A method for manufacturing an electronic device includes forming, at a front side of a solid body of 4H-SiC having a first electrical conductivity, at least one implanted region having a second electrical conductivity opposite to the first electrical conductivity; forming, on the front side, a 3C-SiC layer; and forming, in the 3C-SiC layer, an ohmic contact region which extends through the entire thickness of the 3C-SiC layer, up to reaching the implanted region. A silicon layer may be present on the 3C-SiC layer; in this case, the ohmic contact also extends through the silicon layer.
H10D 62/832 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé étant des matériaux du groupe IV comprenant deux éléments ou plus, p. ex. SiGe
A semiconductor chip has a top metal layer with a passivation over an outer surface and including a first region and a second region. The passivation is fully removed from the first region and a contact layer for electrical wafer sorting probes is formed over the first region having the passivation fully removed therefrom. The passivation is initially only partly removed from the second region to protect the top met layer. Later, a remaining portion of the passivation is fully removed at the second region. Then, top metal layer at the second region provides a growth region for growing electrically conductive material over the second region.
Semiconductor chips to be singulated to individual semiconductor devices are arranged onto respective adjacent areas of a mounting substrate such as a pre-molded leadframe. The mounting substrate is made of a laminar, electrically conductive sculptured structure with molded electrically insulating material. Electrically conductive side formations in the adjacent areas of the mounting substrate include first and second pads at front and back surfaces, respectively, of the mounting substrate. The first contact pads at the front surface of the substrate include narrowed portions having side recesses. The second contact pads at the back surface of the substrate include widened portions having side extensions adjacent the side recesses. The electrically insulating material extends into the side recesses to provide anchoring formations of the insulating material to the electrically conductive sculptured structure of the mounting substrate.
Semiconductor chips are arranged on an elongated substrate and encapsulated by an insulating encapsulation. Electrically conductive formations and electrically conductive plating lines are plated on the insulating encapsulation using, for example, Laser Direct Structuring (LDS) or Direct Copper Interconnect (DCI) material. The electrically conductive plating lines include first transverse plating lines as well as second plating lines branching out from the first plating lines towards the electrically conductive formations. A first partial cutting step is then performed to form grooves which remove the first plating lines. An insulating material is dispensed in the grooves to encapsulate the end portions of the second plating lines. A second cutting step median along the groove and through the elongate substrate is performed to produce singulated semiconductor devices (such as “die pad up” Quad-Flat No-lead (QFN) packages). End portions of the second plating lines are encapsulated by the insulating material.
A PWM signal generator circuit includes a multiphase clock generator that generates a number n of phase-shifted clock phases having the same clock period and being phase shifted by a time corresponding to a fraction 1/n of the clock period. The PWM signal generator circuit determines for each switch-on duration first and second integer numbers, and for each switch-off duration third and fourth integer numbers. The first integer number is indicative of the integer number of clock periods of the switch-on duration and the second integer number is indicative of the integer number of the additional fractions 1/n of the clock period of the switch-on duration. The third integer number is indicative of the integer number of clock periods of the switch-off duration, and the fourth integer number is indicative of the integer number of the additional fractions 1/n of the clock period of the switch-off duration.
H03K 3/017 - Réglage de la largeur ou du rapport durée période des impulsions
H03K 5/04 - Mise en forme d'impulsions par augmentation de duréeMise en forme d'impulsions par diminution de durée
H03K 5/05 - Mise en forme d'impulsions par augmentation de duréeMise en forme d'impulsions par diminution de durée par l'utilisation de signaux d'horloge ou d'autres signaux de référence de temps
H03L 7/08 - Détails de la boucle verrouillée en phase
6.
SILVER NANOPARTICLES SYNTHESIS METHOD FOR LOW TEMPERATURE AND PRESSURE SINTERING
The disclosure is directed to wide band-gap semiconductor devices, such as power devices based on silicon carbide or gallium nitride materials. A power device die is attached to a carrier substrate or a base using sintered silver as a die attachment material or layer. The carrier substrate is, in some embodiments, copper plated with silver. The sintered silver die attachment layer is formed by sintering silver nanoparticle paste under a very low temperature, for example, lower than 200° C. and in some embodiments at about 150° C., and with no external pressures applied in the sintering process. The silver nanoparticle is synthesized through a chemical reduction process in an organic solvent. After the reduction process has completed, the organic solvent is removed through evaporation with a flux of inert gas being injected into the solution.
B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
In an electronic device, a pulse generator receives an input signal and a clock signal and produces a transmission signal that includes a pulse following each edge of the input signal and of the clock signal. The pulse is low when the input signal is low and high when the input signal is high. A transmitter produces, at its two output nodes, a replica of the transmission signal and the complement of the transmission signal. A galvanic isolation barrier is coupled to the output nodes of the transmitter and produces a differential signal that includes a positive spike at each rising edge of the transmission signal and a negative spike at each falling edge of the transmission signal.
H03K 17/605 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors bipolaires avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie
H03K 5/133 - Dispositions ayant une sortie unique et transformant les signaux d'entrée en impulsions délivrées à des intervalles de temps désirés utilisant une chaîne de dispositifs actifs de retard
A manufacturing process forms an HEMT device. For the manufacturing process includes forming, from a wafer of silicon carbide having a surface, an epitaxial layer of silicon carbide on the surface of the wafer A semiconductive heterostructure is formed on the epitaxial layer, and the wafer of silicon carbide is removed.
H10D 30/47 - Transistors FET ayant des canaux à gaz de porteurs de charge de dimension nulle [0D], à une dimension [1D] ou à deux dimensions [2D] ayant des canaux à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p. ex. transistors FET à nanoruban ou transistors à haute mobilité électronique [HEMT]
H10D 62/832 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé étant des matériaux du groupe IV comprenant deux éléments ou plus, p. ex. SiGe
9.
METHOD AND APPARATUS FOR MANAGING WAVEFORM DATA AND DELAYS IN A WAVEFORM GENERATOR
A signal decode circuit is coupled to a buffer for each signal channel. A memory includes a shared area configured to store waveform data sets, each waveform data set including a sequence of coded waveform values specifying waveform step states. The shared area further stores delay data sets, each delay data set including a digital delay value for each signal channel defining a delay profile. A signal pointer addresses the shared area to read one waveform data set from the memory with the sequence of coded waveform values being selectively loaded into one or more of the buffers. A delay pointer addresses the shared area to read one delay data set from the memory with the digital delay values used to control delayed actuation of the signal decode circuits to decode the sequence of coded waveform values from the buffers and generate waveform signals in accordance with the delay profile.
A61B 8/00 - Diagnostic utilisant des ondes ultrasonores, sonores ou infrasonores
B06B 1/02 - Procédés ou appareils pour produire des vibrations mécaniques de fréquence infrasonore, sonore ou ultrasonore utilisant l'énergie électrique
G01S 7/52 - Détails des systèmes correspondant aux groupes , , de systèmes selon le groupe
G01S 15/89 - Systèmes sonar, spécialement adaptés à des applications spécifiques pour la cartographie ou la représentation
G06F 1/03 - Générateurs de fonctions numériques travaillant, au moins partiellement, par consultation de tables
G06F 3/06 - Entrée numérique à partir de, ou sortie numérique vers des supports d'enregistrement
G06F 12/00 - Accès à, adressage ou affectation dans des systèmes ou des architectures de mémoires
G06F 12/0802 - Adressage d’un niveau de mémoire dans lequel l’accès aux données ou aux blocs de données désirés nécessite des moyens d’adressage associatif, p. ex. mémoires cache
G10K 11/34 - Procédés ou dispositifs pour transmettre, conduire ou diriger le son pour focaliser ou pour diriger le son, p. ex. balayage par commande électrique de systèmes de transducteurs, p. ex. en dirigeant un faisceau acoustique
10.
Constant on-time buck converter with internal ramp compensation for improved load transient performance
A switched-mode power supply includes: a Buck converter; and a control circuit for the Buck converter, which includes: a switching unit configured to generate a switching control signal based on a feedback voltage of the Buck converter and a compensation ramp voltage; a transconductance amplifier, where a first input terminal and a second input terminal of the transconductance amplifier are configured to receive a reference voltage and the feedback voltage, respectively; a switch coupled between an output terminal of the transconductance amplifier and a first node, where the switching unit is coupled between the first node and the Buck converter; a compensation control circuit coupled to a control terminal of the switch and configured to open or close the switch based on a first signal representative of a current flowing through an inductor of the Buck converter; and a ramp signal generator configured to generate the compensation ramp voltage.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
The present disclosure relates to a device comprising a first transistor and a first circuit comprising first and second terminals, the first circuit being configured to generate a first voltage representing the temperature of the first transistor, a first terminal of the first circuit being coupled to the drain of the first transistor.
H03K 17/0812 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de commande
H03K 17/08 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
H10D 89/60 - Dispositifs intégrés comprenant des dispositions pour la protection électrique ou thermique, p. ex. circuits de protection contre les décharges électrostatiques [ESD].
12.
ENERGY-AUTONOMOUS BATTERY-FREE SYSTEM FRO SMART IRRIGATION
An irrigation system includes a fluid-inlet, a first fluid-path coupled to the fluid-inlet and having a first valve for controlling fluid-flow, and a second fluid-path coupled to the fluid-inlet and having a second valve for controlling fluid-flow. Fluid flow through a power harvester coupled to the second fluid-path causes generation of electricity. An energy storage device stores the generated electricity. A sensor measures the energy stored in the energy storage device. A controller is coupled to the sensor, the first valve, and the second valve. The controller determines if the stored energy is below a threshold, to open the second valve to allow fluid-flow through the second fluid-path and activate the power harvester when the stored energy is below the threshold, to close the second valve when the stored energy reaches or exceeds the threshold, and to control the first valve independently of the electricity generation to regulate irrigation.
H02K 7/18 - Association structurelle de génératrices électriques à des moteurs mécaniques d'entraînement, p. ex. à des turbines
H02N 2/18 - Machines électriques en général utilisant l'effet piézo-électrique, l'électrostriction ou la magnétostriction fournissant une sortie électrique à partir d'une entrée mécanique, p. ex. générateurs
13.
SYSTEM AND METHOD FOR POWER MODULE DEFECT DETECTION
In an embodiment, a method includes: capturing a first image of a power module, the power module including a power electronics circuit, the power electronics circuit including power semiconductor dies; identifying positions of the power semiconductor dies in the first image with a die detection model; extracting second images of the power semiconductor dies from the first image according to the positions of the power semiconductor dies in the first image; and identifying defects of the power semiconductor dies in the second images with a defect detection model, the defect detection model being different from the die detection model.
A pre-molded leadframe includes a laminar structure having empty spaces therein and a first thickness with a die pad having opposed first and second die pad surfaces. Insulating pre-mold material is molded onto the laminar structure. The pre-mold material penetrates the empty spaces and provides a laminar pre-molded substrate having the first thickness with the first die pad surface left exposed. The die pad has a second thickness that is less than the first thickness. One or more pillar formations are provided protruding from the second die pad surface to a height equal to a difference between the first and second thicknesses. With the laminar structure clamped between surfaces of a mold, the first die pad surface and pillar formations abut against the mold surfaces. The die pad is thus effectively clamped between the clamping surfaces countering undesired flashing of the pre-mold material over the first die pad surface.
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
According to an aspect, a method is proposed for defining placements, in a volatile memory, of temporary scratch buffers used during an execution of an artificial neural network, the method comprising: determining an execution order of layers of the neural network, defining placements, in a heap memory zone of the volatile memory, of intermediate result buffers generated by each layer, according to the execution order of the layers, determining at least one free area of the heap memory zone over the execution of the layers, defining placements of temporary scratch buffers in the at least one free area of the heap memory zone according to the execution order of the layers.
G06N 3/063 - Réalisation physique, c.-à-d. mise en œuvre matérielle de réseaux neuronaux, de neurones ou de parties de neurone utilisant des moyens électroniques
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (France)
STMicroelectronics (Crolles 2) SAS (France)
STMicroelectronics S.r.l. (Italie)
STMicroelectronics (Rousset) SAS (France)
UNIVERSITE D'AIX MARSEILLE (France)
Inventeur(s)
Della Marca, Vincenzo
Melul, Franck
La Rosa, Francesco
Niel, Stephan
Regnier, Arnaud
Conte, Antonino
Miridi, Nadia
Abrégé
The present disclosure relates to a memory cell (1) and to a method of erasing the memory cell (1). The memory cell comprises a doped well (100) of a first conductivity type and a transistor (T). Transistor (T) comprises a doped first region (106) of a second conductivity type opposite to the first conductivity type, the first doped region extending in the doped well (100); a buried doped channel (118) of the second conductivity type extending in the doped well (100); and a gate stack (108) resting on the doped well (100), above the buried doped channel (118). The gate stack (108) comprises a first layer (110) adapted to trap charges, a second insulating layer (112) resting on the first layer and a third conductive layer (114) resting on the second layer.
H10B 41/30 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire
G11C 16/04 - Mémoires mortes programmables effaçables programmables électriquement utilisant des transistors à seuil variable, p. ex. FAMOS
G11C 16/10 - Circuits de programmation ou d'entrée de données
G11C 16/14 - Circuits pour effacer électriquement, p. ex. circuits de commutation de la tension d'effacement
A substrate made of doped single-crystal silicon has an upper surface. A doped single-crystal silicon layer is formed by epitaxy on top of and in contact with the upper surface of the substrate. Either before or after forming the doped single-crystal silicon layer, and before any other thermal treatment step at a temperature in the range from 600° C. to 900° C., a denuding thermal treatment is applied to the substrate for several hours. This denuding thermal treatment is at a temperature higher than or equal to 1,000° C.
H10D 84/03 - Fabrication ou traitement caractérisés par l'utilisation de technologies basées sur les matériaux utilisant une technologie du groupe IV, p. ex. technologie au silicium ou au carbure de silicium [SiC]
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage
H10D 84/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou avec au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET avec des transistors BJT
18.
POWER SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A DOUBLE ISLAND SURFACE MOUNT PACKAGE
A power semiconductor device including a first and second die, each including a plurality of conductive contact regions and a passivation region including a number of projecting dielectric regions and a number of windows. Adjacent windows are separated by a corresponding projecting dielectric region with each conductive contact region arranged within a corresponding window. A package of the surface mount type houses the first and second dice. The package includes a first bottom insulation multilayer and a second bottom insulation multilayer carrying, respectively, the first and second dice. A covering metal layer is arranged on top of the first and second dice and includes projecting metal regions extending into the windows to couple electrically with corresponding conductive contact regions. The covering metal layer moreover forms a number of cavities, which are interposed between the projecting metal regions so as to overlie corresponding projecting dielectric regions.
Merged-PiN-Schottky, MPS, device comprising: a solid body having a first electrical conductivity; an implanted region extending into the solid body facing a front side of the solid body, having a second electrical conductivity opposite to the first electrical conductivity; and a semiconductor layer extending on the front side, of a material which is a transition metal dichalcogenide, TMD. A first region of the semiconductor layer has the second electrical conductivity and extends in electrical contact with the implanted region, and a second region of the semiconductor layer has the first electrical conductivity and extends adjacent to the first region and in electrical contact with a respective surface portion of the front side having the first electrical conductivity.
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
H10D 62/832 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé étant des matériaux du groupe IV comprenant deux éléments ou plus, p. ex. SiGe
H10D 62/85 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs
H10D 64/62 - Électrodes couplées de manière ohmique à un semi-conducteur
According to an embodiment, a system is proposed for predicting future drain-to-source resistance values of a power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET). The system includes a current sensing circuit configured to extract a drain current of the power MOSFET during a transient or switching phase of the power MOSFET; a conditioning circuit configured to extract a drain-to-source voltage of the power MOSFET during the transient or switching phase of the power MOSFET; and a machine learning model configured to receive the drain current and the drain-to-source voltage of the power MOSFET as inputs, and determine future drain-to-source resistance values of the power MOSFET using the machine learning model based on the extracted drain current and the drain-to-source voltage of the power MOSFET, wherein a fault condition of the power MOSFET is signaled in response to the predicted future drain-to-source resistance values exceeding a threshold.
G01R 31/26 - Test de dispositifs individuels à semi-conducteurs
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
21.
System and method for attaching an integrated circuit card to a communication network
In accordance with an embodiment, a method includes: receiving a notification of a network loss from a mobile communication network, the notification comprising a current network loss cause; selecting a network loss event duration estimate among a plurality of network loss event duration estimates stored on an integrated circuit card and indexed according to a corresponding plurality of network loss cause indices; selecting a stored profile of a plurality of stored profiles on the integrated circuit card based on the selected network loss event duration estimate, wherein the plurality of stored profiles are associated with user subscriptions; and attaching to the mobile communication network using the selected stored profile when the selected stored profile is not already enabled.
H04W 8/18 - Traitement de données utilisateur ou abonné, p. ex. services faisant l'objet d'un abonnement, préférences utilisateur ou profils utilisateurTransfert de données utilisateur ou abonné
H04W 60/04 - Rattachement à un réseau, p. ex. enregistrementSuppression du rattachement à un réseau, p. ex. annulation de l'enregistrement utilisant des événements déclenchés
22.
THERMOGRAPHIC SENSOR WITH THERMAL TRANSISTORS DRIVEN BY THERMO-COUPLES
A thermographic sensor is proposed. The thermographic sensor includes one or more thermo-couples, each for providing a sensing voltage depending on a difference between a temperature of a hot joint and a temperature of a cold joint of the thermo-couple; the thermographic sensor further comprises one or more sensing transistors, each driven according to the sensing voltages of one or more corresponding thermo-couples for providing a sensing electrical signal depending on its temperature and on the corresponding sensing voltages. A thermographic device including the thermographic sensor and a corresponding signal processing circuit, and a system including one or more thermographic devices are also proposed.
An embodiment buck converter control circuit comprises an error amplifier configured to generate an error signal based on a feedback signal and a reference signal, a pulse generator circuit configured to generate a pulsed signal having switching cycles set to high and low as a function of the error signal, a driver circuit configured to generate a drive signal for an electronic switch of the buck converter as a function of the pulsed signal, a variable load, connected between two output terminals of the buck converter, configured to absorb a current based on a control signal, and a detector circuit configured to monitor a first signal indicative of an output current provided by the buck converter and a second signal indicative of a negative transient of the output current, and verify whether the second signal indicates a negative transient of the output current.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation
24.
METHOD OF OPERATING BATTERY MANAGEMENT SYSTEMS, CORRESPONDING DEVICE AND VEHICLE
A method can be used to control a battery management system. A first voltage drop is sensed between a first terminal of a first battery cell and a second terminal of the first battery cell and a second voltage drop is sensed between a first terminal of a second battery cell and a second terminal of the second battery cell. A faulty condition is detected in the first battery cell or the second battery cell based on the first voltage drop or the second voltage drop. The first voltage drop is swapped for a first swapped voltage drop between a common terminal and the second terminal of the second battery cell.
G01R 31/396 - Acquisition ou traitement de données pour le test ou la surveillance d’éléments particuliers ou de groupes particuliers d’éléments dans une batterie
B60K 6/28 - Agencement ou montage de plusieurs moteurs primaires différents pour une propulsion réciproque ou commune, p. ex. systèmes de propulsion hybrides comportant des moteurs électriques et des moteurs à combustion interne les moteurs primaires étant constitués de moteurs électriques et de moteurs à combustion interne, p. ex. des VEH caractérisés par des appareils, des organes ou des moyens spécialement adaptés aux VEH caractérisés par les moyens d'accumulation d'énergie électrique, p. ex. les batteries ou les condensateurs
B60L 3/00 - Dispositifs électriques de sécurité sur véhicules propulsés électriquementContrôle des paramètres de fonctionnement, p. ex. de la vitesse, de la décélération ou de la consommation d’énergie
B60L 50/60 - Propulsion électrique par source d'énergie intérieure au véhicule utilisant de la puissance de propulsion fournie par des batteries ou des piles à combustible utilisant de l'énergie fournie par des batteries
B60L 58/20 - Procédés ou agencements de circuits pour surveiller ou commander des batteries ou des piles à combustible, spécialement adaptés pour des véhicules électriques pour la surveillance et la commande des batteries de plusieurs modules de batterie ayant différentes tensions nominales
H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
An electronic cell includes an integrated stack of structures including, successively: a first electrode; an ovonic threshold switch layer below the first electrode; and a fixed resistor below the ovonic threshold switch layer. A second electrode may be included between fixed resistor and the ovonic threshold switch layer. A memory layer, for example a phase change material layer, a resistive random-access memory layer or a magneto-resistive random-access memory layer, may be included between the first electrode and the ovonic threshold switch layer.
In accordance with an embodiment, a hard disk drive includes voice coil motors (VCMs) coupled to respective control units configured to drive retract an operation of the VCMs in the hard disk drive. The retract operation of the VCMs includes a sequence of retract steps. The control units are allotted respective time slots for communication over a communication line with the respective time slots synchronized via the common clock line, and are configured to drive sequences of retract steps of the VCMs in the hard disk drive in a timed relationship.
An embedded electronic system includes a volatile memory and a processor configured to execute a low-level operating system that manages allocation of areas of the volatile memory to a plurality of high-level operating systems. Each high-level operating system executes one or more applications. The system is configured so that execution data of one or a plurality of tasks of a first application are partly transferred, by the low-level operating system, from the volatile memory to a non-volatile memory when the execution of the task of the first application is interrupted by the execution of a task of a second application. The system is also configured so that the applications of any one of the high-level operating systems do not have access to the areas of the volatile memory allocated to the applications of all the other high-level operating systems.
G06F 21/53 - Contrôle des utilisateurs, des programmes ou des dispositifs de préservation de l’intégrité des plates-formes, p. ex. des processeurs, des micrologiciels ou des systèmes d’exploitation au stade de l’exécution du programme, p. ex. intégrité de la pile, débordement de tampon ou prévention d'effacement involontaire de données par exécution dans un environnement restreint, p. ex. "boîte à sable" ou machine virtuelle sécurisée
G06F 12/0842 - Systèmes de mémoire cache multi-utilisateurs, multiprocesseurs ou multitraitement pour multitraitement ou multitâche
G06F 12/14 - Protection contre l'utilisation non autorisée de mémoire
G06F 13/16 - Gestion de demandes d'interconnexion ou de transfert pour l'accès au bus de mémoire
28.
CONTROL DEVICE FOR A SWITCHING VOLTAGE REGULATOR HAVING IMPROVED CONTROL PERFORMANCE AND CONTROL METHOD
Provided is a control device is for a switching voltage regulator having a switching circuit. The control device receives input and output voltages of the switching circuit and a measurement signal indicative of a current of the switching circuit. The control device has: a feedback module that detects an error signal indicative of a difference between the output voltage and a nominal voltage, and provides a control signal as a function of the error signal; a threshold-correction module that provides offset and ramp signals; and a driving-signal generation module coupled to the feedback and threshold-correction modules, which receives the measurement signal, compares the measurement signal with a threshold and, in response, provides a modulated signal for driving the switching circuit. The threshold is a function of the control, offset and ramp signals. The threshold-correction module provides the offset signal as a function of the input or output voltages.
According to an embodiment, a circuit includes a core and low-frequency recovery circuits. The core circuit is configured to bias a resistive sensor used to measure a fly height of a hard disk drive. The core circuit is additionally configured to amplify a high-frequency component of a sensing signal of the resistive sensor, the sensing signal indicating the fly height. The low-frequency recovery circuit is configured to amplify the sensing signal's low-frequency component.
G01B 7/14 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour mesurer la distance ou la marge entre des objets ou des ouvertures espacés
G11B 27/36 - Contrôle, c.-à-d. surveillance du déroulement de l'enregistrement ou de la reproduction
H03F 3/16 - Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec dispositifs à effet de champ
30.
ELECTRONIC MODULE FOR GENERATING LIGHT PULSES FOR LIDAR APPLICATIONS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE ELECTRONIC MODULE
An electronic module for generating light pulses includes an electronic card or interposer, a LASER-diode lighting module, and a LASER-diode driver module. The interposer has an edge recess in which the lighting module is completely inserted. The driver module is arranged on top of the interposer and the lighting module. The electrical connections for driving the LASER diodes are obtained without resorting to wire bonding in order to reduce the parasitic inductances.
H01S 5/062 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p. ex. en agissant sur le milieu actif en faisant varier le potentiel des électrodes
H01S 5/0683 - Stabilisation des paramètres de sortie du laser en surveillant les paramètres optiques de sortie
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
31.
CONTROL CIRCUIT FOR A SWITCHING STAGE OF AN ELECTRONIC CONVERTER AND CORRESPONDING CONVERTER DEVICE
A control circuit for a switching stage of an electronic converter includes a PWM signal generator that generates a PWM signal to drive the switching stage of the electronic converter. A loop comparator circuit receives the regulated output voltage of the electronic converter and receives a sum signal from an adder circuit. The loop comparator circuit generates a comparison signal having a first or second logic value in response to the regulated output voltage reaching the sum signal or failing to reach the sum signal. The adder circuit generates the sum signal as a sum of a reference voltage and a programmable offset voltage that is generated by a programmable voltage generator based on a digital word signal. A feedback circuit is coupled to the loop comparator circuit and the PWM signal generator, and provides the digital word signal to the programmable voltage generator.
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
A microelectromechanical gyroscope is provided with a detection structure having: a substrate with a top surface parallel to a horizontal plane (xy); a mobile mass, suspended above the substrate to perform, as a function of a first angular velocity (Ωx) around a first axis (x) of the horizontal plane (xy), at least a first detection movement of rotation around a second axis (y) of the horizontal plane; and a first and a second stator elements integral with the substrate and arranged underneath the mobile mass to define a capacitive coupling, a capacitance value thereof is indicative of the first angular velocity (Ωx). The detection structure has a single mechanical anchorage structure for anchoring both the mobile mass and the stator elements to the substrate, arranged internally with respect to the mobile mass, which is coupled to this single mechanical anchorage structure by coupling elastic elements yielding to torsion around the second axis; the stator elements are integrally coupled to the single mechanical anchorage structure in an arrangement suspended above the top surface of the substrate.
G01C 19/5712 - Dispositifs sensibles à la rotation utilisant des masses vibrantes, p. ex. capteurs vibratoires de vitesse angulaire basés sur les forces de Coriolis utilisant des masses entraînées dans un mouvement de rotation alternatif autour d'un axe les dispositifs comportant une structure micromécanique
33.
CONNECTING STRIP FOR DISCRETE AND POWER ELECTRONIC DEVICES
A connecting strip of conductive elastic material having an arched shape having a concave side and a convex side. The connecting strip is fixed at the ends to a support carrying a die with the convex side facing the support. During bonding, the connecting strip undergoes elastic deformation and presses against the die, thus electrically connecting the at least one die to the support.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
34.
CONTROLLER WITH PROTECTION AGAINST CROSS-CONDUCTION FOR AN ELECTRONIC CIRCUIT INCLUDING A PAIR OF SWITCHES AND RELATED CONTROL METHOD
A controller for an electronic circuit that includes a first and a second switch is provided. The controller includes an event detector stage that receives logic electrical signals and a pulse generator circuit, which is coupled to the event detector stage and generates a dead time signal based on edges of the logic electrical signals detected by the event detector stage. The dead time signal includes pulses delimited by an edge of a first type and by a subsequent edge of a second type. A combinatorial sampling circuit generates a first and a second sampled preliminary signal. An update stage updates the values of the first and the second control signals at each pulse of the dead time signal based on the first and the second sampled preliminary signals, subsequently to the edge of the first type or the second type of the pulse of the dead time signal.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
35.
HIGH THERMAL DISSIPATION, PACKAGED ELECTRONIC DEVICE AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF
The packaged power electronic device has a bearing structure including a base section and a transverse section extending transversely to the base section. A die is bonded to the base section of the bearing structure and has a first terminal on a first main face and a second and a third terminal on a second main face. A package of insulating material embeds the semiconductor die, the second terminal, the third terminal and at least partially the carrying base. A first, a second and a third outer connection region are electrically coupled to the first, the second and the third terminals of the die, respectively, are laterally surrounded by the package and face the second main surface of the package. The transverse section of the bearing structure extends from the base section towards the second main surface of the package and has a higher height with respect to the die.
A sensor device includes a passive infrared sensor, a control circuit, and a lens that directs infrared radiation onto the passive infrared sensor. The lens includes an obstruction that asymmetrically blocks transmission of infrared radiation through the lens. The control circuit is configured to determine the direction of crossing of individuals passing in front of the sensor device based on sensor signals from the passive infrared sensor.
G08B 13/193 - Déclenchement influencé par la chaleur, la lumière, ou les radiations de longueur d'onde plus courteDéclenchement par introduction de sources de chaleur, de lumière, ou de radiations de longueur d'onde plus courte utilisant des systèmes détecteurs de radiations passifs utilisant des systèmes détecteurs de radiations infrarouges utilisant des moyens de focalisation
G01J 5/05 - Moyens pour prévenir la souillure des composantes du système optiqueMoyens pour prévenir l’obstruction du chemin des radiations
G01J 5/068 - Dispositions pour éliminer les effets des radiations perturbatricesDispositions pour compenser les changements de la sensibilité par commande de paramètres autres que la température
G01J 5/0806 - Éléments de focalisation ou collimateurs, p. ex. lentilles ou miroirs concaves
G08B 13/19 - Déclenchement influencé par la chaleur, la lumière, ou les radiations de longueur d'onde plus courteDéclenchement par introduction de sources de chaleur, de lumière, ou de radiations de longueur d'onde plus courte utilisant des systèmes détecteurs de radiations passifs utilisant des systèmes détecteurs de radiations infrarouges
37.
DC-DC CONVERTER CIRCUIT AND CORRESPONDING METHOD OF OPERATION
In a multi-level hybrid DC-DC converter with a flying capacitor, a feedback circuit includes a first oscillator and produces a first clock signal with a frequency dependent on an output voltage. A second oscillator produces a second clock signal having a frequency dependent on a reference voltage. A logic circuit switches, as a function of the first and second clock signals, connection of the flying capacitor between one state where the flying capacitor is connected between an input node and a switching node, and another state where the capacitor is connected between the switching node and a ground node. The duty cycle of the first/second clock signal varies so that when the flying capacitor voltage is lower than a target voltage a duration of the one state is increased, and when the flying capacitor voltage is higher than the target voltage a duration of the another state is increased.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
A device for monitoring the health state is made in a chip including a semiconductor die integrating an electric potential sensor and a cardiac parameter determination unit. The potential sensor is configured to detect potential variations on the body of a living being and associated with a heart rhythm and to generate a cardiac signal. The cardiac parameter determination unit is configured to receive the cardiac signal and determine cardiac parameters indicative of a health state. In particular, the cardiac parameter determination unit is configured to detect triggering events and to determine features of the cardiac signal in time windows defined by the triggering events. The die also integrates a decision unit, configured to receive the cardiac parameters and generate a health signal based on a comparison with threshold values. The cardiac parameters include heart rate and QRS-complex.
A control module is used to control a switching buck-boost converter that includes an inductor, a capacitor, a first top switch and a second top switch, a first bottom switch and a second bottom switch and a diode coupled to the second top switch. The control module controls the switching buck-boost converter so as to alternate: first time periods, in which the second top switch is open and cycles of charge and discharge of the inductor are carried out, during which the inductor is traversed by a current that also passes through the diode and charges the capacitor; and second time periods, in which the first and second top switches are open and the first and second bottom switches are closed so that the current in the inductor recirculates, and the capacitor is discharged by a current that flows in the load.
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
40.
4H-SIC ELECTRONIC DEVICE WITH IMPROVED SHORT-CIRCUIT PERFORMANCES, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
An electronic device includes a semiconductor body of silicon carbide, and a body region at a first surface of the semiconductor body. A source region is disposed in the body region. A drain region is disposed at a second surface of the semiconductor body. A doped region extends seamlessly at the entire first surface of the semiconductor body and includes one or more first sub-regions having a first doping concentration and one or more second sub-regions having a second doping concentration lower than the first doping concentration. Thus, the device has zones alternated to each other having different conduction threshold voltage and different saturation current.
H10D 62/10 - Formes, dimensions relatives ou dispositions des régions des corps semi-conducteursFormes des corps semi-conducteurs
H10D 62/832 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé étant des matériaux du groupe IV comprenant deux éléments ou plus, p. ex. SiGe
41.
HEMT TRANSISTOR OF THE NORMALLY OFF TYPE INCLUDING A TRENCH CONTAINING A GATE REGION AND FORMING AT LEAST ONE STEP, AND CORRESPONDING MANUFACTURING METHOD
A method forms an HEMT transistor of the normally off type, including: a semiconductor heterostructure, which comprises at least one first layer and one second layer, the second layer being set on top of the first layer; a trench, which extends through the second layer and a portion of the first layer; a gate region of conductive material, which extends in the trench; and a dielectric region, which extends in the trench, coats the gate region, and contacts the semiconductor heterostructure. A part of the trench is delimited laterally by a lateral structure that forms at least one first step. The semiconductor heterostructure forms a first edge and a second edge of the first step, the first edge being formed by the first layer.
H10D 30/47 - Transistors FET ayant des canaux à gaz de porteurs de charge de dimension nulle [0D], à une dimension [1D] ou à deux dimensions [2D] ayant des canaux à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p. ex. transistors FET à nanoruban ou transistors à haute mobilité électronique [HEMT]
H10D 62/824 - Hétérojonctions comprenant uniquement des hétérojonctions de matériaux du groupe III-V, p. ex. des hétérojonctions GaN/AlGaN
H10D 62/85 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs
H10D 64/27 - Électrodes ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier, à faire osciller ou à commuter, p. ex. grilles
42.
NORMALLY-OFF TRANSISTOR WITH REDUCED ON-STATE RESISTANCE AND MANUFACTURING METHOD
A normally-off electronic device, comprising: a semiconductor body including a heterostructure that extends over a buffer layer; a recessed-gate electrode, extending in a direction orthogonal to the plane; a first working electrode and a second working electrode at respective sides of the gate electrode; and an active area housing, in the on state, a conductive path for a flow of electric current between the first and second working electrodes. A resistive region extends at least in part in the active area that is in the buffer layer and is designed to inhibit the flow of current between the first and second working electrodes when the device is in the off state. The gate electrode extends in the semiconductor body to a depth at least equal to the maximum depth reached by the resistive region.
H10D 30/47 - Transistors FET ayant des canaux à gaz de porteurs de charge de dimension nulle [0D], à une dimension [1D] ou à deux dimensions [2D] ayant des canaux à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p. ex. transistors FET à nanoruban ou transistors à haute mobilité électronique [HEMT]
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H10D 62/17 - Régions semi-conductrices connectées à des électrodes ne transportant pas de courant à redresser, amplifier ou commuter, p. ex. régions de canal
H10D 62/824 - Hétérojonctions comprenant uniquement des hétérojonctions de matériaux du groupe III-V, p. ex. des hétérojonctions GaN/AlGaN
H10D 62/85 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs
H10D 64/23 - Électrodes transportant le courant à redresser, à amplifier, à faire osciller ou à commuter, p. ex. sources, drains, anodes ou cathodes
H10D 64/27 - Électrodes ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier, à faire osciller ou à commuter, p. ex. grilles
At start-up of a microelectromechanical system (MEMS) gyroscope, the drive signal is inhibited, and the phase, frequency and amplitude of any residual mechanical oscillation is sensed and processed to determine a process path for start-up. In the event that the sensed frequency of the residual mechanical oscillation is a spurious mode frequency and a quality factor of the residual mechanical oscillation is sufficient, an anti-phase signal is applied as the MEMS gyroscope drive signal in order to implement an active dampening of the residual mechanical oscillation. A kicking phase can then be performed to initiate oscillation. Also, in the event that the sensed frequency of the residual mechanical oscillation is a resonant mode frequency with sufficient drive energy, a quadrature phase signal with phase lock loop frequency control and amplitude controlled by the drive energy is applied as the MEMS gyroscope drive signal in order to induce controlled oscillation.
G01C 19/5762 - Details de structure ou topologie les dispositifs ayant une seule masse de détection la masse de détection étant reliée à une masse d'entraînement, p. ex. cadres d'entraînement
44.
CIRCUITS AND METHODS FOR DEBOUNCING SIGNALS PRODUCED BY A ROTARY ENCODER
A first input node receives a first input signal and a second input node receives a second input signal. The first and second input signals are in phase quadrature. An edge detector circuit senses the first input signal and produces a pulsed signal indicative of edges detected in the first input signal. A pulse skip and reset circuit senses the pulsed signal and the second input signal, and produces a reset signal indicative of pulses detected in the pulsed signal while the second input signal is de-asserted. A sampling circuit senses the second input signal and the reset signal, and produces an output signal that is deasserted in response to assertion of the second input signal and is asserted in response to a pulse being detected in the reset signal.
H03K 5/1254 - Suppression ou limitation du bruit ou des interférences spécialement adaptée pour les impulsions produites par la fermeture d'interrupteurs, c.-à-d. dispositifs antirebond
G01D 5/347 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens optiques, c.-à-d. utilisant de la lumière infrarouge, visible ou ultraviolette avec atténuation ou obturation complète ou partielle des rayons lumineux les rayons lumineux étant détectés par des cellules photo-électriques en utilisant le déplacement d'échelles de codage
H03K 3/013 - Modifications du générateur en vue d'éviter l'action du bruit ou des interférences
45.
BUCK-BOOST DC-DC CONVERTER CIRCUIT AND CORRESPONDING METHOD OF OPERATION
A buck-boost converter circuit includes a mode selection circuit that asserts a buck enable signal if an input voltage is higher than a lower threshold, and asserts a boost enable signal if the input voltage is lower than an upper threshold. A control circuit asserts a buck PWM signal upon a pulse in a buck clock and de-asserts the buck PWM signal if a buck ramp is higher than a buck control signal, and it keeps the buck PWM signal asserted if the buck enable signal is de-asserted. The control circuit asserts a boost PWM signal upon a pulse in a boost clock and de-asserts the boost PWM signal if a boost ramp is higher than a boost control signal, and it keeps the boost PWM signal de-asserted if the boost enable signal is de-asserted.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
46.
CLOCK GENERATOR CIRCUIT, CORRESPONDING DEVICE AND METHOD
In an embodiment, a method for operating a plurality of delay units include supplying to a first delay unit in a chain an input signal that propagates along delay units in the chain, generating a clock signal as a logic combination of signals input to and output from delay units in the chain and forwarding a feedback signal to the first delay unit in the chain via a first feedback signal path from a last delay unit in the chain to the first delay unit in the chain and a second feedback signal path from an intermediate delay unit in the chain to the first delay unit in the chain, the intermediate delay unit being arranged between the first delay unit and the last delay unit.
H03K 5/14 - Dispositions ayant une sortie unique et transformant les signaux d'entrée en impulsions délivrées à des intervalles de temps désirés par l'utilisation de lignes à retard
H03K 5/00 - Transformation d'impulsions non couvertes par l'un des autres groupes principaux de la présente sous-classe
H03K 19/20 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion caractérisés par la fonction logique, p. ex. circuits ET, OU, NI, NON
H03L 7/08 - Détails de la boucle verrouillée en phase
H03L 7/081 - Détails de la boucle verrouillée en phase avec un déphaseur commandé additionnel
47.
CONTROL CIRCUIT OF A MEMS GYROSCOPE, MEMS GYROSCOPE AND CONTROL METHOD
The control circuit for a MEMS gyroscope is configured to receive a measurement signal which has a quadrature component and a sensing component. The control circuit has: an input stage which acquires an input signal, generating an acquisition signal, where the input signal is a function of the measurement signal and of a quadrature cancellation signal; a processing stage which extracts a first component of the acquisition signal, indicative of the sensing component of the measurement signal and having a sensing frequency band; and a quadrature correction stage which extracts a second component of the acquisition signal, indicative of the quadrature component of the measurement signal, and generates the quadrature cancellation signal from a reference signal. The quadrature cancellation signal is a signal modulated as a function of the second component of the acquisition signal, at an update frequency which is outside the sensing frequency band.
G01C 19/5712 - Dispositifs sensibles à la rotation utilisant des masses vibrantes, p. ex. capteurs vibratoires de vitesse angulaire basés sur les forces de Coriolis utilisant des masses entraînées dans un mouvement de rotation alternatif autour d'un axe les dispositifs comportant une structure micromécanique
G01C 19/5776 - Traitement de signal non spécifique à l'un des dispositifs couverts par les groupes
H03M 3/00 - Conversion de valeurs analogiques en, ou à partir d'une modulation différentielle
48.
HETEROSTRUCTURE OPTOELECTRONIC DEVICE FOR EMITTING AND DETECTING ELECTROMAGNETIC RADIATION, AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF
An optoelectronic device with a semiconductor body that includes: a bottom cathode structure, formed by a bottom semiconductor material, and having a first type of conductivity; and a buffer region, arranged on the bottom cathode structure and formed by a buffer semiconductor material different from the bottom semiconductor material. The optoelectronic device further includes: a receiver comprising a receiver anode region, which is formed by the bottom semiconductor material, has a second type of conductivity, and extends in the bottom cathode structure; and an emitter, which is arranged on the buffer region and includes a semiconductor junction formed at least in part by a top semiconductor material, different from the bottom semiconductor material.
H10F 55/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement couverts par les groupes , ou structurellement associés à des sources lumineuses électriques et électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sources
H10F 30/225 - Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant une seule barrière de potentiel, p. ex. photodiodes la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p. ex. photodiodes à avalanche
H10F 71/00 - Fabrication ou traitement des dispositifs couverts par la présente sous-classe
H10H 20/812 - Corps ayant des structures ou des superréseaux à effet quantique, p. ex. jonctions tunnel au sein des régions électroluminescentes, p. ex. structures de confinement quantique
H10H 20/815 - Corps ayant des structures de relaxation des contraintes, p. ex. des couches tampons
H10H 20/825 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP contenant de l’azote, p. ex. GaN
H10H 20/826 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe IV
Merged-PiN-Schottky, MPS, device comprising: a substrate of SiC with a first conductivity; a drift layer of SiC with the first conductivity, on the substrate; an implanted region with a second conductivity, extending at a top surface of the drift layer to form a junction-barrier, JB, diode with the substrate; and a first electrical terminal in ohmic contact with the implanted region and in direct contact with the top surface to form a Schottky diode with the drift layer. The JB diode and the Schottky diode are alternated to each other along an axis: the JB diode has a minimum width parallel to the axis with a first value, and the Schottky diode has a maximum width parallel to the axis with a second value smaller than, or equal to, the first value. A breakdown voltage of the MPS device is greater than, or equal to, 115% of a maximum working voltage of the MPS device in an inhibition state.
H10D 62/832 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé étant des matériaux du groupe IV comprenant deux éléments ou plus, p. ex. SiGe
A MOS transistor, in particular a vertical channel transistor, includes a semiconductor body housing a body region, a source region, a drain electrode and gate electrodes. The gate electrodes extend in corresponding recesses which are symmetrical with respect to an axis of symmetry of the semiconductor body. The transistor also has spacers which are also symmetrical with respect to the axis of symmetry. A source electrode extends in electrical contact with the source region at a surface portion of the semiconductor body surrounded by the spacers and is in particular adjacent to the spacers. During manufacture the spacers are used to form in an auto-aligning way the source electrode which is symmetrical with respect to the axis of symmetry and equidistant from the gate electrodes.
H10D 64/23 - Électrodes transportant le courant à redresser, à amplifier, à faire osciller ou à commuter, p. ex. sources, drains, anodes ou cathodes
H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
H01L 21/308 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
H10D 30/66 - Transistors FET DMOS verticaux [VDMOS]
H10D 62/17 - Régions semi-conductrices connectées à des électrodes ne transportant pas de courant à redresser, amplifier ou commuter, p. ex. régions de canal
H10D 64/00 - Électrodes de dispositifs ayant des barrières de potentiel
The vertical-conduction electronic power device is formed by a body of wide band gap semiconductor which has a first conductivity type and has a surface, and is formed by a drift region and by a plurality of surface portions delimited by the surface. The electronic device is further formed by a plurality of first implanted regions having a second conductivity type, which extend into the drift region from the surface, and by a plurality of metal portions, which are arranged on the surface. Each metal portion is in Schottky contact with a respective surface portion of the plurality of surface portions so as to form a plurality of Schottky diodes formed by first Schottky diodes and second Schottky diodes, wherein the first Schottky diodes have, at equilibrium, a Schottky barrier having a height different from that of the second Schottky diodes.
H10D 62/832 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé étant des matériaux du groupe IV comprenant deux éléments ou plus, p. ex. SiGe
A system to sanitize a surface includes an emitter. The emitter of the system to sanitize the surface includes: a light source configured to generate light at a sanitizing wavelength; a receiver configured to receive a wireless signal; and a processing circuit for the emitter configured to turn the light source on, turn the light source off, and adjust an intensity of light generated by the light source depending on the wireless signal. The system to sanitize the surface further includes a sensor. The sensor of the system to sanitize the surface includes: a photoelectric transducer configured to convert light at the sanitizing wavelength to a current; and a processing circuit for the sensor powered by the current and in communication with a transmitter to transmit the wireless signal, the processing circuit for the sensor being configured to control emission of the wireless signal depending on a power level supplied by the current.
A61L 2/24 - Appareils utilisant des opérations programmées ou automatiques
A61L 2/10 - Procédés ou appareils de désinfection ou de stérilisation de matériaux ou d'objets autres que les denrées alimentaires ou les lentilles de contactAccessoires à cet effet utilisant des phénomènes physiques des radiations des ultraviolets
G08B 7/06 - Systèmes de signalisation selon plus d'un des groupes Systèmes d'appel de personnes selon plus d'un des groupes utilisant une transmission électrique
G08C 17/02 - Dispositions pour transmettre des signaux caractérisées par l'utilisation d'une voie électrique sans fil utilisant une voie radio
53.
PACKAGED POWER ELECTRONIC DEVICE, IN PARTICULAR BRIDGE CIRCUIT COMPRISING POWER TRANSISTORS, AND ASSEMBLING PROCESS THEREOF
The device has a first support element forming a first thermal dissipation surface and carrying a first power component; a second support element forming a second thermal dissipation surface and carrying a second power component, a first contacting element superimposed to the first power component; a second contacting element superimposed to the second power component; a plurality of leads electrically coupled with the power components through the first and/or the second support elements; and a thermally conductive body arranged between the first and the second contacting elements. The first and the second support elements and the first and the second contacting elements are formed by electrically insulating and thermally conductive multilayers.
H05K 7/20 - Modifications en vue de faciliter la réfrigération, l'aération ou le chauffage
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
54.
POWER MOSFET DEVICE HAVING IMPROVED SAFE-OPERATING AREA AND ON RESISTANCE, MANUFACTURING PROCESS THEREOF AND OPERATING METHOD THEREOF
A power MOSFET device includes an active area accommodating a first body region and a second body region having a first and, respectively, a second conductivity value. The second value is higher than the first value. A first channel region is disposed in the first body region between a first source region and a drain region, and the first channel region has and having a first channel length. A second channel region is disposed in the second body region between a second source region and the drain region, and the second channel region has and having a second channel length smaller than the first channel length. A first device portion, having a first threshold voltage, includes the first channel region, and a second device portion, having a second threshold voltage higher than the first threshold voltage, includes the second channel region.
H10D 62/10 - Formes, dimensions relatives ou dispositions des régions des corps semi-conducteursFormes des corps semi-conducteurs
H10D 62/17 - Régions semi-conductrices connectées à des électrodes ne transportant pas de courant à redresser, amplifier ou commuter, p. ex. régions de canal
H10D 64/00 - Électrodes de dispositifs ayant des barrières de potentiel
55.
TRIMMING PROCEDURE AND CODE REUSE FOR HIGHLY PRECISE DC-DC CONVERTERS
A voltage conversion system provides gain and offset trimming for generating a controlled output voltage. The system includes a digital-to-analog converter (DAC) that generates a reference voltage based on an input code, and a voltage converter that converts an input voltage to an output voltage based on the reference voltage. A first adjustable reference circuit provides a first reference signal to the DAC and a second adjustable reference circuit provides a second reference signal to the DAC. Control circuitry adjusts the first adjustable reference circuit to perform gain trimming of the output voltage and adjusts the second adjustable reference circuit to perform offset trimming of the output voltage. A calibration procedure includes adjusting for both gain and offset, with a two-step approach for positive offset conditions—first incrementing the input code to create a negative offset, then performing offset trimming.
STMicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd. (Singapour)
Inventeur(s)
Sautto, Marco
Fucili, Giona
Lo Muzzo, Valerio
Linggajaya, Kaufik
Abrégé
In accordance with an embodiment, a method of operating a piezoelectric transducer configured to transduce mechanical vibrations into transduced electrical signals at a pair of sensor electrodes includes stimulating a resonant oscillation of the piezoelectric transducer by applying at least one pulse electrical stimulation signal to the pair of sensor electrodes; detecting, at the pair of sensor electrodes, at least one electrical signal resulting from the stimulated resonant oscillation, wherein the at least one electrical signal resulting from the stimulated resonant oscillation oscillates at a resonance frequency of the piezoelectric transducer; measuring a frequency of oscillation of the at least one electrical signal resulting from the stimulated resonant oscillation to obtain a measured resonance frequency of the piezoelectric transducer; and tuning a stopband frequency of a notch filter coupled to the piezoelectric transducer to match the measured resonance frequency of the piezoelectric transducer.
H03H 11/04 - Réseaux sélectifs en fréquence à deux accès
H10N 30/30 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs à entrée mécanique et sortie électrique, p. ex. fonctionnant comme générateurs ou comme capteurs
57.
APPARATUS AND METHODS FOR MESH COMMUNICATION NETWORKS WITH BROADCAST MESSAGES
An embodiment is a method including receiving, by a first device via a mesh communication network, a first broadcast message over a first communication channel, the first broadcast message having a first hop count, receiving, by the first device via the mesh communication network, a second broadcast message over the first communication channel, and determining, by the first device, whether the second broadcast message is a consistent broadcast message with the first broadcast message, the determining including determining, by the first device, whether the first broadcast message has a same originator address as the second broadcast message, and determining, by the first device, whether the second hop count is larger than the first hop count.
A process for manufacturing a vertical conduction MOSFET device including a body of silicon carbide having a first conductivity type and a face. A metallization region extends on the face of the body. A body region of a second conductivity type extends in the body, from the face of the body, along a first direction parallel to the face and along a second direction transverse to the face. A source region of the first conductivity type extends towards the inside of the body region, from the face of the body, and has a first portion and a second portion. The first portion has a first doping level and extends in direct electrical contact with the metallization region. The second portion has a second doping level and extends in direct electrical contact with the first portion of the source region. The second doping level is lower than the first doping level.
H10D 62/13 - Régions semi-conductrices connectées à des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, p. ex. régions de source ou de drain
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
H10D 30/66 - Transistors FET DMOS verticaux [VDMOS]
H10D 62/17 - Régions semi-conductrices connectées à des électrodes ne transportant pas de courant à redresser, amplifier ou commuter, p. ex. régions de canal
H10D 62/832 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé étant des matériaux du groupe IV comprenant deux éléments ou plus, p. ex. SiGe
59.
MEMS INERTIAL SENSOR WITH HIGH RESISTANCE TO STICTION
An inertial structure is elastically coupled through a first elastic structure to a supporting structure so as to move along a sensing axis as a function of a quantity to be detected. The inertial structure includes first and second inertial masses which are elastically coupled together by a second elastic structure to enable movement of the second inertial mass along the sensing axis. The first elastic structure has a lower elastic constant than the second elastic structure so that, in presence of the quantity to be detected, the inertial structure moves in a sensing direction until the first inertial mass stops against a stop structure and the second elastic mass can move further in the sensing direction. Once the quantity to be detected ends, the second inertial mass moves in a direction opposite to the sensing direction and detaches the first inertial mass from the stop structure.
G01P 15/125 - Mesure de l'accélérationMesure de la décélérationMesure des chocs, c.-à-d. d'une variation brusque de l'accélération en ayant recours aux forces d'inertie avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques au moyen de capteurs à capacité
B81C 1/00 - Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
G01P 15/08 - Mesure de l'accélérationMesure de la décélérationMesure des chocs, c.-à-d. d'une variation brusque de l'accélération en ayant recours aux forces d'inertie avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques
The present disclosure is directed to a device and method for lid angle detection that is accurate even if the device is activated in an upright position. While the device is in a sleep state, first and second sensor units measure acceleration and angular velocity, and calculate orientations of respective lid components based on the acceleration and angular velocity measurements. Upon the device exiting the sleep state, a processor estimates the lid angle using the calculated orientations, sets the estimated lid angle as an initial lid angle, and updates the initial lid angle using, for example, two accelerometers; two accelerometers and two gyroscopes; two accelerometers and two magnetometers; or two accelerometers, two gyroscopes, and two magnetometers.
G01C 9/08 - Moyens de compensation des forces d'accélération produites par le mouvement de l'instrument
G01C 19/5705 - Dispositifs sensibles à la rotation utilisant des masses vibrantes, p. ex. capteurs vibratoires de vitesse angulaire basés sur les forces de Coriolis utilisant des masses entraînées dans un mouvement de rotation alternatif autour d'un axe
G01P 3/44 - Dispositifs caractérisés par l'utilisation de moyens électriques ou magnétiques pour mesurer la vitesse angulaire
G06F 1/3246 - Économie d’énergie caractérisée par l'action entreprise par mise hors tension initiée par logiciel
H04M 1/02 - Caractéristiques de structure des appareils téléphoniques
61.
ENHANCHED THERMAL DISSIPATION IN FLIP-CHIP SEMICONDUCTOR DEVICES USING LASER DIRECT (LDS) STRUCTURING TECHNOLOGY
A device includes a leadframe with a semiconductor die having a first side facing and electrically coupled to the leadframe and a second side facing away from the leadframe. An encapsulation body containing laser direct structuring (LDS) material covers the semiconductor die and has an outer surface opposite the leadframe. Metal vias are formed through the LDS material between the outer surface and the second side of the semiconductor die, and a metal pad is formed at the outer surface. The metal vias and pad create a thermal dissipation path. The semiconductor die may be mounted in a flip-chip configuration and connected to the leadframe through metal pillars. The metal vias and pad may be formed by laser-activating the LDS material followed by copper plating. The device can be configured as a Quad Flat No-leads (QFN) package, and a heat sink may be mounted on the metal pad.
H01L 23/29 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par le matériau
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
A MEMS tri-axial accelerometer is provided with a sensing structure having: a single inertial mass, with a main extension in a horizontal plane defined by a first horizontal axis and a second horizontal axis and internally defining a first window that traverses it throughout a thickness thereof along a vertical axis orthogonal to the horizontal plane; and a suspension structure, arranged within the window for elastically coupling the inertial mass to a single anchorage element, which is fixed with respect to a substrate and arranged within the window, so that the inertial mass is suspended above the substrate and is able to carry out, by the inertial effect, a first sensing movement, a second sensing movement, and a third sensing movement in respective sensing directions parallel to the first, second, and third horizontal axes following upon detection of a respective acceleration component. In particular, the suspension structure has at least one first decoupling element for decoupling at least one of the first, second, and third sensing movements from the remaining sensing movements.
G01P 15/18 - Mesure de l'accélérationMesure de la décélérationMesure des chocs, c.-à-d. d'une variation brusque de l'accélération dans plusieurs dimensions
G01P 15/08 - Mesure de l'accélérationMesure de la décélérationMesure des chocs, c.-à-d. d'une variation brusque de l'accélération en ayant recours aux forces d'inertie avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques
G01P 15/097 - Mesure de l'accélérationMesure de la décélérationMesure des chocs, c.-à-d. d'une variation brusque de l'accélération en ayant recours aux forces d'inertie avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques au moyen d'éléments vibrants
G01P 15/125 - Mesure de l'accélérationMesure de la décélérationMesure des chocs, c.-à-d. d'une variation brusque de l'accélération en ayant recours aux forces d'inertie avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques au moyen de capteurs à capacité
63.
MOSFET DEVICE WITH SHIELDING REGION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
A MOSFET device comprising: a structural region, made of a semiconductor material having a first type of conductivity, which extends between a first side and a second side opposite to the first side along an axis; a body region, having a second type of conductivity opposite to the first type, which extends in the structural region starting from the first side; a source region, having the first type of conductivity, which extends in the body region starting from the first side; a gate region, which extends in the structural region starting from the first side, traversing entirely the body region; and a shielding region, having the second type of conductivity, which extends in the structural region between the gate region and the second side. The shielding region is an implanted region self-aligned, in top view, to the gate region.
H10D 30/66 - Transistors FET DMOS verticaux [VDMOS]
H01L 21/70 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ciFabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
H10D 62/10 - Formes, dimensions relatives ou dispositions des régions des corps semi-conducteursFormes des corps semi-conducteurs
H10D 62/17 - Régions semi-conductrices connectées à des électrodes ne transportant pas de courant à redresser, amplifier ou commuter, p. ex. régions de canal
H10D 62/832 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé étant des matériaux du groupe IV comprenant deux éléments ou plus, p. ex. SiGe
H10D 64/27 - Électrodes ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier, à faire osciller ou à commuter, p. ex. grilles
A substrate made of doped single-crystal silicon has an upper surface. A doped single-crystal silicon layer is formed by epitaxy on top of and in contact with the upper surface of the substrate. Either before or after forming the doped single-crystal silicon layer, and before any other thermal treatment step at a temperature in the range from 600° C. to 900° C., a denuding thermal treatment is applied to the substrate for several hours. This denuding thermal treatment is at a temperature higher than or equal to 1,000° C.
H10D 84/03 - Fabrication ou traitement caractérisés par l'utilisation de technologies basées sur les matériaux utilisant une technologie du groupe IV, p. ex. technologie au silicium ou au carbure de silicium [SiC]
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage
H10D 84/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou avec au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET avec des transistors BJT
65.
INTEGRATED ELECTRONIC MODULE INCLUDING TWO MICROMIRRORS, AND SYSTEM INCLUDING THE ELECTRONIC MODULE
A system includes a module formed by a first supporting portion, a second supporting portion, a first die carrying a first reflector and housed in the first supporting portion, and a second die carrying a second reflector and housed in the second supporting portion. The first and second supporting portions are spaced apart to define a gap therebetween. The second supporting portion includes an input hole defined therein to receive an incoming beam and direct it toward the first reflector. The first supporting portion includes an output hole defined therein to allow passage of an outgoing beam reflected by the second reflector. The first and second reflectors are configured to sequentially reflect the incoming beam to generate the outgoing beam.
G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière
A piezoelectric microelectromechanical structure is provided with a piezoelectric stack having a main extension in a horizontal plane and a variable section in a plane transverse to the horizontal plane. The stack is formed by a bottom-electrode region, a piezoelectric material region arranged on the bottom-electrode region, and a top-electrode region arranged on the piezoelectric material region. The piezoelectric material region has, as a result of the variable section, a first thickness along a vertical axis transverse to the horizontal plane at a first area, and a second thickness along the same vertical axis at a second area. The second thickness is smaller than the first thickness. The structure at the first and second areas can form piezoelectric detector and a piezoelectric actuator, respectively.
H10N 30/00 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs
B81B 7/02 - Systèmes à microstructure comportant des dispositifs électriques ou optiques distincts dont la fonction a une importance particulière, p. ex. systèmes micro-électromécaniques [SMEM, MEMS]
H10N 30/057 - Fabrication de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs multicouches ou de leurs parties constitutives, p. ex. en empilant des corps piézo-électriques et des électrodes par empilement de corps massifs piézo-électriques ou électrostrictifs et d’électrodes
H10N 30/20 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs à entrée électrique et sortie mécanique, p. ex. fonctionnant comme actionneurs ou comme vibrateurs
H10N 30/30 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs à entrée mécanique et sortie électrique, p. ex. fonctionnant comme générateurs ou comme capteurs
H10N 30/87 - Électrodes ou interconnexions, p. ex. connexions électriques ou bornes
67.
PHOTONIC WAFER LEVEL TESTING SYSTEMS, DEVICES, AND METHODS OF OPERATION
A method of testing a photonic device includes providing a plurality of optical test signals at respective inputs of a first plurality of inputs of an optical input circuit located on a substrate, combining the plurality of optical test signals into a combined optical test signal at an output of the optical input circuit, transmitting the combined optical test signal through the output to an input waveguide of an optical device under test, the optical device under test being located on the substrate, and measuring a response of the optical device under test to the combined optical test signal. Each of the plurality of optical test signals comprises a respective dominant wavelength of a plurality of dominant wavelengths.
G01R 31/3185 - Reconfiguration pour les essais, p. ex. LSSD, découpage
G02B 6/293 - Moyens de couplage optique ayant des bus de données, c.-à-d. plusieurs guides d'ondes interconnectés et assurant un système bidirectionnel par nature en mélangeant et divisant les signaux avec des moyens de sélection de la longueur d'onde
68.
CONTROL CIRCUIT FOR CONTROLLING A SWITCHING STAGE OF AN ELECTRONIC CONVERTER, CORRESPONDING ELECTRONIC CONVERTER DEVICE AND METHOD
A DC-DC converter circuit includes a switching stage with first and second switches, and a control circuit coupled to the switching stage. The control circuit detects a threshold for changing between a synchronous operation mode and an asynchronous operation mode, synchronizes the detected threshold with a beginning of a new switching cycle, applies feed-forward compensation at the beginning of an ON-time period to vary a duty cycle, and generates drive signals to control the switching stage.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
69.
Radiofrequency detector circuit and corresponding radiofrequency detection method
A radiofrequency detector comprises a squarer circuit comprising first and second branches coupled between a voltage supply and ground, the first branch comprising at least a first squarer transistor receiving a RF sinusoidal input voltage, the first squarer transistor being coupled to the voltage supply through a respective load, the second branch comprising a second reference transistor being coupled to the voltage supply through a respective load, an output voltage being formed at an output node of the first branch and a reference voltage being formed at a respective output node coupled to the load of the second branch, a squared voltage being obtained by a difference voltage of the output voltage and reference voltage, wherein the circuit is configured to feed back to a control electrode of the second reference transistor a feedback signal that is a function of the difference voltage.
Unclonable function circuitry includes a plurality of pairs of phase-change memory cells in a virgin state, and sensing circuitry coupled to the plurality of pairs of phase-change memory cells in the virgin state. The sensing circuitry identifies a subset of the plurality of pairs of phase-change memory cells in the virgin state based on a reliability mask. Signs of differences of effective resistance values of the identified subset of the plurality of pairs of phase-change memory cells in the virgin state are sensed by the sensing circuitry. The sensing circuitry generates a string of bits based on the sensed signs of differences in the effective resistance values of the identified subset of the plurality of pairs of phase-change memory cells in the virgin state. Processing circuitry coupled to the unclonable function circuitry, in operation, executes one or more operations using the generated string of bits.
A dual interface laminated card having a stack of layers includes at least a first core plastic layer, a second core plastic layer disposed over the first core plastic layer, an antenna inlay disposed between the second core plastic layer and first core plastic layer, and a micromodule disposed over the second core plastic layer. The core plastic layers are recycled plastic layers comprising a major percentage, in particular at least 80%, of low surface energy plastic. The laminated card further comprises at least a first layer of polyurethane heat activatable glue, coupled to a side facing the antenna inlay of at least one of the first and second core plastic layers such that the antenna inlay and the at least one core plastic layer are bonded together.
G06K 19/02 - Supports d'enregistrement pour utilisation avec des machines et avec au moins une partie prévue pour supporter des marques numériques caractérisés par l'utilisation de matériaux spécifiés, p. ex. pour éviter l'usure pendant le transport à travers la machine
G06K 19/077 - Détails de structure, p. ex. montage de circuits dans le support
72.
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES AND CORRESPONDING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor chip is mounted at a first surface of a leadframe and an insulating encapsulation is formed onto the leadframe. An etching mask is applied to a second surface of the leadframe to cover locations of two adjacent rows of electrical contacts as well as a connecting bar between the two adjacent rows which electrically couples the electrical contacts. The second surface is then etched through the etching mask to remove leadframe material at the second surface and define the electrical contacts and connecting bar. The electrical contacts include a distal surface as well as flanks left uncovered by the insulating encapsulation. The etching mask is then removed and the electrical contacts and the connecting bars are used as electrodes in an electroplating of the distal surface and the flanks of the electrical contacts. The connecting bar is then removed from between the two adjacent rows during device singulation.
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
A method for manufacturing a HEMT device includes forming, on a heterostructure, a dielectric layer, forming a through opening through the dielectric layer, and forming a gate electrode in the through opening. Forming the gate electrode includes forming a sacrificial structure, depositing by evaporation a first gate metal layer, carrying out a lift-off of the sacrificial structure, depositing a second gate metal layer by sputtering, and depositing a third gate metal layer. The second gate metal layer layer forms a barrier against the diffusion of metal atoms towards the heterostructure.
H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/205 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés dans différentes régions semi-conductrices
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
A power supply circuit includes a plurality of current supply circuits, each configured to provide an output current as a function of a respective digital control signal, and a measurement current proportional to the respective output current. A control circuit selects one of the measurement currents and one of the digital control signals associated with a current supply circuit. A comparison circuit generates a threshold current, and generates a comparison signal by comparing the selected measurement current with the threshold current. The control circuit sets, during a first phase, the threshold current to a first value smaller than an expected value for the selected measurement current as indicated by the selected digital control signal, and, during a second phase, to a second value greater than the expected value. The control circuit verifies whether the comparison signal is de-asserted during the first phase and asserted during the second phase.
Packaged device having a carrying base; an accommodation cavity in the carrying base; a semiconductor die in the accommodation cavity, the semiconductor die having die pads; a protective layer, covering the semiconductor die and the carrying base; first vias in the protective layer, at the die pads; and connection terminals of conductive material. The connection terminals have first connection portions in the first vias, in electrical contact with the die pads, and second connection portions, extending on the protective layer, along a side surface of the packaged device.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
76.
LEAD FRAME FOR A PACKAGE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
A lead frame for an integrated electronic device includes a die pad made of a first metallic material. A top coating layer formed by a second metallic material is arranged on a top surface of the die pad. The second metallic material has an oxidation rate lower than the first metallic material. The top coating layer leaves exposed a number of corner portions of the top surface of the die pad. A subsequent heating operation, for example occurring in connection with wirebonding, causes an oxidized layer to form on the corner portions of the top surface of the die pad at a position in contact with the top coating layer.
A method includes receiving electrostatic sensor data in a processor of an electronic device from an electrostatic sensor mounted behind a touchscreen of the electronic device and using the electrostatic sensor data to determine when the touchscreen is being used. Based on whether or not the touchscreen is being used, an on-table detection (OTD) algorithm is selected from a plurality of available OTD algorithms. In one or more examples, the OTD algorithm may also be selected based on the current device mode of the electronic device, which may be determined from a lid angle, a screen angle, and a keyboard angle of the electronic device. The selected OTD algorithm is run to determine whether or not the electronic device is located on a stationary or stable surface.
G06F 3/0346 - Dispositifs de pointage déplacés ou positionnés par l'utilisateurLeurs accessoires avec détection de l’orientation ou du mouvement libre du dispositif dans un espace en trois dimensions [3D], p. ex. souris 3D, dispositifs de pointage à six degrés de liberté [6-DOF] utilisant des capteurs gyroscopiques, accéléromètres ou d’inclinaison
G06F 3/0354 - Dispositifs de pointage déplacés ou positionnés par l'utilisateurLeurs accessoires avec détection des mouvements relatifs en deux dimensions [2D] entre le dispositif de pointage ou une partie agissante dudit dispositif, et un plan ou une surface, p. ex. souris 2D, boules traçantes, crayons ou palets
78.
SILICON CARBIDE DIODE WITH REDUCED VOLTAGE DROP, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
An electronic device includes a solid body of SiC having a surface and having a first conductivity type. A first implanted region and a second implanted region have a second conductivity type and extend into the solid body in a direction starting from the surface and delimit between them a surface portion of the solid body. A Schottky contact is on the surface and in direct contact with the surface portion. Ohmic contacts are on the surface and in direct contact with the first and second implanted regions. The solid body includes an epitaxial layer including the surface portion and a bulk portion. The surface portion houses a plurality of doped sub-regions which extend in succession one after another in the direction, are of the first conductivity type, and have a respective conductivity level higher than that of the bulk portion.
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
A waveform generator includes a system control unit and signal channels controlled by the system control unit and configured to supply driving signals for driving a respective transducer of an array of transducers. Each signal channel includes a sequential access memory having rows, where each row contains an instruction word configured to generate a respective step of a waveform to be generated. A memory output of the sequential access memory is defined by an output row at a fixed location. The waveform to be generated is defined by a block of instruction words. Each signal channel also includes an internal control unit that is configured to sequentially move the content of the sequential access memory, based on the instruction word currently at the memory output, so that sequences of instruction words are provided at the output row.
G06F 5/08 - Procédés ou dispositions pour la conversion de données, sans modification de l'ordre ou du contenu des données maniées pour modifier la vitesse de débit des données, c.-à-d. régularisation de la vitesse ayant une séquence d'emplacements d'emmagasinage, les emplacements intermédiaires n'étant pas accessibles pour des opérations soit de mise en file d'attente, soit de retrait de file d'attente, p. ex. utilisant un registre à décalage
G06F 5/10 - Procédés ou dispositions pour la conversion de données, sans modification de l'ordre ou du contenu des données maniées pour modifier la vitesse de débit des données, c.-à-d. régularisation de la vitesse ayant une séquence d'emplacements d'emmagasinage, chacun étant individuellement accessible à la fois pour des opérations de mise en file d'attente et pour des opérations de retrait de file d'attente, p. ex. utilisant une mémoire à accès aléatoire
G06F 9/30 - Dispositions pour exécuter des instructions machines, p. ex. décodage d'instructions
G11C 19/00 - Mémoires numériques dans lesquelles l'information est déplacée par échelons, p. ex. registres à décalage
80.
METHOD AND DEVICE FOR ON-DEVICE LEARNING BASED ON MULTIPLE INSTANCES OF INFERENCE WORKLOADS
The present disclosure relates to a method of training a neural network using a circuit comprising a memory and a processing device, an exemplary method comprising: performing a first forward inference pass through the neural network based on input features to generate first activations, and generating an error based on a target value, and storing the error to the memory; and performing, for each layer of the neural network: a modulated forward inference pass; before, during or after the modulated forward inference pass, a second forward inference pass based on the input features to regenerate one or more first activations; and updating one or more weights in the neural network based on the modulated activations and the one or more regenerated first activations.
A method for manufacturing an ohmic contact for a HEMT device, comprising the steps of: forming a photoresist layer, on a semiconductor body comprising a heterostructure; forming, in the photoresist layer, an opening, through which a surface region of the semiconductor body is exposed at said heterostructure; etching the surface region of the semiconductor body using the photoresist layer as etching mask to form a trench in the heterostructure; depositing one or more metal layers in said trench and on the photoresist layer; and carrying out a process of lift-off of the photoresist layer.
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
The present disclosure is directed to input detection for electronic devices using electrostatic charge sensors. The devices and methods disclosed herein utilize electrostatic charge sensors to detect various touch gestures, such as long and short touches, single/double/triple taps, and swipes; and perform in-car detection.
An HEMT device, comprising: a semiconductor body including a heterojunction structure; a dielectric layer on the semiconductor body; a gate electrode; a drain electrode, facing a first side of the gate electrode; and a source electrode, facing a second side opposite to the first side of the gate electrode; an auxiliary channel layer, which extends over the heterojunction structure between the gate electrode and the drain electrode, in electrical contact with the drain electrode and at a distance from the gate electrode, and forming an additional conductive path for charge carriers that flow between the source electrode and the drain electrode.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/205 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés dans différentes régions semi-conductrices
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
The present disclosure is directed to a device and method for lid angle detection that is accurate even if the device is activated in an upright position. While the device is in a sleep state, first and second sensor units measure acceleration and angular velocity, and calculate orientations of respective lid components based on the acceleration and angular velocity measurements. Upon the device exiting the sleep state, a processor estimates the lid angle using the calculated orientations, sets the estimated lid angle as an initial lid angle, and updates the initial lid angle using, for example, two accelerometers; two accelerometers and two gyroscopes; two accelerometers and two magnetometers; or two accelerometers, two gyroscopes, and two magnetometers.
G01P 15/18 - Mesure de l'accélérationMesure de la décélérationMesure des chocs, c.-à-d. d'une variation brusque de l'accélération dans plusieurs dimensions
G01D 1/16 - Dispositions pour la mesure donnant des résultats autres que la valeur instantanée d'une variable, d'application générale donnant une valeur qui est une fonction de plusieurs valeurs, p. ex. produit ou rapport
G01D 5/14 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension
G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
85.
Dynamic gravity vector estimation for memory constrained devices
A device includes a memory and processing circuitry coupled to the memory. The processing circuitry, in operation: estimates an angular rate of change and determines a rotational versor based on the rotational data; and estimates a gravity vector based on the angular rate of change and the rotational versor. The processing circuitry generates a dynamic gravity vector based on the estimated gravity vector, a correction factor and an estimated error in estimated gravity vector. The processing circuitry estimates a linear acceleration and determines an acceleration versor based on the acceleration data, and determines the correction factor based on the linear acceleration. The processing circuitry estimates the error in the estimated gravity vector based on the acceleration versor.
G01B 7/30 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour mesurer des angles ou des cônesDispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour tester l'alignement des axes
G06F 3/0346 - Dispositifs de pointage déplacés ou positionnés par l'utilisateurLeurs accessoires avec détection de l’orientation ou du mouvement libre du dispositif dans un espace en trois dimensions [3D], p. ex. souris 3D, dispositifs de pointage à six degrés de liberté [6-DOF] utilisant des capteurs gyroscopiques, accéléromètres ou d’inclinaison
86.
SILICON CARBIDE POWER DEVICE WITH IMPROVED ROBUSTNESS AND CORRESPONDING MANUFACTURING PROCESS
An electronic power device includes a substrate of silicon carbide (SiC) having a front surface and a rear surface which lie in a horizontal plane and are opposite to one another along a vertical axis. The substrate includes an active area, provided in which are a number of doped regions, and an edge area, which is not active, distinct from and surrounding the active area. A dielectric region is arranged above the front surface, in at least the edge area. A passivation layer is arranged above the front surface of the substrate, and is in contact with the dielectric region in the edge area. The passivation layer includes at least one anchorage region that extends through the thickness of the dielectric region at the edge area, such as to define a mechanical anchorage for the passivation layer.
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
87.
DISCHARGE CIRCUIT AND METHOD FOR VOLTAGE TRANSITION MANAGEMENT
In an embodiment, a method includes: providing a voltage setpoint to a voltage converter; generating an output voltage at a voltage rail with the voltage converter based on the voltage setpoint; when the voltage setpoint is transitioning from a first voltage setpoint to a second voltage setpoint that has a lower magnitude than the first voltage setpoint, providing a first constant current to a first node coupled to a control terminal of an output transistor to turn on the output transistor, where the output transistor includes a source terminal coupled to a first terminal of a first resistor, and where a current path of the output transistor is coupled to the voltage rail; and turning off the output transistor after the output voltage reaches the target output voltage corresponding to the second voltage setpoint.
G05F 1/56 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
88.
DOPING ACTIVATION AND OHMIC CONTACT FORMATION IN A SiC ELECTRONIC DEVICE, AND SiC ELECTRONIC DEVICE
A method for manufacturing a SiC-based electronic device, that includes implanting, at a front side of a solid body of SiC having a conductivity of N type, dopant species of P type, thus forming an implanted region that extends in depth in the solid body starting from the front side and has a top surface co-planar with said front side; and generating a laser beam directed towards the implanted region in order to generate heating of the implanted region at temperatures comprised between 1500° C. and 2600° C. so as to form an ohmic contact region including one or more carbon-rich layers, for example graphene and/or graphite layers, in the implanted region and, simultaneously, activation of the dopant species of P type.
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
An HEMT includes: a heterostructure; a dielectric layer on the heterostructure; a gate electrode, which extends throughout the thickness of the dielectric layer; a source electrode; and a drain electrode. The dielectric layer extends between the gate electrode and the drain electrode and is absent between the gate electrode and the source electrode. In this way, the distance between the gate electrode and the source electrode can be designed in the absence of constraints due to a field plate that extends towards the source electrode.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
An active flyback converter is transitioned between a plurality of operational states based on a comparison of a control voltage signal to voltage thresholds and a count of a number of consecutive switching cycles during which a clamp switch is kept off. The plurality of operational states includes a run state, an idle state, a first burst state, and a second burst state. Each set of consecutive switching cycles of the first burst state includes a determined number of switching cycles during which signals are generated to turn the power switch on and off and to maintain an off state of the clamp switch, and a switching cycle in a determined position in the set of switching cycles during which signals are sequentially generated to turn the power switch on, turn the power switch off, turn the clamp switch on and turn the clamp switch off.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
Disclosed herein is a DC-DC converter, including a high-side power switch coupled between an input voltage and a switched node and a low-side power switch coupled between the switched node and ground. An inductor is coupled between the switched node and an output node. An output capacitor is coupled between the output node and ground. A control circuit is configured to operate the high-side power switch in a constant charge mode of operation to vary on-time of the high-side power switch to maintain a constant amount of charge being transferred to the output capacitor during each charging cycle, independent of variation of the input voltage.
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
92.
SILICON CARBIDE-BASED ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
An electronic device comprising: a semiconductor body of silicon carbide, SiC, having a first and a second face, opposite to one another along a first direction, which presents positive-charge carriers at said first face that form a positive interface charge; a first conduction terminal, which extends at the first face of the semiconductor body; a second conduction terminal, which extends on the second face of the semiconductor body; a channel region in the semiconductor body, configured to house, in use, a flow of electrons between the first conduction terminal and the second conduction terminal; and a trapping layer, of insulating material, which extends in electrical contact with the semiconductor body at said channel region and is designed so as to present electron-trapping states that generate a negative charge such as to balance, at least in part, said positive interface charge.
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
PHASE-CHANGE MEMORY INCLUDING PHASE-CHANGE ELEMENTS IN SERIES WITH RESPECTIVE HEATER ELEMENTS AND METHODS FOR MANUFACTURING, PROGRAMMING, AND READING THEREOF
A phase-change memory (PCM) includes a semiconductor body housing a selection transistor; a electrical-insulation body disposed over the semiconductor body; a conductive region, extending through the electrical-insulation body, electrically coupled to the selection transistor; and a plurality of heater elements in the electrical-insulation body. Each of the plurality of heater elements include a first end in electrical contact with a respective portion of the conductive region and a second end that extends away from the conductive region. The PCM further includes a plurality of phase-change elements extending in the electrical-insulation body and including data storage regions, where each of the data storage regions being electrically and thermally coupled to one respective heater element at the second end of the respective heater element.
H10N 70/20 - Dispositifs de commutation multistables, p. ex. memristors
G11C 13/00 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes , ou
H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
H10B 63/00 - Dispositifs de mémoire par changement de résistance, p. ex. dispositifs RAM résistifs [ReRAM]
H10N 70/00 - Dispositifs à l’état solide n’ayant pas de barrières de potentiel, spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la production d'oscillations ou à la commutation
94.
CHARGE-BALANCE POWER DEVICE, AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE CHARGE-BALANCE POWER DEVICE
A charge-balance power device includes a semiconductor body having a first conductivity type. A trench gate extends in the semiconductor body from a first surface toward a second surface. A body region has a second conductivity type that is opposite the first conductivity type, and the body region faces the first surface of the semiconductor body and extends on a first side and a second side of the trench gate. Source regions having the first conductivity type extend in the body region and face the first surface of the semiconductor body. A drain terminal extends on the second surface of the semiconductor body. The device further comprises a first and a second columnar region having the second conductivity, which extend in the semiconductor body adjacent to the first and second sides of the trench gate, and the first and second columnar regions are spaced apart from the body region and from the drain terminal.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
95.
MEMS DEVICE HAVING AN IMPROVED STRESS DISTRIBUTION AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF
A MEMS device is formed by a body of semiconductor material which defines a support structure. A pass-through cavity in the body is surrounded by the support structure. A movable structure is suspended in the pass-through cavity. An elastic structure extends in the pass-through cavity between the support structure and the movable structure. The elastic structure has a first and second portions and is subject, in use, to mechanical stress. The MEMS device is further formed by a metal region, which extends on the first portion of the elastic structure, and by a buried cavity in the elastic structure. The buried cavity extends between the first and the second portions of the elastic structure and communicates laterally with the pass-through cavity.
A blocking element is provided for connecting an electronic, micro-mechanical and/or micro-electro-mechanical component, in particular for controlling the propulsion of an electric vehicle. The pin blocking element is formed by a holed body having a first end, a second end and an axial cavity configured for fittingly accommodating a connecting pin. A first flange projects transversely from the holed body at the first end and a second flange projects transversely from the holed body at the second end. The first flange has a greater area than the second flange and is configured to be ultrasonically soldered to a conductive bearing plate to form a power module.
H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01R 12/58 - Connexions fixes pour circuits imprimés rigides ou structures similaires caractérisées par les bornes bornes pour insertion dans des trous
H01R 43/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication, l'assemblage, l'entretien ou la réparation de connecteurs de lignes ou de collecteurs de courant ou pour relier les conducteurs électriques pour connexions soudées
In accordance with an embodiment, a digital-to-analog converter (DAC) includes: a W-2W current mirror comprising a first plurality of MOS transistors and a second plurality of MOS transistors, wherein ones of the second plurality of MOS transistors are coupled between adjacent ones of the first plurality of MOS transistors; and a bulk bias generator having a plurality of output nodes coupled to corresponding bulk nodes of the first plurality of MOS transistors, wherein the plurality of output nodes are configured to provide voltages that are inversely proportional to temperature.
The present disclosure is directed to a semiconductor package including a first laser direct structuring (LDS) resin layer and a second LDS resin layer on the first LDS resin layer. Respective surfaces of the first LDS resin layer and the second LDS resin layer are patterned utilizing an LDS process by exposing the respective surfaces to a laser. Patterning the first and second LDS resin layers, respectively, activates additive material present within the first and second LDS resin layers, respectively, converting the additive material from a non-conductive state to a conductive state. The LDS process is followed by a chemical plating step and an electrolytic plating process to form conductive structure coupled to a plurality of die within the first and second LDS resin layers. A molding compound layer is formed on surfaces of the conductive structures and covers the surfaces of the conductive structures. After these steps have been completed, the first LDS resin layer and the second LDS resin layer are singulated along channels filled with conductive material.
H01L 23/485 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p. ex. contacts planaires
H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
99.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND CORRESPONDING METHOD OF MANUFACTURE
Disclosed herein is a method, including attaching a semiconductor chip to a chip mounting portion on at least one leadframe portion, and attaching a passive component on a passive component mounting portion of the at least one leadframe portion. The method further includes forming a laser direct structuring (LDS) activatable molding material over the semiconductor chip, passive component, and the at least one leadframe portion. Desired patterns of structured areas are formed within the LDS activatable molding material by activating the LDS activatable molding material. The desired patterns of structured areas are metallized to form conductive areas within the LDS activatable molding material to thereby form electrical connection between the semiconductor chip and the passive component. A passivation layer is formed on the LDS activatable molding material.
A random access memory (RAM) includes an array of arranged in rows and columns. The rows of the storage elements correspond to respective memory locations of the RAM. The storage elements of a row have a common gated-clock input and respective data inputs, and each row of the array of storage elements includes a plurality of D type latches. In operation, an address input of the RAM receives a memory address identifying a memory location in the RAM. Clock gating circuitry of the RAM, generates respective gated-clock signals for the rows of the array of storage elements based on the memory address received at the address input. Memory operation are performed using storage elements of the array based on the gated-clock signals.
