A method of making a non-toxic perovskite/inorganic thin-film tandem solar cell including the steps of depositing a textured oxide buffer layer on an inexpensive substrate, depositing a metal-inorganic film from a eutectic alloy on the buffer layer; and depositing perovskite elements on the metal-inorganic film, thus forming a perovskite layer based on a metal from the metal-inorganic film, incorporating the metal into the perovskite layer.
H01G 9/00 - Condensateurs électrolytiques, redresseurs électrolytiques, détecteurs électrolytiques, dispositifs de commutation électrolytiques, dispositifs électrolytiques photosensibles ou sensibles à la températureProcédés pour leur fabrication
H01L 31/028 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique
H01L 31/0725 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
2.
Maximizing the power conversion efficiency of a tin perovskite/silicon thin-film tandem solar cell
A bi-facial tandem solar cell and a method of making a non-toxic perovskite/inorganic thin-film tandem solar cell stable, having matching bandgaps and a hysteresis free design including the steps of depositing a textured oxide buffer layer on an inexpensive substrate, depositing a metal-inorganic film from a eutectic alloy on the buffer layer; and depositing perovskite elements on the metal-inorganic film, thus forming a perovskite layer based on a metal from the metal-inorganic film, incorporating the metal into the perovskite layer wherein said perovskite layer is stable, hysteresis-free, and has a bandgap that matches the bandgap of the metal-inorganic.
H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs
3.
Methods of growing heteroepitaxial single crystal or large grained semiconductor films and devices thereon
A method is provided for making smooth crystalline semiconductor thin-films and hole and electron transport films for solar cells and other electronic devices. Such semiconductor films have an average roughness of 3.4 nm thus allowing for effective deposition of additional semiconductor film layers such as perovskites for tandem solar cell structures which require extremely smooth surfaces for high quality device fabrication.
A device and method of making an amorphous-silicon/inorganic thin film tandem solar cell including the steps of depositing a textured oxide buffer layer on an amorphous substrate, depositing a crystalline inorganic semiconductor film from a eutectic alloy on the buffer layer, and depositing an amorphous film on the crystalline inorganic film, the amorphous film forming a p-n junction with the crystalline inorganic semiconductor for a solar cell device.
H01L 31/0288 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique caractérisés par le matériau de dopage
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
H01L 31/0376 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des semi-conducteurs amorphes
H01L 31/0392 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
H01L 31/072 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
H01L 31/0745 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC
H01L 31/0747 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT®
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
5.
Method of making a copper oxide/silicon thin-film tandem solar cell using copper-inorganic film from a eutectic alloy
H01L 31/028 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique
H01L 31/0336 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes dans des régions semi-conductrices différentes, p.ex. des hétéro-jonctions Cu2X/CdX, X étant un élément du groupe VI de la classification périodique
H01L 31/06 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
A method of making a CIGS/inorganic thin film tandem semiconductor device including the steps of depositing a textured buffer layer on an inexpensive substrate, depositing a metal-inorganic film from a eutectic alloy on the buffer layer, the metal being selected from a group of CIGS elements, and adding the remaining CIGS elements to the metal, thereby growing a CIGS film on the inorganic film for the tandem semiconductor device.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
H01L 31/07 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type Schottky
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
H01L 31/0725 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
H01L 31/0392 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
H01L 31/0749 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction incluant un composé AIBIIICVI, p.ex. cellules solaires à hétérojonctions CdS/CuInSe2 [CIS]
7.
Method of growing III-V semiconductor films for tandem solar cells
A method of growing a III-V semiconductor compound film for a semiconductor device including the steps of depositing a textured oxide buffer layer on an inexpensive substrate, depositing a metal-inorganic film from a eutectic alloy on the buffer layer, the metal being a component of a III-V compound and forming a layer on the inorganic film on which additional elements from the III-V compound are added, forming a top layer of a tandem solar cell.
H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/0725 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
H01L 31/028 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique
H01G 9/00 - Condensateurs électrolytiques, redresseurs électrolytiques, détecteurs électrolytiques, dispositifs de commutation électrolytiques, dispositifs électrolytiques photosensibles ou sensibles à la températureProcédés pour leur fabrication
H01L 27/30 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 31/0256 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux
8.
