Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Takeya, Motonobu
Son, Sung Su
Lee, Jong Lk
Hong, Seung Sik
Abrégé
A display device including light emitting modules having signal lines and common lines arranged thereon, each including light emitting diodes mounted on an upper surface thereof and electrically connected to the signal lines and the common lines, respectively, a motherboard coupled to the light emitting modules, and a bonding layer having electrical conductivity and coupling the light emitting modules to the motherboard, in which each of the light emitting modules includes signal line terminals and common line terminals disposed on a lower surface thereof and electrically connected to the signal lines and the multiple common lines, respectively, and the motherboard includes board signal line terminals and board common line terminals disposed on an upper surface thereof at locations corresponding to the signal line terminals and the common line terminals of the light emitting modules.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Ki, Youngsik
Hong, Seung Sik
Abrégé
A circuit board includes a base having a plurality of interconnections on an upper surface thereof, a first photosensitive solder resist (PSR) covering the interconnections and defining a pad open region exposing portions of the interconnections, a second PSR covering the first PSR and having an opening exposing the pad open region. The opening of the second PSR is larger than the pad open region of the first PSR.
H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
3.
DISPLAY APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Takeya, Motonobu
Kim, Young Hyun
Abrégé
A display apparatus includes a support substrate, a plurality of light emitting structures regularly arranged on the support substrate, and a wavelength conversion part disposed on the plurality of light emitting structures. The wavelength conversion part includes light transmitting portions and blocking portions, the light transmitting portions being disposed on the light emitting structures, respectively, and each of the light transmitting portions including a phosphor for converting a wavelength of light emitted from the corresponding light emitting structure. The support substrate includes a plurality of conductive patterns electrically connected to the light emitting structures, and the light emitting structures are coupled to the plurality of conductive patterns.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
H05B 33/14 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
H10H 20/812 - Corps ayant des structures ou des superréseaux à effet quantique, p. ex. jonctions tunnel au sein des régions électroluminescentes, p. ex. structures de confinement quantique
H10H 20/825 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP contenant de l’azote, p. ex. GaN
H10H 20/831 - Électrodes caractérisées par leur forme
H10H 20/832 - Électrodes caractérisées par leurs matériaux
H10H 20/855 - Moyens de mise en forme du champ optique, p. ex. lentilles
H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
H10H 29/14 - Dispositifs intégrés comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs composants émetteurs de lumière à semi-conducteurs
4.
SUBSTRATE ASSEMBLY AND DISPLAY DEVICE COMPRISING SAME
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Ko, Mi So
Choi, Eun Mi
Abrégé
According to one aspect of the present invention, a substrate assembly can be provided, the assembly comprising: a first substrate having a plurality of grooves formed on one surface thereof; and a second substrate, which extends in one direction to support a plurality of light-emitting elements and is supported on the one surface of the first substrate, wherein the plurality of grooves include: a first groove extending in the direction parallel to the one direction; and a second groove extending in a direction deviating from the first groove.
H10H 29/855 - Moyens de mise en forme du champ optique, p. ex. lentilles
H10H 29/14 - Dispositifs intégrés comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs composants émetteurs de lumière à semi-conducteurs
5.
LIGHT EMITTING DIODE AND LIGHT EMITTING MODULE COMPRISING THE SAME
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kim, Bang Hyun
Seo, Young Hye
Lee, Jae Ho
Lee, Jong Min
Jung, Seoung Ho
Jeong, Eui Sung
Abrégé
A light device including a substrate, and first and second light emitters spaced apart from each other, and a power source to control the first light emitter and the second light emitter, in which the first and second light emitters include a light emitting region, a wavelength conversion layer disposed on the light emitting region, and a lateral reflection layer covering a region of a side of the light emitting region and the wavelength conversion layer, the first light emitter and the second light emitter are configured to output the same or different magnitudes of power by receiving the same or different magnitudes of current, the first and second light emitters are respectively configured to emit first light and second light, the first light emitter is electrically connected to the second light emitter through a common electrode.
H10H 20/813 - Corps ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p. ex. LED à jonctions multiples ou dispositifs émetteurs de lumière ayant des régions photoluminescentes au sein des corps
G02B 3/08 - Lentilles simples ou composées à surfaces non sphériques à surfaces discontinues, p. ex. lentille de Fresnel
H10H 20/819 - Corps caractérisés par leur forme particulière, p. ex. substrats incurvés ou tronqués
H10H 20/851 - Moyens de conversion de la longueur d’onde
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kim, Jiho
Abrégé
The present invention relates to a light-emitting device. The light-emitting device according to an embodiment of the present invention comprises a substrate, a light-emitting layer, a wavelength conversion layer, and a barrier layer. The light-emitting layer may be disposed on the substrate and include an emission surface through which light is emitted. The wavelength conversion layer may be disposed on the light-emitting layer. The barrier layer may be formed on the substrate to cover the side surfaces of the light-emitting layer and the wavelength conversion layer, and reflect light of the light-emitting layer. The emission surface of the light-emitting layer may include a first emission area and a second emission area having lower luminance than the first emission area. A thickness of a portion of the barrier layer, which surrounds the second emission area, may be greater than a thickness of a portion of the barrier layer, which surrounds the first emission area. In addition, the thickness of the barrier layer may be a distance from the inner surface to the outer surface of the barrier layer.
H10H 20/853 - Encapsulations caractérisées par leur forme
H10H 20/851 - Moyens de conversion de la longueur d’onde
F21K 9/237 - Détails des enceintes ou des boîtiers, c.-à-d. des parties entre l’élément générateur de lumière et le socleAgencement des composants à l’intérieur des enceintes ou des boitiers
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
F21K 9/68 - Détails des réflecteurs faisant partie de la source lumineuse
F21V 23/00 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage
F21V 11/00 - Écrans non couverts par les groupes , , ou
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kim, Jiho
Abrégé
Disclosed is a light emitting apparatus. The light emitting apparatus includes a substrate, a light emitting layer, a wavelength conversion layer, and a barrier layer. The light emitting layer may be disposed on the substrate and may include a light exit surface through which light is emitted. The wavelength conversion layer may be disposed on the light emitting layer. The barrier layer may be formed on the substrate to cover side surfaces of the light emitting layer and the wavelength conversion layer, and may reflect the light emitted from the light emitting layer. The light exit surface of the light emitting layer may include a first light exit region and a second light exit region having lower luminance than the first light exit region. The barrier layer may have a greater thickness in a region thereof surrounding the second light exit region than in a region thereof surrounding the first light exit region. Further, the thickness of the barrier layer may correspond to a distance from an inner side surface of the barrier layer to an outer side surface thereof.
H10H 20/853 - Encapsulations caractérisées par leur forme
B60Q 1/24 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet les dispositifs étant principalement destinés à éclairer la route en avant du véhicule ou d'autres zones de la route ou des environs pour éclairer des zones autres que la route, à l'avant du véhicule uniquement
H10H 20/851 - Moyens de conversion de la longueur d’onde
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Park, Jae Hyun
Lee, Seong Jin
Lee, Jong Kook
Abrégé
A light device including a cover, a light emitter including a first end, a second end, and an intermediate region, and a power board, in which the light emitter includes light sources including first and second light sources adjacent to the first end and the second end, respectively, 5 each of the light sources including first and second contact electrodes, first and second electrode pads electrically connected to at least one of the first and second contact electrodes, respectively, a wavelength converter, and a connection line disposed on an insulation layer and electrically connected to the first or second electrode pad that is electrically connected to the light sources, in which a first distance between the first light source and a first region of the cover is different 10 from a second distance between the second light source and a second region of the cover.
F21K 9/235 - Détails des socles ou des calottes, c.-à-d. des parties qui relient la source lumineuse à un culotAgencement des composants à l’intérieur des socles ou des calottes
F21K 9/232 - Sources lumineuses rétrocompatibles pour dispositifs d’éclairage avec un seul culot pour chaque source lumineuse, p. ex. pour le remplacement de lampes à incandescence avec un culot à baïonnette ou à vis spécialement adaptées à la génération de lumière essentiellement omnidirectionnelle, p. ex. avec une ampoule en verre
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Son, Junghun
Kim, Hyein
Hwang, Sungki
Abrégé
The present invention relates to a light-emitting device. The light-emitting device according to an embodiment of the present invention comprises: a substrate; a light-emitting member disposed on the substrate; a wavelength conversion member disposed on the light-emitting member; an optical member disposed on the wavelength conversion member; and a barrier member disposed on the substrate so as to cover side surfaces of the light-emitting member, the wavelength conversion member, and the optical member. The optical member can include an optical base and an optical pattern including protrusions and recessions formed on at least one surface of the optical base.
H10H 20/855 - Moyens de mise en forme du champ optique, p. ex. lentilles
H10H 20/851 - Moyens de conversion de la longueur d’onde
H10H 20/853 - Encapsulations caractérisées par leur forme
F21V 23/00 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
F21K 9/237 - Détails des enceintes ou des boîtiers, c.-à-d. des parties entre l’élément générateur de lumière et le socleAgencement des composants à l’intérieur des enceintes ou des boitiers
F21K 9/69 - Détails des réfracteurs faisant partie de la source lumineuse
F21K 9/68 - Détails des réflecteurs faisant partie de la source lumineuse
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Song, Jun Ho
Han, Boyong
Abrégé
A lighting apparatus including a controller and an LED luminaire to implement a color temperature from a minimum of 3,000K or less to a maximum of 5,000K or more, the LED luminaire including at least one first light emitter, at least one second light emitter, and at least one third light emitter, in which a triangle region defined by color coordinates of the light emitters includes at least a region on a Planckian locus, and the maximum and minimum color temperatures in the triangle region are 5,000K or more, and 3,000K or less, respectively, and in the CIE-1931 coordinate system, the color coordinates of the first light emitter is closer to 5,000K than those of the second and third light emitters, and the color coordinates of the third light emitter is closer to 3,000K than those of the first and second light emitters.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H05B 45/10 - Commande de l'intensité de la lumière
H05B 47/11 - Commande de la source lumineuse en réponse à des paramètres détectés en détectant la luminosité ou la température de couleur de la lumière ambiante
H05B 47/16 - Commande de la source lumineuse par des moyens de minutage
H05B 47/175 - Commande de la source lumineuse par télécommande
H10H 20/851 - Moyens de conversion de la longueur d’onde
11.
UNIT PIXEL HAVING LIGHT EMITTING DEVICE, PIXEL MODULE AND DISPLAYING APPARATUS
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Hong, Seung Sik
Abrégé
A display apparatus including a panel substrate and a pixel module disposed thereon, in which the pixel module includes a circuit board and light emitters arranged and aligned in a first direction and disposed on the circuit board, in which each light emitter includes a light emitting layer including a first and a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer interposed therebetween, a first and a second connection layer electrically connected to the first and the second conductivity type semiconductor layer, respectively, and a step adjustment layer disposed between the circuit board and the light emitting layer and covering a region of the light emitting layer and including an opening region configured to provide an electrical contact region between the first connection layer and the first conductivity type semiconductor layer.
H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H10H 20/855 - Moyens de mise en forme du champ optique, p. ex. lentilles
12.
BACKLIGHT UNIT AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Choi, Seung Ri
Kim, Eun Ju
Lim, Hee Soo
Abrégé
A display apparatus including a display panel, a light source configured to emit light, and a light guide disposed on the light source and covering a side of the light source, the light source including a substrate, a light emitter including a light emitting stacked layer and disposed on the substrate, a light blocking layer disposed on a side surface of the light emitting stacked layer, and a reflector disposed between the substrate and the light guide, in which the light emitter has a first length direction and a second length direction, wherein orientation angles of the light emitter in the first and second length directions are different from each other, the substrate includes a first pad electrode and second pad electrode electrically connected to the light emitter, and the first and second pad electrodes are spaced apart from each other by at least 50 μm.
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Takeya, Motonobu
Lee, Jong Ik
Abrégé
A display apparatus and a method of manufacturing the same are disclosed. The display apparatus includes at least one light emitting diode chip, a conductive portion disposed under the light emitting diode chip and coupled to the light emitting diode chip, and an insulating material surrounding the conductive portion. The conductive portion includes a first conductive portion and a second conductive portion, and the insulating material is formed to expose at least a portion of the upper surfaces of the first conductive portion and the second conductive portion.
G06F 30/39 - Conception de circuits au niveau physique
G11C 8/16 - Réseau de mémoire à accès multiple, p. ex. adressage à un élément d'emmagasinage par au moins deux groupes de lignes d'adressage indépendantes
G11C 11/412 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules avec réaction positive, c.-à-d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p. ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt utilisant uniquement des transistors à effet de champ
G11C 11/417 - Circuits auxiliaires, p. ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H10B 10/00 - Mémoires statiques à accès aléatoire [SRAM]
H10H 20/812 - Corps ayant des structures ou des superréseaux à effet quantique, p. ex. jonctions tunnel au sein des régions électroluminescentes, p. ex. structures de confinement quantique
H10H 20/825 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP contenant de l’azote, p. ex. GaN
H10H 20/831 - Électrodes caractérisées par leur forme
H10H 20/84 - Revêtements, p. ex. couches de passivation ou revêtements antireflets
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Park, Jun Yong
Abrégé
A light emitting apparatus and a light emitting module including the same, and, more particularly, a light emitting apparatus including a light emitting device and a molding layer covering the light emitting device, and a light emitting module including the same. The light emitting apparatus includes a substrate, at least one light emitting device disposed on a surface of the substrate, a first molding layer covering at least a region of the light emitting devices, and a second molding layer surrounding an outer periphery of the substrate.
H10H 29/853 - Encapsulations caractérisées par leur forme
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Jang, Borami
Shin, Dongsun
Abrégé
A light emitting apparatus includes a substrate and at least one light emitting device disposed on the substrate and configured to emit light, wherein a luminous flux in a blue wavelength region is in the range of 0.01 times to 0.1 times the total luminous flux, and the light emitted from the light emitting device may have a peak wavelength with a first radiant intensity in the blue wavelength region and a peak wavelength with a second radiant intensity in a green wavelength region, which is less than the first radiant intensity, wherein the first radiant intensity may be greater than or equal to 4 times the second radiant intensity.
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Park, Jun Yong
Abrégé
The disclosed technology relates to a light emitting apparatus and a light emitting module including the same, and, more particularly, to a light emitting apparatus including a light emitting device and a molding layer covering the light emitting device, and a light emitting module including the same. The light emitting apparatus includes a substrate, at least one light emitting device disposed on a surface of the substrate, a first molding layer covering at least a region of the light emitting devices, and a second molding layer surrounding an outer periphery of the substrate.
H10H 20/84 - Revêtements, p. ex. couches de passivation ou revêtements antireflets
H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
H10H 29/24 - Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs dispositifs émetteurs de lumière à semi-conducteurs
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Jang, Borami
Shin, Dongsun
Abrégé
A light emitting apparatus includes a substrate and at least one light emitting device disposed on the substrate and configured to emit light, wherein a luminous flux in a blue wavelength region is in the range of 0.01 times to 0.1 times the total luminous flux.
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Ko, Miso
Choi, Eunmi
Abrégé
A light emitting apparatus includes: a circuit board; a plurality of light emitting devices connected to the circuit board; and a reflective sheet that reflects light emitted from the plurality of light emitting devices and includes a plurality of reflective cells which respectively accommodate the plurality of light emitting devices. The plurality of reflective cells include a plurality of low-reflection patterns. The plurality of low-reflection patterns include a pattern disposed closer to an edge of the reflective sheet, size of which is relatively smaller than size of other patterns.
H10H 29/24 - Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs dispositifs émetteurs de lumière à semi-conducteurs
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Ko, Mi So
Choi, Eun Mi
Abrégé
A light emitting device disclosed herein includes: a circuit board; a plurality of light emitting devices connected to the circuit board; and a reflective sheet that reflects light emitted from the plurality of light emitting devices and has a plurality of reflective cells respectively accommodating the plurality of light emitting devices. The plurality of reflective cells include a plurality of low reflection patterns, and the plurality of low reflection patterns decrease in size, chroma, or brightness toward the edge of the reflective sheet.
H10H 29/851 - Moyens de conversion de la longueur d’onde
H10H 29/14 - Dispositifs intégrés comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs composants émetteurs de lumière à semi-conducteurs
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Takeya, Motonobu
Son, Sung Su
Lee, Jong Ik
Hong, Seung Sik
Abrégé
A light emitting apparatus including a substrate, a plurality of light emitting diode devices disposed on the substrate, a light non-transmitting layer disposed on the substrate and having at least one of open regions, and a first conductive bonding layer disposed between the plurality of lighting emitting diode devices and the substrate and electrically contacting the plurality of light emitting diode devices, in which an upper surface of the first conductive bonding layer is placed above the light non-transmitting layer.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kim, Eun Ju
Park, Jae Eun
Abrégé
A lens including a light entering part having a concave shape in a lower region of the lens, and on which light emitted from a light emitting device is to be incident, and a light exiting part through which the incident light is emitted to an outside of the lens, in which each of the light entering part and the light exiting part has a major axis and a minor axis in plan view, and the major axis of the light entering part is orthogonal to the major axis of the light exiting part, the light entering part includes a light incident vertical surface extending from a lower surface of the lens, and a light incident inclined surface extending upward from the light incident vertical surface, and the light incident vertical surface surrounds the light emitting device.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H10H 20/855 - Moyens de mise en forme du champ optique, p. ex. lentilles
22.
LIGHTING APPARATUS AND MOBILE VEHICLE COMPRISING LIGHTING APPARATUS
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lee, Jang Weon
Abrégé
A lighting apparatus includes a light source part having a first light source and a second light source provided away from the first light source, a reflective part provided away from the first light source and second light source and reflecting light emitted from the first light source and second light source, and a support part facing the reflective part and supporting the light source part. The reflective part includes a plurality of reflective plates which are continuously provided. Each of the reflective plates provided adjacent to one another has a reflective surface which is shaped differently from one another.
