- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 15/16 - Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé par irradiation ou par décharge électrique
Détention brevets de la classe C30B 15/16
Brevets de cette classe: 25
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Crystal Systems Corporation | 17 |
4 |
Siltronic AG | 424 |
4 |
National Taiwan University | 1214 |
2 |
Globalwafers Co., Ltd. | 633 |
2 |
Sumco Corporation | 1126 |
2 |
Scidre Scientific Instruments Dresden GmbH | 2 |
2 |
TDK Corporation | 6676 |
1 |
Siemens Medical Solutions USA, Inc. | 1508 |
1 |
Empire Technology Development LLC | 1620 |
1 |
Alcon, Inc. | 5394 |
1 |
KCC Corporation | 311 |
1 |
LG Siltron Inc. | 116 |
1 |
LONGi Green Energy Technology Co., Ltd. | 274 |
1 |
Xuzhou Xinjing Semiconductor Technology Co., Ltd. | 14 |
1 |
Meishan Boya Advanced Materials Co., Ltd. | 81 |
1 |
Autres propriétaires | 0 |