Method of making a IV-VI/Silicon thin-film tandem solar cell
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
9.
Tin perovskite/silicon thin-film tandem solar cell
A method of making a non-toxic perovskite/inorganic thin-film tandem solar cell including the steps of depositing a textured oxide buffer layer on an inexpensive substrate, depositing a metal-inorganic film from a eutectic alloy on the buffer layer; and depositing perovskite elements on the metal-inorganic film, thus forming a perovskite layer based on a metal from the metal-inorganic film, incorporating the metal into the perovskite layer.
H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 31/078 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface comprenant des barrières de potentiel de type différent couvertes par plusieurs des groupes
H01L 27/30 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
10.
Method of making a tandem solar cell having a germanium perovskite/germanium thin-film
A method of making a germanium perovskite/crystalline germanium thin-film tandem solar cell including the steps of depositing a textured oxide buffer layer on glass, depositing a Sn—Ge film from a eutectic alloy on the buffer layer; and depositing perovskite elements on the Sn—Ge film, thus forming a perovskite layer based on the Ge from the Sn—Ge film, incorporating the Ge into the perovskite layer.
H01L 31/028 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique
H01L 31/0725 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 27/30 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
11.
Method of making a CZTS/silicon thin-film tandem solar cell
A method of making a CZTS/inorganic thin-film tandem solar cell including depositing a textured buffer layer on a substrate, depositing a metal-inorganic film from a eutectic alloy on the buffer layer, and depositing additional elements in CZTS forming a CZTS layer based on the metal from the metal-inorganic film, the metal being incorporated into the CZTS film.
H01L 31/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
H01L 31/074 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant une hétérojonction avec un élément du groupe IV de la classification périodique, p.ex. cellules solaires en ITO/Si, GaAs/Si ou CdTe/Si
H01L 31/078 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface comprenant des barrières de potentiel de type différent couvertes par plusieurs des groupes
12.
Methods of growing heteroepitaxial single crystal or large grained semiconductor films and devices thereon
A method is provided for depositing textured wide bandgap materials, such as polymers or perovskites, on a textured transparent conducting oxide on inorganic thin-film, which serves as a recombination layer, or interfacial conducting layer (ICL), for tandem or multi junction solar cells.
H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs
13.
Methods of growing heteroepitaxial single crystal or large grained semiconductor films and devices thereon
A method is disclosed for making semiconductor films from a eutectic alloy comprising a metal and a semiconductor. Through heterogeneous nucleation said film is deposited at a deposition temperature on flexible substrates, such as glass. Specifically said film is vapor deposited at a fixed temperature in said deposition temperature where said deposition temperature is above a eutectic temperature of said eutectic alloy and below a temperature at which the substrate softens. Such films are nearly to entirely free of metal impurities and have widespread application in the manufacture and benefit of photovoltaic and display technologies.
A method is provided for manufacturing ceramic glass, including sapphire glass, for use in display covers in smartphones, computers, and watches, as well as for use as substrates on which semiconductor films can be deposited for a wide range of electronic applications, including solar cells, LEDs, and FETs.
A method is provided for manufacturing ceramic glass, including sapphire glass, for use in display covers in smartphones, computers, and watches, as well as for use as substrates on which semiconductor films can be deposited for a wide range of electronic applications, including solar cells, LEDs, and FETs.
C23C 8/00 - Diffusion à l'état solide uniquement d'éléments non métalliques dans la couche superficielle de matériaux métalliquesTraitement chimique de surface par réaction entre le matériau métallique de la surface et un gaz réactif, laissant dans le revêtement des produits de la réaction, p. ex. revêtement de conversion, passivation des métaux
C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
A method is disclosed for making a hybrid solar cell comprising organic and inorganic materials on an inexpensive substrate, such as glass. The materials are deposited on the substrate at low temperatures using eutectics and crystalline buffer layers such as MgO and Al2O3. Such a device can also be used for OLETs and OLEDs used in displays.