F21S 41/33 - Réflecteurs à multi-surfaces, p. ex. réflecteurs à facettes ou réflecteurs avec des sections de courbure différente
F21S 41/148 - Diodes électroluminescentes [LED] la direction principale d’émission des LED faisant un angle avec l’axe optique du dispositif d’éclairage la direction principale d’émission des LED étant perpendiculaire à l’axe optique
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kim, Woo Seok
Lee, Do Kwang
Abrégé
A light emitting module is provided to comprise: a light source unit including at least one light-emitting element; a lens unit arranged on the light source unit and including a first fastening hole; a substrate having an upper and lower surfaces and including a second fastening hole, the light source unit arranged on the upper surface; and a fastening unit arranged inside of the first fastening hole and the second fastening hole, wherein the first fastening hole and the second fastening hole are arranged to correspond to each other. The substrate has a height in a vertical direction from the upper surface to the lower surface, and a height of a region of the substrate where the fastening portion is disposed and a height of a region of the substrate where the fastening portion is not disposed are same as the height of the substrate.
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Jang, Bo Ram I
Ko, Mi So
Choi, Eun Mi
Abrégé
The disclosed technology relates to a light emitting apparatus and, more particularly to a light emitting apparatus capable of providing natural light illumination. the light emitting apparatus includes at least one light emitting device, wherein a natural light similarity of light emitted from the light emitting apparatus is defined by a certain equation involving spectral radiant flux and ranges from –2.5 to 1.
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Jang, Bo Ram I
Ko, Mi So
Choi, Eun Mi
Abrégé
A light emitting apparatus includes at least one light emitting device, wherein a natural light similarity S of light emitted from the light emitting apparatus ranges from −2.5 to 1.
F21K 9/232 - Sources lumineuses rétrocompatibles pour dispositifs d’éclairage avec un seul culot pour chaque source lumineuse, p. ex. pour le remplacement de lampes à incandescence avec un culot à baïonnette ou à vis spécialement adaptées à la génération de lumière essentiellement omnidirectionnelle, p. ex. avec une ampoule en verre
F21Y 113/17 - Combinaison de sources lumineuses de couleurs différentes comprenant un ensemble de sources lumineuses ponctuelles formant une seule source lumineuse encapsulée
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H05B 47/16 - Commande de la source lumineuse par des moyens de minutage
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Jang, Borami
Ko, Miso
Choi, Eunmi
Abrégé
A light emitting device including light emitting elements emitting light within a predetermined color temperature region on a color coordinate system. An average of color coordinate values of the plurality of light emitting elements are located within the predetermined color temperature region, the plurality of light emitting elements include a first light emitting element and a second light emitting element that satisfy:
A light emitting device including light emitting elements emitting light within a predetermined color temperature region on a color coordinate system. An average of color coordinate values of the plurality of light emitting elements are located within the predetermined color temperature region, the plurality of light emitting elements include a first light emitting element and a second light emitting element that satisfy:
Srms
=
1
(
b
-
a
)
∑
k
=
a
b
(
1
-
L
c
(
x
k
)
ref
C
(
x
k
)
)
2
<
0
.
9
wherein a is a wavelength selected from a range of 200 nm or more and less than 500 nm, b is a wavelength selected from a range of 500 nm or more and less than 900 nm, LC(xk) is a normalized spectral radiant flux of a light emitted from the plurality of light emitting elements, and refc(xk) is a normalized spectral radiant flux of a natural light normalized from a natural light spectrum.
H05B 45/10 - Commande de l'intensité de la lumière
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H10H 20/824 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP
H05B 47/155 - Commande coordonnée de plusieurs sources lumineuses
28.
LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE HAVING LEAD FRAME WITH GROOVE THEREOF
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kim, Ji Ho
Abrégé
A light emitting diode package includes a body part having a cavity at the upper part thereof and having a long shape in one direction; and a first lead frame and a second lead frame which are coupled to the bottom of the body part and spaced apart from each other in a transverse direction. The first lead frame includes a first mounting part exposed in the cavity; a first terminal part exposed to one side surface of the body part; and a first connection part exposed to the lower surface of the body part. The second lead frame includes a second mounting part exposed in the cavity; a second terminal part exposed to the other side surface of the body part along a one-side direction; and a second connection part exposed to the lower surface of the body part.
H10H 20/821 - Corps caractérisés par leur forme particulière, p. ex. substrats incurvés ou tronqués des régions électroluminescentes, p. ex. jonctions du type non planaire
H10H 20/855 - Moyens de mise en forme du champ optique, p. ex. lentilles
H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Itoga, Tatsunori
Tsuda, Ryoji
Matsuda, Naotoshi
Funayama, Yoshitaka
Abrégé
According to one embodiment, a white light source includes a combination of a light emitting diode and phosphors. One of the phosphors is at least a cerium activated yttrium aluminum garnet-based phosphor, There is no light emission spectrum peak at which a ratio of a largest maximum value to a minimum value is greater than 1.9. The largest maximum value is largest among at least one maximum value present in a wavelength range of 400 nm to 500 nm in a light emission spectrum of white light emitted from the white light source. The minimum value is adjacent to the largest maximum value in a longer wavelength side of the light emission spectrum.
H10H 20/851 - Moyens de conversion de la longueur d’onde
C09K 11/08 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes
C09K 11/64 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'aluminium
C09K 11/66 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du germanium, de l'étain ou du plomb
C09K 11/73 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore contenant aussi des halogènes, p. ex. des halophosphates contenant aussi des métaux alcalino-terreux
C09K 11/77 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lee, Chung Hoon
Abrégé
A display apparatus including a plurality of display modules each including a module substrate and a plurality of light emitting devices mounted on the module substrate, and a support substrate on which the display modules are disposed and including electrodes, in which the module substrate includes through-holes penetrating the module substrate and vias disposed in the through-holes, and the light emitting devices are electrically connected to the electrodes of the support substrate through the vias.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Park, Jae Hyun
Lee, Seong Jin
Lee, Jong Kook
Abrégé
A light emitting device filament includes a substrate, a plurality of light emitting diodes, two electrode pads, and a plurality of connection lines. The substrate includes a first surface and a second surface opposite to the first surface. The substrate extending in a first direction and having a width in a second direction. The plurality of light emitting diodes is disposed on the first surface of the substrate. The two electrode pads are disposed on the substrate. The plurality of connection lines electrically connects the plurality of light emitting diodes and the two electrode pads. The plurality of connection lines includes a first connection line and a second connection line. The first connection line, the second connection line, or both are formed in a direction inclined or curved with respect to the first direction or the second direction.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
F21K 9/232 - Sources lumineuses rétrocompatibles pour dispositifs d’éclairage avec un seul culot pour chaque source lumineuse, p. ex. pour le remplacement de lampes à incandescence avec un culot à baïonnette ou à vis spécialement adaptées à la génération de lumière essentiellement omnidirectionnelle, p. ex. avec une ampoule en verre
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lee, Jong Min
Kim, Bang Hyun
Lee, Jae Ho
Abrégé
A light emitting module including a substrate, a first light emitter and a second light emitter disposed on the substrate and spaced apart from each other, an isolation layer disposed between the first and second light emitters, and a light diffusion layer and a wavelength converter disposed on the first and second light emitters, in which the first and second light emitters include first and second light emitting regions spaced apart from each other, respectively, the wavelength converter includes a first wavelength conversion layer covering the second light emitting region, and a second wavelength conversion layer covering the first light emitting region, the light diffusion layer covers an upper surface of the first and second wavelength conversion layers, and a region between the first and second wavelength conversion layers has an area vertically overlapped with the isolation layer.
H10H 20/851 - Moyens de conversion de la longueur d’onde
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lee, Jong Kook
Song, Jun Myung
Lee, Seong Jin
Abrégé
A lighting device including at least one light emitter to emit blue light, a green phosphor having an emission peak in a range of 500 nm to 550 nm, a yellow phosphor having an emission peak in a range of 550 nm to 600 nm, and a red phosphor having an emission peak in a range of 600 nm to 650 nm, in which the yellow phosphor and the red phosphor have different full widths at half maximum, and the full width at half maximum of the yellow phosphor is longer than that of the red phosphor, and, in an emission spectrum, an intensity of light emitted from the lighting device increases from 500 nm to 600 nm, and the intensity of light emitted from the lighting device at 700 nm is less than about 10% of the maximum intensity of light emitted from the lighting device.
H10H 20/851 - Moyens de conversion de la longueur d’onde
C09K 11/77 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares
F21K 9/23 - Sources lumineuses rétrocompatibles pour dispositifs d’éclairage avec un seul culot pour chaque source lumineuse, p. ex. pour le remplacement de lampes à incandescence avec un culot à baïonnette ou à vis
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H10H 20/824 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP
34.
LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Park, Jae Hyun
Hong, Seung Sik
Abrégé
A light emitting module including a circuit board, a plurality of unit pixels arranged on the circuit board, a molding member covering the unit pixels, and an anti-glare layer disposed on the molding member, in which the molding member includes a first molding layer at least partially covering each of the unit pixels, and a second molding layer covering the first molding layer.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Jang, Bo Ram I
Kim, Yang Joong
Abrégé
The present invention relates to a light-emitting device. The light-emitting device according to an embodiment of the present invention comprises a substrate, a light-emitting element; a first light-transmitting layer; and a first reflection unit. The light-emitting element is disposed on the substrate and can emit light. The first light-transmitting layer is disposed on the substrate so as to cover the light-emitting element, and can be formed of a material that transmits light emitted from the light-emitting element. The first reflection unit is disposed in at least a portion of a region of the upper surface of the first light-transmitting layer, and can reflect at least some light. In addition, a side surface of the first light-transmitting layer includes an inclined surface.
H10H 20/851 - Moyens de conversion de la longueur d’onde
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Jang, Bo Ram I
Kim, Yang Joong
Abrégé
A light emitting apparatus is provided that includes a substrate, a light emitting device, a first light transmitting layer, and a first reflector. The light emitting device may be disposed on the substrate, and may emit light. The first light transmitting layer may be disposed on the substrate to cover the light emitting device, and may be formed of a material that transmit light emitted from the light emitting device. The first reflector may be disposed on at least a region of an upper surface of the first light transmitting layer, and may reflect at least a portion of light. In addition, the side surface of the first light transmitting layer includes an inclined surface.
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kim, Hye In
Son, Jung Hun
Abrégé
A light-emitting module according to an embodiment comprises: a substrate; a plurality of light-emitting diode chips which are disposed on the substrate; a plurality of wavelength converters which are disposed on the plurality of light-emitting diode chips respectively; and a white wall which surrounds the plurality of light-emitting diode chips and the plurality of wavelength converters, wherein each of the plurality of wavelength converters includes a side surface which is inclined at an inclination angle of 80 degrees or less to the upper surface of the wavelength converter.
H10H 29/851 - Moyens de conversion de la longueur d’onde
H10H 29/24 - Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs dispositifs émetteurs de lumière à semi-conducteurs
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lee, Jae Hoon
Lee, Do Kwang
Lee, Hyung Keun
Abrégé
A light emitting device includes light emitting diode chip, a substrate forming a mounting region where the light emitting diode chip is mounted, and a wavelength converter disposed on an upper surface of the light emitting diode chip, wherein the wavelength converter includes a plurality of wavelength conversion layers, at least some of the plurality of wavelength conversion layers being disposed on the same plane.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lee, Jae Hoon
Lee, Do Kwang
Lee, Hyung Keun
Abrégé
A light emitting device includes light emitting diode chip, a substrate forming a mounting region where the light emitting diode chip is mounted, and a wavelength converter disposed on an upper surface of the light emitting diode chip, wherein the wavelength converter includes a plurality of wavelength conversion layers, at least some of the plurality of wavelength conversion layers being disposed on the same plane.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
40.
LIGHT EMITTING DEVICE AND SYSTEM INCLUDING THE SAME
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lee, Keonyong
Lim, Kwangbea
Lee, Chunghoon
Abrégé
A light emitting device includes: a light emitter for generating light; a communication unit that communicates externally through a first communication mode to receive time information and communicates externally through a second communication mode different from the first communication mode; and a controller for controlling a correlated color temperature of the light of the light emitter based on the time information. Further, the communication unit transmits the time information received using the first communication mode externally through the second communication mode.
H05B 47/19 - Commande de la source lumineuse par télécommande via une transmission sans fil
H05B 47/11 - Commande de la source lumineuse en réponse à des paramètres détectés en détectant la luminosité ou la température de couleur de la lumière ambiante
H05B 47/16 - Commande de la source lumineuse par des moyens de minutage
41.
DISPLAY APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Takeya, Motonobu
Kim, Young Hyun
Lee, Jong Ik
Oh, Kwang Yong
Abrégé
A display apparatus including a panel substrate, a TFT panel part including a plurality of connection electrodes disposed on an upper surface of the panel substrate, and a light emitting diode part disposed on the TFT panel part and including a plurality of light emitting modules adjacent to each other, in which each of the light emitting modules includes a plurality of pixels, each of the pixels includes three sub-pixels, and the three sub-pixels include blue light emitting diodes, green light emitting diodes, and red light emitting diodes.
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Hong, Seung Sik
Kim, Hyuck Jun
Abrégé
A light emitting diode device including a substrate, a plurality of terminals disposed on the substrate, and a plurality of light sources disposed on the substrate, electrically connected to the plurality of terminals, and configured to emit light, in which each of the light sources includes a light emitting diode chip, and a wall surrounding side surfaces of the light emitting diode chip, at least one of the light sources includes a wavelength converter disposed on the light emitting diode chip, and at least two light sources share the wall.
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kim, Eun Ju
Abrégé
A display apparatus including a frame, light emitting diode chips separated from each other and regularly arranged in a matrix on the frame, an optical part including a display panel and at least one of a phosphor sheet and an optical sheet, a light guide plate disposed between the frame and the optical part to cover the light emitting diode chips, at least one reflector disposed between the frame and the light guide plate to reflect at least part of light emitted from the light emitting diode chip to direct at least part of light emitted therefrom to the light guide plate, and a first-type electrode and a second-type electrode, in which at least one of the light emitting diode chips is a flip-chip type and includes a first-type semiconductor layer electrically connected to the first-type electrode and a second-type semiconductor layer electrically connected to the second-type electrode.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p. ex. des polariseurs ou des réflecteurs
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Takeya, Motonobu
Son, Seong Su
Lee, Jong Ik
Lim, Jae Hee
Chae, Jong Hyeon
Hong, Seung Sik
Abrégé
A displaying apparatus includes a pixel unit. The pixel unit includes at least one pixel having a light emitting device and a light conversion layer for converting a first wavelength of light of the light emitting device into a second wavelength of light different from the first wavelength; and an insulation layer covers side surfaces of the light emitting device and the light conversion layer.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
45.
LIGHT SOURCE MODULE AND BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Song, Young Jun
Kim, Da Hye
Jung, Seoung Ho
Abrégé
A backlight unit includes one or more light sources operable to emit light and a light guide plate arranged adjacent to the one or more light sources, reflected lights exiting the one or more light sources via the second surfaces and entering the light guide plate. A light source includes a light emitting device having a substrate and a semiconductor stack disposed on the substrate. The reflector is structured and positioned to block light emitted from a first surface of the light emitting device by reflecting the light emitted from the first surface toward second surfaces of the light source.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p. ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p. ex. des polariseurs ou des réflecteurs
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
46.
LIGHT EMITTING MODULE AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lee, Jang Weon
Hwang, Sung Ki
Kwak, Meen Woo
Abrégé
According to one aspect of the present disclosure, there may be provided a light emitting module including: a light emitting device that generates light; a lens disposed above the light emitting device to collect light generated from the light emitting device; and a partition extending in an up-down direction to surround at least a portion of the first lens.
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
47.
LIGHT-EMITTING MODULE AND DISPLAY DEVICE COMPRISING SAME
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lee, Jang Weon
Hwang, Sung Ki
Kwak, Meen Woo
Abrégé
According to one aspect of the present invention, the provided light-emitting module comprises: a light-emitting device for generating light; a first lens disposed above the light-emitting device so as to concentrate light generated by the light-emitting device; and a partition member extending in the vertical direction so as to encompass at least a portion of the first lens.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lim, Kwang Bea
Jang, Bo Ram I
Abrégé
A light emitting apparatus is disclosed. The light emitting apparatus includes a substrate and a light emitting region disposed on the substrate and including a first light emitter and a second light emitter. The light emitted from the first light emitter has a first spectrum, light emitted from the second light emitter has a second spectrum, The first light emitter includes a first light emitting device emitting light having a first peak wavelength and a first wavelength converter emitting a first light. The second light emitter includes a second light emitting device emitting the second spectrum. The first spectrum and the second spectrum has at least one different peak wavelength. and The light of the light emitting region has a third spectrum that is mixture of the first spectrum and the second spectrum.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lim, Kwang Bea
Jang, Bo Ram I
Abrégé
A light emitting apparatus is disclosed. The light emitting apparatus includes a substrate and a light emitting region disposed on the substrate and including a first light emitter and a second light emitter. The light emitted from the first light emitter has a first spectrum, light emitted from the second light emitter has a second spectrum, The first light emitter includes a first light emitting device emitting light having a first peak wavelength and a first wavelength converter emitting a first light. The second light emitter includes a second light emitting device emitting the second spectrum. The first spectrum and the second spectrum has at least one different peak wavelength. and The light of the light emitting region has a third spectrum that is mixture of the first spectrum and the second spectrum.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Park, Jae Eun
Kim, Eun Ju
Abrégé
A light emitting module including a substrate having an insulating region and including a conductive pattern, a light source disposed on an upper surface of the substrate and electrically connected to the conductive pattern, a lens including a lower surface, a light incident region, a light exit portion, a leg protruding from the lower surface of the lens, and an adhesion material coupling the leg to the upper surface of the substrate, in which the light incident region has a central axis, the light incident region includes a protrusion facet, the protrusion facet having a first end and a second end opposite to the first end, and the protrusion facet is protruded toward the central axis with respect to an imaginary linear line connecting the first end and the second end of the protrusion facet.
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kim, Myung Jin
Oh, Kwang Yong
Abrégé
A light emitting diode package is disclosed. The light emitting diode package includes a light emitting diode chip emitting light and a light transmissive member. The light transmissive member covers at least an upper surface of the light emitting diode chip and includes a light transmissive resin and reinforcing fillers. The reinforcing fillers have at least two side surfaces having different lengths and are dispersed in the light transmissive resin.
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
52.
LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING MODULE INCLUDING THE SAME
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kim, Ji Ho
Abrégé
A light emitting device includes a light emitting diode chip, a light transmitting member, a white barrier member, and a conductive adhesive member. The light emitting diode chip has a bump pad formed on the lower surface thereof. The light transmitting member covers the side surfaces and the upper surface of the light emitting diode chip, and the upper surface of the light transmitting member has a rectangular shape having long sides and short sides. The conductive adhesive member is formed to extend through the white barrier member from the bottom of the light emitting diode chip. The upper surface of the conductive adhesive member is connected to the bump pad of the light emitting diode chip, and the lower surface of the conductive adhesive member is exposed at the lower surface of the white barrier member.
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
53.
LIGHT EMITTING MODULE AND LIGHT EMITTING SYSTEM INCLUDING THE SAME
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Park, Inheum
Abrégé
A light emitting module is disclosed. The light emitting module includes: a light transmissive layer transmitting light; and a film disposed on at least one surface of the light transmissive layer, an electrode layer disposed on the film; and a plurality of light emitting devices disposed on the film and electrically connected to the electrode layer, where in the electrode layer cover 50% or less of an extent of the base film.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
G09F 9/33 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels à semi-conducteurs, p. ex. à diodes
54.
LIGHT EMITTING MODULE AND LIGHT EMITTING SYSTEM INCLUDING THE SAME
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Park, Inheum
Abrégé
A light emitting module is disclosed. The light emitting module includes: a light transmissive layer transmitting light; and a film disposed on at least a surface of the light transmissive layer, an electrode layer disposed on the film; and a plurality of light emitting devices disposed on the film and electrically connected to the electrode layer, where in the electrode layer cover 50% or less of an extent of the base film.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kim, Ji Ho
Abrégé
A light emitting diode package includes a light emitting diode chip provided at a lower side thereof with a first electrode pad and a second electrode pad, a first lead and a second lead spaced apart from each other and contacting the first electrode pad and the second electrode pad of the light emitting diode chip to be electrically connected thereto, respectively, and a housing formed to surround the first lead and the second lead and having a cavity open at a top portion thereof. The first lead and the second lead have a first lead exposing plane and a second lead exposing plane disposed on a lower surface of the cavity of the housing and partially exposing the first lead and the second lead, respectively.
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
56.
METHOD FOR USING WHITE LIGHT SOURCE, AND WHITE LIGHT SOURCE
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Yamakawa, Masahiko
Kobayashi, Kumpei
Tsuda, Ryoji
Yagi, Noriaki
Inoue, Kiyoshi
Ye, Kyung Hee
Abrégé
Provided are a method for using a white light source, and a white light source, wherein precise control of daily rhythm and pleasant lighting can be safely and easily realized in a place of living such as a general home. An embodiment provides a method for using a white light source. Provided that: amounts of stimulation light emitted from a white light source to the intrinsically photosensitive retinal ganglion cells (ipRGCs) and visual cells of the L cone and M cone, among the visual cells of human, are defined as a melanopic irradiance, an L-cone opic irradiance, and an M-cone opic irradiance, respectively; a ratio of the amounts of the stimulation light is expressed by the following formula (1); and A is the ratio corresponding to the emission spectrum of the white light source, and B is the ratio corresponding to the radiation spectrum of a black body having the same color temperature as the white light source, an amount of stimulation light emitted to the ipRGC is quantitatively changed by changing the emission intensity of the white light source satisfying the following formula (2). Melanopic irradiance/(L-cone opic irradiance+M-cone opic irradiance) (1) 0.88≤A/B≤1.11 (2)
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lee, Chung Hoon
Abrégé
A headlamp device includes a headlamp, an object detector, and a controller. The headlamp is mounted on a vehicle and includes a light emitting unit composed of multiple light emitting cells. The object detector detects an object around the vehicle and generates an object detection signal including object coordinates corresponding to a location of the detected object. The controller controls light of the headlamp based on information on the object coordinates. The controller may control the light emitting unit such that at least some light emitting cells are turned off according to an object detection signal. Each of multiple light emitting units includes a circuit board, the multiple light emitting cells separated from each other on the circuit board, a molding member formed between the light emitting structures, and a protective member formed on the molding member to surround sides of the multiple wavelength conversion members while filling a gap between the multiple wavelength conversion members.
F21S 41/663 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. phares caractérisés par une distribution lumineuse variable par action sur des sources lumineuses par commutation de sources lumineuses
F21S 41/153 - Diodes électroluminescentes [LED] disposées sur une ou plusieurs lignes disposées dans une matrice
F21S 41/176 - Sources lumineuses où la lumière est générée par un matériau photoluminescent espacé par rapport à un élément générateur de lumière primaire
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Takeya, Motonobu
Kim, Young Hyun
Abrégé
A display apparatus device including a panel substrate including a circuit, and a light module including light sources each including a light emitter, a connection line, a light transmission layer on the light emitter, and a light block layer on the light transmission layer, in which the light sources includes first to fourth light sources, a transmission layer of the first light source includes a first converter, a transmission layer of the fourth light source includes a second converter, the first converter includes a wavelength converter to convert a first primary light of the first light source into a red color range, the second converter converts a fourth primary light of the fourth light source into a white light, and a peak wavelength of a second primary light of the second light source is different from that of a third primary light of the third light source.
G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p. ex. des polariseurs ou des réflecteurs
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Takeya, Motonobu
Abrégé
A display apparatus including a substrate and having a first substrate electrode and a second substrate electrode, and light emitting sources disposed on the substrate and spaced apart from one another, the light emitting source including a light emitting structure having an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer, a p-type electrode electrically connected to the p-type semiconductor layer, an n-type electrode electrically connected to the n-type semiconductor layer, in which the first substrate electrode extends from an upper surface of the substrate facing the light emitting sources to a lower surface thereof and is electrically connected to the p-type electrode, the first substrate electrode including an upper portion having a substantially flat top surface and disposed on the upper surface of the substrate and a lower portion disposed on the lower surface of the substrate.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kim, Hyuck Jun
Lee, Chung Hoon
Cho, Yo
Abrégé
A light emitting device including at least one main light emitting unit including a light emitting diode chip and a wavelength converter, and configured to emit white light, in which the light emitting diode chip includes at least one of an ultraviolet chip, a violet chip, and a blue chip, and the light emitting device is configured to be adjustable to emit light corresponding to a spectral power distribution of morning sunlight, light corresponding to a spectral power distribution of afternoon sunlight, and light corresponding to a spectral power distribution of evening sunlight.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Jang, Boraml
Choi, Eunmi
Abrégé
A light emitting device is provided that includes a light emitting source that includes a light emitting semiconductor device; a reflector disposed on a side region of the light emitting source while at least partially adjoining the side region of the light emitting source; a front-light extractor disposed on the light emitting source and the reflector and including a body including a first curved shape; and a substrate including an upper surface on which the light emitting source, the reflector, and the front-light extractor are mounted. The reflector includes a first reflective surface in at least a region thereof and including a second curved shape, and the second curved shape of the first reflective surface includes a radius of curvature greater than or equal to a radius of curvature of the first curved shape of the front-light extractor.
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Jang, Bo Ram I
Park, Ki Yon
Song, Jae Wan
Abrégé
A light emitting package is provided to include a substrate on which a circuit pattern is formed, a first optic layer, a light controller, and a second optic layer. The first optic layer may be arranged on the substrate to be electrically connected to the circuit pattern and generate and emit light. The light controller may cover a side surface of the first optic layer and may reflect light emitted from the side surface of the first optic layer. In addition, the second optic layer may cover the first optic layer and the light controller and be disposed on the substrate. The second optic layer may include a securing region secured on the substrate and a light emitting region disposed over the securing region. Light emitted from the first optic layer may be emitted to the outside of the second optic layer through the second optic layer.
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Jang, Bo Ram I
Choi, Eun Mi
Abrégé
A light emitting device is provided that includes a light emitting source that includes a light emitting semiconductor device; a reflector disposed on a side region of the light emitting source while at least partially adjoining the side region of the light emitting source; a front-light extractor disposed on the light emitting source and the reflector and including a body including a first curved shape; and a substrate including an upper surface on which the light emitting source, the reflector, and the front-light extractor are mounted. The reflector includes a first reflective surface in at least a region thereof and including a second curved shape, and the second curved shape of the first reflective surface includes a radius of curvature greater than or equal to a radius of curvature of the first curved shape of the front-light extractor.
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lee, Seong Jin
Lee, Jong Kook
Abrégé
A light emitting device, comprising a substrate, a first emitter disposed on the substrate and comprising a first LED array including at least one first LED chip, a second emitter disposed on the substrate and comprising a second LED array including at least one second LED chip, and a resistor disposed on the substrate, the resistor being connected in series to the first emitter and connected in parallel to the second emitter, wherein the second emitter is connected in parallel to the first emitter and the resistor, and the first emitter and the second emitter emit light having different color temperatures, and wherein a ratio of a resistance offered by the first emitter and the resistor to a resistance offered by the second emitter is changed as a power change according to the dimming signal.
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
F21K 9/235 - Détails des socles ou des calottes, c.-à-d. des parties qui relient la source lumineuse à un culotAgencement des composants à l’intérieur des socles ou des calottes
F21Y 113/13 - Combinaison de sources lumineuses de couleurs différentes comprenant un ensemble de sources lumineuses ponctuelles
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
65.
LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING APPARATUS USING THE SAME
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Ko, Miso
Choi, Eunmi
Abrégé
A light emitting device is provided for increasing light emission efficiency, and a vehicle lamp or lighting apparatus including the same. The light emitting device includes a light emitter, a light transmitter disposed on a first region corresponding to at least a portion of a top surface of the light emitter and configured to change a characteristic of light emitted from the light emitter, and a light extraction layer disposed on a top surface of the light transmitter. A refractive index of air corresponds to a first refractive index, a refractive index of the light transmitter corresponds to a second refractive index, and the light extraction layer has a third refractive index in a range between the first refractive index and the second refractive index.
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
66.
LIGHT-EMITTING DEVICE AND LIGHTING APPARATUS COMPRISING SAME
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Ko, Miso
Choi, Eunmi
Abrégé
The present document relates to a light-emitting device which increases light emission efficiency and a vehicle lamp or lighting apparatus comprising same. The proposed light-emitting device comprises: a light-emitting element; a light-transmissive member which is disposed in a first region corresponding to at least a part of the upper surface of the light-emitting element and changes the characteristics of light emitted from the light-emitting element; and a light extraction layer which is disposed on the upper surface of the light-transmissive member, wherein the light extraction layer has a third refractive index within a range between a first refractive index corresponding to the refractive index of air and a second refractive index corresponding to the refractive index of the light-transmissive member.
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
F21K 9/65 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière spécialement adaptés à la modification des caractéristiques ou de la distribution de la lumière, p. ex. par réglage des parties
F21K 9/69 - Détails des réfracteurs faisant partie de la source lumineuse
F21K 9/238 - Agencement ou montage d’éléments de circuit intégrés dans la source lumineuse
F21V 29/508 - Dispositions de refroidissement caractérisées par l’adaptation au refroidissement de composants spécifiques de circuits électriques
67.
Light-emitting apparatus including light-emitting diode
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lee, Chung Hoon
Abrégé
A lighting device including a first light emitter including a plurality of light sources each being configured to emit light with a different color temperature, a second light emitter including at least one light emitting structure to emit light having a different color range than that emitted from the first light emitter, a controller to adjust characteristics of light emitted from the first and second light emitters, a user interface member configured to receive input of a user and connected to the controller, and a storage medium connected to the controller, in which each of the light sources includes a light-emitting diode chip and a wavelength conversion member to convert a wavelength range of light emitted from the light-emitting diode chip, and the controller is further configured to control the first and second light emitters according to a spectrum of light stored in the storage medium.
G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
H05B 45/22 - Commande de la couleur de la lumière à l'aide d'un retour optique
H10H 20/851 - Moyens de conversion de la longueur d’onde
68.
COLOR STABLE MN - ACTIVATED OXIDOFLUORIDES AS CONVERSION LUMINESCENT MATERIALS FOR LED-BASED SOLID STATE LIGHT SOURCES
A compound of the general formula (I): A3BF2M1-xTxO2-2xF4+2x doped with Mn(IV), in which A is selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb, Cs, Cu, Ag, Tl, NH4, NR4 and mixtures of two or more thereof, where R is an alkyl or aryl group, B is selected from the group consisting of H and D and mixtures thereof, where D is Deuterium, M is selected from the group consisting of Cr, Mo, W, Te, Re and mixtures of two or more thereof, T is selected from the group consisting of Si, Ge, Sn, Ti, Pb, Ce, Zr, Hf and mixtures of two or more thereof, and 0≤x≤1.
C09K 11/57 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du manganèse ou du rhénium
C09K 11/64 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant de l'aluminium
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Park, Jae Hyun
Lee, Seong Jin
Lee, Jong Kook
Abrégé
A lighting device includes a substrate having a plurality of flat portions and a non-flat portion disposed between the flat portions, a plurality of light emitting sources disposed on the substrate, a fluorescent substrate layer covering one or more light emitting sources and converting a wavelength of a light from the light emitting source, and a connection line disposed on the substrate and electrically connecting the light emitting sources adjacent to each other between the adjacent light emitting sources. The substrate has a first end and a second end are arranged at different distance from a central axis.
F21K 9/235 - Détails des socles ou des calottes, c.-à-d. des parties qui relient la source lumineuse à un culotAgencement des composants à l’intérieur des socles ou des calottes
F21K 9/232 - Sources lumineuses rétrocompatibles pour dispositifs d’éclairage avec un seul culot pour chaque source lumineuse, p. ex. pour le remplacement de lampes à incandescence avec un culot à baïonnette ou à vis spécialement adaptées à la génération de lumière essentiellement omnidirectionnelle, p. ex. avec une ampoule en verre
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Bang, Se Min
Abrégé
A light emitting diode having an improved heat dissipation effect includes a light source unit emitting a light to a front surface and including a light emitting part, a first electrode pad, and a second electrode pad. The light emitting diode further includes a lead frame unit disposed on a rear surface of the light source unit and including first and second lead terminals respectively connected to the first and second electrode pads. The light emitting diode also includes at least one of the first and second lead terminals includes an upper conductive layer, an intermediate conductive layer, and a lower conductive layer which are disposed on different layers and electrically connected to one another.
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Hong, Seung Sik
Abrégé
A display apparatus including a panel substrate and a pixel module disposed thereon, in which the pixel module includes a circuit board and light emitters arranged and aligned in a first direction and disposed on the circuit board, in which each light emitter includes a light emitting layer including a first and a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer interposed therebetween, a first and a second connection layer electrically connected to the first and the second conductivity type semiconductor layer, respectively, and a step adjustment layer disposed between the circuit board and the light emitting layer and covering a region of the light emitting layer and including an opening region configured to provide an electrical contact region between the first connection layer and the first conductivity type semiconductor layer.
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Choi, Seung Ri
Kim, Hyuck Jun
Bang, Se Min
Woo, Do Choul
Tae, Se Won
Abrégé
A light emitting module unit includes a circuit board and a light emitting device. The light emitting device includes a plurality of light emitting elements electrically coupled through the circuit board, one or more electrodes arranged on a first surface of the plurality of light emitting elements, a surface barrier formed on a second surface of one or more of the plurality of light emitting elements, and an encapsulation portion disposed above a third surface of the plurality of light emitting elements. The surface barrier is disposed between the encapsulation portion and the second surface of one or more of the plurality of light emitting elements.
H10H 20/854 - Encapsulations caractérisées par leurs matériaux, p. ex. résines époxy ou silicone
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lee, Jang Weon
Abrégé
A lighting apparatus includes a light source part having a first light source and a second light source provided away from the first light source, a reflective part provided away from the first light source and second light source and reflecting light emitted from the first light source and second light source, and a support part facing the reflective part and supporting the light source part. The reflective part includes a plurality of reflective plates which are continuously provided. Each of the reflective plates provided adjacent to one another has a reflective surface which is shaped differently from one another.
F21S 41/33 - Réflecteurs à multi-surfaces, p. ex. réflecteurs à facettes ou réflecteurs avec des sections de courbure différente
F21S 41/148 - Diodes électroluminescentes [LED] la direction principale d’émission des LED faisant un angle avec l’axe optique du dispositif d’éclairage la direction principale d’émission des LED étant perpendiculaire à l’axe optique
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Mcclear, Mark
Abrégé
A plant cultivation light source includes at least two light sources selected from first, second, and third light sources that emit first, second, and third lights, respectively. The first light has a first peak at a wavelength from about 400 nanometers to about 500 nanometers, the second light has a second peak appearing at a wavelength, which is longer than the first peak, from about 400 nanometers to about 500 nanometers, and the third light has a third peak appearing at a wavelength, which is shorter than the first peak, from about 400 nanometers to about 500 nanometers. The first light is a white light and has a first sub-peak having an intensity lower than an intensity of the first peak at a wavelength from about 500 nanometers to about 700 nanometers. The first sub-peak has a full-width at half-maximum greater than a full-width at half-maximum of the first peak.
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Yamakawa, Masahiko
Yagi, Noriaki
Kobayashi, Kumpei
Abrégé
A light emitting device including a substrate, a first light emitter to emit light having a first color temperature, and a second light emitter to emit light having a second color temperature, in which the first light emitter has a first converter including first phosphors and a first resin, each first phosphor having different half-value widths, the second light emitter has a second converter including second phosphors and a second resin, each second phosphor having different peak wavelengths, at least one phosphor of the first converter has a half-value width of 33 nm to 110 nm, a distance between peak wavelengths of at least two phosphors of the second converter is 150 nm or less, and at least one phosphor of the first converter has a particle size of 5 um to 50 um.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
F21S 2/00 - Systèmes de dispositifs d'éclairage non prévus dans les groupes principaux ou , p. ex. à construction modulaire
F21W 131/405 - Éclairage pour un usage industriel, commercial, récréatif ou militaire pour les vitrines ou les étalages
F21Y 113/13 - Combinaison de sources lumineuses de couleurs différentes comprenant un ensemble de sources lumineuses ponctuelles
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Takeya, Motonobu
Lee, Jong Ik
Kim, Young Hyun
Abrégé
A display apparatus and a method of manufacturing the same. The display apparatus includes a light emitting part including a plurality of light emitting diodes; and a thin film transistor (TFT) panel part configured to drive the plurality of light emitting diodes. The plurality of light emitting diodes are electrically connected to the plurality of TFTs, respectively, by a layer disposed between the light emitting diode part and the TFT panel part.
H10K 59/121 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED] caractérisés par la géométrie ou la disposition des éléments de pixel
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Mcclear, Mark
Abrégé
A plant cultivation light source includes at least two light sources selected from first, second, and third light sources that emit first, second, and third lights, respectively. The first light has a first peak at a wavelength from about 400 nanometers to about 500 nanometers, the second light has a second peak appearing at a wavelength, which is longer than the first peak, from about 400 nanometers to about 500 nanometers, and the third light has a third peak appearing at a wavelength, which is shorter than the first peak, from about 400 nanometers to about 500 nanometers. The first light is a white light and has a first sub-peak having an intensity lower than an intensity of the first peak at a wavelength from about 500 nanometers to about 700 nanometers. The first sub-peak has a full-width at half-maximum greater than a full-width at half-maximum of the first peak.
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Choi, Seung Ri
Kim, Eun Ju
Lim, Hee Soo
Abrégé
A display apparatus including a display panel, a light source configured to emit light, and a light guide disposed on the light source and covering a side of the light source, the light source including a substrate, a light emitter including a light emitting stacked layer and disposed on the substrate, a light blocking layer disposed on a side surface of the light emitting stacked layer, and a reflector disposed between the substrate and the light guide, in which the light emitter has a first length direction and a second length direction, wherein orientation angles of the light emitter in the first and second length directions are different from each other, the substrate includes a first pad electrode and second pad electrode electrically connected to the light emitter, and the first and second pad electrodes are spaced apart from each other by at least 50 μm.
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lee, Chung Hoon
Abrégé
The present invention relates to a backlight unit for use in a display device. The backlight unit includes a circuit board, at least one light-emitting diode chip mounted on the circuit board, a plurality of reflection members arranged on the upper part of the light-emitting diode chip, and a light diffusing member. The light diffusing member has an incident surface on which light enters and an emitting surface from which light is emitted. The light diffusing member is arranged on the upper part of the circuit board. The plurality of reflection members are stacked on each other and reflect a part of light emitted from the upper surface of the light-emitting diode chip.
F21V 13/08 - Combinaisons de deux sortes d'éléments uniquement les éléments étant des filtres, ou des éléments photoluminescents, et des réflecteurs
F21V 3/12 - GlobesVasquesVerres de protection caractérisés par les matériaux, traitements de surface ou revêtements caractérisés par des revêtements le revêtement comprenant des substances photoluminescentes
F21V 7/24 - Réflecteurs pour sources lumineuses caractérisés par les matériaux, traitements de surface ou revêtements caractérisés par le matériau
F21V 9/30 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source
F21Y 105/16 - Sources lumineuses planes comprenant un réseau bidimensionnel d’éléments générateurs de lumière ponctuelle caractérisées par la forme d’ensemble du réseau bidimensionnel carrée ou rectangulaire, p. ex. pour les panneaux de lumière
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
81.
Display device and method for manufacturing the same
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Takeya, Motonobu
Son, Sung Su
Lee, Jong Ik
Hong, Seung Sik
Abrégé
A display device including light emitting modules having signal lines and common lines arranged thereon, each including light emitting diodes mounted on an upper surface thereof and electrically connected to the signal lines and the common lines, respectively, a motherboard coupled to the light emitting modules, and a bonding layer having electrical conductivity and coupling the light emitting modules to the motherboard, in which each of the light emitting modules includes signal line terminals and common line terminals disposed on a lower surface thereof and electrically connected to the signal lines and the multiple common lines, respectively, and the motherboard includes board signal line terminals and board common line terminals disposed on an upper surface thereof at locations corresponding to the signal line terminals and the common line terminals of the light emitting modules.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kwak, Meen Woo
Hwang, Sung Ki
Abrégé
A light emitting diode module is disclosed.
A light emitting diode module is disclosed.
The light emitting diode module includes: a plurality of printed circuit boards; a light emitting diode package disposed on any one of the plurality of printed circuit boards; a driving chip disposed on another printed circuit board among the plurality of printed circuit boards on which the light emitting diode package is not disposed; and a connector connecting the plurality of printed circuit boards to one another.
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H05K 1/11 - Éléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
H05K 1/14 - Association structurale de plusieurs circuits imprimés
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kim, Hye In
Son, Jung Hun
Abrégé
The present disclosure relates to a light-emitting device. The light-emitting device includes a substrate, a first light-emitting chip, a first wavelength conversion member, and a barrier member. The first light-emitting chip is mounted on the substrate. The first wavelength conversion member covers the upper surface of the first light-emitting chip. A first reflective member covers the side surface of the first wavelength conversion member. Further, the barrier member includes an outer wall surrounding the side surfaces of the first light-emitting chip and the first reflective member.
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lee, Chung Hoon
Abrégé
A display apparatus including a plurality of display modules each including a module substrate and a plurality of light emitting devices mounted on the module substrate, and a support substrate on which the display modules are disposed and including conductive members, in which the module substrates includes a plurality of recesses depressed from at least one end surface of the module substrate, and connection electrodes formed in the recesses, and the light emitting devices are electrically connected to the conducive members of the support substrate through the connection electrodes.
H01L 25/13 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
85.
Display apparatus and method of manufacturing the same
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Takeya, Motonobu
Lee, Jong Ik
Abrégé
A display apparatus and a method of manufacturing the same are disclosed. The display apparatus includes at least one light emitting diode chip, a conductive portion disposed under the light emitting diode chip and coupled to the light emitting diode chip, and an insulating material surrounding the conductive portion. The conductive portion includes a first conductive portion and a second conductive portion, and the insulating material is formed to expose at least a portion of the upper surfaces of the first conductive portion and the second conductive portion.
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
G06F 30/39 - Conception de circuits au niveau physique
G11C 8/16 - Réseau de mémoire à accès multiple, p. ex. adressage à un élément d'emmagasinage par au moins deux groupes de lignes d'adressage indépendantes
G11C 11/412 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules avec réaction positive, c.-à-d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p. ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt utilisant uniquement des transistors à effet de champ
G11C 11/417 - Circuits auxiliaires, p. ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
H10B 10/00 - Mémoires statiques à accès aléatoire [SRAM]
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
86.
LIGHT EMITTING APPARATUS AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lee, Sangil
Abrégé
A light emitting apparatus includes at least one light emitting device and a first light control layer allowing light transmission therethrough and covering the light emitting device, the first light control layer has at least one protrusion formed in at least some region on an upper surface thereof and a height difference G1 between a maximum height and a minimum height of the at least one protrusion is 40 μm or less. A display apparatus includes a substrate, at least one light emitting device disposed on one surface of the substrate, and a first light control layer covering at least part of the light emitting device.
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
87.
Light emitting device and light emitting module including the same
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kim, Ji Ho
Abrégé
A light emitting device includes a light emitting diode chip, a light transmitting member, a white barrier member, and a conductive adhesive member. The light emitting diode chip has a bump pad formed on the lower surface thereof. The light transmitting member covers the side surfaces and the upper surface of the light emitting diode chip, and the upper surface of the light transmitting member has a rectangular shape having long sides and short sides. The conductive adhesive member is formed to extend through the white barrier member from the bottom of the light emitting diode chip. The upper surface of the conductive adhesive member is connected to the bump pad of the light emitting diode chip, and the lower surface of the conductive adhesive member is exposed at the lower surface of the white barrier member.
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Ko, Miso
Ban, Hee Jeong
Choi, Eunmi
Abrégé
A light source module according to the present invention includes a light emitting diode package, which includes a substrate, a first upper electrode and a second upper electrode disposed on an upper surface of the substrate, a light emitting structure disposed on an upper surface of the first upper electrode and electrically connected to the first and second upper electrodes, and a wavelength conversion portion disposed corresponding to a light emitting region on an upper surface of the light emitting structure, a first lower electrode and a second lower electrode disposed on a lower surface of the substrate and electrically connected to the first and second upper electrodes, respectively, and a heat dissipation pad disposed on a lower surface of the substrate to be spaced apart from the first and second lower electrodes.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Ban, Heejeong
Ko, Miso
Choi, Eunmi
Abrégé
A light source module according to the present invention comprises a light-emitting diode package, wherein the light-emitting diode package comprises: a substrate; a first upper electrode and a second upper electrode arranged on the top surface of the substrate; a light-emitting structure arranged on the top surface of the first upper electrode and electrically connected to the first upper electrode and the second upper electrode; a wavelength conversion unit arranged to correspond to a light-emitting region of the top surface of the light-emitting structure; a first lower electrode and a second lower electrode arranged on the bottom surface of the substrate and electrically connected to the first upper electrode and the second upper electrode respectively; and a heat dissipation pad arranged on the bottom surface of the substrate to be spaced apart from the first lower electrode and the second lower electrode.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
F21K 9/238 - Agencement ou montage d’éléments de circuit intégrés dans la source lumineuse
F21V 29/503 - Dispositions de refroidissement caractérisées par l’adaptation au refroidissement de composants spécifiques de sources lumineuses
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Song, Young Jun
Kim, Da Hye
Jung, Seoung Ho
Abrégé
A backlight unit includes one or more light sources operable to emit light and a light guide plate arranged adjacent to the one or more light sources, reflected lights exiting the one or more light sources via the second surfaces and entering the light guide plate. A light source includes a light emitting device having a substrate and a semiconductor stack disposed on the substrate. The reflector is structured and positioned to block light emitted from a first surface of the light emitting device by reflecting the light emitted from the first surface toward second surfaces of the light source.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p. ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p. ex. des polariseurs ou des réflecteurs
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
91.
Display apparatus and manufacturing method thereof
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Takeya, Motonobu
Kim, Young Hyun
Abrégé
A display apparatus including a panel substrate, and a light emitting source disposed on the panel substrate, in which the light emitting source includes a substrate, an electrode disposed on the substrate, a light emitting structure disposed on the electrode and having an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, an n-type electrode, and a p-type electrode, a transparent electrode disposed on the light emitting structure, and an adhesive layer disposed on the light emitting structure, the n-type electrode is electrically connected to the electrode, the p-type electrode is electrically connected to the transparent electrode, and the adhesive layer is disposed between the p-type electrode and the transparent electrode.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
H05B 33/14 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
H10D 86/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT]
H10D 86/60 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples transistors en couches minces [TFT] les transistors TFT étant dans des matrices actives
H10H 20/812 - Corps ayant des structures ou des superréseaux à effet quantique, p. ex. jonctions tunnel au sein des régions électroluminescentes, p. ex. structures de confinement quantique
H10H 20/825 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP contenant de l’azote, p. ex. GaN
H10H 20/831 - Électrodes caractérisées par leur forme
H10H 20/851 - Moyens de conversion de la longueur d’onde
H10H 20/855 - Moyens de mise en forme du champ optique, p. ex. lentilles
H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
H10H 29/14 - Dispositifs intégrés comprenant au moins un composant émetteur de lumière à semi-conducteurs couvert par le groupe comprenant plusieurs composants émetteurs de lumière à semi-conducteurs
92.
Light emitting device, light emitting diode package, backlight unit, and liquid crystal display
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kim, Eun Ju
Abrégé
A display apparatus including a display panel, and a backlight to provide light toward the display panel, the backlight including a circuit board, an optical layer disposed on the circuit board, at least one light emitter disposed between the circuit board and the optical layer and including a light emitting structure disposed on the circuit board and having first and second conductivity type semiconductor layers and an active layer therebetween, first and second electrode pads electrically connected to the first and second conductivity type semiconductor layers, respectively, a reflector on the light emitting structure, a light transmitting layer disposed on the circuit board and contacting the light emitter, and a dam disposed on the circuit board and surrounding the light emitter and including a portion having a curved shape.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Han, Bo Yong
Abrégé
A light-emitting diode package is provided. The light-emitting diode package according to an embodiment comprises: a pair of leads; a housing surrounding the leads; a light-emitting diode electrically connected to the leads; and a sealing resin covering the light-emitting diode, wherein the sealing resin is spaced apart from the leads.
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
94.
LIGHT-EMITTING DEVICE, LIGHT-EMITTING PACKAGE, AND APPARATUS COMPRISING SAME
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Ko, Miso
Lee, Myung Hee
Lee, Chunghoon
Abrégé
The present invention relates to a light-emitting device, a light-emitting device package and a backlight unit comprising same. The light-emitting device for emitting light in the blue wavelength band, according to one embodiment of the present invention, may comprise a light generation layer and electrodes. The light generation layer can comprise a first semiconductor layer, a second semiconductor layer and an active layer formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. In addition, the electrodes can comprise a first electrode electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer. With respect to the light-emitting device, the amount of light in a chromatically degraded band can be lower than the amount of light in other wavelength bands.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lee, Chung Hoon
Abrégé
A headlamp device includes a headlamp, an object detector, and a controller. The headlamp is mounted on a vehicle and includes a light emitting unit composed of multiple light emitting cells. The object detector detects an object around the vehicle and generates an object detection signal including object coordinates corresponding to a location of the detected object. The controller controls light of the headlamp based on information on the object coordinates. The controller may control the light emitting unit such that at least some light emitting cells are turned off according to an object detection signal. Each of multiple light emitting units includes a circuit board, the multiple light emitting cells separated from each other on the circuit board, a molding member formed between the light emitting structures, and a protective member formed on the molding member to surround sides of the multiple wavelength conversion members while filling a gap between the multiple wavelength conversion members
F21S 41/663 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. phares caractérisés par une distribution lumineuse variable par action sur des sources lumineuses par commutation de sources lumineuses
F21S 41/153 - Diodes électroluminescentes [LED] disposées sur une ou plusieurs lignes disposées dans une matrice
F21S 41/176 - Sources lumineuses où la lumière est générée par un matériau photoluminescent espacé par rapport à un élément générateur de lumière primaire
96.
LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND LIGHTING FIXTURE HAVING SAME
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Han, Bo Yong
Abrégé
Provided are a light-emitting element and a lighting fixture having same. A light-emitting element according to one embodiment comprises: a first light-emitting diode chip emitting light having a first peak wavelength; a second light-emitting diode chip emitting light having a second peak wavelength longer than the first peak wavelength; a first wavelength conversion material that is disposed on the first light-emitting diode chip and converts the wavelength of the light emitted from the first light-emitting diode chip; and a second wavelength conversion material that is disposed on the second light-emitting diode chip and converts the wavelength of the light emitted from the second light-emitting diode chip. The peak wavelength of the excitation spectrum of the first wavelength conversion material is closer to a first peak wavelength than a second peak wavelength, and the peak wavelength of the excitation spectrum of the second wavelength conversion material is closer to the second peak wavelength than the first peak wavelength. Light that travels from the first light-emitting diode chip to the second wavelength conversion material is blocked, and light that travels from the second light-emitting diode chip to the first wavelength conversion material is blocked.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
F21K 9/00 - Sources lumineuses utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en tant qu’éléments générateurs de lumière, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] ou des lasers
97.
Light emitting diode and light emitting module comprising the same
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kim, Bang Hyun
Seo, Young Hye
Lee, Jae Ho
Lee, Jong Min
Jung, Seoung Ho
Jeong, Eui Sung
Abrégé
A light device including a substrate, and first and second light emitters spaced apart from each other, and a power source to control the first light emitter and the second light emitter, in which the first and second light emitters include a light emitting region, a wavelength conversion layer disposed on the light emitting region, and a lateral reflection layer covering a region of a side of the light emitting region and the wavelength conversion layer, the first light emitter and the second light emitter are configured to output the same or different magnitudes of power by receiving the same or different magnitudes of current, the first and second light emitters are respectively configured to emit first light and second light, the first light emitter is electrically connected to the second light emitter through a common electrode.
H10H 20/813 - Corps ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p. ex. LED à jonctions multiples ou dispositifs émetteurs de lumière ayant des régions photoluminescentes au sein des corps
G02B 3/08 - Lentilles simples ou composées à surfaces non sphériques à surfaces discontinues, p. ex. lentille de Fresnel
H10H 20/819 - Corps caractérisés par leur forme particulière, p. ex. substrats incurvés ou tronqués
H10H 20/851 - Moyens de conversion de la longueur d’onde
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Takeya, Motonobu
Son, Sung Su
Hong, Seung Sik
Abrégé
A display including a base and a plurality of light sources disposed on the base, at least one of the light sources including a first interconnect and one or more second interconnects, and a plurality of mounting regions on which a plurality of sub-light emitting devices is to be mounted, in which a first region of each of the plurality of mounting regions is electrically connected to the first interconnect, a second region of each of the plurality of mounting regions is electrically connected to one of the one or more second interconnects, and at least one of the plurality of sub-light emitting devices mounted on the plurality of mounting regions is configured to emit light of different wavelength.
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Lee, Do Kwang
Hwang, Seok Min
Abrégé
According to one aspect of the present invention, a light-emitting device may be provided, the light-emitting device comprising: a base substrate; a plurality of light-emitting cells which are disposed on the surface of the base substrate and generate light; a plurality of connection metal layers for connecting the plurality of light-emitting cells so that the plurality of light-emitting cells are electrically connected in series; a plurality of bump pads respectively stacked on the plurality of connection metal layers; and a control unit which applies current to at least some of the plurality of bump pads so that light is generated from at least one of the plurality of light-emitting cells.
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
Seoul Semiconductor Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
Son, Jung Hun
Kim, Hye In
Abrégé
A light-emitting device according to one embodiment of the present invention comprises: a substrate; a plurality of light-emitting diode chips positioned on the substrate; a plurality of light-transmitting layers positioned on the top surfaces of the plurality of light-emitting diode chips; a sidewall portion surrounding the plurality of light-emitting diode chips and the plurality of light-transmitting layers; and a first groove positioned on the top surface of at least a portion of the sidewall portion positioned between the light-transmitting layers, wherein the first groove has a width smaller than a shortest width from an adjacent light-transmitting layer to the first groove and has a depth smaller than the thickness of the closest light-transmitting layer.
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe