- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 19/02 - Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide en utilisant des solvants fondus, p. ex. des fondants
Détention brevets de la classe C30B 19/02
Brevets de cette classe: 153
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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NGK Insulators, Ltd. | 4955 |
55 |
Osaka University | 3376 |
13 |
Panasonic Corporation | 20110 |
7 |
Toyoda Gosei Co., Ltd. | 1778 |
7 |
Toyota Motor Corporation | 32116 |
6 |
Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 15483 |
6 |
Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 3465 |
5 |
ITOCHU Plastics Inc. | 12 |
4 |
Tohoku University | 2783 |
4 |
Centre National de La Recherche Scientifique | 10418 |
3 |
Sumitomo Chemical Company, Limited | 9046 |
3 |
Namiki Seimitsu Houseki Kabushiki Kaisha | 150 |
3 |
TDK Corporation | 6738 |
2 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5658 |
2 |
DIC Corporation | 3794 |
2 |
National Institute for Materials Science | 1108 |
2 |
Panasonic Holdings Corporation | 1737 |
2 |
LG Chem, Ltd. | 17632 |
1 |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 1493 |
1 |
Mitsubishi Electric Corporation | 46093 |
1 |
Autres propriétaires | 24 |