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
H01L 31/0392 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
17.
METHODS OF PRODUCING LARGE GRAIN OR SINGLE CRYSTAL FILMS
Highly textured [111] oriented films such as MgO crystalline films are deposited by e-beam evaporation on ordinary soda-lime glass. Semiconductor films such as silicon can be deposited on these MgO films using eutectics at temperatures below the softening point of ordinary glass and having extremely high textured and strong [111] orientation. The invention may be used for efficient and cost effective solar cells, displays, etc.
Inexpensive semiconductors are produced by depositing a single crystal or large grained silicon on an inexpensive substrate. These semiconductors are produced at low enough temperatures such as temperatures below the melting point of glass. Semiconductors produced are suitable for semiconductor devices such as photovoltaics or displays.
H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale
H01L 21/36 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C03B 29/06 - Réchauffage des articles de verre pour ramollir ou fondre leurs surfacesPolissage par la chaleurFusion des bords en continu avec déplacement horizontal des articles
19.
Methods of producing large grain or single crystal films
Highly textured [111] oriented films such as MgO crystalline films are deposited by e-beam evaporation on ordinary soda-lime glass. Semiconductor films such as silicon can be deposited on these MgO films using eutectics at temperatures below the softening point of ordinary glass and having extremely high textured and strong [111] orientation. The invention may be used for efficient and cost effective solar cells, displays, etc.
A method is disclosed for making semiconductor films from a eutectic alloy comprising a metal and a semiconductor. Through heterogeneous nucleation said film is deposited at a deposition temperature on relatively inexpensive buffered substrates, such as glass. Specifically said film is vapor deposited at a fixed temperature in said deposition temperature where said deposition temperature is above a eutectic temperature of said eutectic alloy and below a temperature at which the substrate softens. Such films could have widespread application in photovoltaic and display technologies.
C30B 25/18 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat
H01L 31/0475 - Matrices de cellules PV formées par des cellules à configuration planaire, p.ex. répétitives, sur un substrat semi-conducteur unique; Micro-matrices de cellules PV
Inexpensive semiconductors are produced by depositing a single crystal or large grained silicon on an inexpensive substrate. These semiconductors are produced at low enough temperatures such as temperatures below the melting point of glass. Semiconductors produced are suitable for semiconductor devices such as photovoltaics or displays
The present invention concerns the enhancement of critical current densities in cuprate superconductors. Such enhancement of critical current densities include using wave function symmetry and restricting movement of Abrikosov (A) vortices, Josephson (J) vortices, or Abrikosov-Josephson (A- J) vortices by using the half integer vortices associated with d-wave symmetry present in the grain boundary.
H01L 39/24 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement des dispositifs couverts par ou de leurs parties constitutives
23.
Methods of growing heteroepitaxial single crystal or large grained semiconductor films and devices thereon
A method is disclosed for making semiconductor films from a eutectic alloy comprising a metal and a semiconductor. Through heterogeneous nucleation said film is deposited at a deposition temperature on relatively inexpensive buffered substrates, such as glass. Specifically said film is vapor deposited at a fixed temperature in said deposition temperature where said deposition temperature is above a eutectic temperature of said eutectic alloy and below a temperature at which the substrate softens. Such films could have widespread application in photovoltaic and display technologies.
A method is disclosed for making semiconductor films from a eutectic alloy comprising a metal and a semiconductor. Through heterogeneous nucleation said film is deposited at a deposition temperature on relatively inexpensive buffered substrates, such as glass. Specifically said film is vapor deposited at a fixed temperature in said deposition temperature where said deposition temperature is above a eutectic temperature of said eutectic alloy and below a temperature at which the substrate softens. Such films could have widespread application in photovoltaic and display technologies.
H01L 31/0392 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
C30B 11/12 - Constituants gazeux, p. ex. croissance vapeur-liquide-solide
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C03C 17/36 - Traitement de surface du verre, p. ex. du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement avec au moins deux revêtements ayant des compositions différentes un revêtement au moins étant un métal
H01L 31/028 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/068 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin
brevets
