- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 29/46 - Composés contenant du soufre, du sélénium ou du tellure
Détention brevets de la classe C30B 29/46
Brevets de cette classe: 239
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | 4030 |
11 |
| Tsinghua University | 5940 |
11 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 147131 |
6 |
| Fisk University | 19 |
6 |
| Fujian Institute of Research on The Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences | 104 |
6 |
| Consolidated Nuclear Security, LLC | 125 |
5 |
| LG Chem, Ltd. | 17636 |
4 |
| Agency for Science, Technology and Research | 3631 |
4 |
| University-industry Cooperation Group of Kyung Hee University | 1216 |
4 |
| Centre National de La Recherche Scientifique | 10476 |
3 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10930 |
3 |
| City University of Hong Kong | 856 |
3 |
| Nemaska Lithium Inc. | 72 |
3 |
| Nexdot | 71 |
3 |
| Peking University | 1317 |
3 |
| The Research Foundation for The State University of New York | 1626 |
3 |
| Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences | 159 |
3 |
| UChicago Argonne, LLC | 919 |
3 |
| The University of Chicago | 1417 |
3 |
| Illinois Tool Works Inc. | 11485 |
2 |
| Autres propriétaires | 150 |