 85/50 - Pérovskites organiquesPérovskites hybrides organiques-inorganiques [HOIP], p. ex. CH3NH3PbI3
• C07F 7/24 - Composés du plomb
• H10K 30/40 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant une structure p-i-n, ayant p. ex. un absorbeur pérovskite entre des couches de transport de charge de type p et de type n

Abrégé

There is provided a multi-junction photovoltaic device comprising a first sub-cell disposed over a second sub-cell, the first sub-cell comprising a photoactive region comprising a layer of perovskite material and the second sub-cell comprising a silicon heterojunction (SHJ).

Classes IPC  ?

• H10K 30/57 - Dispositifs photovoltaïques [PV] comprenant des jonctions multiples, p. ex. des cellules PV en tandem
• H10K 30/15 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibilisés à large bande interdite, p. ex. TiO2sensibilisé aux colorants
• H10K 30/20 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant des jonctions organiques-organiques, p. ex. des jonctions donneur-accepteur
• H10K 30/87 - Moyens de piégeage de la lumière
• H10K 102/10 - Électrodes transparentes, p. ex. utilisant du graphène

Produits et services

Perovskite compounds; metal halide perovskite compounds; chemicals used in the manufacture of electronic devices; chemicals used in the manufacture of optoelectronic devices; chemicals used in the manufacture of photovoltaic devices. Optoelectronic devices; photodiodes; photovoltaic devices; photovoltaic panels; solar cells; perovskite solar cells; tandem solar cells; perovskite-on-silicon tandem solar cells; photovoltaic apparatus and installations for generating electricity; apparatus for storing electricity; photovoltaic systems; photovoltaic power stations; photovoltaic cells and modules. Scientific research in relation to photovoltaic technology and solar collectors; research, design and development services in the field of photovoltaic technology; engineering services in the field of photovoltaic systems and solar cells; technological advice and consultancy in relation to photovoltaic systems and solar cells; providing technical advice and consultancy relating to silicon solar economics.

Abrégé

The present invention relates to a process for producing a layer of a crystalline A/M/X material, which crystalline A/M/X material comprises a compound of formula [A]a[M]b[X]c, wherein: [M] comprises one or more first cations, which one or more first cations are metal or metalloid cations; [A] comprises one or more second cations; [X] comprises one or more halide anions; a is an integer from 1 to 6; b is an integer from 1 to 6; and c is an integer from 1 to 18, wherein the process comprises disposing on a substrate a precursor composition comprising: (a) a first precursor compound comprising a first cation (M), which first cation is a metal or metalloid cation; and (b) a solvent, and wherein the solvent comprises: (i) a non-polar organic solvent which is a hydrocarbon solvent, a chlorohydrocarbon solvent or an ether solvent; and (ii) a first organic amine comprising at least three carbon atoms. Also described are compositions useful in the process of the invention.

Classes IPC  ?

• H10K 71/15 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt liquide, p. ex. revêtement par centrifugation caractérisé par le solvant utilisé
• H10K 30/30 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant des hétérojonctions de masse, p. ex. des réseaux interpénétrés de domaines de matériaux donneurs et accepteurs
• H10K 85/20 - Composés de carbone, p. ex. nanotubes de carbone ou fullerènes
• H10K 85/30 - Composés de coordination

Produits et services

Perovskite chemical compounds for use in the manufacture of photovoltaic cells; metal halide perovskite chemical compounds for use in the manufacture of photovoltaic cells; chemicals used in the manufacture of electronic devices; chemicals used in the manufacture of optoelectronic devices; chemicals used in the manufacture of photovoltaic devices Optoelectronic devices, namely, photoresistors; optoelectronic devices, namely, light emitting diodes (LEDs); optoelectronic devices, namely, phototransistors; optoelectronic devices, namely, photomultipliers; photodiodes; photovoltaic devices, namely, solar cells; photovoltaic devices, namely, multi-junction solar cells; photovoltaic devices, namely, electronic devices for monitoring and optimizing photovoltaic arrays; photovoltaic solar panels for the production of electricity; solar cells; perovskite solar cells; tandem solar cells; perovskite-on-silicon tandem solar cells; photovoltaic apparatus and installations for generating electricity, namely, photovoltaic systems comprising photovoltaic modules and photovoltaic module arrays that convert sunlight into electric and thermal energy; apparatus for storing electricity, namely, electrical storage batteries; photovoltaic systems, namely, photovoltaic inverters; photovoltaic power stations comprised primarily of photovoltaic solar panels for the production of electricity; photovoltaic cells and modules; photovoltaic solar and cladding panels for use in photovoltaic solar power stations for the production of electricity for residential and commercial use Scientific research in relation to photovoltaic technology and solar collectors; research, design and development services in the field of photovoltaic technology; engineering services in the field of photovoltaic systems and solar cells; technical advice and consultancy relating to the design of photovoltaic systems and solar cells; providing technical advice and consultancy relating to silicon solar economics, namely, evaluating the environmental impacts of silicon solar panels

Abrégé

rms) of greater than or equal to 50 nm. The method comprises using vapour deposition to deposit a substantially continuous and conformal solid layer comprising one or more initial precursor compounds of the perovskite material, and subsequently treating the solid layer with one or more further precursor compounds to form a substantially continuous and conformal solid layer of the perovskite material on the rough surface. There is also provided a photovoltaic device comprising a photoactive region comprising a layer of perovskite material disposed using the method.

Classes IPC  ?

• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles
• C23C 18/12 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtementDépôt par contact par décomposition thermique caractérisée par le dépôt sur des matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
• H01G 9/00 - Condensateurs électrolytiques, redresseurs électrolytiques, détecteurs électrolytiques, dispositifs de commutation électrolytiques, dispositifs électrolytiques photosensibles ou sensibles à la températureProcédés pour leur fabrication
• H01L 31/0236 - Textures de surface particulières
• H01L 31/0725 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
• H01L 31/074 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant une hétérojonction avec un élément du groupe IV de la classification périodique, p.ex. cellules solaires en ITO/Si, GaAs/Si ou CdTe/Si
• H10K 30/15 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibilisés à large bande interdite, p. ex. TiO2sensibilisé aux colorants
• H10K 30/87 - Moyens de piégeage de la lumière
• H10K 71/16 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt physique en phase vapeur [PVD], p. ex. un dépôt sous vide ou une pulvérisation cathodique
• H01L 31/0256 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux
• H10K 102/10 - Électrodes transparentes, p. ex. utilisant du graphène

Abrégé

The present invention relates to a method for preparing a stabilised crystalline A/M/X material comprising an oxide of formula [Z]pOq and a compound of formula [A]a[M]b[X]c, wherein [Z] comprises at least one element Z capable of forming an oxide with a band gap of at least 3 eV; p and q are positive numbers; [A] comprises one or more A cations; [M] comprises one or more M cations; [X] comprises one or more X anions; a is an integer from 1 to 6; b is an integer from 1 to 6; and c is an integer from 1 to 18. Often, the stabilised crystalline A/M/X material is a perovskite. The invention also provides a stabilised crystalline A/M/X material, which can be produced by the process of the invention. The invention further provides materials and devices containing the stabilised crystalline A/M/X material of the invention.

Classes IPC  ?

• C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
• C09K 11/66 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du germanium, de l'étain ou du plomb

Abrégé

The invention relates to a process for producing a crystalline A/M/X material, which crystalline A/M/X material comprises a compound of formula [A]a[M]b[X]c wherein: [A] comprises one or more A cations; [M] comprises one or more M cations which are metal or metalloid cations; [X] comprises one or more X anions; a is a number from 1 to 6; b is a number from 1 to 6; and c is a number from 1 to 18. The process is capable of producing crystalline A/M/X materials while precisely controlling their stoichiometry, leading to products with finely tunable optical properties such as peak emission wavelength. The invention also relates to process for producing a thin film comprising the crystalline A/M/X material of the invention, and to a thin film obtainable by the process of the invention. An optoelectronic device comprising the thin film is also provided.

Classes IPC  ?

• C09K 11/66 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du germanium, de l'étain ou du plomb
• C07F 1/00 - Composés contenant des éléments des groupes 1 ou 11 du tableau périodique
• H01L 31/055 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière où la lumière est absorbée et réémise avec une longueur d’onde différente par l’élément optique directement associé ou intégré à la cellule PV, p.ex. en utilisant un matériau luminescent, des concentrateurs fluorescents ou des dispositions de convers
• C09K 11/06 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances organiques luminescentes
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• C01G 21/16 - Halogénures

Abrégé

The invention provides a method for producing a perovskite material which comprises: i. The deposition of a first metal halide precursor; and ii. The deposition of a second metal halide precursor, wherein the halide component in the second metal halide precursor is different from that of the first metal halide precursor and the first and second metal halide precursors are deposited separately; and iii. The deposition of an inorganic halide precursor; and/or iv. The deposition of a first organic halide precursor; and v. Optionally, the deposition of a second organic halide precursor which is different from the first organic halide precursor; and vi. Optionally, the deposition of a third organic halide precursor which is different from the first and second organic halide precursors; to form the perovskite material which comprises a mixed halide; wherein steps i., ii., and iii., when present, are carried out by physical vapour deposition.

Classes IPC  ?

• C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
• C23C 14/58 - Post-traitement

Abrégé

y1-y1-y)2 (I) wherein B is a divalent metal cation, X and X' are different halides and 0≤y<1; and (iii) one or more further organic halides from one or more further evaporation sources; and/or (iv) one or more inorganic halides from one or more further evaporation sources; to form the perovskite material, wherein the perovskite material comprises three or more different cations in the A site. Perovskite materials and semiconductor devices, typically photovoltaic devices, are also provided.

Classes IPC  ?

• C23C 14/12 - Composé organique
• C23C 14/24 - Évaporation sous vide
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H10K 71/16 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt physique en phase vapeur [PVD], p. ex. un dépôt sous vide ou une pulvérisation cathodique

Abrégé

A multi-junction photovoltaic device comprising a layer of metal oxynitride between a first sub-cell and a second sub-cell is disclosed, the first sub-cell having a layer comprising a perovskite light absorber material. In addition, a method of manufacturing said multi junction photovoltaic device is disclosed. The metal oxynitride is preferably titanium oxynitride. Advantageously, the device may be produced in a simple, fast, consistent and inexpensive manner, whilst the properties of the titanium oxynitride layer may be tuned to avoid the occurrence of local shunt paths and to reduce reflection losses.

Classes IPC  ?

• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles
• H01G 9/00 - Condensateurs électrolytiques, redresseurs électrolytiques, détecteurs électrolytiques, dispositifs de commutation électrolytiques, dispositifs électrolytiques photosensibles ou sensibles à la températureProcédés pour leur fabrication
• H10K 39/15 - Modules photovoltaïques [PV] organiquesRéseaux de cellules PV organiques simples comprenant à la fois des cellules PV organiques et des cellules PV inorganiques
• H10K 71/60 - Formation de régions ou de couches conductrices, p. ex. d’électrodes

Abrégé

The invention provides an optoelectronic device comprising a photoactive region, which photoactive region comprises: an n-type region comprising at least one n-type layer; a p- type region comprising at least one p-type layer; and, disposed between the n-type region and the p-type region: a layer of a perovskite semiconductor without open porosity. The perovskite semiconductor is generally light-absorbing. In some embodiments, disposed between the n-type region and the p-type region is: (i) a first layer which comprises a scaffold material, which is typically porous, and a perovskite semiconductor, which is typically disposed in pores of the scaffold material; and (ii) a capping layer dis -posed on said first layer, which capping layer is said layer of a perovskite semiconductor without open porosity, wherein the perovskite semiconductor in the capping layer is in contact with the perovskite semiconductor in the first layer. The layer of the perovskite semiconductor without open porosity (which may be said capping layer) typically forms a planar heterojunction with the n-type region or the p-type region. The invention also provides processes for producing such optoelectronic devices which typically involve solution deposition or vapour deposition of the perovskite. In one embodiment, the process is a low temperature process; for instance, the entire process may be performed at a temperature or temperatures not exceeding 150° C.

Classes IPC  ?

• H01L 31/036 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins
• C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
• H10K 30/15 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibilisés à large bande interdite, p. ex. TiO2sensibilisé aux colorants
• H10K 85/00 - Matériaux organiques utilisés dans le corps ou les électrodes des dispositifs couverts par la présente sous-classe
• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
• H01L 31/0725 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

There is provided a perovskite material A perovskite material having the formula (I): AaA'bA''cSn(y)Pb(1-y)X3 (I) wherein A consists of a monovalent cation; A' consists of a monovalent organic cation having an ionic radius greater than 2.53Å; A'' consists of a monovalent inorganic cation; X comprises one or more halide anions; 0

Classes IPC  ?

• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement

Abrégé

There is provided a multi-junction photovoltaic device comprising a first sub-cell disposed over a second sub-cell, the first sub-cell comprising a photoactive region comprising a layer of perovskite material and the second sub-cell comprising a silicon heterojunction (SHJ).

Classes IPC  ?

• H01L 27/30 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement

Produits et services

Perovskite compounds for use in the manufacture of photovoltaic cells; metal halide perovskite compounds for use in the manufacture of photovoltaic cells; chemicals used in the manufacture of electronic devices; chemicals used in the manufacture of optoelectronic devices; chemicals used in the manufacture of photovoltaic devices Optoelectronic devices, namely, photoresistors; optoelectronic devices, namely, LEDs; optoelectronic devices, namely, phototransistors; optoelectronic devices, namely, photomultipliers; photodiodes; photovoltaic devices, namely, solar cells; photovoltaic devices, namely, multi-junction solar cells; photovoltaic devices, namely, electronic devices for monitoring and optimizing photovoltaic arrays; photovoltaic panels for the production of electricity; solar cells; apparatus for generating electricity, namely, photovoltaic systems in the form of photovoltaic modules and photovoltaic module arrays that convert sunlight into electric and thermal energy; photovoltaic systems, namely, photovoltaic inverters; photovoltaic power stations, namely, grid-connected photovoltaic solar power stations; photovoltaic solar power stations, namely, domestic photovoltaic panel installations and commercial photovoltaic panel installations

Produits et services

Perovskite compounds for use in the manufacture of photovoltaic cells; metal halide perovskite compounds for use in the manufacture of photovoltaic cells; chemicals used in the manufacture of electronic devices; chemicals used in the manufacture of optoelectronic devices; chemicals used in the manufacture of photovoltaic devices Optoelectronic devices, namely, photoresistors; optoelectronic devices, namely, LEDs; optoelectronic devices, namely, phototransistors; optoelectronic devices, namely, photomultipliers; photodiodes; photovoltaic devices, namely, solar cells; photovoltaic devices, namely, multi-junction solar cells; photovoltaic devices, namely, electronic devices for monitoring and optimizing photovoltaic arrays; photovoltaic panels for the production of electricity; solar cells; apparatus for generating electricity, namely, photovoltaic systems in the form of photovoltaic modules and photovoltaic module arrays that convert sunlight into electric and thermal energy; photovoltaic systems, namely, photovoltaic inverters; photovoltaic power stations, namely, grid-connected photovoltaic solar power stations; photovoltaic solar power stations, namely, domestic photovoltaic panel installations and commercial photovoltaic panel installations

Abrégé

The invention provides an optoelectronic device comprising a porous material, which porous material comprises a semiconductor comprising a perovskite. The porous material may comprise a porous perovskite. Thus, the porous material may be a perovskite material which is itself porous. Additionally or alternatively, the porous material may comprise a porous dielectric scaffold material, such as alumina, and a coating disposed on a surface thereof, which coating comprises the semiconductor comprising the perovskite. Thus, in some embodiments the porosity arises from the dielectric scaffold rather than from the perovskite itself. The porous material is usually infiltrated by a charge transporting material such as a hole conductor, a liquid electrolyte, or an electron conductor. The invention further provides the use of the porous material as a semiconductor in an optoelectronic device. Further provided is the use of the porous material as a photosensitizing, semiconducting material in an optoelectronic device. The invention additionally provides the use of a layer comprising the porous material as a photoactive layer in an optoelectronic device. Further provided is a photoactive layer for an optoelectronic device, which photoactive layer comprises the porous material.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0264 - Matériaux inorganiques
• H10K 30/10 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant des hétérojonctions entre des semi-conducteurs organiques et des semi-conducteurs inorganiques
• H10K 30/15 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibilisés à large bande interdite, p. ex. TiO2sensibilisé aux colorants
• H10K 85/00 - Matériaux organiques utilisés dans le corps ou les électrodes des dispositifs couverts par la présente sous-classe
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles
• H10K 102/10 - Électrodes transparentes, p. ex. utilisant du graphène
• H01L 31/0256 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux

Abrégé

A multi-junction photovoltaic device comprises a first sub-cell and a second sub-cell, the second sub-cell overlying the first sub-cell such that incident light passes through the second sub-cell before the first sub-cell. The light-receiving surface of the second sub-cell comprises a layer of a transparent conductive material and one or more metal tracks extending in a first direction and in contact with the layer of transparent conductive material. A layer of electrically insulating material is provided on the light receiving surface of the second sub-cell located under one end of the one or more metal tracks at an edge of the device, and an electrically conductive pad is provided over the layer of electrical insulator and in electrical contact with the one or more metal tracks to provide electrical contact to an external circuit.

Classes IPC  ?

• H10K 30/10 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant des hétérojonctions entre des semi-conducteurs organiques et des semi-conducteurs inorganiques
• H10K 30/57 - Dispositifs photovoltaïques [PV] comprenant des jonctions multiples, p. ex. des cellules PV en tandem
• H10K 30/83 - Électrodes transparentes, p. ex. électrodes en oxyde d'étain indium [ITO] comprenant des dispositifs pour extraire le courant de la cellule, p. ex. des systèmes de grilles à doigts métalliques pour réduire la résistance en série des électrodes transparentes
• H10K 102/10 - Électrodes transparentes, p. ex. utilisant du graphène

Produits et services

Perovskite compounds; metal halide perovskite compounds; chemicals used in the manufacture of electronic devices; chemicals used in the manufacture of optoelectronic devices; chemicals used in the manufacture of photovoltaic devices. Optoelectronic devices; photodiodes; photovoltaic devices; photovoltaic panels; solar cells; photovoltaic apparatus for generating electricity; apparatus for storing electricity; photovoltaic systems; photovoltaic power stations; photovoltaic windows and glazing.

Produits et services

Perovskite compounds; metal halide perovskite compounds; chemicals used in the manufacture of electronic devices; chemicals used in the manufacture of optoelectronic devices; chemicals used in the manufacture of photovoltaic devices. Optoelectronic devices; photodiodes; photovoltaic devices; photovoltaic panels; solar cells; photovoltaic apparatus for generating electricity; apparatus for storing electricity; photovoltaic systems; photovoltaic power stations; photovoltaic windows and glazing.

Abrégé

The invention provides an optoelectronic device comprising a mixed-anion perovskite, wherein the mixed-anion perovskite comprises two or more different anions selected from halide anions and chalcogenide anions. The invention further provides a mixed-halide perovskite of the formula (I) [A][B][X]3 wherein: [A] is at least one organic cation; [B] is at least one divalent metal cation; and [X] is said two or more different halide anions. In another aspect, the invention provides the use of a mixed-anion perovskite as a sensitizer in an optoelectronic device, wherein the mixed-anion perovskite comprises two or more different anions selected from halide anions and chalcogenide anions. The invention also provides a photosensitizing material for an optoelectronic device comprising a mixed-anion perovskite wherein the mixed-anion perovskite comprises two or more different anions selected from halide anions and chalcogenide anions.

Classes IPC  ?

• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• C07F 7/24 - Composés du plomb
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• C07F 7/22 - Composés de l'étain

Abrégé

A photovoltaic device comprises a PIN structure in which a p-type hole transporting layer (2) is carried by a substrate (1) and a perovskite layer (3) and an n-type electron transporting layer (4) are arranged in sequence on the p-type layer. A light transmissive electrically conductive layer (9) is provided on top of the n-type electron transporting layer to form a light receiving top surface. Between the n-type electron transporting layer and the light transmissive conductive layer there is provided a structure comprising two inorganic electrically insulative layers (6, 8) having a layer of a conductive material (7) therebetween, wherein the two inorganic electrically insulative layers comprise a material having a band gap of greater than 4.5 eV and the layer of a conductive material comprises a material having a band gap of less than the band gap of the electrically insulative layers, wherein each electrically insulative layer forms a type-1 offset junction with the layer of conductive material.

Classes IPC  ?

• H10K 30/15 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibilisés à large bande interdite, p. ex. TiO2sensibilisé aux colorants
• H10K 30/40 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant une structure p-i-n, ayant p. ex. un absorbeur pérovskite entre des couches de transport de charge de type p et de type n

Abrégé

The invention provides an optoelectronic device comprising a mixed-anion perovskite, wherein the mixed-anion perovskite comprises two or more different anions selected from halide anions and chalcogenide anions. The invention further provides a mixed-halide perovskite of the formula (I) [A][B][X]3 wherein: [A] is at least one organic cation; [B] is at least one divalent metal cation; and [X] is said two or more different halide anions. In another aspect, the invention provides the use of a mixed-anion perovskite as a sensitizer in an optoelectronic device, wherein the mixed-anion perovskite comprises two or more different anions selected from halide anions and chalcogenide anions. The invention also provides a photosensitizing material for an optoelectronic device comprising a mixed-anion perovskite wherein the mixed-anion perovskite comprises two or more different anions selected from halide anions and chalcogenide anions.

Classes IPC  ?

• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• C07F 7/22 - Composés de l'étain
• C07F 7/24 - Composés du plomb

Abrégé

The invention provides a process for producing a passivated semiconductor, which process comprises treating a semiconductor with a passivating agent, wherein: the semiconductor comprises a crystalline compound comprising: (i) one or more first cations (A); (ii) one or more metal cations (M); and (iii) one or more anions (X); and the passivating agent comprises a compound comprising an oxygen-oxygen single bond. A composition and the use of a passivating agent are also provided.

Classes IPC  ?

• H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
• C09K 11/06 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances organiques luminescentes
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• C09K 11/66 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du germanium, de l'étain ou du plomb
• H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles

Abrégé

The invention relates to an optoelectronic device comprising: (a) a layer comprising a crystalline A/M/X material, wherein the crystalline A/M/X material comprises a compound of formula: [A]a [M]b [X]c wherein: [A] comprises one or more A cations; [M] comprises one or more M cations which are metal or metalloid cations; [X] comprises one or more X anions; a is a number from 1 to 6; b is a number from 1 to 6; and c is a number from 1 to 18; and (b) an ionic liquid which is a salt comprising an organic cation and a counter anion, wherein the organic cation is present within the layer comprising the crystalline A/M/X material. The invention also relates to processes for producing an ionic liquid-modified film of a crystalline A/M/X material and a process for producing an optoelectronic device comprising an ionic-liquid modified film of a crystalline A/M/X material.

Classes IPC  ?

• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• C07F 7/24 - Composés du plomb
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement

Produits et services

Perovskite compounds; metal halide perovskite compounds; chemicals used in the manufacture of electronic devices; chemicals used in the manufacture of optoelectronic devices; chemicals used in the manufacture of photovoltaic devices. Optoelectronic devices; photodiodes; photovoltaic devices; photovoltaic panels; solar cells; photovoltaic apparatus and installations for generating solar electricity; apparatus for storing electricity; photovoltaic systems; photovoltaic power stations; photovoltaic cells and modules.

Abrégé

The invention relates to a multi-junction device comprising a) a first photoactive region comprising a layer of a first photoactive material, b) a second photoactive region comprising a layer of a second photoactive material, and c) a charge recombination layer disposed between the first and second photoactive regions, wherein the charge recombination layer comprises a charge recombination layer material, wherein one of the first and second photoactive materials comprises at least one A/M/X material; wherein the other of the first and second photoactive materials comprises at least one A/M/X material or a compound which is a photoactive semiconductor other than an A/M/X material; wherein each A/M/X material is a crystalline compound of formula (I) [A]a[M]b[X]c wherein: [A] comprises one or more A cations; [M] comprises one or more M cations which are metal or metalloid cations; [X] comprises one or more X anions; a is a number from 1 to 6; b is a number from 1 to 6; and c is a number from 1 to 18; and wherein the charge recombination layer material has a refractive index, η(λ), at a wavelength, λ, of at least 2, wherein λ is a wavelength of from 500 nm to 1200 nm.

Classes IPC  ?

• H01L 27/30 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01L 31/0725 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"

Abrégé

A multi-junction photovoltaic device comprising a layer of metal oxynitride between a first sub-cell and a second sub-cell is disclosed, the first sub-cell having a layer comprising a perovskite light absorber material. In addition, a method of manufacturing said multi-junction photovoltaic device is disclosed. The metal oxynitride is preferably titanium oxynitride. Advantageously, the device may be produced in a simple, fast, consistent and inexpensive manner, whilst the properties of the titanium oxynitride layer may be tuned to avoid the occurrence of local shunt paths and to reduce reflection losses.

Classes IPC  ?

• H01L 31/043 - Cellules photovoltaïques empilées mécaniquement
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement

Abrégé

3, wherein the material is obtainable using the above defined method.

Classes IPC  ?

• C07F 7/24 - Composés du plomb
• B05D 1/00 - Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces
• C23C 14/00 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
• C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
• C23C 14/58 - Post-traitement
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

The invention relates to a process for producing a multi-junction device comprising a layer of a crystalline A/M/X material, which crystalline A/M/X material comprises a compound of formula [A]a[M]b[X]c, wherein: [A] comprises one or more A cations; [M] comprises one or more M cations which are metal or metalloid cations; [X] comprises one or more X anions; a is a number from 1 to 6; b is a number from 1 to 6; and c is a number from 1 to 18; and wherein the process comprises forming the layer of the crystalline A/M/X material by disposing a film-forming solution on a substrate, wherein the film-forming solution comprises: (a) one or more M cations; and (b) a solvent; wherein the solvent comprises (i) an aprotic solvent; and (ii) an organic amine, and wherein the substrate comprises: a photoactive region comprising a photoactive material, and a charge recombination layer which is disposed on the photoactive region by solution-deposition. Multi junction devices are also the subject of the present invention.

Classes IPC  ?

• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives

Produits et services

Perovskite chemical compounds for use in the manufacture of photovoltaic cells; chemicals used in the manufacture of electronic devices; chemicals used in the manufacture of optoelectronic devices; chemicals used in the manufacture of photovoltaic devices Optoelectronic devices, namely, photoresistors; optoelectronic devices, namely, LEDs; optoelectronic devices, namely, phototransistors; optoelectronic devices, namely, photomultipliers; photodiodes; photovoltaic devices, namely, solar cells; photovoltaic devices, namely, multi-junction solar cells; photovoltaic panels for the production of electricity; solar cells; photovoltaic systems that convert sunlight into electric energy; photovoltaic cells and modules

Abrégé

The present invention relates to a process for producing a layer of a crystalline A/M/X material, which crystalline A/M/X material comprises a compound of formula [A]a[M]b[X]c, wherein: [M] comprises one or more first cations, which one or more first cations are metal or metalloid cations; [A] comprises one or more second cations; [X] comprises one or more halide anions; a is an integer from 1 to 6; b is an integer from 1 to 6; and c is an integer from 1 to 18, wherein the process comprises disposing on a substrate a precursor composition comprising: (a) a first precursor compound comprising a first cation (M), which first cation is a metal or metalloid cation; and (b) a solvent, and wherein the solvent comprises: (i) a non-polar organic solvent which is a hydrocarbon solvent, a chlorohydrocarbon solvent or an ether solvent; and (ii) a first organic amine comprising at least three carbon atoms. Also described are compositions useful in the process of the invention.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H10K 71/15 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt liquide, p. ex. revêtement par centrifugation caractérisé par le solvant utilisé
• H10K 85/20 - Composés de carbone, p. ex. nanotubes de carbone ou fullerènes
• H10K 85/30 - Composés de coordination
• H10K 30/30 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant des hétérojonctions de masse, p. ex. des réseaux interpénétrés de domaines de matériaux donneurs et accepteurs

Abrégé

III]; and (iv) one or more halide anions [X].

Classes IPC  ?

• C01G 29/00 - Composés du bismuth
• C01G 30/00 - Composés de l'antimoine
• H10K 30/30 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant des hétérojonctions de masse, p. ex. des réseaux interpénétrés de domaines de matériaux donneurs et accepteurs
• H10K 71/15 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt liquide, p. ex. revêtement par centrifugation caractérisé par le solvant utilisé
• H10K 71/40 - Traitement thermique, p. ex. recuit en présence d'une vapeur de solvant
• H10K 85/00 - Matériaux organiques utilisés dans le corps ou les électrodes des dispositifs couverts par la présente sous-classe
• H10K 85/30 - Composés de coordination
• H01G 9/00 - Condensateurs électrolytiques, redresseurs électrolytiques, détecteurs électrolytiques, dispositifs de commutation électrolytiques, dispositifs électrolytiques photosensibles ou sensibles à la températureProcédés pour leur fabrication
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles
• H10K 30/15 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibilisés à large bande interdite, p. ex. TiO2sensibilisé aux colorants

Abrégé

The present invention relates to devices comprising metal halide perovskites and organic passivating agents. In particular, the invention relates to photovoltaic and optoelectronic devices comprising passivated metal halide perovskites. The device according to the invention comprises: (a) a metal halide perovskite; and (b) a passivating agent which is an organic compound; wherein molecules of the passivating agent are chemically bonded to anions or cations in the metal halide perovskite. The invention also provides a process for producing a photovoltaic device, which photovoltaic device comprises: (a) a metal halide perovskite; and (b) a passivating agent which is an organic compound; wherein molecules of the passivating agent are chemically bonded to anions or cations in the metal halide perovskite, wherein the process comprises treating a metal halide perovskite with a passivating agent, which passivating agent is an organic compound and is suitable for chemically bonding to anions or cations in the metal halide perovskite.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0216 - Revêtements
• H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
• H01L 31/077 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PIN, p.ex. cellules solaires PIN en silicium amorphe les dispositifs comprenant des matériaux monocristallins ou polycristallins
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H10K 30/88 - PassivationConteneursEncapsulations
• H10K 85/00 - Matériaux organiques utilisés dans le corps ou les électrodes des dispositifs couverts par la présente sous-classe
• H10K 30/10 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant des hétérojonctions entre des semi-conducteurs organiques et des semi-conducteurs inorganiques
• H10K 30/15 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibilisés à large bande interdite, p. ex. TiO2sensibilisé aux colorants
• H10K 102/10 - Électrodes transparentes, p. ex. utilisant du graphène

Abrégé

A multi-junction photovoltaic device comprises a first sub-cell (11b) and a second sub-cell (11a), the second sub-cell (11a) overlying the first sub-cell (11b) such that incident light passes through the second sub-cell (11a) before the first sub-cell (11b). The light-receiving surface of the second sub-cell (11a) comprises a layer of a transparent conductive material (12) and one or more metal tracks (13) extending in a first direction and in contact with the layer of transparent conductive material (12). A layer of electrically insulating material (16) is provided on the light receiving surface of the second sub-cell (11a) located under one end of the one or more metal tracks (13) at an edge of the device, and an electrically conductive pad (14) is provided over the layer of electrical insulator (16) and in electrical contact with the one or more metal tracks (13) to provide electrical contact to an external circuit.

Classes IPC  ?

• H01L 31/072 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
• H01L 31/078 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface comprenant des barrières de potentiel de type différent couvertes par plusieurs des groupes

Abrégé

The invention provides an optoelectronic device comprising a photoactive region, which photoactive region comprises: an n-type region comprising at least one n-type layer; a p-type region comprising at least one p-type layer; and, disposed between the n-type region and the p-type region: a layer of a perovskite semiconductor without open porosity. The perovskite semiconductor is generally light-absorbing. In some embodiments, disposed between the n-type region and the p-type region is: (i) a first layer which comprises a scaffold material, which is typically porous, and a perovskite semiconductor, which is typically disposed in pores of the scaffold material; and (ii) a capping layer disposed on said first layer, which capping layer is said layer of a perovskite semiconductor without open porosity, wherein the perovskite semiconductor in the capping layer is in contact with the perovskite semiconductor in the first layer. The layer of the perovskite semiconductor without open porosity (which may be said capping layer) typically forms a planar heterojunction with the n-type region or the p-type region. The invention also provides processes for producing such optoelectronic devices which typically involve solution deposition or vapour deposition of the perovskite. In one embodiment, the process is a low temperature process; for instance, the entire process may be performed at a temperature or temperatures not exceeding 150° C.

Classes IPC  ?

• H01L 31/036 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins
• C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
• H01L 31/0725 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

A photovoltaic device comprises a PIN structure in which a p-type hole transporting layer (2) is carried by a substrate (1) and a perovskite layer (3) and an n-type electron transporting layer (4) are arranged in sequence on the p-type layer. A light transmissive electrically conductive layer (9) is provided on top of the n-type electron transporting layer to form a light receiving top surface. Between the n-type electron transporting layer and the light transmissive conductive layer there is provided a structure comprising two inorganic electrically insulative layers (6, 8) having a layer of a conductive material (7) therebetween, wherein the two inorganic electrically insulative layers comprise a material having a band gap of greater than 4.5 eV and the layer of a conductive material comprises a material having a band gap of less than the band gap of the electrically insulative layers, wherein each electrically insulative layer forms a type-1 offset junction with the layer of conductive material.

Classes IPC  ?

• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 27/30 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 31/0749 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction incluant un composé AIBIIICVI, p.ex. cellules solaires à hétérojonctions CdS/CuInSe2 [CIS]

Abrégé

+) B is at least one divalent inorganic cation, X is iodide and X is bromide, and x is greater than 0 and equal to or less than 0.4 and y is greater than 0 and less than or equal to 3. There is also provided a method of producing a photovoltaic device comprising a photoactive region comprising the perovskite material, and formulations for use in the formation of the perovskite material.

Classes IPC  ?

• H01L 27/30 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• C09K 11/66 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du germanium, de l'étain ou du plomb
• H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 31/036 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins
• H01L 31/0687 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
• H01L 31/0725 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
• H01L 31/0256 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux

Abrégé

3333, wherein the material is obtainable using the above defined method.

Classes IPC  ?

• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

There is provided a multi junction photovoltaic device comprising a first sub-cell comprising a photoactive region comprising a layer of perovskite material, a second sub-cell comprising a photoactive silicon absorber. and an intermediate region disposed between and connecting the first sub-cell and the second sub-cell. The intermediate region comprises an interconnect layer, the interconnect layer comprising a two-phase material comprising elongate (i.e. filament like) silicon nanocrystals embedded in a silicon oxide matrix.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0725 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
• H01L 27/30 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01L 31/028 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
• H01L 31/043 - Cellules photovoltaïques empilées mécaniquement
• H01L 31/0687 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"

Abrégé

3 with a certain required crystalline structure, wherein said formulation comprises two or more compounds which between them comprise one or more first organic cations A; one or more metal cations M; one or more second cations A′; one or more first anions X and one or more second anions X′.

Classes IPC  ?

• C30B 7/00 - Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p. ex. à partir de solutions aqueuses
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• C01G 21/00 - Composés du plomb
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• C07C 251/30 - Composés contenant des atomes d'azote, liés par des liaisons doubles à un squelette carboné contenant des groupes imino ayant des atomes d'azote de groupes imino quaternisés
• H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
• H01L 31/0256 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux

Abrégé

A photovoltaic device comprises plural layers separated into plural cells, each comprising a region of a photoactive layer and electrodes on opposite sides thereof. Each of the regions of the photoactive layer are formed comprising a first part that comprises photoactive material and a second part that is not photoactive and that has a greater transmittance of visible light than the light absorbing photoactive material, in pre-selected locations, or in a pre-selected distribution of locations, across the region of the photoactive layer. One of the first and second parts are located in plural separate areas within the other of the first and second parts. The transparency of the photovoltaic device is increased by the transmission of light through the second part that is not photoactive.

Classes IPC  ?

• H10K 30/15 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibilisés à large bande interdite, p. ex. TiO2sensibilisé aux colorants
• H10K 39/10 - Modules photovoltaïques [PV] organiquesRéseaux de cellules PV organiques simples
• H10K 71/16 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt physique en phase vapeur [PVD], p. ex. un dépôt sous vide ou une pulvérisation cathodique
• H10K 30/30 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant des hétérojonctions de masse, p. ex. des réseaux interpénétrés de domaines de matériaux donneurs et accepteurs
• H10K 30/80 - Détails de structure
• H10K 71/20 - Modification de la forme de la couche active dans les dispositifs, p. ex. mise en forme
• H10K 85/00 - Matériaux organiques utilisés dans le corps ou les électrodes des dispositifs couverts par la présente sous-classe
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles
• H10K 30/00 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/283 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation

Abrégé

A multi-junction photovoltaic device comprises a first sub-cell (100, 101, 102, 103, 104, 105) stacked on and in electrical contact with a second sub-cell (109, 110, 111, 112, 113), the first sub-cell comprising a layer of a perovskite material (104), the first sub-cell comprising the front of the multijunction photovoltaic device adapted to be exposed to incident light in use. The second sub-cell comprises a rear emitter p-type silicon structure. A tunnel junction (108, 107, 106) is provided between the first and second sub-cells.

Classes IPC  ?

• H01L 31/078 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface comprenant des barrières de potentiel de type différent couvertes par plusieurs des groupes

Abrégé

1-8 alkyl group.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

There is provided a multi-junction photovoltaic device comprising a perovskite sub-cell (210) in electrical contact with a crystalline silicon sub-cell (220), the crystalline silicon sub-cell comprising a diffused emitter type cell having an n-type layer (3) diffused into a p-type substrate (1) and an electrically insulating passivation layer (5) between the n-type layer and the perovskite sub-cell, the passivation layer having a plurality of openings (23) enabling electrical contact between the crystalline sub-cell and the perovskite sub-cell.

Classes IPC  ?

• H01L 31/078 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface comprenant des barrières de potentiel de type différent couvertes par plusieurs des groupes
• H01L 27/30 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement

Abrégé

There is provided a method of encapsulating a photovoltaic module comprising a plurality of photovoltaic devices. The method comprises forming a wall of compact glass that extends from a periphery of a surface of a first glass sheet to a periphery of an opposing surface of a second glass sheet, the plurality of photovoltaic devices being located within a volume enclosed by the first glass, the second glass sheet and the wall of compact glass, wherein the wall of compact glass is formed from a plurality of courses of glass frit, and sealing the enclosed volume using laser-assisted glass frit bonding.

Classes IPC  ?

• H02N 6/00 - Générateurs dans lesquels le rayonnement lumineux est directement converti en énergie électrique (cellules solaires ou ensembles de cellules solaires H01L 25/00, H01L 31/00)
• H01L 31/042 - Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
• H01L 31/048 - Encapsulation de modules
• B32B 17/10 - Produits stratifiés composés essentiellement d'une feuille de verre ou de fibres de verre, de scorie ou d'une substance similaire comprenant du verre comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique de résine synthétique

Abrégé

The invention provides an optoelectronic device comprising a porous material, which porous material comprises a semiconductor comprising a perovskite. The porous material may comprise a porous perovskite. Thus, the porous material may be a perovskite material which is itself porous. Additionally or alternatively, the porous material may comprise a porous dielectric scaffold material, such as alumina, and a coating disposed on a surface thereof, which coating comprises the semiconductor comprising the perovskite. Thus, in some embodiments the porosity arises from the dielectric scaffold rather than from the perovskite itself. The porous material is usually infiltrated by a charge transporting material such as a hole conductor, a liquid electrolyte, or an electron conductor. The invention further provides the use of the porous material as a semiconductor in an optoelectronic device. Further provided is the use of the porous material as a photosensitizing, semiconducting material in an optoelectronic device. The invention additionally provides the use of a layer comprising the porous material as a photoactive layer in an optoelectronic device. Further provided is a photoactive layer for an optoelectronic device, which photoactive layer comprises the porous material.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0264 - Matériaux inorganiques
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles
• H01L 31/0256 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux

Abrégé

The invention provides an optoelectronic device comprising a photoactive region, which photoactive region comprises: an n-type region comprising at least one n-type layer; a p-type region comprising at least one p-type layer; and, disposed between the n-type region and the p-type region: a layer of a perovskite semiconductor without open porosity. The perovskite semiconductor is generally light-absorbing. In some embodiments, disposed between the n-type region and the p-type region is: (i) a first layer which comprises a scaffold material, which is typically porous, and a perovskite semiconductor, which is typically disposed in pores of the scaffold material; and (ii) a capping layer disposed on said first layer, which capping layer is said layer of a perovskite semiconductor without open porosity, wherein the perovskite semiconductor in the capping layer is in contact with the perovskite semiconductor in the first layer. The layer of the perovskite semiconductor without open porosity (which may be said capping layer) typically forms a planar heterojunction with the n-type region or the p-type region. The invention also provides processes for producing such optoelectronic devices which typically involve solution deposition or vapour deposition of the perovskite. In one embodiment, the process is a low temperature process; for instance, the entire process may be performed at a temperature or temperatures not exceeding 150° C.

Classes IPC  ?

• H01L 31/036 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins
• C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
• H01L 31/0725 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

III]; and (iv) one or more halide anions [X].

Classes IPC  ?

• C01G 29/00 - Composés du bismuth
• C01G 30/00 - Composés de l'antimoine
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01G 9/00 - Condensateurs électrolytiques, redresseurs électrolytiques, détecteurs électrolytiques, dispositifs de commutation électrolytiques, dispositifs électrolytiques photosensibles ou sensibles à la températureProcédés pour leur fabrication
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement

Abrégé

4 + and organic cations; and one or more halide or chalcogenide anions. A substrate comprising a first and second electrode and processes are also described.

Classes IPC  ?

• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles
• H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
• H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
• H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
• H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
• H01L 39/24 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement des dispositifs couverts par  ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/0463 - Modules PV composés d'une pluralité de cellules solaires en couches minces déposées sur un même substrat caractérisés par des méthodes spéciales de structuration pour connecter les cellules PV dans un module, p.ex. gravure par laser des couches conductrices ou des couches actives
• H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais

Produits et services

Optical apparatus and instruments; optoelectronic devices; photodiodes; photovoltaic devices; photovoltaic panels; solar cells; photovoltaic systems; all including silicon.

Abrégé

There is provided a multi-junction photovoltaic device comprising a first sub-cell comprising a photoactive region comprising a layer of perovskite material, a second sub-cell comprising a photoactive silicon absorber. and an intermediate region disposed between and connecting the first sub-cell and the second sub-cell. The intermediate region comprises an interconnect layer, the interconnect layer comprising a two-phase material comprising elongate (i.e. filament like) silicon nanocrystals embedded in a silicon oxide matrix.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0725 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 27/30 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 31/043 - Cellules photovoltaïques empilées mécaniquement

Abrégé

rms) of greater than or equal to 50 nm. The method comprises using vapour deposition to deposit a substantially continuous and conformal solid layer comprising one or more initial precursor compounds of the perovskite material, and subsequently treating the solid layer with one or more further precursor compounds to form a substantially continuous and conformal solid layer of the perovskite material on the rough surface. There is also provided a photovoltaic device comprising a photoactive region comprising a layer of perovskite material disposed using the method.

Classes IPC  ?

• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles
• C23C 18/12 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtementDépôt par contact par décomposition thermique caractérisée par le dépôt sur des matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
• H10K 30/87 - Moyens de piégeage de la lumière
• H10K 30/15 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibilisés à large bande interdite, p. ex. TiO2sensibilisé aux colorants
• H10K 71/16 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt physique en phase vapeur [PVD], p. ex. un dépôt sous vide ou une pulvérisation cathodique
• H01G 9/00 - Condensateurs électrolytiques, redresseurs électrolytiques, détecteurs électrolytiques, dispositifs de commutation électrolytiques, dispositifs électrolytiques photosensibles ou sensibles à la températureProcédés pour leur fabrication
• H01L 31/0236 - Textures de surface particulières
• H01L 31/0725 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
• H01L 31/074 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant une hétérojonction avec un élément du groupe IV de la classification périodique, p.ex. cellules solaires en ITO/Si, GaAs/Si ou CdTe/Si
• H10K 102/10 - Électrodes transparentes, p. ex. utilisant du graphène
• H01L 31/0256 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux

Abrégé

+), B is at least one divalent inorganic cation, X is iodide and X′ is bromide, and x is greater than 0 and equal to or less than 0.4 and y is greater than 0 and less than or equal to 3. There is also provided a method of producing a photovoltaic device comprising a photoactive region comprising the perovskite material, and formulations for use in the formation of the perovskite material.

Classes IPC  ?

• H01L 27/30 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/036 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins
• H01L 31/0687 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
• H01L 31/0725 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
• H01L 31/0256 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux
• C09K 11/66 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du germanium, de l'étain ou du plomb

Abrégé

3 wherein: [A] is at least one organic cation; [B] is at least one divalent metal cation; and [X] is said two or more different halide anions. In another aspect, the invention provides the use of a mixed-anion perovskite as a sensitizer in an optoelectronic device, wherein the mixed-anion perovskite comprises two or more different anions selected from halide anions and chalcogenide anions. The invention also provides a photosensitizing material for an optoelectronic device comprising a mixed-anion perovskite wherein the mixed-anion perovskite comprises two or more different anions selected from halide anions and chalcogenide anions.

Classes IPC  ?

• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• C07F 7/22 - Composés de l'étain
• C07F 7/24 - Composés du plomb
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles

Produits et services

Perovskite compounds; metal halide perovskite compounds; chemicals used in the manufacture of electronic devices; chemicals used in the manufacture of optoelectronic devices; chemicals used in the manufacture of photovoltaic devices. Photovoltaic modules, photovoltaic cell, photovoltaic inverters, photovoltaic solar modules, photovoltaic installations for generating electricity, accumulators for photovoltaic power, light emitting diodes, light emitting diode displays, polymer light-emitting diodes, organic light emitting diodes; photodiodes; photovoltaic devices; photovoltaic panels; solar cells; apparatus for generating electricity; apparatus for storing electricity; photovoltaic systems; photovoltaic power stations.

Abrégé

A formulation for use in the preferential formation of thin films of a perovskite material AMX 3 with a certain required crystalline structure, wherein said formulation comprises two or more compounds which between them comprise one or more first organic cations A; one or more metalcations M; one or more second cations A′; one or more first anions X and one or more second anions X′.

Classes IPC  ?

• C30B 29/54 - Composés organiques
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• C01G 21/00 - Composés du plomb
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• C07C 251/30 - Composés contenant des atomes d'azote, liés par des liaisons doubles à un squelette carboné contenant des groupes imino ayant des atomes d'azote de groupes imino quaternisés
• H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
• H01L 31/0256 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux

Abrégé

4; wherein X, A, M and Y are as defined herein.

Classes IPC  ?

• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles

Abrégé

There is provided a method of encapsulating a photovoltaic module comprising a plurality of photovoltaic devices. The method comprises forming a wall of compact glass that extends from a periphery of a surface of a first glass sheet to a periphery of an opposing surface of a second glass sheet, the plurality of photovoltaic devices being located within a volume enclosed by the first glass, the second glass sheet and the wall of compact glass, wherein the wall of compact glass is formed from a plurality of courses of glass frit, and sealing the enclosed volume using laser-assisted glass frit bonding.

Classes IPC  ?

• H01L 31/048 - Encapsulation de modules
• B32B 17/10 - Produits stratifiés composés essentiellement d'une feuille de verre ou de fibres de verre, de scorie ou d'une substance similaire comprenant du verre comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique de résine synthétique

Abrégé

The present invention provides a process for producing a layer of a crystalline material comprising a perovskite or a hexahalometallate, which process comprises: (i) exposing a substrate to a vapour comprising a first precursor compound in a first chamber to produce a layer of the first precursor compound on the substrate; and (ii) exposing the layer of the first precursor compound to a vapour comprising a second precursor compound in a second chamber to produce the layer of a crystalline material, wherein the pressure in the second chamber is above high vacuum. The invention also provides a process for producing a layer of a crystalline material comprising a perovskite or a hexahalometallate, which process comprises exposing a layer of a first precursor compound on a substrate to a vapour comprising a second precursor compound in a chamber to produce the layer of a crystalline material, wherein the pressure in the chamber is greater than high vacuum and less than atmospheric pressure. The invention also provides a process for producing a semiconductor device comprising a layer of a crystalline material, which process comprises producing said layer of a crystalline material by a process as according to the invention.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles
• C23C 14/24 - Évaporation sous vide
• C23C 14/12 - Composé organique
• C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
• C23C 14/58 - Post-traitement
• C23C 14/00 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 31/0256 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux

Abrégé

An optoelectronic device has a layered construction, comprising a base layer, a first conductive layer, a photoactive layer and a second conductive layer. Plural separation channels extending through the photoactive layer and the first conductive layer separate the photoactive layer into photoactive regions, and insulator material extends through the respective separation channels to the base layer. Between adjacent photoactive regions, electrical connectors extend inside the lateral extent of the insulator material between a surface of a second electrode that is in electrical contact with one photoactive region to an opposing surface of a first electrode that is in electrical contact with the other photoactive region. By forming the electrical connectors extend inside the lateral extent of the insulator material, the overall size of the connection is minimized.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles
• H01L 31/0465 - Modules PV composés d'une pluralité de cellules solaires en couches minces déposées sur un même substrat comportant des structures particulières pour la connexion électrique de cellules PV adjacentes dans un module
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs

Abrégé

The present invention relates to devices comprising metal halide perovskites and organic passivating agents. In particular, the invention relates to photovoltaic and optoelectronic devices comprising passivated metal halide perovskites. The device according to the invention comprises: (a) a metal halide perovskite; and (b) a passivating agent which is an organic compound; wherein molecules of the passivating agent are chemically bonded to anions or cations in the metal halide perovskite. The invention also provides a process for producing a photovoltaic device, which photovoltaic device comprises: (a) a metal halide perovskite; and (b) a passivating agent which is an organic compound; wherein molecules of the passivating agent are chemically bonded to anions or cations in the metal halide perovskite, wherein the process comprises treating a metal halide perovskite with a passivating agent, which passivating agent is an organic compound and is suitable for chemically bonding to anions or cations in the metal halide perovskite.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0216 - Revêtements
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
• H01L 31/077 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PIN, p.ex. cellules solaires PIN en silicium amorphe les dispositifs comprenant des matériaux monocristallins ou polycristallins
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs

Abrégé

There is provided a photovoltaic device that comprises a photoactive region, the photoactive region comprising a perovskite material of general formula A1-xA'xBX3-yX'y wherein A is a formamidinium cation(HC(NH)2)2+), A' is a caesium cation (Cs+)B is at least one divalent inorganic cation, X is iodide and X' is bromide, and x is greater than 0 and equal to or less than 0.4and y is greater than 0 and less than or equal to 3. There is also provided a method of producing a photovoltaic device comprising a photoactive region comprising the perovskite material, and formulations for use in the formation of the perovskite material.

Classes IPC  ?

• H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs
• C01G 21/00 - Composés du plomb
• H01L 27/30 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement

Abrégé

There is provided a method of producing a photovoltaic device comprising a photoactive region comprising a layer of perovskite material, wherein the layer of perovskite material is disposed on a surface that has a roughness average (Ra) or root mean square roughness (Rrms) of greater than or equal to 50 nm. The method comprises using vapour deposition to deposit a substantially continuous and conformal solid layer comprising one or more initial precursor compounds of the perovskite material, and subsequently treating the solid layer with one or more further precursor compounds to form a substantially continuous and conformal solid layer of the perovskite material on the rough surface. There is also provided a photovoltaic device comprising a photoactive region comprising a layer of perovskite material disposed using the method.

Classes IPC  ?

• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs

Abrégé

There is provided a multi-junction photovoltaic device (100) comprising a first sub-cell (110) disposed over a second sub-cell (120), the first sub-cell comprising a photoactive region comprising a layer of perovskite material and the second sub-cell comprising a silicon heterojunction (SHJ).

Classes IPC  ?

• H01L 27/30 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs
• H01L 51/46 - Emploi de matériaux spécifiés
• C01G 21/00 - Composés du plomb

Abrégé

The present invention relates to the doping of organic semiconductors and processes for producing layers of p-doped organic semiconductors. Disclosed is a process for p-doping organic semiconductors comprising treating the organic semiconductor with an oxidized salt of the organic semiconductor. A process for producing a layer of a p-doped organic semiconductor comprising producing a p-doped organic semiconductor by treating the organic semiconductor with an oxidized salt of the organic semiconductor; disposing a composition comprising a solvent and the p-doped organic semiconductor on a substrate; and removing the solvent is also described. Also disclosed is a process for producing a layer of a p-doped organic semiconductor comprising: disposing a composition comprising a solvent, the organic semiconductor and a protic ionic liquid on a substrate; and removing the solvent. A process for producing a semiconductor device comprising a process for doping an organic semiconductor according to the invention is also described. Finally, a high purity p-dopant composition is described.

Classes IPC  ?

• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01G 9/00 - Condensateurs électrolytiques, redresseurs électrolytiques, détecteurs électrolytiques, dispositifs de commutation électrolytiques, dispositifs électrolytiques photosensibles ou sensibles à la températureProcédés pour leur fabrication
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles

Abrégé

There is provided a photovoltaic device that comprises a front electrode, a back electrode, and disposed between the front electrode and the back electrode, an electron transporter region comprising an electron transporter layer;a hole transporter region comprising a hole transporter layer,and a layer of perovskite semiconductor disposed between and in contact with the electron transporter layer and the hole transporter layer. The electron transporter region is nearest to the front electrode and the hole transporter region is nearest to the back electrode,and the electron transporter layer comprises any of a chalcogenide material and an organic material and has a thickness of at least 2 nm.

Classes IPC  ?

• H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 27/30 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/46 - Emploi de matériaux spécifiés

Abrégé

The invention relates to processes for producing semi-transparent photoactive layers, and devices comprising the same. The invention provides a process for producing a semi-transparent photoactive layer comprising: a) disposing on a substrate a composition, which composition comprises a photoactive material or one or more precursors of a photoactive material, to form a resulting layer; and b) dewetting the resulting layer to form a dewet layer of the photoactive material, wherein the dewet layer of the photoactive material is semi-transparent. The invention also provides a semi-transparent photoactive layer comprising a substrate and, disposed on the substrate, a dewet layer of a photoactive material, wherein the dewet layer of a photoactive material comprises a plurality of absorbing regions which comprise the photoactive material and a plurality of transparent regions which do not substantially comprise the photoactive material. Devices and processes for producing devices comprising the semi-transparent layer are also disclosed, as are building components and automotive components comprising the semi-transparent layer.

Classes IPC  ?

• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs

Abrégé

The present invention relates to the doping of organic semiconductors and processes for producing layers of p-doped organic semiconductors. Disclosed is a process for p-doping organic semiconductors comprising treating the organic semiconductor with an oxidized salt of the organic semiconductor. A process for producing a layer of a p-doped organic semiconductor comprising producing a p-doped organic semiconductor by treating the organic semiconductor with an oxidized salt of the organic semiconductor; disposing a composition comprising a solvent and the p-doped organic semiconductor on a substrate; and removing the solvent is also described. Also disclosed is a process for producing a layer of a p-doped organic semiconductor comprising: disposing a composition comprising a solvent, the organic semiconductor and a protic ionic liquid on a substrate; and removing the solvent. A process for producing a semiconductor device comprising a process for doping an organic semiconductor according to the invention is also described. Finally, a high purity p-dopant composition is described.

Classes IPC  ?

• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01G 9/00 - Condensateurs électrolytiques, redresseurs électrolytiques, détecteurs électrolytiques, dispositifs de commutation électrolytiques, dispositifs électrolytiques photosensibles ou sensibles à la températureProcédés pour leur fabrication
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles

Abrégé

A formulation for use in the preferential formation of thin films of a perovskite material AMX 3 with a certain required crystalline structure, wherein said formulation comprises two or more compounds which between them comprise one or more first organic cations A; one or more metalcations M; one or more second cations A'; one or more first anions X and one or more second anions X'.

Classes IPC  ?

• C01G 21/00 - Composés du plomb

Abrégé

A photovoltaic device comprises plural layers separated into plural cells, each comprising a region of a photoactive layer and electrodes on opposite sides thereof. Each of the regions of the photoactive layer are formed comprising a first part that comprises photoactive material and a second part that is not photoactive and that has a greater transmittance of visible light than the light absorbing photoactive material, in pre-selected locations, or in a pre-selected distribution of locations, across the region of the photoactive layer. One of the first and second parts are located in plural separate areas within the other of the first and second parts. The transparency of the photovoltaic device is increased by the transmission of light through the second part that is not photoactive.

Classes IPC  ?

• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 27/30 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement

Abrégé

A photovoltaic device (1) comprising a base layer (11); a first conductive layer (12) disposed on the base layer (11); a photoactive section (29) disposed on the first conductive layer (12), the photoactive section (20) comprising one or more layers (13, 14, 15); and a second conductive layer (16) disposed on the photoactive section (20). At least one of the layers of the device is optically modified by having a refractive index modifying material distributed therein that modifies the refractive index of the layer at wavelengths of visible light. The refractive index modifying material 8e. g. 30) may take the form of particles that may be dispersed in a layer that comprises a continuous phase of material or assembled particles, or may take the form of a coating on the surfaces of structured material in the layer. By modifying the refractive index of the optically modified layer to be closer to the refractive index of an adjacent layer, scatter from the interface between the layers is reduced.

Classes IPC  ?

• H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement

Abrégé

The invention provides an optoelectronic device comprising a photoactive region, which photoactive region comprises: an n-type region comprising at least one n-type layer; a p-type region comprising at least one p-type layer; and, disposed between the n-type region and the p-type region: a layer of a perovskite semiconductor without open porosity. The perovskite semiconductor is generally light-absorbing. In some embodiments, disposed between the n-type region and the p-type region is: (i) a first layer which comprises a scaffold material, which is typically porous, and a perovskite semiconductor, which is typically disposed in pores of the scaffold material; and (ii) a capping layer disposed on said first layer, which capping layer is said layer of a perovskite semiconductor without open porosity, wherein the perovskite semiconductor in the capping layer is in contact with the perovskite semiconductor in the first layer. The layer of the perovskite semiconductor without open porosity (which may be said capping layer) typically forms a planar heterojunction with the n-type region or the p-type region. The invention also provides processes for producing such optoelectronic devices which typically involve solution deposition or vapour deposition of the perovskite. In one embodiment, the process is a low temperature process; for instance, the entire process may be performed at a temperature or temperatures not exceeding 150° C.

Classes IPC  ?

• H01L 31/036 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
• H01L 31/0725 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement

Abrégé

An optoelectronic device has a layered construction, comprising a base layer, a first conductive layer, a photoactive layer and a second conductive layer. Plural separation channels extending through the photoactive layer and the first conductive layer separate the photoactive layer into photoactive regions, and insulator material extends through the respective separation channels to the base layer. Between adjacent photoactive regions, electrical connectors extend inside the lateral extent of the insulator material between a surface of a second electrode that is in electrical contact with one photoactive region to an opposing surface of a first electrode that is in electrical contact with the other photoactive region. By forming the electrical connectors extend inside the lateral extent of the insulator material, the overall size of the connection is minimised.

Classes IPC  ?

• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/0465 - Modules PV composés d'une pluralité de cellules solaires en couches minces déposées sur un même substrat comportant des structures particulières pour la connexion électrique de cellules PV adjacentes dans un module

Abrégé

3 wherein: [A] is at least one organic cation; [B] is at least one divalent metal cation; and [X] is said two or more different halide anions. In another aspect, the invention provides the use of a mixed-anion perovskite as a sensitizer in an optoelectronic device, wherein the mixed-anion perovskite comprises two or more different anions selected from halide anions and chalcogenide anions. The invention also provides a photosensitizing material for an optoelectronic device comprising a mixed-anion perovskite wherein the mixed-anion perovskite comprises two or more different anions selected from halide anions and chalcogenide anions.

Classes IPC  ?

• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• C07F 7/22 - Composés de l'étain
• C07F 7/24 - Composés du plomb
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles

Abrégé

The invention provides an optoelectronic device comprising a porous material, which porous material comprises a semiconductor comprising a perovskite. The porous material may comprise a porous perovskite. Thus, the porous material may be a perovskite material which is itself porous. Additionally or alternatively, the porous material may comprise a porous dielectric scaffold material, such as alumina, and a coating disposed on a surface thereof, which coating comprises the semiconductor comprising the perovskite. Thus, in some embodiments the porosity arises from the dielectric scaffold rather than from the perovskite itself. The porous material is usually infiltrated by a charge transporting material such as a hole conductor, a liquid electrolyte, or an electron conductor. The invention further provides the use of the porous material as a semiconductor in an optoelectronic device. Further provided is the use of the porous material as a photosensitizing, semiconducting material in an optoelectronic device. The invention additionally provides the use of a layer comprising the porous material as a photoactive layer in an optoelectronic device. Further provided is a photoactive layer for an optoelectronic device, which photoactive layer comprises the porous material.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0264 - Matériaux inorganiques
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01G 9/20 - Dispositifs photosensibles
• H01L 31/0256 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux

Abrégé

The invention provides an optoelectronic device comprising: (i) a porous dielectric scaffold material; and (ii) a semiconductor having a band gap of less than or equal to 3.0 eV, in contact with the scaffold material. Typically the semiconductor, which may be a perovskite, is disposed on the surface of the porous dielectric scaffold material, so that it is supported on the surfaces of pores within the scaffold. In one embodiment, the optoelectronic device is an optoelectronic device which comprises a photoactive layer, wherein the photoactive layer comprises: (a) said porous dielectric scaffold material; (b) said semiconductor; and (c) a charge transporting material. The invention further provides the use, as a photoactive material in an optoelectronic device, of: (i) a porous dielectric scaffold material; and (ii) a semiconductor having a band gap of less than or equal to 3.0 eV, in contact with the scaffold material. Further provided is the use of a layer comprising: (i) a porous dielectric scaffold material; and (ii) a semiconductor having a band gap of less than or equal to 3.0 eV, in contact with the scaffold material; as a photoactive layer in an optoelectronic device. In another aspect, the invention provides a photoactive layer for an optoelectronic device comprising (a) a porous dielectric scaffold material; (b) a semiconductor having a band gap of less than or equal to 3.0 eV, in contact with the scaffold material; and (c) a charge transporting material.

Classes IPC  ?

• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
• H01L 31/0256 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux

Abrégé

2, such as MgO. The invention also provides optoelectronic devices such as solar cells or photo sensors comprising such a p-n heterojunction, and methods for the manufacture of such a heterojunction or device.

Classes IPC  ?

• H01L 51/46 - Emploi de matériaux spécifiés
• H01L 51/48 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives