Abrégé

A method for generating a light source in a detection module and a detection module. The method includes: obtaining a sensor having a sensing spectral curve in a predetermined wavelength range; and arranging a light source to generate a predetermined light having an emitting spectral curve in the predetermined wavelength range. After the sensing spectral curve and the emitting spectral curve are overlapped with each other, a matching curve is generated and a standard deviation of the matching curve is less than 0.1. The matching curve generated after the sensing spectral curve and the emitting spectral curve are overlapped is expressed by the following equation: Z(λ)=W(λ)·S(π), where λ is a wavelength, S(π) is the sensing spectral curve, W(λ) is the emitting spectral curve, and Z(λ) is the matching curve.

Classes IPC  ?

• G01S 17/00 - Systèmes utilisant la réflexion ou la reradiation d'ondes électromagnétiques autres que les ondes radio, p. ex. systèmes lidar
• G01J 3/28 - Étude du spectre
• G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p. ex. agencements d'éléments optiques
• G01S 7/497 - Moyens de contrôle ou de calibrage
• G01S 17/89 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la cartographie ou l'imagerie

Abrégé

A packaging device is provided. The packaging device includes a chip and a packaging layer. The chip is encapsulated by the packaging layer. A surface reinforcement layer is formed on an upper surface of the packaging layer. The packaging layer and the surface reinforcement layer have the same elements, but elemental contents in the packaging layer and the surface reinforcement layer are different.

Classes IPC  ?

• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/29 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par le matériau
• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

A package structure includes a carrier, a frame, and at least one photonic device. The carrier includes a substrate and a plurality of first metal pads and second metal pads. The substrate includes a first surface and a second surface that are opposite to each other. The first metal pads are disposed on the first surface. The second metal pads are disposed on the second surface. A thickness of each of the second metal pads is greater than that of each of the first metal pads. The frame is disposed on the carrier, and an accommodating space is formed between the frame and the carrier. The at least one photonic device is disposed in the accommodating space.

Classes IPC  ?

• F21S 41/19 - Fixation des sources lumineuses ou des supports de sources lumineuses
• F21V 23/00 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage
• F21W 107/00 - Utilisation ou application de dispositifs d’éclairage sur ou dans des types véhicules spécifiques
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

A light sensing module includes a substrate, a light sensing unit, a first light-transmissive component, and a light shielding layer. The light sensing unit is disposed on the substrate to sense an intensity of a working light beam, and has an upper light receiving surface and a lateral surface perpendicular to the upper light receiving surface. The first light-transmissive component covers the light sensing unit, and has a first refractive index between a refractive index of the light sensing unit and a refractive index of air. The light shielding layer surrounds the lateral surface and is covered by the first light-transmissive component.

Classes IPC  ?

• G01J 1/08 - Agencements des sources lumineuses spécialement adaptées à la photométrie
• F21V 5/00 - Réfracteurs pour sources lumineuses
• F21V 17/10 - Fixation des parties constitutives des dispositifs d'éclairage, p. ex. des abat-jour, des globes, des réfracteurs, des réflecteurs, des filtres, des écrans, des grilles ou des cages de protection caractérisée par des moyens de fixation spécifiques
• G01J 1/04 - Pièces optiques ou mécaniques
• G01J 1/42 - Photométrie, p. ex. posemètres photographiques en utilisant des détecteurs électriques de radiations
• G03B 21/14 - Projecteurs ou visionneuses du type par projectionLeurs accessoires Détails
• G03B 21/26 - Projecteurs ou visionneuses du type par projectionLeurs accessoires Détails projetant séparément une image subsidiaire en même temps que l'image principale
• H05B 35/00 - Sources lumineuses électriques utilisant une combinaison des différents types de génération de lumière
• F21K 9/90 - Procédés de fabrication
• F21Y 105/16 - Sources lumineuses planes comprenant un réseau bidimensionnel d’éléments générateurs de lumière ponctuelle caractérisées par la forme d’ensemble du réseau bidimensionnel carrée ou rectangulaire, p. ex. pour les panneaux de lumière
• F21Y 113/10 - Combinaison de sources lumineuses de couleurs différentes
• G03B 21/20 - Boîtes à lumière

Abrégé

A method of manufacturing the light emitting package structure is provided. The method includes: a preparation process: mounting a light emitting unit on a substrate; a dispensing process: coating a sealant on a first joint area of the substrate; a cover-enclosing process: disposing a cover element having a second joint area on the substrate, the first joint area and the second joint area joined to each other by the sealant; a vacuum process: reducing an ambient pressure to a first pressure lower than the original ambient pressure; a pressure-adjusting process: adjusting the ambient pressure around the package structure to a second pressure higher than the first pressure; and a curing process: curing the sealant.

Classes IPC  ?

• H10H 20/01 - Fabrication ou traitement
• H10H 20/85 - Enveloppes
• H10H 20/852 - Encapsulations

Abrégé

A light emitting diode structure including a light emitting unit having a blue LED chip to produce a first light beam, a first light conversion layer disposed on the light emitting unit to convert a part of the first light beam into a second light beam, and a second light conversion layer disposed on the first light conversion layer to convert another part of the first light beam into a third light beam is provided. A remaining part of the first light beam, the second light beam, and the third light beam are superposed to form a working light beam whose spectrum includes a first wave band ranging from 350 nm to 660 nm and a second wave band ranging from 660 nm to 1000 nm. A power of the working light beam in the second wave band is higher than that in the first wave band.

Classes IPC  ?

• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique

Abrégé

A package structure is provided. The package structure includes a substrate, a pair of electrodes, a lighting unit, a wall, and a package compound. The pair of electrodes and the wall are disposed on the substrate, and the wall and the substrate jointly define an accommodating space. The lighting unit is disposed in the accommodating space. The package compound is disposed in the accommodating space such that a top end of the package compound has a W-shaped cross section and the lighting unit is embedded in the package compound.

Classes IPC  ?

• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

A light sensor module is provided. The light sensor module is used to receive a first light beam and generate an electric current corresponding to an intensity of the first light beam. The light sensor module includes a substrate, a photodiode chip, and a wavelength conversion structure. The photodiode chip is disposed on the substrate. The wavelength conversion structure is disposed on the substrate, and the photodiode chip is covered by the wavelength conversion structure. The first light beam is converted into a second light beam by the wavelength conversion structure. The photodiode chip receives the second light beam, and then generates the electric current.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
• H01L 31/0203 - Conteneurs; Encapsulations

Abrégé

A light emitting device includes a circuit substrate, a plurality of light emitting elements, a control element, and a sealing structure. The circuit substrate has a plurality of upper electrical connecting pads at the top thereof and a plurality of testing pads and a plurality of lower electrical connecting pads at the bottom thereof. The light emitting elements are arranged on the circuit substrate. The control element is arranged on the circuit substrate and electrically connected to the light emitting elements. The sealing structure is configured to cover the light emitting elements and the control element, and the testing pads of the circuit substrate are exposed from the sealing structure for testing respective characteristic parameter values of the light emitting elements.

Classes IPC  ?

• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H10H 20/01 - Fabrication ou traitement
• H10H 20/80 - Détails de structure
• H10H 20/85 - Enveloppes
• H10H 20/855 - Moyens de mise en forme du champ optique, p. ex. lentilles
• H10H 20/856 - Moyens réfléchissants
• H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure

Abrégé

A light emitting diode package structure includes a substrate, a light emitting unit, a wavelength conversion layer, and a reflective structure. The light emitting unit and the reflective structure are disposed on a mounting surface of the substrate. The wavelength conversion layer is disposed on the light emitting unit. The wavelength conversion layer has a light input surface, a top light output surface opposite to the light input surface, and a side light output surface connecting the light input surface and the top light output surface. The reflective structure surrounds the light emitting unit and the wavelength conversion layer. The reflective structure has a top reflecting surface located on a top of the reflective structure, and a height position of the top reflecting surface is higher than a height position of the light input surface and lower than a height position of the top light output surface.

Classes IPC  ?

• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques

Abrégé

A light-emitting device and a light emitting module are provided. The light emitting module includes a housing, at least one light guide element, and at least one light emitting element. The housing includes at least one passage passing through its a first surface and a second surface, and a coupling portion formed on an inner surface adjacent to the second surface. The light guide element arranged in the at least one passage has a light emergent surface exposed at one end of the at least one passage and a light incident surface exposed at the other end of the at least one passage. The light emitting element is coupled to the housing by the coupling portion. The light emitting element includes a light emitting surface facing to the light incident surface of the light guide element and a soldering portion exposed from the housing.

Classes IPC  ?

• G08B 5/36 - Systèmes de signalisation optique, p. ex. systèmes d'appel de personnes, indication à distance de l'occupation de sièges utilisant une transmission électriqueSystèmes de signalisation optique, p. ex. systèmes d'appel de personnes, indication à distance de l'occupation de sièges utilisant une transmission électromécanique utilisant des sources de lumière visible
• G02B 6/42 - Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
• F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p. ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage

Abrégé

An optical sensor structure is provided. The optical sensor structure includes a substrate, a light sensing unit, a peripheral wall, and a reflective layer. The substrate includes a plurality of metal pads. The light sensing unit is disposed on the substrate and electrically connected to the plurality of metal pads. The peripheral wall is disposed on the substrate, and the peripheral wall and the substrate define an accommodating space. The metal pads and the light sensing unit are positioned in the accommodating space. The reflective layer is disposed in the accommodating space and surrounds the light sensing unit.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
• H01L 31/0203 - Conteneurs; Encapsulations
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 31/108 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type Schottky
• H01L 31/09 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet

Abrégé

An optoelectronic package and a method for producing the optoelectronic package are provided. The optoelectronic package includes a carrier, a photonic device, a first encapsulant and a second encapsulant. The photonic device is disposed on the carrier. The first encapsulant covers the carrier and is disposed around the photonic device. The second encapsulant covers the first encapsulant and the photonic device. The first encapsulant has a topmost position and a bottommost position, and the topmost position is not higher than a surface of the photonic device.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0203 - Conteneurs; Encapsulations
• H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

A package structure including a carrier, a photonic device, a supporting frame, and an encapsulant is provided. The photonic device is disposed on the carrier. The supporting frame is disposed on the carrier and surrounds the photonic device. The encapsulant covers the supporting frame and surrounds the photonic device.

Classes IPC  ?

• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• F21S 41/19 - Fixation des sources lumineuses ou des supports de sources lumineuses
• F21V 23/00 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 29/267 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des éléments couverts par plusieurs des groupes , , , , dans différentes régions semi-conductrices
• H01L 31/12 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• F21W 107/00 - Utilisation ou application de dispositifs d’éclairage sur ou dans des types véhicules spécifiques

Abrégé

A multiple pixel package structure with a buried chip and an electronic device using the same are provided. The multiple pixel package structure includes a multi-layered circuit board, a plurality of pixels, a protective layer, and a control chip. The pixels are arranged on the multi-layered circuit board and into an array. Each of the pixels includes a plurality of light emitting elements of different colors. The protective layer is formed on the multi-layered circuit board and covers the pixels. The control chip is buried in the multi-layered circuit board and electrically connected to the light emitting elements of each of the pixels, so as to allow each of the pixels to produce a target luminous characteristic.

Classes IPC  ?

• H01L 29/18 - Sélénium ou tellure uniquement, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 23/13 - Supports, p. ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

A light emitting diode (LED) package structure including a first light emitting portion, a second light emitting portion, a partition, and a surrounding wall is provided. The first light emitting portion includes a first LED chip emitting a first initial light, and the first initial light passes through the first light emitting portion to form a first white light. The second light emitting portion includes a second LED chip, a third LED chip, and a fourth LED chip. The partition is disposed between the first light emitting portion and the second light emitting portion. The surrounding wall is disposed around the partition, the first light emitting portion, and the second light emitting portion. The first white light has a view angle offset less than 1 degree.

Classes IPC  ?

• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

A display device is provided. The display device includes a circuit board, a reflective housing, a plurality of light emitting diode units, and a diffusion film The reflective housing is disposed on the circuit board and has a plurality of recesses. The light emitting diode units are disposed in the recesses and are electrically connected to the circuit board. The diffusion film is disposed on the reflective housing and covers the recesses. The diffusion film includes a plurality of ink spots that are spaced apart from each other, and the ink spots correspond in position to the recesses.

Classes IPC  ?

• G09F 9/302 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels caractérisés par la forme ou la disposition géométrique des éléments individuels
• G02B 5/02 - DiffuseursÉléments afocaux
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants

Abrégé

A package structure is provided. The package structure includes a substrate, an electrode layer, a lighting unit, a wall, and a package compound. The substrate and the wall that is disposed on the substrate jointly define an accommodating space. The lighting unit in the accommodating space and is electrically connected to the electrode layer disposed on the substrate. The package compound covers the electrode layer, and the lighting unit. The package compound includes an attaching portion disposed on a top surface of the lighting unit and a surrounding portion that is arranged around the attaching portion. The surrounding portion has an annular slot arranged on a top surface thereof. A bottom end of the annular slot is located at a position aligning with 25%˜90% of a thickness of the lighting diode along a height direction.

Classes IPC  ?

• H10H 20/85 - Enveloppes
• H10H 20/856 - Moyens réfléchissants
• H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure

Abrégé

A projection device and a household appliance are provided. The projection device includes a casing, a lens component, and a pattern lighting module. An opening is disposed at a front end of the casing. The lens component is disposed inside an accommodating space of the casing and fixed on the casing, and the lens component corresponds to the opening. The pattern lighting module is disposed inside the accommodating space of the casing and fixed on the casing, and the pattern lighting module corresponds to the lens component. The pattern lighting module emits at least one patterned light beam that passes through the lens component and the opening sequentially.

Classes IPC  ?

• G03B 21/14 - Projecteurs ou visionneuses du type par projectionLeurs accessoires Détails
• G03B 21/26 - Projecteurs ou visionneuses du type par projectionLeurs accessoires Détails projetant séparément une image subsidiaire en même temps que l'image principale
• G01J 1/08 - Agencements des sources lumineuses spécialement adaptées à la photométrie
• F21V 5/00 - Réfracteurs pour sources lumineuses
• G01J 1/04 - Pièces optiques ou mécaniques
• G01J 1/42 - Photométrie, p. ex. posemètres photographiques en utilisant des détecteurs électriques de radiations
• H05B 35/00 - Sources lumineuses électriques utilisant une combinaison des différents types de génération de lumière
• F21V 17/10 - Fixation des parties constitutives des dispositifs d'éclairage, p. ex. des abat-jour, des globes, des réfracteurs, des réflecteurs, des filtres, des écrans, des grilles ou des cages de protection caractérisée par des moyens de fixation spécifiques
• F21Y 105/16 - Sources lumineuses planes comprenant un réseau bidimensionnel d’éléments générateurs de lumière ponctuelle caractérisées par la forme d’ensemble du réseau bidimensionnel carrée ou rectangulaire, p. ex. pour les panneaux de lumière
• G03B 21/20 - Boîtes à lumière
• F21Y 113/10 - Combinaison de sources lumineuses de couleurs différentes
• F21K 9/90 - Procédés de fabrication

Abrégé

A light sensing module and an electronic device using the same are provided. The light sensing module includes a substrate, a light sensing unit, a first light-transmissive component and a blocking wall. The light sensing unit is disposed on the substrate to sense an intensity of a working light beam. The first light-transmissive component covers the light sensing unit, and has a first refractive index that is between a refractive index of the light sensing unit and a refractive index of air. The blocking wall is disposed on the substrate, and surrounds the light sensing unit and the first light-transmissive component.

Classes IPC  ?

• G01J 1/08 - Agencements des sources lumineuses spécialement adaptées à la photométrie
• F21V 5/00 - Réfracteurs pour sources lumineuses
• G01J 1/04 - Pièces optiques ou mécaniques
• G01J 1/42 - Photométrie, p. ex. posemètres photographiques en utilisant des détecteurs électriques de radiations
• G03B 21/14 - Projecteurs ou visionneuses du type par projectionLeurs accessoires Détails
• G03B 21/26 - Projecteurs ou visionneuses du type par projectionLeurs accessoires Détails projetant séparément une image subsidiaire en même temps que l'image principale
• H05B 35/00 - Sources lumineuses électriques utilisant une combinaison des différents types de génération de lumière
• F21V 17/10 - Fixation des parties constitutives des dispositifs d'éclairage, p. ex. des abat-jour, des globes, des réfracteurs, des réflecteurs, des filtres, des écrans, des grilles ou des cages de protection caractérisée par des moyens de fixation spécifiques
• F21Y 105/16 - Sources lumineuses planes comprenant un réseau bidimensionnel d’éléments générateurs de lumière ponctuelle caractérisées par la forme d’ensemble du réseau bidimensionnel carrée ou rectangulaire, p. ex. pour les panneaux de lumière
• G03B 21/20 - Boîtes à lumière
• F21Y 113/10 - Combinaison de sources lumineuses de couleurs différentes
• F21K 9/90 - Procédés de fabrication

Abrégé

A light detecting device, a lighting module, and a manufacturing method for the same are provided. The lighting module includes a carrier, a light assembly having a first lighting unit and a second lighting unit, a lens assembly having a first lens and a second lens, and a casing surrounding the lens assembly. The first lighting unit emits a first beam having a first wavelength through the first lens to define a first view angle and the second lighting unit emits a second beam having a second wavelength through the second lens to define a second view angle. The first wavelength is smaller than the second wavelength, and the first view angle is greater than the second view angle.

Classes IPC  ?

• G01J 1/08 - Agencements des sources lumineuses spécialement adaptées à la photométrie
• F21V 5/00 - Réfracteurs pour sources lumineuses
• G01J 1/04 - Pièces optiques ou mécaniques
• G01J 1/42 - Photométrie, p. ex. posemètres photographiques en utilisant des détecteurs électriques de radiations
• G03B 21/14 - Projecteurs ou visionneuses du type par projectionLeurs accessoires Détails
• G03B 21/26 - Projecteurs ou visionneuses du type par projectionLeurs accessoires Détails projetant séparément une image subsidiaire en même temps que l'image principale
• H05B 35/00 - Sources lumineuses électriques utilisant une combinaison des différents types de génération de lumière
• F21V 17/10 - Fixation des parties constitutives des dispositifs d'éclairage, p. ex. des abat-jour, des globes, des réfracteurs, des réflecteurs, des filtres, des écrans, des grilles ou des cages de protection caractérisée par des moyens de fixation spécifiques
• F21Y 105/16 - Sources lumineuses planes comprenant un réseau bidimensionnel d’éléments générateurs de lumière ponctuelle caractérisées par la forme d’ensemble du réseau bidimensionnel carrée ou rectangulaire, p. ex. pour les panneaux de lumière
• G03B 21/20 - Boîtes à lumière
• F21Y 113/10 - Combinaison de sources lumineuses de couleurs différentes
• F21K 9/90 - Procédés de fabrication

Abrégé

A light-emitting package structure and a manufacturing method thereof are provided. The light-emitting package structure includes a driving device and at least one light-emitting chip. The driving device includes a driving chip and a redistribution layer structure formed over the driving chip. The driving chip has a first surface and a second surface opposite to the first surface. The redistribution layer structure includes a plurality of first conductive pads disposed on the first surface and a plurality of second conductive pads disposed on the second surface, and one of the first conductive pads is electrically connected to one of the second conductive pads. The at least one light-emitting chip is disposed on the first surface of the driving chip and electrically connected to the driving chip through the first conductive pads.

Classes IPC  ?

• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants

Abrégé

A light emitting package is provided, the light emitting package includes a carrier having a main part that has multiple chip bonding regions, and each the chip bonding regions has two neighboring conductive parts. An insulating part is disposed on the main part and portion of the two neighboring conductive parts, and multiple hollow-out structures are formed by the insulating part and corresponded in position to the chip bonding regions. Each of the hollow-out structures has a side wall that surrounds the chip bonding regions, and the portion of the tops of the two neighboring conductive parts are exposed from a bottom portion of the hollow-out structure, and multiple light emitting chips are disposed onto the chip bonding surfaces.

Classes IPC  ?

• H01L 29/18 - Sélénium ou tellure uniquement, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

3 is a C6-C12 aromatic group. In the general formula, x, y, z, i, j, and k represent a molar ratio. In the general formula, x, y, z, i, and j are a non-negative number smaller than or equal to 1, and k is a positive number ≤3. A sum of x, y, z, and i is 1, and x is larger than 0.

Classes IPC  ?

• C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
• C08L 83/04 - Polysiloxanes
• C08G 79/08 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant des atomes autres que le silicium, le soufre, l'azote, l'oxygène et le carbone, avec ou sans ces derniers éléments créant une liaison contenant du bore
• C08G 77/56 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène liés par le bore

Abrégé

A light emitting diode (LED) package structure is provided and includes a substrate, an LED chip and a reflective component. The substrate has a first and a second region, and the substrate includes at least one electrode pad disposed on the second region. The LED chip is disposed on the substrate and has a chip upper surface with a light emitting region and a wire bonding region. The LED chip includes at least one electrode contact located at the wire bonding region and is electrically connected to the at least one electrode pad via a metal wire. The reflective component includes a first portion and a second portion. The first portion includes a first surface flush with the light emitting region and the second portion includes a second surface above a highest point of the metal wire.

Classes IPC  ?

• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone

Abrégé

A light emitting device is provided. The light emitting device includes a package structure, a first light emitting chip, a second light emitting chip, a third light emitting chip, a first encapsulant, a second encapsulant, and a third encapsulant. The first light emitting chip, the second light emitting chip, and the third light emitting chip are disposed in a first cavity, a second cavity, and a third cavity of a body of the package structure, and electrically connected with a first electrode pair, a second electrode pair, and a third electrode pair that are covered by the body. The first encapsulant, the second encapsulant, and the third encapsulant are filled in the first cavity, the second cavity, and the third cavity. A first opening of the first cavity is larger in size than a second opening of the second cavity and a third opening of the third cavity.

Classes IPC  ?

• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

A lighting device is provided. The lighting device includes a carrier, a light-emitting diode chip, and a wavelength up-conversion structure. The light-emitting diode chip is disposed on the carrier and is configured to emit a first light, which has a peak wavelength between 800 nm and 1000 nm. The wavelength up-conversion structure is disposed on the light-emitting diode chip and is configured to convert part of the first light into a second light, which has a converted spectrum between 400 nm and 700 nm.

Classes IPC  ?

• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/52 - Encapsulations

Abrégé

A sensing device includes a substrate, two chips, and a shielding structure. The two chips are respectively defined as an emitting chip and a receiving chip. The emitting chip can emit a sensing light beam, the receiving chip can receive the sensing light beam, and the two chips are fixed in position on the substrate at intervals. At least one of the chips is electrically connected to the substrate through at least one wire, and a position where the wire is connected to the substrate is located between the two chips. The shielding structure is formed on the substrate. The shielding structure is located between the two chips, and the shielding structure covers the wire and a portion of the chip connected to the wire. Compared with the conventional photo-plethysmography sensor, the sensing device has the advantage of a smaller size.

Classes IPC  ?

• H01L 31/12 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
• H01L 31/0216 - Revêtements
• H01L 31/0203 - Conteneurs; Encapsulations
• H01L 33/52 - Encapsulations
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 31/173 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface formés dans, ou sur un substrat commun
• A61B 5/024 - Mesure du pouls ou des pulsations cardiaques

Abrégé

A substrate structure with a buried chip and a light emitting device using the same are provided. The substrate structure includes a base layer, a control chip, a filling layer, a first upper resin layer and a first lower resin layer. The substrate layer has a first surface, a second surface opposite to the first surface, and an opening passing through the first surface and the second surface. The control chip is disposed in the opening, and an annular space having a specific width is defined by an outer wall surface of the control chip and an inner wall surface of the opening. The filling layer is filled in the annular space. The first upper resin layer and the first lower resin layer are respectively disposed on the first surface and the second surface of the base layer.

Classes IPC  ?

• H01L 29/18 - Sélénium ou tellure uniquement, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 23/485 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p. ex. contacts planaires
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• F21V 31/00 - Dispositions d'étanchéité à l'eau ou aux gaz
• H01L 33/40 - Matériaux
• H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants

Abrégé

A light-emitting diode (LED) package structure includes a substrate, an LED, a side wall, an encapsulant, and a waterproof protective coating. The LED is disposed on the substrate, the side wall defines a through hole and is disposed on the substrate, and the LED is accommodated in the through hole. The encapsulant is filled in the through hole and covers the LED. A heterojunction is disposed between the encapsulant and the side wall, and the waterproof protective coating seals the heterojunction. Furthermore, the encapsulant includes a first fluoropolymer, the waterproof protective coating includes a second fluoropolymer, and the light transmittance of the first fluoropolymer is greater than that of the second fluoropolymer.

Classes IPC  ?

• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 23/485 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p. ex. contacts planaires
• F21V 31/00 - Dispositions d'étanchéité à l'eau ou aux gaz
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/40 - Matériaux
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 23/14 - Supports, p. ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière

Abrégé

A light emitting structure includes a substrate, at least one light emitting chip disposed on the substrate and, a side wall disposed on the substrate and surrounding the at least one light emitting chip, a cover disposed on the side wall, an anti-reflective coating disposed on the cover, and a protective layer disposed on outside of the cover, wherein the cover, the side wall and the substrate define an enclosed space for accommodating the at least one light emitting chip.

Classes IPC  ?

• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 23/485 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p. ex. contacts planaires
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• F21V 31/00 - Dispositions d'étanchéité à l'eau ou aux gaz
• H01L 33/40 - Matériaux
• H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants

Abrégé

An LED package structure includes a multilayered circuit board, a plurality of lighting elements, a control unit, a reflecting unit, a package unit, a plurality of test paths and a plurality of operation paths. The multilayered circuit board includes a plurality of testing pads, a first electrical connecting pad and a plurality of second electrical connecting pads. The lighting elements are disposed on the multilayered circuit board. The control unit is electrically connected to the lighting elements. The reflecting unit is disposed on the multilayered circuit board and surrounds the lighting elements. The package unit covers the lighting elements. The test paths are in electrical connection with the first electrical connecting pad, the lighting elements and one of the testing pads. The operation paths are in electrical connection with the first electrical connecting pad, the control unit, the lighting elements and one of the second electrical connecting pads.

Classes IPC  ?

• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• G01R 31/26 - Test de dispositifs individuels à semi-conducteurs
• G01R 31/27 - Test de dispositifs sans les extraire physiquement du circuit dont ils font partie, p. ex. compensation des effets dus aux éléments environnants
• H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 33/52 - Encapsulations
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement

Abrégé

A light source package structure is provided. The light source package structure includes a substrate, an upper electrode layer, a light emitting unit, a photodiode, a surrounding wall, a light permeable element, and a coating layer. The substrate includes a first surface and a second surface that is opposite to the first surface. The upper electrode layer is disposed on the first surface of the substrate. The light emitting unit and the photodiode both are disposed on the upper electrode layer. The surrounding wall is disposed on the first surface and is arranged to surround the light emitting unit and the photodiode. The light permeable element is disposed on the surrounding wall. The coating layer is disposed inside of the surrounding wall and is coated on a part of the first surface and a part of the upper electrode layer.

Classes IPC  ?

• H01S 5/02257 - Découplage de lumière utilisant des fenêtres optiques, p. ex. spécialement adaptées pour réfléchir de la lumière sur un détecteur à l’intérieur du boîtier
• H01L 31/0216 - Revêtements
• H01L 31/12 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour
• H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
• H01S 5/0239 - Combinaisons d’éléments électriques ou optiques
• H01L 31/167 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface
• H01S 5/0683 - Stabilisation des paramètres de sortie du laser en surveillant les paramètres optiques de sortie

Abrégé

A light source package structure is provided. The light source package structure includes a substrate, an upper electrode layer, a surrounding wall, a light emitting unit, an adhesive, and a light permeable element. The surrounding wall is annular with step structure and includes an upper tread surface arranged away from the substrate, an upper riser surface connected to an inner edge of the upper tread surface, a lower tread surface disposed at an inner side of the upper riser surface, an accommodating groove disposed between the lower tread surface and the upper riser surface, and a lower riser surface connected to an inner edge of the lower tread surface and arranged away from the upper tread surface. The lower riser surface and the first surface jointly define a receiving space.

Classes IPC  ?

• H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
• H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
• G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
• C09K 19/54 - Additifs n'ayant pas de mésophase spécifique
• C09K 19/38 - Polymères, p. ex. polyamides
• C09K 19/52 - Substances formant des cristaux liquides caractérisées par des constituants qui ne sont pas des cristaux liquides, p. ex. additifs
• C09J 163/00 - Adhésifs à base de résines époxyAdhésifs à base de dérivés des résines époxy

Abrégé

A light source package structure is provided. The light source package structure includes a substrate, an upper electrode layer and a lower electrode layer respectively disposed on two sides of the substrate, a light emitting unit mounted on the upper electrode layer, a surrounding wall disposed on the substrate and arranged to surround the light emitting unit, a conductive unit disposed on the surrounding wall and electrically connected to the lower electrode layer, a light permeable element disposed on the surrounding wall, a detection circuit formed on the light permeable element, and at least one conductive adhesive. The conductive adhesive includes a colloid and a plurality of fillers mixed with the colloid. The colloid and the fillers of the conductive adhesive are partially filled within the gap.

Classes IPC  ?

• F21V 23/00 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage
• F21K 9/00 - Sources lumineuses utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en tant qu’éléments générateurs de lumière, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] ou des lasers
• C09J 9/02 - Adhésifs conducteurs de l'électricité
• F21Y 115/30 - Lasers à semi-conducteurs

Abrégé

A display device includes a patterned panel and a light emitting module. The patterned panel includes a light-transmitting substrate, a first light-transmitting portion, a second light-transmitting portion and a third light-transmitting portion. Each of the light-transmitting portions respectively has a first transmission spectrum, a second transmission spectrum and a third transmission spectrum. The third light-transmitting portion is adjacent to the first light-transmitting portion and the second light-transmitting portion, and the third transmission spectrum has a first overlapping part with the first transmission spectrum, and has a second overlapping part with the second transmission spectrum. The light emitting module includes a first light emitting unit and a second light emitting unit, the first light emitting unit emits a first light having a peak wavelength in the first overlapping part, and the second light emitting unit emits a second light having a peak wavelength in the second overlapping part.

Classes IPC  ?

• G09F 19/20 - Moyens de publicité ou de présentation non prévus ailleurs utilisant des effets optiques particuliers avec des effets de mélange des couleurs
• G02B 5/20 - Filtres
• F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p. ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage

Abrégé

The light source device includes a substrate, a light emitting unit mounted on the substrate, a frame disposed on the substrate, a metal shield fixed to an inner side of the frame and electrically coupled to the substrate, a light permeable member disposed on the frame, a cover plate disposed on the light permeable member and fixed to the frame, a detection unit electrically coupled to the substrate, and an uplift block that provides for the substrate to be disposed thereon.

Classes IPC  ?

• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
• H01L 23/055 - ConteneursScellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur les connexions ayant un passage à travers la base

Abrégé

A light source device includes a substrate, a light emitting unit, a frame, a light permeable member, and a metal shield. An upper electrode layer and a lower electrode layer of the substrate are respectively disposed on two opposite sides of the substrate, and are electrically coupled to each other. The light emitting unit is disposed on the upper electrode layer. The frame is disposed on the substrate and is arranged around the light emitting unit. The light permeable member is disposed on the frame and covers the light emitting unit. The metal shield is fixed to an inner side of the frame and is connected to the ground pad of the upper electrode layer. The metal shield is arranged around the outer side of the light emitting unit.

Classes IPC  ?

• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière

Abrégé

A chip-scale LED package structure includes a white light emitting unit for emitting a white light, a red flip-chip LED for emitting a red light, a green flip-chip LED for emitting a green light, a blue flip-chip LED for emitting a blue light, and an encapsulation layer. The encapsulation includes an encapsulation resin and a plurality of refractive particles distributed in the encapsulation resin. The encapsulation layer encapsulates the white light emitting unit, the red flip-chip LED, the green flip-chip LED, and the blue flip-chip LED. Moreover, electrodes of the white light emitting unit, electrodes of the red flip-chip LED, electrodes of the green flip-chip LED, and electrodes of the blue flip-chip LED are exposed from the encapsulation layer.

Classes IPC  ?

• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone

Abrégé

An optical sensor module includes a first frame set, a second frame set and a housing which partially covers the first frame set and the second frame set. The first frame set has a first chip-mounting frame and a first wiring frame. The first chip-mounting frame has a first chip-mounting section, and a first conductive lead. At least one first indentation is formed on the first chip-mounting section. The second frame set has a second chip-mounting frame and a second wiring frame. The second chip-mounting frame has a second chip-mounting section and a second conductive lead. At least one second indentation is formed on the second chip-mounting section.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
• H01L 31/101 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
• H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
• H05K 5/00 - Enveloppes, coffrets ou tiroirs pour appareils électriques

Abrégé

A light emitting package structure and a method of manufacturing the light emitting package structure are provided. The method includes: a preparation process: mounting a light emitting unit on a substrate; a dispensing process: coating a sealant on a first joint area of the substrate; a cover-enclosing process: disposing a cover element having a second joint area on the substrate, the first joint area and the second joint area joined to each other by the sealant; a vacuum process: reducing an ambient pressure to a first pressure lower than the original ambient pressure; a pressure-adjusting process: adjusting the ambient pressure around the package structure to a second pressure higher than the first pressure; and a curing process: curing the sealant.

Classes IPC  ?

• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/52 - Encapsulations

Abrégé

A light emitting unit includes a reflective structure, a light transmitting body and a light emitting chip. The reflective structure has a recess formed by inner side surfaces thereof, and the reflective structure includes a side opening and a bottom opening corresponding to the recess. The side opening and the bottom opening are adjacent to each other, and the inner side surfaces are defined as a top surface and a surrounding side surface. The light transmitting body is disposed within the recess and doped with fluorescent powder. The light transmitting body includes a light emitting surface and an electrode exposing surface. The light emitting surface is corresponding to the side opening; and the electrode exposing surface is corresponding to the bottom opening. The light emitting chip is partially disposed within the light transmitting body and has a bottom, a top light emitting and side light emitting surfaces.

Classes IPC  ?

• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière

Abrégé

A lead frame array for carrying chips includes a plurality of lead frames. Any four lead frames adjacent to each other and have two pairs of linking bridge groups which are connected any two lead frames adjacent to each other by one of the linking bridge groups. Each linking bridge group has an inner linking bridge, a slanted linking bridge and an outer linking bridge. An LED package structure with multiple chips is further provided, which includes a lead frame formed by cutting the lead frame array.

Classes IPC  ?

• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

The present disclosure provides an LED package structure, a carrier, and a method for manufacturing a carrier. The carrier includes a substrate and an electrode layer disposed on the substrate. The electrode layer includes at least one bonding portion that has a plurality of elongated microstructures recessed in a surface thereof.

Classes IPC  ?

• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/36 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes
• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
• H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

Abrégé

A light source device includes a substrate, an upper electrode layer and a lower electrode layer respectively disposed on two opposite surfaces of the substrate, a plurality of first conductive posts and second conductive posts embedded in the substrate and having the same number, a light emitter, a surrounding frame surrounding the light emitter, and a light permeable member disposed on the surrounding frame and covering the light emitter. The first conductive posts connect a first upper electrode pad of the upper electrode layer and a first lower electrode pad of the lower electrode layer. The second conductive posts connect a second upper electrode pad of the upper electrode layer and a second lower electrode pad of the lower electrode layer. The light emitter is mounted on the first upper electrode pad and is electrically connected to the second upper electrode pad.

Classes IPC  ?

• F21V 23/06 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage les éléments étant des dispositifs de couplage
• H01L 31/12 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour
• F21V 25/02 - Dispositifs de sécurité associés structuralement avec les dispositifs d'éclairage entrant en action quand le dispositif d'éclairage est dérangé, démonté ou cassé
• H01S 5/042 - Excitation électrique
• G01S 17/08 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement
• G01S 17/89 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la cartographie ou l'imagerie
• H01S 5/02216 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type papillon, c.-à-d. avec les broches d’électrode s’étendant latéralement depuis le boîtier
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
• F21Y 115/30 - Lasers à semi-conducteurs
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]

Abrégé

A light source device includes a substrate, an electrode layer and an annular step-like surrounding frame both disposed on the substrate, a light emitter and a light detector both spaced apart from each other and mounted on the electrode layer in the surrounding frame, and a light permeable member disposed on the surrounding frame. The surrounding frame includes an upper tread arranged away from the substrate, an upper riser connected to an inner edge of the upper tread, a lower tread arranged at an inner side of the upper riser, and a lower riser connected to an inner edge of the lower tread and arranged away from the upper tread. The surrounding frame has a notch recessed in the lower tread and the lower riser for spatially communicating an inner side of the surrounding frame to an external space.

Classes IPC  ?

• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• F21V 23/06 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage les éléments étant des dispositifs de couplage
• H01L 31/12 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour
• F21V 25/02 - Dispositifs de sécurité associés structuralement avec les dispositifs d'éclairage entrant en action quand le dispositif d'éclairage est dérangé, démonté ou cassé
• H01S 5/042 - Excitation électrique
• G01S 17/08 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement
• G01S 17/89 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la cartographie ou l'imagerie
• H01S 5/02216 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type papillon, c.-à-d. avec les broches d’électrode s’étendant latéralement depuis le boîtier
• F21Y 115/30 - Lasers à semi-conducteurs
• F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]

Abrégé

A light source device and an electronic apparatus are provided. The light source device includes a substrate, an electrode layer and a surrounding frame disposed on the substrate, a light emitter and a light detector mounted on the electrode layer and located inside of the surrounding frame, and a light permeable member disposed on the surrounding frame and covering the light emitter and the light detector. When the light emitter receives a predetermined current so as to emit an invisible light toward the light permeable member, the light detector receives a reflected part of the invisible light to generate an initial photocurrent. When the light emitter receives a manipulation current so that a detection photocurrent generated from the light detector is less than a first proportion of the initial photocurrent or greater than a second proportion of the initial photocurrent, the light emitter stops receiving the manipulation current.

Classes IPC  ?

• G02B 6/42 - Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
• H01S 5/022 - SupportsBoîtiers
• H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]

Abrégé

A light source device includes a substrate, an upper electrode layer and a lower electrode layer both respectively disposed on two opposite surfaces of the substrate, a light emitting unit mounted on the upper electrode layer, a surrounding frame disposed on the substrate and surrounding the light emitting unit, a conductive unit disposed on the surrounding frame, a light permeable member disposed on the surrounding frame and covering the light emitting unit, and a detecting circuit formed on an outer surface of the light permeable member. The lower electrode layer includes two coplanar sub-layers. The light emitting unit is electrically coupled to one of the two sub-layers through the upper electrode layer. The detecting circuit includes two contacts connected to the conductive unit, and is electrically coupled to the second lower electrode sub-layer by the conductive unit electrically coupled to the other one of the two sub-layers.

Classes IPC  ?

• F21V 25/02 - Dispositifs de sécurité associés structuralement avec les dispositifs d'éclairage entrant en action quand le dispositif d'éclairage est dérangé, démonté ou cassé
• F21V 23/06 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage les éléments étant des dispositifs de couplage
• F21V 15/01 - Boîtiers, p. ex. matériau ou assemblage de parties du boîtier
• F21Y 115/30 - Lasers à semi-conducteurs
• F21Y 115/10 - Diodes électroluminescentes [LED]

Abrégé

An LED package structure includes an LED frame, a driver frame unit, a housing, LED chips, a driver chip, and a light-permeable package body. The LED frame includes a carrying segment and two bent leads connected to the carrying segment. The driver frame unit includes two side frames each having a functional segment and a bent lead. The housing has a cavity exposing the carrying segment and the two functional segments. The bent leads protrude from a lateral surface of the housing, and curvedly extend to a bottom surface of the housing. The LED chips are mounted on the carrying segment. The driver chip is fixed to one of the two functional segments, and is electrically connected to the other functional segment and the LED chips. The light-permeable package body is filled in the cavity so as to embed the LED chips and the driver chip.

Classes IPC  ?

• F21V 23/00 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière

Abrégé

A manufacturing method of an LED package structure includes the steps as follows: providing an LED package structure assembly, which has a substrate layer, an LED chip set located on the substrate layer, and an encapsulating gel layer covering the LED chip set; taking a first blade to saw the LED package structure assembly from the encapsulating gel layer to the substrate layer until a plurality of sawing grooves are formed on the substrate layer; and taking a second blade to saw the LED package structure assembly along each sawing groove until the second blade passes through the substrate layer, thereby forming a plurality of LED package structures separated from each other. Wherein a hardness of the first blade is greater than that of the second blade, and a thickness of the second blade is less than that of the first blade.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 29/866 - Diodes Zener
• H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement

Abrégé

A light-emitting device includes a package structure and a light-emitting chip. The package structure has a light exiting surface, a rear surface facing away from the light exiting surface, a groove inward recessed on the rear surface, and an outer surrounding side wall surrounding the groove. The light-emitting chip is disposed in the groove. The width of the package structure gradually decreases from the light exiting surface to the rear surface. The width of the groove gradually increases from inside to outside of the groove.

Classes IPC  ?

• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

A miniaturized structured light projection module is provided. The miniaturized structured light projection module includes a light source assembly and a projecting lens. The light source assembly has a plurality of light source units, each of which is provided with a default projected pattern on its surface. The projecting lens is disposed above the light source units. The default projected patterns of the light source units are disposed on a front focal plane of the projecting lens.

Classes IPC  ?

• F21V 5/00 - Réfracteurs pour sources lumineuses
• F21Y 115/30 - Lasers à semi-conducteurs

Abrégé

An LED package structure includes a multilayer circuit board, an LED chip, and a cover. The multilayer circuit board has a conductive layer, a first resin layer disposed on the conductive layer, and a first circuit layer disposed on the first resin layer. The first resin layer has a first opening, and a portion of the conductive layer is partially exposed from the first resin layer via the first opening such that a mounting region is exposed. The first circuit layer has a second opening, and the second opening exposes the mounting region. The LED chip is fixed on the mounting region by passing it through the first and second openings, and the LED chip is connected to the first circuit layer by wires. The cover is disposed on the first resin layer and covers the LED chip and the first circuit layer.

Classes IPC  ?

• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/52 - Encapsulations
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H05K 1/02 - Circuits imprimés Détails
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs

Abrégé

A lead frame includes a main plate and a side plate. The main plate has a support portion and a projecting portion. The support portion has two opposite first sides and a support face located between the first sides. The projecting portion projects upward from one of the first sides in a direction opposite to the support face. The side plate is disposed separately from the one of the first sides of the support portion and is spaced apart from the projecting portion.

Classes IPC  ?

• H01L 31/14 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour la ou les sources lumineuses étant commandées par le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement, p.ex. convertisseurs d'images, amplificateurs d'images ou dispositifs de stockage d'image
• A61B 5/026 - Mesure du débit sanguin
• H01L 31/173 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface formés dans, ou sur un substrat commun
• H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
• H01L 31/024 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de température
• A61B 5/1455 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p. ex. de la concentration des gaz dans le sang ou de la valeur du pH du sang en utilisant des capteurs optiques, p. ex. des oxymètres à photométrie spectrale
• A61B 5/00 - Mesure servant à établir un diagnostic Identification des individus

Abrégé

An LED structure includes a substrate, an LED chip disposed on the substrate, a wavelength conversion layer disposed above a light-emitting surface of the LED chip, and a cut-on optical filter disposed on a central region of the wavelength conversion layer.

Classes IPC  ?

• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
• G02B 5/28 - Filtres d'interférence
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière

Abrégé

An package structure includes a substrate, a pair of electrodes and a solder pad layer both electrically connected to each other and respectively disposed on two opposite surfaces of the substrate, a lighting diode arranged above the substrate and electrically connected to the pair of electrodes, a wall disposed on the substrate and arranged around the lighting diode, and a package compound disposed inside of the wall and covering the lighting diode. The package compound includes an attaching portion disposed on a top surface of the lighting diode, and a surrounding portion arranged around the attaching portion. The surrounding portion has an annular slot arranged on a top surface thereof. A bottom end of the annular slot is located at a position aligning with 25%˜90% of a thickness of the lighting diode along a height direction.

Classes IPC  ?

• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone

Abrégé

A method for forming a light-emitting package structure provided with a predetermined view angle is provided. The method includes the steps of: disposing a flip chip on a carrier substrate; filling an underfill material between at least two electrodes of the flip chip for supporting the flip-chip; laser lifting-off a growing substrate from the flip chip for forming a thin film chip and exposing an epitaxial structure from the thin film chip; roughening the epitaxial structure exposed from the thin film chip; providing a view angle adjusting structure including a wavelength converting layer on the thin film chip, and selecting a predetermined view angle and achieving the predetermined view angle by adjusting the view angle adjusting structure according to a linear regression formula.

Classes IPC  ?

• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde

Abrégé

An LED package structure includes a ceramic substrate, a ceramic board, a light-emitting unit, a first adhesive layer, a second adhesive layer, and a cover. The ceramic board having a thru-hole is disposed on the ceramic substrate. The light-emitting unit is disposed on the ceramic substrate and is arranged in the thru-hole of the ceramic board. The first and second adhesive layers are disposed on the ceramic board, and the second adhesive layer covers the first adhesive layer. The cover is fixed on the ceramic board by the first and second adhesive layers. Thus, the shearing force of the LED package structure of the instant disclosure is increased by having the first and second adhesive layers, which are connected to each other.

Classes IPC  ?

• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants

Abrégé

A method for forming a light-emitting package structure provided with a predetermined view angle is provided. The method includes the steps of: disposing a flip chip on a carrier substrate; filling an underfill material between at least two electrodes of the flip chip for supporting the flip-chip; laser lifting-off a growing substrate from the flip chip for forming a thin film chip and exposing an epitaxial structure from the thin film chip; roughening the epitaxial structure exposed from the thin film chip; providing a view angle adjusting structure including a wavelength converting layer on the thin film chip, and selecting a predetermined view angle and achieving the predetermined view angle by adjusting the view angle adjusting structure according to a linear regression formula.

Classes IPC  ?

• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants

Abrégé

An LED package structure includes a substrate, an electrode layer and an insulating layer in a coplanar arrangement and disposed on the substrate, an LED chip mounted on the electrode layer and the insulating layer, a phosphor sheet covering entirely a top surface of the LED chip, a first translucent layer disposed on a light emitting surface of the phosphor sheet, and a reflective housing covering the side surfaces of the LED chip and the side surfaces of the phosphor sheet. The light emitting surface has a central region and a ring-shaped region surrounding the central region. The first translucent layer covers at least 60% of an area of the ring-shaped region. A refractive index of the first translucent layer is larger than one and is smaller than that of the phosphor sheet. A top surface of the reflective housing is substantially flush with the light emitting surface.

Classes IPC  ?

• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 29/866 - Diodes Zener

Abrégé

An optical biosensor module includes a circuit board having a mounting surface and first and second circuits. A light-receiving unit is disposed on the mounting surface, and includes a light receiver electrically connected to the first circuit and having a light-receiving surface. A light-emitting unit is disposed on the light-receiving surface, and includes a light emitter electrically connected to the second circuit and having a light-emitting surface, and a light emitter blocking wall surrounding the light emitter. An opaque interface exists between the light receiver and the light emitter, and a top side of the light emitter blocking wall is equal to or higher than the light-emitting surface.

Classes IPC  ?

• H01L 31/167 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface
• A61B 5/0205 - Évaluation simultanée de l'état cardio-vasculaire et de l'état d'autres parties du corps, p. ex. de l'état cardiaque et respiratoire
• A61B 5/1455 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p. ex. de la concentration des gaz dans le sang ou de la valeur du pH du sang en utilisant des capteurs optiques, p. ex. des oxymètres à photométrie spectrale
• G01J 1/02 - Photométrie, p. ex. posemètres photographiques Parties constitutives
• G01J 1/08 - Agencements des sources lumineuses spécialement adaptées à la photométrie
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
• H01L 33/52 - Encapsulations
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• A61B 5/00 - Mesure servant à établir un diagnostic Identification des individus
• A61B 5/024 - Mesure du pouls ou des pulsations cardiaques
• A61B 5/08 - Dispositifs de mesure pour examiner les organes respiratoires

Abrégé

An optical sensor module has a light receiver and a light-emitter which is surrounded by a light blocking wall, wherein the light receiver is disposed on a main plate and the light-emitter is disposed on a side plate separately from the main plate. The light blocking wall is formed as a light barrier wall between the light receiver and the light-emitter. A projecting portion projecting upward from the main plate is enclosed by the light barrier wall, and a top face of the projecting portion is higher than the light receiving face and the light-emitting face.

Classes IPC  ?

• H01L 31/14 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour la ou les sources lumineuses étant commandées par le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement, p.ex. convertisseurs d'images, amplificateurs d'images ou dispositifs de stockage d'image
• H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
• H01L 31/024 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de température

Abrégé

An optical sensor includes a substrate, light emitting units for emitting light with different wavelengths, and a photodetector. The substrate has at least one receiver for containing these light emitting units and a slot for containing the photodetector. A light guide structure of the optical sensor can be the receiver with a specific design, so that the light emitted by the light emitting units can be reflected towards a central axis of the photodetector. Thus, when at least one of the light emitting units emits light onto an object, the photodetector can receive the light reflected from the object.

Classes IPC  ?

• H01L 31/167 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface
• H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
• H01L 31/09 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
• G01V 8/14 - Détection, p. ex. en utilisant des barrières de lumière en utilisant un émetteur et un récepteur en utilisant des réflecteurs
• H04N 1/00 - Balayage, transmission ou reproduction de documents ou similaires, p. ex. transmission de fac-similésLeurs détails
• H01L 31/147 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour la ou les sources lumineuses étant commandées par le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement, p.ex. convertisseurs d'images, amplificateurs d'images ou dispositifs de stockage d'image les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface
• G01S 17/02 - Systèmes utilisant la réflexion d'ondes électromagnétiques autres que les ondes radio
• G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p. ex. agencements d'éléments optiques
• G01V 8/20 - Détection, p. ex. en utilisant des barrières de lumière en utilisant plusieurs émetteurs ou récepteurs

Abrégé

A method for manufacturing a light emitting diode structure uses a removable prefilled layer to attach the flip-type chip on a temporary substrate. A growth substrate of the flip-type chip is removed by laser lift-off, and then the light emitting diode structure is attached to a transparent support body. Lastly, the temporary substrate and the prefilled layer are removed.

Classes IPC  ?

• H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
• H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde

Abrégé

2=M√{square root over (2)} and M=0.8˜1.2.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs

Abrégé

A deep UV LED chip includes a light-emitting unit, an electrode unit, an electron blocking layer, and an optical layer. The electron blocking layer is disposed between a multiple quantum well layer and a p-type aluminum gallium nitride layer of the light-emitting unit. The optical layer is formed on the light-emitting unit and has a refractive index ranging from 1.0 to 2.3. Another deep UV LED chip further includes a light-transmitting substrate. The optical layer is formed on the light-transmitting substrate and has a refractive index ranging from 1.0 to a refractive index of the light-transmitting substrate. A package structure containing the deep UV LED chip is also disclosed.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants

Abrégé

A gas sensor includes a base, an insulating layer, two sensing electrodes, a heating layer, a gas-sensing material, and an exciting light source. A thru-hole is formed on the base, the insulating layer is disposed on the base to cover the thru-hole, and a portion of the insulating layer corresponding to the thru-hole is defined as an element area. Each sensing electrode disposed on the insulating layer has a sensing segment disposed on the element area and a sensing pad disposed outside the element area. The heating layer disposed on the insulating layer has a heating segment disposed on the element area and two heating pads disposed outside the element area. The gas-sensing material is disposed on the element area and covers the sensing segments and the heating segment. The exciting light source is arranged in the thru-hole and is configured to emit light toward the gas-sensing material.

Classes IPC  ?

• G01N 27/62 - Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant l'ionisation des gaz, p. ex. des aérosolsRecherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant les décharges électriques, p. ex. l'émission cathodique
• G01N 33/00 - Recherche ou analyse des matériaux par des méthodes spécifiques non couvertes par les groupes
• G01N 27/407 - Cellules et sondes avec des électrolytes solides pour la recherche ou l'analyse de gaz
• G01N 27/30 - Électrodes, p. ex. électrodes pour testsDemi-cellules

Abrégé

An optical sensor module includes a support unit, a light-receiving unit and a light-emitting unit. The support unit includes a main plate, and a side plate inclined relative to the main plate. The light-receiving unit includes a photodetector disposed on the main plate and having a light-receiving surface located away from the main plate, and a light-blocking member covering part of the photodetector. The light-emitting unit emits light toward an imaginary line perpendicular to the light-receiving surface, and is disposed on the side plate. A wearable device including the optical sensor is also disclosed.

Classes IPC  ?

• A61B 5/02 - Détection, mesure ou enregistrement en vue de l'évaluation du système cardio-vasculaire, p. ex. mesure du pouls, du rythme cardiaque, de la pression sanguine ou du débit sanguin
• A61B 5/024 - Mesure du pouls ou des pulsations cardiaques
• A61B 5/1455 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p. ex. de la concentration des gaz dans le sang ou de la valeur du pH du sang en utilisant des capteurs optiques, p. ex. des oxymètres à photométrie spectrale
• H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
• H01L 31/12 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour
• G01J 1/02 - Photométrie, p. ex. posemètres photographiques Parties constitutives
• G01J 1/04 - Pièces optiques ou mécaniques
• G01J 1/06 - Pièces optiques ou mécaniques réduisant l'angle de la lumière incidente
• G01J 1/42 - Photométrie, p. ex. posemètres photographiques en utilisant des détecteurs électriques de radiations
• A61B 5/00 - Mesure servant à établir un diagnostic Identification des individus
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides

Abrégé

A wearable apparatus and a photoplethysmograph (PPG) sensor unit are provided. The wearable apparatus includes a wearable holder and a physiological information measurement module configured to the wearable holder. The physiological information measurement module includes a circuit board, an electrocardiograph (ECG) sensor unit and a PPG sensor unit. The PPG sensor unit is disposed on the circuit board and adapted to be used in conjunction with the ECG sensor unit electrically connected to a first pad and a second pad on the circuit board. The PPG sensor unit includes a grid having a plurality of accommodating spaces, a lighting element arranged in one of the accommodating spaces, and a photo sensor arranged in another accommodating space. The grid includes an inner conductive contact portion exposed from the wearable holder, facing an inner side of the wearable holder and electrically connected to the second pad.

Classes IPC  ?

• A61B 5/021 - Mesure de la pression dans le cœur ou dans les vaisseaux sanguins
• A61B 5/0404 - Dispositifs tenus à la main
• A61B 5/00 - Mesure servant à établir un diagnostic Identification des individus
• A61B 5/0205 - Évaluation simultanée de l'état cardio-vasculaire et de l'état d'autres parties du corps, p. ex. de l'état cardiaque et respiratoire
• A61B 5/024 - Mesure du pouls ou des pulsations cardiaques
• A61B 5/026 - Mesure du débit sanguin
• A61B 5/0245 - Mesure du pouls ou des pulsations cardiaques utilisant des capteurs engendrant des signaux électriques

Abrégé

An LED package structure includes a conductive frame assembly, a reflective housing, an UV LED chip disposed on the conductive frame assembly, and a die-attach adhesive for bonding the UV LED chip to the conductive frame assembly. The reflective housing includes Silicone Molding Compound (SMC) and filler mixed in the SMC. The energy gap of the filler is greater than or equal to 4 eV. The energy gap of the filler thereof can be chosen by the following formulas. When the refractive index difference between the filler and the SMC is less than or equal to 0.2, the energy gap of the filler is satisfied the following formula. E≥1240 (nm·eV)/(λ−150(nm)). When the refractive index difference between the filler and the SMC is greater than 0.2, the energy gap of the filler is satisfied the following formula. E≥1240(nm·eV)/(λ−50(nm)).

Classes IPC  ?

• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 21/50 - Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

An LED package structure includes a substrate, a circuit layer and an insulating layer both disposed on the substrate, a light-emitting unit, and a reflective housing integrally formed with the insulating layer. The light-emitting unit includes an LED chip and a fluorescent body encapsulating the LED chip. The light-emitting unit is mounted on the insulating layer and the circuit layer. The fluorescent body of the light emitting unit is spaced apart from the circuit layer with a gap in a range of 3˜10 μm. The reflective housing is formed on the insulating layer and the circuit layer and is further filled within the gap. A top plane of the reflective housing arranged away from the substrate is lower than or equal to that of the light-emitting unit, and a distance between the two top planes is in a range of 0˜30 μm.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 29/866 - Diodes Zener
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
• H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• G02B 5/02 - DiffuseursÉléments afocaux

Abrégé

A manufacturing method of an LED package structure includes the steps as follows: providing an LED package structure assembly, which has a substrate layer, an LED chip set located on the substrate layer, and an encapsulating gel layer covering the LED chip set; taking a first blade to saw the LED package structure assembly from the encapsulating gel layer to the substrate layer until a plurality of sawing grooves are formed on the substrate layer; and taking a second blade to saw the LED package structure assembly along each sawing groove until the second blade passes through the substrate layer, thereby forming a plurality of LED package structures separated from each other. Wherein a hardness of the first blade is greater than that of the second blade, and a thickness of the second blade is less than that of the first blade.

Classes IPC  ?

• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 29/866 - Diodes Zener
• H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement

Abrégé

A light-emitting display device includes a substrate, several light emitting units for emitting light with different wavelengths, and an optical lens. The substrate has at least one receiver for containing these light emitting units. A light guide structure of the light-emitting display device can be the receiver with a specific designed, a frame body with at least one corresponding through hole formed on the corresponding receiver, or at least one optical element formed on the corresponding receiver, so as the light emitted by the light emitting units can be reflected towards the preset optical axis. And the optical lens is formed on the light guide structure as medium for mixing lights of different wavelengths for achieving a uniform lighting effect.

Classes IPC  ?

• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique

Abrégé

A manufacturing method of filling a resin into a housing includes the steps of: providing a housing that has at least one recess, with the recess having first and second spaces, and the first space being disposed above the second space; inverting the housing; injecting a fluid into the recess to fill the first space, with the fluid having a viscosity coefficient and a surface tension less than those of water; and injecting a first resin into the recess, with the first resin having a specific gravity greater than that of the fluid, such that the first resin fills the first space and the fluid fills the second space.

Classes IPC  ?

• G09F 9/00 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
• G09F 9/33 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels à semi-conducteurs, p. ex. à diodes
• G09F 9/302 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels caractérisés par la forme ou la disposition géométrique des éléments individuels
• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• B29D 11/00 - Fabrication d'éléments optiques, p. ex. lentilles ou prismes
• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• A23G 1/22 - Moules à chocolat
• B29C 39/02 - Moulage par coulée, c.-à-d. en introduisant la matière à mouler dans un moule ou entre des surfaces enveloppantes sans pression significative de moulageAppareils à cet effet pour la fabrication d'objets de longueur définie, c.-à-d. d'objets séparés
• B29C 39/10 - Moulage par coulée, c.-à-d. en introduisant la matière à mouler dans un moule ou entre des surfaces enveloppantes sans pression significative de moulageAppareils à cet effet pour la fabrication d'objets de longueur définie, c.-à-d. d'objets séparés en incorporant des parties ou des couches préformées, p. ex. coulée autour d'inserts ou sur des objets à recouvrir

Abrégé

An LED package structure includes a chip carrier and an LED chip. The chip carrier includes a ceramic substrate, a circuit layer, a ceramic reflective plate disposed on the ceramic substrate, and a metal slug. The ceramic substrate has a first thru-hole. A main portion of the metal slug is embedded in the first thru-hole, and partially protrudes from the first thru-hole with a height of 10˜30 μm to define as a protrusion block. An extending portion of the metal slug is connected to the outer edge of protrusion block, and the top surfaces of extending portion and protrusion block are coplanar to define a mounting surface. The ceramic reflective plate has a second thru-hole, and the mounting surface is exposed from the ceramic reflective plate via the second thru-hole. The LED chip is fixed on the mounting surface and is electrically connected to the circuit layer.

Classes IPC  ?

• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

An LED package structure includes a base, an LED chip disposed on the base, at least one metal wire, a phosphor sheet, and an encapsulation resin disposed in the base and encapsulating the LED chip, the metal wire, and the phosphor sheet. The LED chip has at least one electrode thereon. The metal wire has an apex and a loop height being defined by the apex. The metal wire is electrically connected to the electrode and the base. The phosphor sheet includes a B-stage resin and a plurality of phosphor powders mixed therewith. The phosphor sheet is adhered to the LED chip by the B-stage resin capable of viscosity and covers the top surface, the side surface, and the electrode of the LED chip. A thickness of the phosphor sheet is smaller than the loop height, and the apex of the metal wire is exposed from the phosphor sheet.

Classes IPC  ?

• H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/52 - Encapsulations
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs

Abrégé

An LED package structure includes a multilayer circuit board, an LED chip, and a cover. The multilayer circuit board has a conductive layer, a first resin layer disposed on the conductive layer, and a first circuit layer disposed on the first resin layer. The first resin layer has a first opening, and a portion of the conductive layer is partially exposed from the first resin layer via the first opening such that a mounting region is exposed. The first circuit layer has a second opening, and the second opening exposes the mounting region. The LED chip is fixed on the mounting region by passing it through the first and second openings, and the LED chip is connected to the first circuit layer by wires. The cover is disposed on the first resin layer and covers the LED chip and the first circuit layer.

Classes IPC  ?

• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/52 - Encapsulations
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H05K 1/02 - Circuits imprimés Détails

Abrégé

A manufacturing method of an LED package structure includes the steps of providing a base; disposing an LED chip on the base; electrically connecting the base and the LED chip by at least one metal wire, wherein the metal wire has an apex, and a height between the apex and a top surface of the LED chip is defined as a loop height; adhering a first phosphor sheet to the LED chip by a B-stage resin of the first phosphor sheet, wherein the first phosphor sheet covers the top surface, the side surface, and the electrode of the LED chip, the thickness of the first phosphor sheet is smaller than the loop height, and the apex of the metal wire is exposed from the first phosphor sheet; and disposing an encapsulation resin in the base to encapsulate the LED chip, the metal wire, and the first phosphor sheet.

Classes IPC  ?

• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone

Abrégé

An LED carrier includes a substrate, a metallic layer, an insulating layer, and a reflecting layer. The metallic layer is disposed on the substrate and has a die bonding region and a ring-shaped wiring region separated from the die bonding region. A region arranged between the die bonding region and the ring-shaped wiring region is defined as an insulating region. The insulating layer at least partially covers the insulating region. The reflecting layer is arranged above the die bonding region and at least partially covers the top surface of the insulating layer. Moreover, the instant disclosure also provides a manufacturing method of an LED carrier.

Classes IPC  ?

• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

A white light emitting device includes an LED chip capable of emitting light with a peak wavelength of 390 to 430 nm, and a wavelength conversion layer including first, second and third fluorescent materials. The first fluorescent material is capable of being excited to emit light with a peak wavelength of 450 to 470 nm. The second fluorescent material is capable of being excited to emit light with a peak wavelength of 450 to 470 nm. The third fluorescent material is capable of being excited to emit light with a peak wavelength of 630 to 650 nm. Light emitted by the white light emitting device has a color temperature below 5000 K, and a general color rendering index value (Ra) and special color rendering index values (R9-R15) all greater than 90.

Classes IPC  ?

• H05B 33/12 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
• H05B 33/06 - Extrémités d'électrode

Abrégé

A light emitting device includes a substrate having a top surface, upper and lower metal layers, multiple LED chips, at least one Zener diode, multiple conductive wires and an encapsulant. The top surface includes a central region bounded by an imaginary boundary with a profile conforming to an outline of a circle stacked with a polygon. The central region has a die bonding area corresponding to the circle, and at least one polygonal extension area formed outside the die bonding area. The upper metal layer includes multiple conducting pads surrounding the central region. The LED chips are disposed on the die bonding area. The Zener diode is disposed on the polygonal extension area. The encapsulant is disposed on the substrate and covers the LED chips.

Classes IPC  ?

• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/52 - Encapsulations
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 29/866 - Diodes Zener
• F21K 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe

Abrégé

An LED device includes a substrate, a number (N) of flip-chip LED die(s), an electrical conductive structure and a lens structure. The substrate has upper and lower surfaces and is formed with multiple through holes. A ratio of LED die(s) surface area to an area of the upper surface of the substrate ranges from 22.7% to 76.2%. The electrical conductive structure includes a number (N) of upper bonding pad assembly (assemblies), a number (N+1) of lower bonding pads and a number (2N) of interconnectors. Each upper bonding pad assembly includes two upper bonding pads electrically connected to the LED die(s). The interconnectors are disposed in the through holes and interconnect the upper and lower bonding pads. The lens structure covers the LED die(s).

Classes IPC  ?

• H01L 29/18 - Sélénium ou tellure uniquement, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière

Abrégé

An LED carrier includes a substrate, a metallic layer, an insulating layer, and a reflecting layer. The metallic layer is disposed on the substrate and has a die bonding region and a ring-shaped wiring region separated from the die bonding region. A region arranged between the die bonding region and the ring-shaped wiring region is defined as an insulating region. The insulating layer at least partially covers the insulating region. The reflecting layer is arranged above the die bonding region and at least partially covers the top surface of the insulating layer. Moreover, the instant disclosure also provides a manufacturing method of an LED carrier.

Classes IPC  ?

• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

A method for manufacturing a housing of an LED display device includes the steps of: (a) filling a first material into a first mold assembly at a first place to form a cover with a plurality of first display holes, followed by moving the cover to a second place, filling a second material into a second mold assembly and the cover to seal one of the plurality of the first display holes via a plurality of first transparent members; and (b) disposing an ink layer on a display side of the cover in such a manner that the ink layer covers the display side of the cover and that the first transparent member in each of the first display holes is exposed from the ink layer.

Classes IPC  ?

• B29C 45/00 - Moulage par injection, c.-à-d. en forçant un volume déterminé de matière à mouler par une buse d'injection dans un moule ferméAppareils à cet effet
• B29C 45/16 - Fabrication d'objets multicouches ou polychromes
• B29L 31/34 - Appareils électriques, p. ex. bougies ou leurs parties constitutives
• B29K 63/00 - Utilisation de résines époxy comme matière de moulage
• B29C 45/04 - Appareils de moulage par injection avec moules mobiles

Abrégé

An LED package structure includes: an insulating substrate that has a front bonding pad assembly; a dark-colored die-attach adhesive; blue and green LED chips mounted on the front bonding pad assembly via the dark-colored die-attach adhesive; and a dark-colored and light-transmissible encapsulant that is disposed on the insulating substrate and that encapsulates the blue and green LED chips. The encapsulant has a light transmittance that ranges from 7% to 28% for the blue light and has a light transmittance that ranges from 9% to 30% for the green light.

Classes IPC  ?

• H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

An LED package includes a chip carrier, an adhesive layer, one high-voltage LED die, and an encapsulating member. The chip carrier defines a receiving space. The adhesive layer is disposed in the receiving space and has a thermal conductivity of larger than or equal to 1 W/mK. The high-voltage LED die is attached to the adhesive layer to be received in the reflective space and has a top surface formed with a trench. The trench of the high-voltage LED die is disposed at an optical center of the receiving space. The encapsulating member encapsulates the high-voltage LED die and includes a plurality of diffusers. The trench is embedded with the encapsulating member and has a width ranging from 1 μm to 10 μm and a depth of less than or equal to 50 μm.

Classes IPC  ?

• H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• F21V 19/00 - Montage des sources lumineuses ou des supports de sources lumineuses sur ou dans les dispositifs d'éclairage
• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière

Abrégé

A metallic frame of an LED structure includes two conductive frames spaced apart from each other with a gap and a plurality of extending arms respectively and integrally extended from the conductive frames. Each conductive frame includes a top surface, a bottom surface, and a lateral surface connecting the top and bottom surfaces. Each top surface comprises a sealed region and a mounting region surrounded by the sealed region, and the sealed and mounting regions of each conductive frame are defined by an insulating body. Each conductive frame has at least one slot concavely formed on the sealed region, and the lateral surface is formed with two openings and the slot is communicated with the two openings, such that the slot of each of the conductive frames is configured to separate at least one of the extending arms from the mounting region of the conductive frames.

Classes IPC  ?

• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• F21V 19/00 - Montage des sources lumineuses ou des supports de sources lumineuses sur ou dans les dispositifs d'éclairage
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs

Abrégé

5Ω. The cap unit and the first circuit board cooperate to define a receiving space. The light-emitting element is disposed in the receiving space and is electrically coupled to the first circuit board. A light-emitting touch-switch module including the light-emitting touch-switch device is also disclosed.

Classes IPC  ?

• H03K 17/96 - Commutateurs à effleurement

Abrégé

A light emitting diode (LED) package including a substrate unit, a light emitting unit and an encapsulant. The substrate unit includes a metal substrate and a circuit board. The metal substrate has a first carrier portion and a second carrier portion. The second carrier portion is projected from the first carrier portion. The first carrier portion has a first carrier face. The second carrier portion has a second carrier face located higher than the first carrier face. The circuit board is disposed on the first carrier face, and the second carrier portion passes through the circuit board. The light emitting unit includes at least one LED chip disposed on the second carrier face of the second carrier portion, and the LED chip electrically connected to the circuit board. The encapsulant encapsulates the LED chip.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• F21K 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/40 - Matériaux
• H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• F21Y 101/02 - Structure miniature, p. ex. diodes électroluminescentes (LED)
• F21Y 105/00 - Sources lumineuses planes

Abrégé

A light emitting diode (LED) device includes: a substrate having a central portion; an LED chip unit formed on the central portion of the substrate; a circuit pattern having a positive electrode and a negative electrode that are formed on the substrate, each of the positive electrode and the negative electrode including an arc portion and at least one extending portion that extends from the arc portion toward the central portion; a wire unit connecting the LED chip unit to the extending portions; a glass layer disposed on the substrate, covering the arc portions and including an opening unit that is aligned with the central portion of the substrate; a dam structure formed on the glass layer and extending along the arc portions; and an encapsulated body disposed substantially within the dam structure to cover the extending portions, the wire unit and the LED chip unit.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/52 - Encapsulations
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants