Abrégé

The invention relates to a housing with a laser arrangement, having a lid, which comprises a portion transparent to laser radiation, and three substrates. Each substrate has at least one edge-emitting laser burr that is in the form of a resonator and has an output facet for the output of laser radiation at one wavelength, with the wavelengths of the laser burrs being different. At least one of the first, second and third substrates comprises at least one mirror element for deflecting, in the direction of the transparent portion, the laser radiation output by the corresponding edge-emitting laser burr. Moreover, each of the three substrates has a side face that is adjacent to the respective output facet or corresponds to the latter, and the side faces of two of the three substrates are at least partially adjacently opposite one another.

Classes IPC  ?

• H01S 5/02255 - Découplage de lumière utilisant des éléments de déviation de faisceaux lumineux
• H01S 5/02208 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers
• H01S 5/02257 - Découplage de lumière utilisant des fenêtres optiques, p. ex. spécialement adaptées pour réfléchir de la lumière sur un détecteur à l’intérieur du boîtier
• H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
• H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
• H01S 5/185 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités horizontales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité horizontale [HCSEL]
• H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes

Abrégé

A device (1) is specified. The device (1) comprises an electronic component (2) with an outer surface (21), and a barrier structure (3) adjacent to the outer surface (21), wherein the barrier structure (3) at least partially surrounds at least parts of the outer surface (21), and the barrier structure (3) is configured to influence a lateral spreading of a medium (4) which is arranged on the outer surface (21). In particular, the electronic component is a micro-LED. Furthermore, a method for producing a device (1) is specified.

Classes IPC  ?

• H10H 20/853 - Encapsulations caractérisées par leur forme
• H10H 20/819 - Corps caractérisés par leur forme particulière, p. ex. substrats incurvés ou tronqués

Abrégé

The present disclosure relates to a circuit (200) including: an output terminal (208) configured to be coupled with a load; a power source (202) configured to generate current according to a current ramp, such that during a predefined time period the generated current assumes a plurality of different current values in a range of current values from a minimum current value to a maximum current value; a switch element (210) configured to selectively enable or disable a delivery of the generated current to the output terminal (208); and a control circuit (212) configured to control the switch element (210) to deliver a predefined average current value at the output terminal (208) over the predefined time period.

Classes IPC  ?

• H05B 45/48 - Détails des circuits de charge à LED avec un contrôle actif à l'intérieur d'une matrice de LED ayant des LED organisées en chaînes et comportant des dispositifs de dérivation parallèles

Abrégé

A display device includes a substrate; a first portion of a control matrix comprising first electrodes; a plurality of light-emitting diode (LED ) devices electrically connected to the first electrodes of the control matrix; a second portion of the control matrix disposed over the plurality of LED devices, the second portion of the control matrix comprising second electrodes; one or more controller chips comprising first and second terminals and arranged along a periphery of the control matrix electrically connected to the first electrodes of the control matrix and the second terminal electrically connected to the second electrodes of the control matrix; wherein the control matrix, and plurality of LED devices, and the one or more controller chips are disposed on the substrate.

Classes IPC  ?

• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
• H10H 29/49 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes

Abrégé

An illumination and sensing unit (1) comprising the following features is provided. - a first plurality of light emitting diode chips (2) configured for emitting visible light during operation, - a second plurality of light emitting diode chips (3, 3', 3'') operable to emit electromagnetic radiation of a first wavelength range or to detect electromagnetic radiation of the first wavelength range. Further, a display and control device and a method for operating a display and control device are provided.

Classes IPC  ?

• G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]

Abrégé

An automotive apparatus (100) includes a heatsink (110); a lighting module (120) coupled to the heat sink (110), the lighting module (120) comprising one or more light sources (125), a light source driver (124) for driving the one or more light sources (125); at least one microlens array (140) comprising a plurality of microlenses comprising a plurality of sections, wherein each microlens array section is configured to project an image (451, 452) using light from the one or more light sources (125); a collimating assembly (130) arranged between the lighting module (120) and the at least one microlens array (140) comprising: one or more collimators (335) corresponding respectively to the one or more light sources (125), wherein each of the one or more collimators (335) is aligned in a light path from a corresponding one of the one or more light source (125) and the at least one microlens array (140).

Classes IPC  ?

• F21S 43/20 - Dispositifs de signalisation spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. feux de freinage, feux clignotants indicateurs de direction ou feux de recul caractérisés par des réfracteurs, des glaces de fermeture transparentes, des guides ou des filtres de lumière
• B60Q 3/60 - Agencement des dispositifs d’éclairage pour l’intérieur des véhiculesDispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’intérieur des véhicules caractérisés par les aspects optiques
• F21S 43/27 - Leur fixation
• F21S 43/50 - Dispositifs de signalisation spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. feux de freinage, feux clignotants indicateurs de direction ou feux de recul caractérisés par des composants esthétiques non prévus ailleurs, p. ex. des enjoliveurs, des parois de séparation ou des couvercles
• F21S 45/47 - Refroidissement passif, p. ex. en utilisant des ailettes, des éléments thermiquement conducteurs ou des ouvertures

Abrégé

The invention concerns a light emitting device comprising a semiconductor layer stack with a first layer of a first doping type, a second layer of a second doping type, and an active region arranged between the first and the second layer. The light emitting device further comprises a bottom contact layer arranged on a bottom surface of the semiconductor layer stack electrically contacting the second layer, a first electric contact electrically contacting the bottom contact layer, and a second electric contact electrically contacting the first layer. On or above a top surface of the semiconductor layer stack opposite the bottom surface a converter layer is arranged being configured to convert light of a first wavelength generated in the active region into light of a second wavelength. The light emitting device further comprises measures to physically reduce the area where light escapes from the semiconductor layer stack into the converter layer, such that the converter layer can be designed smaller, in particular smaller than the lateral dimensions of the top surface.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
• H01L 33/40 - Matériaux
• H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales

Abrégé

The invention concerns a µLED arrangement comprising a layer stack having a first layer of a first doping type and second layer of a second doping type and an active layer structure in between. A first contact covers a surface of the first layer, said surface facing away from the active layer structure. A semiconductor layer forms a µlens deposited on a surface of the second layer, said surface facing away from the active layer structure. The layer stack comprises first mesa etched sidewalls, extending from the first layer along the active layer structure towards the second layer and second mesa etched sidewalls, said sidewalls forming the µlens.

Classes IPC  ?

• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire

Abrégé

The invention relates to a semiconductor component (1) comprising: a housing (5) having a mounting face (6); a lead frame (2) which is embedded in the housing (5) and has at least two electrical contact pads (7, 8); and at least one semiconductor chip (13) which is located in the housing (5) and is electrically connected to the contact pads (7, 8). The lead frame (2) has a solder control structure (2) having a recess (11) which is accessible from the mounting face (6) and at least one side wall (10) of the housing (5) and is provided for receiving a solder material. The contact pads (7, 8) and the solder control structure (9) are formed by separate and non-connected portions of the lead frame (2).

Classes IPC  ?

• H10H 20/857 - Interconnexions, p. ex. grilles de connexion, fils de connexion ou billes de soudure
• H01L 23/495 - Cadres conducteurs

Abrégé

The invention concerns an optoelectronic device comprising a semiconductor layer stack of at least a first layer of a first conductivity type, a second layer of a second conductivity type as well as an active region between the first and second layer, the semiconductor layer stack comprising first side surfaces connecting a bottom surface and a top surface. The optoelectronic device further comprises a bottom contact element arranged on the bottom surface, a dielectric layer arranged on the first side surfaces and in particular extending partially onto the bottom surface, and a reflective contact layer arranged on the dielectric layer electrically contacting the bottom contact element. The dielectric layer thereby comprises second side surfaces opposite the first side surfaces with the second side surfaces having at least in portions a different angle relative to the bottom surface than the first side surfaces.

Classes IPC  ?

• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/40 - Matériaux
• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet

Abrégé

The invention relates to a surface emitter (100) and methods (200, 400, 600) for producing surface emitters (100), wherein one method for producing surface emitters comprises: providing a substrate structure, comprising: a substrate having a plurality of depressions and a plurality of ridges, each ridge of which is arranged between two depressions directly adjacent to one another from the plurality of depressions, and a plurality of epitaxial layers, each epitaxial layer being arranged over a ridge from the plurality of ridges and extending beyond the ridge in a lateral direction in such a way that each of the two depressions directly adjacent to one another forms an associated gap between the epitaxial layer and the substrate; forming a plurality of surface emitter structural elements by forming at least one surface emitter structural element over a top side of each epitaxial layer, said top side facing away from the substrate; and forming a mirror structure at least over the plurality of surface emitter structural elements and over exposed sections of an underside of each epitaxial layer, said underside facing the substrate. Figure 3A

Classes IPC  ?

• H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
• H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs

Abrégé

A test arrangement (100) for measuring a semiconductor wafer (40) is specified, wherein the test arrangement (100) comprises : a carrier (1) for placing the semiconductor wafer (40), wherein the carrier (1) includes : an electrically insulating base body (2), a plurality of first conductive lines ( 3 ) and a plurality of second conductive lines ( 4 ), which are arranged on the base body (2) so as to face the semiconductor wafer (40) and which cross each other at crossing points (C), a test device (10), which comprises at least one pair of a first contact element (11) assigned to the first conductive lines (3) and a second contact element (12) assigned to the second conductive lines ( 4 ), wherein the at least one pair of the first contact element (11) and the second contact element (12) defines a test area (A) on the semiconductor wafer (40) comprising at least one crossing point (C), wherein the first conductive lines (3) are provided for supplying a driving current to the semiconductor wafer (40) at the crossing points (C), and the second conductive lines (4) are provided for determining an electrical characteristic value of the semiconductor wafer (40) at the crossing points (C). Moreover, a test method for measuring a semiconductor wafer is specified.

Classes IPC  ?

• G01R 31/26 - Test de dispositifs individuels à semi-conducteurs
• G01R 31/28 - Test de circuits électroniques, p. ex. à l'aide d'un traceur de signaux
• G01R 31/3185 - Reconfiguration pour les essais, p. ex. LSSD, découpage
• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
• G01R 1/04 - BoîtiersOrganes de supportAgencements des bornes

Abrégé

A method for operating a driver monitoring system with the following steps is provided: - defining a plurality of predetermined points (8) within a vehicle cabin (4), - illuminating the plurality of predetermined points (8) with the plurality of light dots (7) projected by the dot projector (2) according to a predetermined pattern (12), - detecting light of the light dots (7) reflected by the predetermined points (8) with the camera (3) such that a calibration pattern (9) is generated, - illuminating the vehicle cabin (4) with the plurality of light dots (7) projected by the dot projector (2) according to the predetermined pattern (12), - detecting the light of the light dots (7) reflected within the vehicle cabin (4) with the camera (3) such that an operation pattern (10) is generated, - comparing the operation pattern (10) with the calibration pattern (9), and - calibrating extrinsic parameters and/or intrinsic parameters of the dot projector (2) and/or extrinsic parameters and/or intrinsic parameters of the camera (3) when the operation pattern (10) differs from the calibration pattern (9). Further, a driver monitoring system is provided.

Classes IPC  ?

• G06T 7/80 - Analyse des images capturées pour déterminer les paramètres de caméra intrinsèques ou extrinsèques, c.-à-d. étalonnage de caméra
• G06V 20/59 - Contexte ou environnement de l’image à l’intérieur d’un véhicule, p. ex. concernant l’occupation des sièges, l’état du conducteur ou les conditions de l’éclairage intérieur

Abrégé

A lighting module including one or more light sources, a controller configured to cause the lighting module enter a first operating mode. When the lighting module is in the first operating mode, the controller is configured to allow the lighting module to receive messages. In response to receiving a skip message while the lighting module is in the first operating mode, the controller is configured to cause the lighting module to enter a second operating mode. In response to receiving a data message while the lighting module is in the first operating mode, the controller is configured to cause the lighting module to enter a third operating mode. When the lighting module is in the second operating mode, the controller is configured to cause the lighting module to retransmit or forward one or more messages received while in the second operating mode.

Classes IPC  ?

• H05B 47/18 - Commande de la source lumineuse par télécommande via une transmission par bus de données

Abrégé

A light-emitting diode (LED) module includes one or more LEDs; communication circuitry configured to communicate with a plurality of LED modules using differential signaling; an input port and an output port for communicating using the differential signaling; testing circuitry configured to test a differential signaling connection through the input port or output port to determine a connection failure between the LED module and a neighboring LED module of the plurality of LED modules. The communication circuitry is configured to selectively switch, in response to the testing circuitry determining a connection failure of the differential signaling connection with the neighboring LED module, from communicating using differential signaling to communicating using single- ended signaling with the neighboring LED module.

Classes IPC  ?

• H05B 45/00 - Circuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED]
• H04L 12/40 - Réseaux à ligne bus
• H05B 45/30 - Circuits de commande
• H05B 47/18 - Commande de la source lumineuse par télécommande via une transmission par bus de données
• H05B 47/23 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses en général, c.-à-d. où le type de source lumineuse n'est pas important réagissant aux dysfonctionnements ou à la durée de fonctionnementCircuits pour faire fonctionner des sources lumineuses en général, c.-à-d. où le type de source lumineuse n'est pas important pour la protection de plusieurs sources lumineuses connectées en série

Abrégé

The invention relates to an optoelectronic module (1), comprising a luminescence diode (10) which is designed to emit unpolarised emission radiation (101) in an emission angle range (β), and a functional element (20). The functional element (20) separates the emission radiation (101) into a first radiation (102A) with a first polarisation and a second radiation (102B) with a second polarisation. The first radiation (102A) and the second radiation (102B) emerge on a common output coupling side (20A) of the functional element (20). The functional element (20) deflects the first radiation (102A) into a first angular range (ω1) and the second radiation (102B) into a second angular range (ω2) different from the first angular range (ω1).

Classes IPC  ?

• G02B 27/28 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes , pour polariser
• G02B 5/30 - Éléments polarisants
• G02B 1/00 - Éléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faitsRevêtements optiques pour éléments optiques
• B82Y 20/00 - Nano-optique, p. ex. optique quantique ou cristaux photoniques
• G02B 27/14 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux fonctionnant uniquement par réflexion

Abrégé

A display device (1) is provided that comprises a substrate (10) comprising a main surface (12) and a plurality of emitters (20) arranged in pixels (2) on the main surface (12) of the substrate (10), wherein each emitter (20) comprises a light emitting diode, LED, that is configured to emit light during operation. It further comprises a sensor (30) in at least one pixel (2), the sensor (30) being configured to sense light during operation. It further comprises a filter (70) arranged on or above the sensor (30), the filter (70) being configured to transmit light of a predetermined wavelength range to the sensor (30). Methods of operating and manufacturing such a display device (1) are also provided. The emitters and sensors can be implemented as micro-LEDs.

Classes IPC  ?

• G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]

Abrégé

A display device (1) comprises a substrate (10) comprising a main surface (12), and a plurality of emitters (20) arranged in pixels (2) on the main surface (12) of the substrate (10), wherein each emitter (20) comprises a light emitting diode LED, that is configured to emit light during operation. It further comprises a sensor (30) in at least one pixel (2), the sensor (30) being configured to sense light during operation. It further comprises at least one evaluation circuit (40) being configured to evaluate proximity of an object (100) above the display device (1) based on light sensed by the sensor (30). Further, a method of operating a display device (1) and a method of manufacturing a display device (1) is provided. The emitters and sensors can be implemented as micro-LEDs.

Classes IPC  ?

• G06F 3/041 - Numériseurs, p. ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction
• G06F 3/042 - Numériseurs, p. ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction par des moyens opto-électroniques
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides

Abrégé

The invention relates to a surface emitter (100) and to a method (300, 400) for producing a surface emitter (100), wherein the surface emitter (100) comprises in one embodiment: a substrate (108); a first mirror structure (104) and a second mirror structure (106), which are located above the substrate (108); a light-emitting structure (102), which is located between the first mirror structure (104) and the second mirror structure (106), wherein the light-emitting structure (102) is designed to emit light, and wherein the first mirror structure (104) and the second mirror structure (106) are designed to reflect the light emitted by the light-emitting structure (102); and a grid structure (110), which comprises a plurality of grid elements (112) which are arranged periodically and are embedded in the substrate (108), wherein the grid structure (110) is designed to stabilise the polarisation of the emitted light.

Classes IPC  ?

• H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
• H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser

Abrégé

A method for producing an optoelectronic component comprises providing a panel having a substrate and an encapsulation layer arranged on a top side of the substrate. The panel comprises a plurality of component sections. Each component section comprises a section of the substrate, an optoelectronic semiconductor chip arranged on a top side of the section of the substrate, a wavelength conversion layer arranged on a top side of the optoelectronic semiconductor chip and a section of the encapsulation layer embedding the optoelectronic semiconductor chip and the wavelength conversion layer. Top sides of the wavelength conversion layers are at least partly not covered by the encapsulation layer. The method further comprises forming a DBR layer on a top side of the encapsulation layer and on the top sides of the wavelength conversion layers and separating the component sections to obtain a plurality of optoelectronic components.

Classes IPC  ?

• H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants

Abrégé

The invention concerns a µLED comprising a mesa etched layer stack with a first layer of a first doping type, a second layer of a second doping type having a main emission surface, an active layer arranged in between. A dielectric layer is disposed on inclined sidewalls of the first, second and active layer and partially a surface opposite the main emission surface. A first contact contacts through a first opening in the first layer and a second contact contacts through a second opening in the second layer. A mirror layer is embedded within the material of the dielectric layer disposed on the inclined sidewalls of the first, second and active layer and partially the surface opposite the main emission surface, the mirror layer laterally separated from the first and the second contact by a portion of the material of the dielectric layer.

Classes IPC  ?

• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
• H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
• H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique

Abrégé

The invention concerns a display arrangement comprising a pixel array having a plurality of pixels, at least some of the plurality of pixels each comprising two µLEDs configured for emitting light in the red spectrum with a first color filter comprising a large transmittance in the red spectrum arranged over a first of the two µLEDs and a second color filter comprising a large transmittance in the green spectrum arranged over a second of the two µLEDs. A third µLED is configured to emit light in the blue spectrum and a fourth µLED configured to emit light in the green spectrum. The display arrangement is configured to operate the at least some of the plurality of pixels such that during an emission mode, the first µLED, the third µLED and the fourth µLED are biased in forward direction; and during a sensing mode, the first µLED, the second µLED and the third µLED are biased in reverse direction.

Classes IPC  ?

• G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
• G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice

Abrégé

The invention concerns a display arrangement comprising a pixel array with a plurality of pixels (10), at least some of the plurality of pixels each comprising a first and a second pLED for emitting light in the red spectrum (100r, 101r), a third pLED for light in the blue spectrum (100b) and a fourth pLED for light in the green spectrum (100g). The first and the second pLED are separated by one of the third and fourth LED. The display arrangement is configured to operate the at least some of the plurality of pixels in an emission mode, in which at least one of the first and second pLED, the third pLED and fourth pLED are biased in forward direction; and configured to operate a first subset of at least some of the plurality of pixels in a sensing mode, in which one of the third and fourth pLEDs of the first subset are biased in forward direction; and at least one of the first and second pLEDs of the first subset are biased in reverse direction or zero biased.

Classes IPC  ?

• G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
• G06V 40/13 - Capteurs à cet effet
• G06F 3/041 - Numériseurs, p. ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction

Abrégé

An optoelectronic device is provided, which comprises a carrier (2), a housing (3), an optoelectronic component (4), and a reflective layer (5). The carrier (2) comprises a first part (21), a second part (22) and a third part (23), the first part (21) being located between the second part (22) and the third part (23) and being laterally spaced apart from the second part (22) and the third part (23). The housing (3) comprises a side wall (31) defining a cavity (32) and a bottom portion (33) in the cavity (32), the bottom portion (33) mechanically connecting the first part (21) to the second part (22) and the third part (23). The optoelectronic component (4) is arranged on a mounting surface (21a) of the first part (21). A boundary structure (6) is located between the side wall (31) of the housing (3) and the optoelectronic component (4), the boundary structure (6) being provided by the first part (21) of the carrier (2) and/or by the bottom portion (33) of the housing (3). The reflective layer (5) covers the side wall (31) of the housing (3) and the boundary structure (6), the boundary structure (6) being configured to prevent material of the reflective layer (5) from creeping onto the optoelectronic component (4). Further, a method for manufacturing an optoelectronic device is provided.

Classes IPC  ?

• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

The invention concerns a display arrangement (1) comprising a pixel array with a plurality of pixels (10), at least some of the plurality of pixels each comprising first and a second μLED for light in the red spectrum, a third μLED for light in the blue spectrum and a fourth μLED for light in the green spectrum. The first and the second μLED are separated by one of the third and fourth LED. A control unit (13) is configured to operate the at least some of the plurality of pixels in a display mode, in which at least one of the first and second µLED, the third μLED and fourth μLED are biased in forward direction; and further configured to operate a first subset of at least some of the plurality of pixels in a sensing mode, in which the fourth μLED of the first subset are biased in forward direction; and pixels of a second subset partially adjacent to the pixels of the first subset in an adjusted sensing mode, in which at least one of the first and second μLEDs of the second subset are in reverse direction.

Classes IPC  ?

• G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
• G06F 3/041 - Numériseurs, p. ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction
• G06F 3/042 - Numériseurs, p. ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction par des moyens opto-électroniques
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• G06V 10/143 - Détection ou éclairage à des longueurs d’onde différentes

Abrégé

The invention relates to a semiconductor element (1) comprising the following: - a semiconductor chip (2), which has a first contact surface (21) and a second contact surface (22) on a bottom side (2B), wherein the first contact surface (21) and the second contact surface (22) are separated from one another by an intermediate space (27), - a carrier element (4) on which the semiconductor chip (2) is arranged, wherein the bottom side (2B) faces the carrier element (4), and - a connection layer (3), which - is arranged between the carrier element (4) and the semiconductor chip (2) and connects the semiconductor chip (2) to the carrier element (4), - is anisotropically electrically conductive and - horizontally overlaps with the first contact surface (21) and the second contact surface (22) and extends across the intermediate space (27). The invention also relates to a semiconductor component (10) having a plurality of semiconductor chips (2), and to a method for producing a semiconductor element (1) or semiconductor component (10).

Classes IPC  ?

• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

An optoelectronic semiconductor device (1) is specified with: - a semiconductor chip (2) which, in operation, emits electromagnetic radiation of a first wavelength range from a radiation exit surface (3), and - a color setting structure (4) comprising a matrix material (5), a conversion element (6) and a filter element (7), wherein the conversion element (6) converts at least the electromagnetic radiation of the first wavelength range into electromagnetic radiation of a second wavelength range, and the filter element (7) comprises a higher transmission for radiation of the first wavelength range compared to a radiation having a higher wavelength. Further, a method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device is provided.

Classes IPC  ?

• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde

Abrégé

A method for producing a structure is specified. According to one embodiment, the method comprises providing a nanocrystal configured to convert a primary radiation into a secondary radiation, and forming an encapsulation around the nanocrystal using a coordination-complex, wherein the encapsulation comprises an oxide. Furthermore, a structure and an optoelectronic device are specified.

Classes IPC  ?

• C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• C09K 11/70 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant du phosphore

Abrégé

2323233).

Classes IPC  ?

• H01S 5/042 - Excitation électrique
• H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
• H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
• H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs

Abrégé

Vertical cavity surface emitting laser component are provided, including a light emitting structure configured to emit a light of a frequency, and at least one mirror structure on or above the light emitting structure, wherein the mirror structure comprises a plurality of optical nano-elements, wherein the optical nano-elements are configured to comprise a first reflectivity for light of the frequency having a first chirality and a second reflectivity for light of the frequency having a second chirality, wherein the second chirality is opposing to the first chirality, and wherein the first reflectivity is larger than the second reflectivity.

Classes IPC  ?

• H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]

Abrégé

Embodiments of the invention relate to a semiconductor chip (10), the sidewall (109) of which has a region which protrudes laterally by more than 2 µm in relation to a vertically adjoining sidewall region and forms an anchor structure (113). Further embodiments relate to a semiconductor component (20) comprising the semiconductor chip (10), a support (125) and an adhesive (128) for fastening the semiconductor chip (10) to the support (125). The adhesive (128) laterally adjoins the anchor structure (113) and extends vertically as far as a region of the anchor structure (113) that is remote from the support (125).

Classes IPC  ?

• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué

Abrégé

A vertical cavity surface emitting laser component is provided, including a light emitting structure configured to emit a light of a frequency, a dielectric layer on or above the light emitting structure; at least one mirror structure on or above the dielectric layer, and an encapsulation layer. The mirror structure includes a plurality of optical nano- elements. An interspace is formed between adjacent optical nano-elements. Any one of a structure of the optical nano- elements and an arrangement of the arrangement positions of the optical nano-elements are configured such that the plurality of nano-elements includes an optical resonance frequency corresponding to the frequency of the light emitted by the light emitting structure. The encapsulation layer is formed at least in the interspace between the plurality of optical nano-elements.

Classes IPC  ?

• H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
• H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs

Abrégé

The invention concerns an optoelectronic device, in particular μLED, comprising a semiconductor layer stack of at least a first layer of a first conductivity type, a second layer of a second conductivity type as well as an active region between the first and second layer, wherein the semiconductor layer stack comprises a bottom surface as well as a light emitting surface opposite the bottom surface. The optoelectronic device further comprises a light outcoupling structure arranged above or on the light emitting surface, the light outcoupling structure comprising at least a first, a second and a third layer wherein : at least two of the first, second and third layer comprise a material with a different refractive index; the first, second and third layer comprise a thickness of less than the wavelength of light generated within the semiconductor layer stack when applied with a respective current; and at least two of the first, second and third layer comprise a different thickness.

Classes IPC  ?

• H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques

Abrégé

The invention concerns an optoelectronic device, in particular a µLED, comprising a layer stack based on a phosphide material system comprising a p-doped side and an n-doped side, respectively with an active layer in between. The layer stack comprises a mesa structure exposing sidewalls of at least p-doped side and the active layer. A layer of the n-doped side extends in a lateral direction beyond sidewalls of the mesa structure of the layer stack. A dielectric layer covers a sidewall area of the p-doped layers and optionally a portion of a top surface of p-doped side. An n-doped regrowth layer covers at least a portion of the sidewall of the active layer and contacting the n-doped side. The device also comprises a p-contact on the top surface of p-doped side and an n-contact facing away from a main emission side contacting the n-doped layer particularly laterally displaced in regard to the mesa structure.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
• H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet

Abrégé

The invention concerns a light generating structure comprising a semiconductor layer stack of at least a first layer of a first conductivity type, a second layer of a second conductivity type as well as an active region between the first and second layer. The semiconductor layer stack comprises a light emitting surface, a bottom surface opposite the light emitting surface and first side wall portions extending from the bottom surface into the direction of the light emitting surface. The first side wall portions comprise portions of the first layer, the second layer and the active region. The light generating structure further comprises a regrowth layer covering at least the bottom surface and the first side wall portions and a bottom contact element arranged on the regrowth layer opposite the first layer. The light generating structure comprises second side wall portions different from the first side wall portions extending from the light emitting surface into the direction of the bottom surface, wherein the second side wall portions comprise at least portions of the regrowth layer.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/02 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs
• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué

Abrégé

A method for operating a radiation emitting device with the following steps is provided: - determining a temperature corrected forward voltage (VfTcor(0,y)) of an edge pixel (7) arranged in an edge region (8) of the radiation exit area (1), - determining a position and temperature corrected forward voltage (Vincrease(0,y)) of the edge pixel (7) from the temperature corrected forward voltage (VfTcor(0,y)), - determining a position and temperature corrected forward voltage (Vincrease(40,160)) of a hot spot pixel (16) being arranged in a hot spot region (17) of the radiation exit area (1) from the position and temperature corrected forward voltage of the edge pixel, - determining a temperature of the hot spot pixel (16) from the position and temperature corrected forward voltage (Vincrease(40,160)) of the hot spot pixel (16).

Classes IPC  ?

• H05B 45/56 - Circuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED] réagissant aux dysfonctionnements des LED ou à un comportement indésirable des LEDCircuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED] sensibles à la vie des LEDCircuits de protection impliquant des mesures pour empêcher une température anormale des LED
• G09G 1/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques
• G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]

Abrégé

A photo-polymerization system (10) comprises a vat (120) for housing a photocurable liquid (123) and an array of pixels (102). The array comprises a plurality of pixels (102), wherein each of the pixels (102) comprises a first and a second LED (105, 106) emitting different wavelengths, respectively. The array is arranged so as to be facing the vat (120).

Classes IPC  ?

• B29C 64/135 - Procédés de fabrication additive n’utilisant que des matériaux liquides ou visqueux, p. ex. dépôt d’un cordon continu de matériau visqueux utilisant des couches de liquide à solidification sélective caractérisés par la source d'énergie à cet effet, p. ex. par irradiation globale combinée avec un masque la source d’énergie étant concentrée, p. ex. lasers à balayage ou sources lumineuses focalisées
• B29C 64/194 - Procédés de fabrication additive impliquant des opérations supplémentaires effectuées sur les couches ajoutées, p. ex. lissage, meulage ou contrôle d’épaisseur pendant l’empilage des couches
• B29C 64/245 - Plates-formes ou substrats
• B29C 64/282 - Agencements pour irradiation utilisant des moyens de rayonnement multiples, p. ex. des micro-miroirs ou des diodes électroluminescentes multiples [LED] du même type, p. ex. utilisant des niveaux d’énergie différents
• B33Y 10/00 - Procédés de fabrication additive
• B33Y 30/00 - Appareils pour la fabrication additiveLeurs parties constitutives ou accessoires à cet effet

Abrégé

A vertical cavity surface emitting laser, VCSEL, component is provided having a light emitting structure, at least one mirror structure, and a metallic layer arranged between the light emitting structure and the mirror structure, or acting as part of the mirror structure. The VCSEL component is configured to transmit light emitted from the light emitting structure towards the mirror structure through the metal layer. The metallic layer includes a grating and a continuous portion. The grating structure comprises a plurality of lines arranged adjacent to each other such that light emitted from light emitting structure passes through a spacing between adjacent lines of the grating structure towards the mirror structure. The plurality of lines also act as one electrical contact to the light emitting structure.

Classes IPC  ?

• H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
• H01S 5/042 - Excitation électrique
• H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs

Abrégé

The invention concerns an optoelectronic device comprising a semiconductor layer stack of at least a first layer of a first conductivity type, a second layer of a second conductivity type and an active region between the first and second layer. The first layer comprises a buried contact layer arranged between the active region and a light emitting surface of the semiconductor layer stack. The semiconductor layer stack comprises: a bottom surface opposite the light emitting surface; first side wall portions extending from the bottom surface into the direction of the light emitting surface until a level between the active region and the buried contact layer; second side wall portions extending from a level between the active region and the buried contact layer until the buried contact layer; and third side wall portions different from the first and second side wall portions extending from the buried contact layer into the direction of the light emitting surface. The optoelectronic device further comprises a material layer covering at least portions of the first side wall portions, a first contact element covering at least portions of the material layer and the second side wall portions electrically contacting the buried contact layer, and a second contact element electrically contacting the bottom surface.

Classes IPC  ?

• H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
• H01L 33/42 - Matériaux transparents
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière

Abrégé

A photo-polymerization system (10) comprises a vat (120) for housing a photo-curable polymer (122), an array (103) of pixels (102), comprising a plurality of pixels (102), wherein each of the pixels (102) comprises an LED (106). The array (103) is arranged so as to be facing the vat (120). The photo- polymerization system (10) further comprises an array (105) of optical elements (104) comprising a plurality of optical elements (104). Each of the pixels (102) is assigned to a corresponding one of the optical elements (104), respectively. The array (105) of optical elements is arranged between the array (103) of pixels and the vat (120).

Classes IPC  ?

• B29C 64/129 - Procédés de fabrication additive n’utilisant que des matériaux liquides ou visqueux, p. ex. dépôt d’un cordon continu de matériau visqueux utilisant des couches de liquide à solidification sélective caractérisés par la source d'énergie à cet effet, p. ex. par irradiation globale combinée avec un masque
• B29C 64/277 - Agencements pour irradiation utilisant des moyens de rayonnement multiples, p. ex. des micro-miroirs ou des diodes électroluminescentes multiples [LED]
• B33Y 10/00 - Procédés de fabrication additive
• B33Y 30/00 - Appareils pour la fabrication additiveLeurs parties constitutives ou accessoires à cet effet
• F21V 5/00 - Réfracteurs pour sources lumineuses

Abrégé

The present disclosure relates to a beam steering system (200) including: a first mirror arrangement (202) comprising a plurality of first mirrors (206) on a first rotatable support structure (212); a second mirror arrangement (204) comprising a plurality of second mirrors (208) on a second rotatable support structure (214), wherein a first mirror (206) directs an input light beam (218) towards the second mirror arrangement (204), and a second mirror (208) directs the input light beam (218) towards a field of view (210) as output light beam (220); and a control circuit (230) configured to: control a first rotational movement of the first rotatable support structure (212) at a first rotational speed, and a second rotational movement of the second rotatable support structure (214) at a second rotational speed, such that the output light beam (220) remains at fixed spatial coordinates in the field of view (210) until the first rotational movement causes another first mirror (206) to direct the input light beam (218) towards the second mirror arrangement (204).

Classes IPC  ?

• G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p. ex. agencements d'éléments optiques
• G02B 26/10 - Systèmes de balayage

Abrégé

The invention relates to a laser component comprising: an edge-emitting semiconductor laser chip having an active zone and having a laser facet adjoining the active zone; and an optical element which is arranged downstream of the laser facet in the emission direction of the edge-emitting semiconductor laser chip. A front face of the edge-emitting semiconductor laser chip and the optical element are interconnected by means of a welded joint which is free of filler materials, and the laser facet is set back in relation to the front face.

Classes IPC  ?

• H01S 5/02253 - Découplage de lumière utilisant des lentilles
• H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
• H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
• H01S 5/028 - Revêtements

Abrégé

The invention concerns a method for processing an optoelectronic device, wherein a sacrificial layer is deposited covering the sidewalls of a mesa etched semiconductor layer stack. The sacrificial layer may comprise an organic material and is subsequently planarized and recessed are formed therein. A bond layer is deposited into the recess, the bond layer in particular comprising one of an organic material, a nitride-based material, a solder material and a gold alloy. A temporary carrier is attached to the bond layer and the growth substrate removed, thereby exposing portions of the sacrificial layer and the semiconductor layer stack.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
• H01L 33/40 - Matériaux

Abrégé

xyzx11-x1x21- x2-z2z2z2P with 0.45≤z2≤0.6.

Classes IPC  ?

• H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
• H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique

Abrégé

Proposed is a method for producing an optoelectronic semiconductor component (10), comprising: applying (S100) a passivation layer (100) over a surface (101) of a semiconductor layer stack (112) that comprises a first semiconductor layer (110) of a first conductivity type, an active zone (115) and a second semiconductor layer (120) of a second conductivity type, such that the passivation layer (100) is arranged adjacent to the first semiconductor layer (110). The method furthermore comprises: structuring (S110) the passivation layer (100), whereby openings (102) are formed in the passivation layer (100), which extend to the first semiconductor layer (110); applying (S120) a metallisation layer (105) over the passivation layer (100), the metallisation layer (105) being in contact with the first semiconductor layer (110) in the region of the openings (102); and structuring (S130) the metallisation layer (105) by ion beam etching, whereby first contact elements (107) are formed in contact with the first semiconductor layer (110).

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet

Abrégé

A collimating metalens (15) comprises a transparent substrate (100) having a first main surface (101) and a second main surface (102). The first and the second main surfaces (101, 102) are parallel to a first direction and a second direction, the first direction being perpendicular to the second direction. The collimating metalens (15) further comprises a first metasurface (108) formed on the first main surface (101), the first metasurface (108) comprising a first region (111). The collimating metalens (15) further comprises a second metasurface (109) formed on the second main surface (102), the second metasurface (109) comprising a second region (112). The first region (111) acts as a cylindrical concave lens, and the second region (112) acts as a convex lens.

Classes IPC  ?

• G02B 1/00 - Éléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faitsRevêtements optiques pour éléments optiques
• G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées
• H01S 3/00 - Lasers, c.-à-d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, du visible ou de l’ultraviolet

Abrégé

1231231231231231231231233) at different horizontal positions.

Classes IPC  ?

• C30B 25/14 - Moyens d'introduction et d'évacuation des gazModification du courant des gaz réactifs
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

A tunable optical element (10) is configured to modify electromagnetic radiation (15). The tunable optical element (10) comprises a carrier (100), a first electrode (101), and pillars (116) or ridges (117) of a first material (105). A pitch d of the pillars (116) or ridges (117) is smaller than a wave-length of the electromagnetic radiation (15). The pillars (116) or ridges (117) are arranged over the first electrode. The tunable optical element (10) further comprises a planarization layer (107) filling spaces between adjacent pillars (116) or ridges (117). The planarization layer comprises a second material. One of the first and the second materials comprises an electrooptical material and the other of the first and second materials comprises an inert material. The tunable optical element further comprises a transparent second electrode (102) over the planarization layer (105) and a power source (109), connected to the first and second electrode (101, 102), for tuning properties of the optical element (10).

Classes IPC  ?

• G02F 1/03 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr
• G02F 1/29 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de la position ou de la direction des rayons lumineux, c.-à-d. déflexion
• G02F 1/00 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire
• G02F 1/1343 - Électrodes

Abrégé

The invention relates to a method for operating a radiation-emitting semiconductor chip, comprising the following steps: - switching on a first number of pixels (6) in a first illumination mode according to a first illumination pattern (11), - switching on at least one pixel (6) according to a measurement pattern (13) during a measurement interval, - determining a temperature (T) of an active zone (14) of at least one of the switched-on pixels (6) during the measurement interval, - switching on a second number of pixels (6) in a second illumination mode according to a second illumination pattern (12). The invention also relates to an illumination device.

Classes IPC  ?

• H05B 45/14 - Commande de l'intensité de la lumière à l'aide d'une rétroaction électrique provenant de LED ou de modules de LED
• H05B 45/18 - Commande de l'intensité de la lumière à l'aide d'un retour de température
• H05B 45/56 - Circuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED] réagissant aux dysfonctionnements des LED ou à un comportement indésirable des LEDCircuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED] sensibles à la vie des LEDCircuits de protection impliquant des mesures pour empêcher une température anormale des LED

Abrégé

The present disclosure relates to an imaging device (200) including: an image sensor (210) including an array (212) of sensor pixels (214), wherein the array (212) of sensor pixels (214) has a first lateral dimension in a first direction (252) and a second lateral dimension in a second direction (254) orthogonal to the first direction (252), wherein the first lateral dimension is greater than the second lateral dimension; and imaging optics (220) configured to collect light and project the collected light onto the array (212) of sensor pixels (214), wherein the imaging optics (220) is configured to project the collected light onto the array (212) of sensor pixels (214) with a first magnification in the first direction (252) and with a second magnification in the second direction (254), wherein the first magnification is greater than the second magnification.

Classes IPC  ?

• H04N 25/00 - Circuits de capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS]Leur commande
• H04N 23/00 - Caméras ou modules de caméras comprenant des capteurs d'images électroniquesLeur commande
• G02B 3/10 - Lentilles bifocalesLentilles multifocales
• G02B 13/06 - Objectifs panoramiquesLentilles dites "de ciel"
• G02B 13/08 - Objectifs anamorphotiques
• G06T 7/70 - Détermination de la position ou de l'orientation des objets ou des caméras
• G03B 17/56 - Accessoires
• G06T 7/00 - Analyse d'image
• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
• H04N 23/45 - Caméras ou modules de caméras comprenant des capteurs d'images électroniquesLeur commande pour générer des signaux d'image à partir de plusieurs capteurs d'image de type différent ou fonctionnant dans des modes différents, p. ex. avec un capteur CMOS pour les images en mouvement en combinaison avec un dispositif à couplage de charge [CCD] pour les images fixes
• H04N 23/54 - Montage de tubes analyseurs, de capteurs d'images électroniques, de bobines de déviation ou de focalisation
• H04N 23/55 - Pièces optiques spécialement adaptées aux capteurs d'images électroniquesLeur montage
• H04N 23/69 - Commande de moyens permettant de modifier l'angle du champ de vision, p. ex. des objectifs de zoom optique ou un zoom électronique
• H04N 23/90 - Agencement de caméras ou de modules de caméras, p. ex. de plusieurs caméras dans des studios de télévision ou des stades de sport
• H04N 23/80 - Chaînes de traitement de la caméraLeurs composants
• H04N 25/701 - Capteurs alignés
• G02B 13/00 - Objectifs optiques spécialement conçus pour les emplois spécifiés ci-dessous

Abrégé

A method for producing an optoelectronic component comprises providing a wafer (100) with a plurality of epi structures (210) arranged on a top side of the wafer (100), wherein the epi structures (210) are separated by clearances (220), providing a sheet (300) of wavelength converting material, arranging the sheet (300) above the epi structures (210), forming a mask (400) on top of the sheet (300), wherein the mask (400) comprises openings (420) arranged above the clearances (220), removing parts of the sheet (300) arranged above the clearances (220), and removing the mask (400).

Classes IPC  ?

• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde

Abrégé

A method for producing an electronic device comprises steps for providing a ceramic substrate having a top side, arranging an adhesion promotion layer on the top side, providing a cover, and bonding the cover to the adhesion promotion layer with a glass solder.

Classes IPC  ?

• H01S 5/02218 - Matériaux du boîtierMatériaux de remplissage du boîtier
• H01S 5/0222 - Boîtiers remplis de gaz

Abrégé

The invention relates to a surface emitter, having: a first dielectric mirror structure, a second dielectric mirror structure, and a light-emitting structure which is arranged vertically between the first dielectric mirror structure and the second dielectric mirror structure, wherein the light-emitting structure is designed to emit light. The first dielectric mirror structure and the second dielectric mirror structure are designed to reflect the light emitted by the light-emitting structure. The light-emitting structure has at least one epitaxially grown layer or is formed thereof. At least one of the first dielectric mirror structure and the second dielectric mirror structure is free of epitaxially grown layers.

Classes IPC  ?

• H01S 5/18 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales

Abrégé

An arrangement is provided, comprising a light-emitting component, a light-receiving component comprising a light- receiving part, and an actuator, wherein the actuator is configured for an alignment of the light-emitting component and the light-receiving part of the light-receiving component. Further, an aligning method for aligning an arrangement is provided.

Classes IPC  ?

• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
• H01S 5/02326 - Dispositions pour le positionnement relatif des diodes laser et des composants optiques, p. ex. rainures dans le support pour fixer des fibres optiques ou des lentilles
• G02B 6/42 - Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques

Abrégé

In at least one embodiment, the semiconductor light source (1) comprises a plurality of light sections (2) and a control unit (3), wherein - each of the light sections (2) comprises a plurality of optoelectronic semiconductor chips (21) for generating light, such as µLEDs, - the light sections (2) are operated in the same way, and - the control unit (3) comprises a comparison module (31) which is configured to detect at least one electric parameter (P) of each of the light sections (2) and to use numerical values for the individual light sections (2) of the detected at least one electric parameter (P) for a fault analysis.

Classes IPC  ?

• H05B 45/52 - Circuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED] réagissant aux dysfonctionnements des LED ou à un comportement indésirable des LEDCircuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED] sensibles à la vie des LEDCircuits de protection dans un ensemble parallèle de LED
• H05B 45/54 - Circuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED] réagissant aux dysfonctionnements des LED ou à un comportement indésirable des LEDCircuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED] sensibles à la vie des LEDCircuits de protection dans un ensemble sériel de LED
• H05B 45/58 - Circuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED] réagissant aux dysfonctionnements des LED ou à un comportement indésirable des LEDCircuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED] sensibles à la vie des LEDCircuits de protection impliquant la détection de fin de vie des LED

Abrégé

The invention relates to a printing device comprising a carrier having a printing side. A plurality of cavities are formed on the printing side. In addition, an electrically conductive heating layer is arranged on the printing side. The heating layer comprises a wall section in the region of each cavity, which is arranged on a wall of the respective cavity. An electrical voltage can be applied to the heating layer, which causes a current to flow through the wall sections.

Classes IPC  ?

• B41F 31/00 - Systèmes ou dispositifs d'encrage
• B41F 31/26 - Structure des cylindres d'encrage

Abrégé

There is provided a film, comprising: a layer of packed semiconductor nanocrystals, and a matrix material comprising at least one metal oxide, wherein the matrix material encapsulates the semiconductor nanocrystals. Further provided are a method for producing a film, and an optoelectronic device.

Classes IPC  ?

• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
• C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension

Abrégé

A housing (1) for an electric device (100) comprises a mold body (2) comprising a first mold material (21) in a second mold material (22). The housing (1) further comprises a base layer (3) formed with at least one metal lead frame part (4) and the first mold material (21), and comprises an assembly surface (10) for the electric device (100). The housing (1) further comprises at least one recess (5), in which the assembly surface (10) is accessible. The base layer (3) comprises through holes (30), wherein the second mold material (21) is arranged in the through holes (30). Sidewalls (50) of the recess (21) are formed with the second mold material (22) and outer side surfaces (11) of the housing (1) transverse to the assembly surface (10) are free of the metal lead frame part (4). For example, the electric device (100) is an optoelectronic semiconductor device comprising at least one micro-LED.

Classes IPC  ?

• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure

Abrégé

Disclosed herein are systems, devices, and methods for optical voltage transformers that may have improved heat dissipation and efficiency. The optical voltage transformer may include a photovoltaic device that includes a photovoltaic layer on a semi-insulating substrate (535), wherein the photovoltaic layer comprises an array of photovoltaic cells. The semi-insulating substrate (535)may include non-conducting regions (551-554), disposed between each individual photovoltaic cell of the array of photovoltaic cells. The non-conducting regions may be voids/and or ion-implantation regions that reduce/ inhibit free charge carrier mobility through the non-conduction region and between photovoltaic cells.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0475 - Matrices de cellules PV formées par des cellules à configuration planaire, p.ex. répétitives, sur un substrat semi-conducteur unique; Micro-matrices de cellules PV
• H04B 10/80 - Aspects optiques concernant l’utilisation de la transmission optique pour des applications spécifiques non prévues dans les groupes , p. ex. alimentation par faisceau optique ou transmission optique dans l’eau

Abrégé

A method for producing an optoelectronic semiconductor chip (100) is specified herein, comprising the steps of: - epitaxially growing a semiconductor layer sequence (1) with an active layer (2) for emitting electromagnetic radiation, wherein the active layer (2) comprises a phosphide compound semiconductor material or an arsenide compound semiconductor material, - forming a via (3) in the semiconductor layer sequence (1) for electrically contacting the semiconductor layer sequence (1), - forming an electron and hole barrier (4) within the semiconductor layer sequence (1) at an edge (31) of the via (3). Further, an optoelectronic semiconductor chip is specified herein.

Classes IPC  ?

• H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
• H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
• H01L 33/42 - Matériaux transparents
• H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques

Abrégé

Proposed is a method for producing a multiplicity of radiation-emitting semiconductor chips, comprising the following steps: - providing a semiconductor chip assembly (1) having an epitaxial semiconductor layer sequence (2) that has been grown epitaxially on a growth substrate (4), wherein the semiconductor chip assembly (1) has a multiplicity of chip regions (5) and wherein at least one structure trench (6) is arranged between two chip regions (5), - forming at least one further trench (7) between two chip regions (5), - forming a score (10) into the semiconductor chip assembly (1), which score at least partially overlaps the further trench (7) as seen in plan view, - separating the semiconductor chip assembly (1) along the score (10) to form a multiplicity of radiation-emitting semiconductor chips, wherein each radiation-emitting semiconductor chip comprises one chip region (5). A semiconductor chip assembly (1) is also specified.

Classes IPC  ?

• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué

Abrégé

The invention relates to a laser package comprising: a base element, which has an arrangement surface on which at least one semiconductor laser element is arranged; a cover element, which is transparent to the laser light emitted from the at least one semiconductor laser element, is connected to the base element, forms a frame that surrounds the at least one semiconductor laser element in a lateral direction, and encapsulates the at least one semiconductor laser element with the base element; an optical element, which is located on the cover element; and at least one deflection element, which is located in the beam path of the at least one semiconductor laser element and is designed to deflect a laser light emitted from the at least one semiconductor laser element in the direction of the at least one optical element. The optical element is fastened to the cover element by means of a connecting material, wherein the connecting material comprises a proportion of at least 30% of silicon and a light-hardening component. In addition, the connecting material is light-activatable and can be hardened at least in part by means of light hardening.

Classes IPC  ?

• H01S 5/0222 - Boîtiers remplis de gaz
• H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
• H01S 5/023 - Éléments de montage, p. ex. embases
• H01S 5/02253 - Découplage de lumière utilisant des lentilles
• H01S 5/02255 - Découplage de lumière utilisant des éléments de déviation de faisceaux lumineux
• H01S 5/02208 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers

Abrégé

An optical voltage transformer (OVT) includes a light-emitting device (100b) including an array of light-emitters (140) arranged as a plurality of groups of light-emitters (145), each light-emitter group (145) being individually addressable. The OVT further includes a photovoltaic device (200b) configured to convert received light into electrical power and including an array of photovoltaic cells (240) configured to face the array of light-emitters (100b). The array of photovoltaic cells (200b) is arranged as a plurality groups (245) of photovoltaic cells (240), each group comprising a plurality of photovoltaic cells (240) electrically connected in series. The array of photovoltaic cells (200b) has a one-to-one correspondence with the array of light-emitters (100b) so that each photovoltaic cell (240) is configured to receive light emitted from a corresponding light-emitter (140).

Classes IPC  ?

• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu
• H04B 10/80 - Aspects optiques concernant l’utilisation de la transmission optique pour des applications spécifiques non prévues dans les groupes , p. ex. alimentation par faisceau optique ou transmission optique dans l’eau

Abrégé

The invention relates to an optoelectronic device (1) which is designed to emit radiation (S), comprising: - a first connection support (2) with an installation surface (2A) on which a first semiconductor chip (5) and a second semiconductor chip (6) are arranged next to each other, - a second connection support (3) with an installation surface (3A) on which a third semiconductor chip (7) is arranged, wherein the installation surfaces (2A, 3A) of the first connection support (2) and the second connection support (3) face each other, and each of the semiconductor chips (5, 6, 7) has an emitter region (50, 60, 70) which is arranged on a main surface (5A, 6A, 7A) and which is designed to emit a radiation component (S1, S2, S3) at a radiation outlet surface (5B, 6B, 7B) arranged transversely to the main surface (5A, 6A, 7A), and - a housing frame (4) with a cavity (40) in which the first, second, and third semiconductor chip (5, 6, 7) are arranged. The main surface (7A) of the third semiconductor chip (7) vertically adjoins the main surface (5A, 6A) of the first and/or second semiconductor chip (5, 6) and overlaps laterally with the main surface (5A, 6A) of the first and/or second semiconductor chip (5A, 6A). The invention additionally relates to a method for producing the optoelectronic device (1).

Classes IPC  ?

• H01S 5/022 - SupportsBoîtiers
• H01S 5/023 - Éléments de montage, p. ex. embases
• H01S 5/405 -

Abrégé

A lighting device has a light source assembly of semiconductor light sources arranged laterally next to one another and a reflector assembly of retroreflectors arranged laterally next to one another. The light source assembly and the reflector assembly form a common lighting region of the lighting device in which an emission of light by means of the light source assembly and a light reflection by means of the reflector assembly can be produced. The semiconductor light sources are not covered by the retroreflectors.

Classes IPC  ?

• F21K 9/00 - Sources lumineuses utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en tant qu’éléments générateurs de lumière, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] ou des lasers
• F21K 9/60 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière
• G02B 5/12 - Réflecteurs reflex
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
• H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
• B60Q 1/30 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet les dispositifs ayant principalement pour objet d'indiquer le contour du véhicule ou de certaines de ses parties, ou pour engendrer des signaux au bénéfice d'autres véhicules pour indiquer l'arrière du véhicule, p. ex. au moyen de surfaces réfléchissantes
• F21V 7/00 - Réflecteurs pour sources lumineuses

Abrégé

8-2x-ax+ca1-c4-z-bzb4-z+b-c8+z-b+c8+z-b+c]:E, wherein 0≤x≤4, 0≤c≤1, 0≤z≤4, 0≤a≤8, 0≤b≤4, 0≤2x+a≤8, 0≤z+b≤4, - 4≤-z+b-c≤4. The invention also relates to a process for producing a luminophore, to the use of a luminophore, and to an optoelectronic component.

Classes IPC  ?

• C09K 11/79 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares contenant du silicium
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde

Abrégé

nABABB) of the second n-dopant.

Classes IPC  ?

• H01L 33/02 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs
• H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01S 5/30 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active
• H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel

Abrégé

An optical microphone (1) comprises a carrier (10) and a cap (20) attached to the carrier (10), such that a cavity (25) is formed. An ASIC die (30) is arranged on the carrier (10) inside the cavity (25), the ASIC die (30) comprises a photodetector (32). An emitter die (40) is arranged on the ASIC die (30) and comprising a VCSEL (45) configured to emit beams of electromagnetic radiation at a bottom side (42) of the emitter die (40) facing the photodetector (32) and at an opposite top side (44) of the emitter die (40). A MEMS die (50) inside the cavity (25) is spaced from the emitter die (40) in a lateral direction (x), the MEMS die (50) comprises a membrane (52) with a reflective portion (54), wherein the MEMS die (50) is arranged on the carrier (10) and the membrane (52) is in contact with an environment through an opening (12) in the carrier (10), or wherein the MEMS die (50) is attached to the cap (20) and the membrane (52) is in contact with the environment through an opening (12) in the cap (20). An optical system (60) inside the cavity (25) is configured to direct an emitted beam from the top side (44) of the emitter die (40) onto the reflective portion (54) of the membrane (52) and to direct a reflected beam from the membrane (52) into the VCSEL (45), and an evaluation circuit (34) is electrically coupled to the photodetector (32) and configured to evaluate a beam modulation.

Classes IPC  ?

• H04R 23/00 - Transducteurs autres que ceux compris dans les groupes
• H04R 31/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des transducteurs ou de leurs diaphragmes
• G01S 7/48 - Détails des systèmes correspondant aux groupes , , de systèmes selon le groupe
• G01S 17/00 - Systèmes utilisant la réflexion ou la reradiation d'ondes électromagnétiques autres que les ondes radio, p. ex. systèmes lidar

Abrégé

The invention relates to a connection substrate (10) comprising • - a main body (1) which is formed with a plastic material, • - a conductor track (2) which has a bottom surface (2a) facing the main body (1), a top surface (2b) facing away from the main body (1), and a side surface (2c) connecting the bottom surface (2a) and the top surface (2b), wherein • - the conductor track (2) is in direct contact with the main body (1) at the base surface (2a) and the side surface (2c). The connection substrate can be used, for example, in an optoelectronic component which has a micro-LED (3).

Classes IPC  ?

• H05K 3/38 - Amélioration de l'adhérence entre le substrat isolant et le métal
• H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
• H05K 3/10 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché

Abrégé

Disclosed herein are systems, devices, and methods for adjusting the emitted brightness levels of an optical component, such as a light-emitting diode. The system allows for adjusting the drive current of the optical component so as to provide a dynamic range of effective brightness levels emitted from an optical component. A modulation circuit is connected to a supply circuit, where the modulation circuit controls the supply circuit to switch the drive current between two different current levels, wherein one of the two different current levels is at an intermediate current level that is between zero and a maximum drive current that corresponds to a maximum brightness level in the dynamic range of effective brightness levels.

Classes IPC  ?

• H05B 45/10 - Commande de l'intensité de la lumière

Abrégé

A device control system has a primary node, which has a controller, configured to send a signal to a primary circuitry, the signal including a command and a unique identifier of a first device or a second device; a first node, comprising: one or more first devices, connected to one another in series, each of which having a unique identifier; and first circuitry, configured to receive a signal from the primary node via the omnibus and to send data corresponding to the signal to a first device; the second node, comprising: one or more second devices, connected to one another in series, each of which having a unique identifier; and second circuitry, configured to receive a signal from the primary node via the omnibus, and to send data corresponding to the signal to a second device.

Classes IPC  ?

• H04L 12/40 - Réseaux à ligne bus
• H05B 45/00 - Circuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED]
• H04L 61/5038 - Allocation d'adresse pour une utilisation locale, p. ex. dans des réseaux LAN ou USB, ou dans un réseau de contrôle [CAN]

Abrégé

A method of repairing an electronic component (1) comprising electronic semiconductor chips (11) arranged on contact pads (12) connected to conductive paths (2) comprises the following method steps: A conductive paste (14) is arranged next to an area of at least one defective electronic semiconductor chip (12) of the electronic component (1). The conductive paste (14) is structured such that at least one further contact pad (15) connected to at least one conductive path (2) is created. A further electronic semiconductor chip (19) is arranged above the at least one further contact pad (15) and electrically connected to the further contact pad (15).

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H05K 3/22 - Traitement secondaire des circuits imprimés
• H05K 3/46 - Fabrication de circuits multi-couches
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe

Abrégé

A Optoelectronic component is provided. The optoelectronic component comprises an optical waveguide structure with at least one optical waveguide and at least one µ-LED unit with an active area, wherein the active area of the µ-LED unit is integrated monolithically into the at least one optical waveguide, and wherein the active area of the µ-LED unit is at least partially covered by a waveguide material of the at least one optical waveguide. Further a method for manufacturing an optoelectronic component is provided.

Classes IPC  ?

• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré

Abrégé

A nanoparticle (1) is specified. The nanoparticle (1) comprises a nanocrystal (2) converting electromagnetic radiation of a first wavelength range into electromagnetic radiation of a second wavelength range, and a coating (3) at least partially surrounding the nanocrystal (2), wherein a hetero bifunctional linker is covalently bonded to the coating (3). Furthermore, a method for producing the nanoparticle (1), a resin (5), a method for producing are resin (5), and a light- emitting device (7), in particular comprising a micro-LED, are specified.

Classes IPC  ?

• C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
• C09K 11/08 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes
• H05B 33/14 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent

Abrégé

The invention describes a connection carrier (1) having a main body (2) with a metallization (3), wherein a solder resist layer (4) is applied to the metallization (3) at least at points, and the solder resist layer (4) has a thickness of at most 5 micrometres. The invention also describes a method for producing a soldered joint (12), and a component, in particular having a micro-LED.

Classes IPC  ?

• H05K 3/34 - Connexions soudées
• H05K 3/38 - Amélioration de l'adhérence entre le substrat isolant et le métal

Abrégé

The invention relates to a method for producing a plurality of semiconductor laser chips, comprising the following steps: - providing an epitaxial semiconductor layer sequence (2) having an active layer (5), which is configured to generate electromagnetic radiation, on a growth substrate (1), wherein the active layer (5) is arranged between a first semiconductor layer (3) and a second semiconductor layer (4), - generating a photonic layer (9) with a photonic crystal (10) in the first/second semiconductor layer (3, 4), - generating recesses (7) starting from a main face of the epitaxial semiconductor layer sequence (2), wherein the recesses (7) penetrate the active layer (5), - applying a plurality of first contact points (13) in the recesses (7), said contact points electrically contacting the first semiconductor layer (3), and applying a plurality of second contact points (14) over or on the first main face of the epitaxial semiconductor layer sequence (2), said contact points electrically contacting the second semiconductor layer (4). The invention also relates to a semiconductor laser chip, to a method for producing a laser component and to a laser component.

Classes IPC  ?

• H01S 5/0234 - Montage à orientation inversée, p. ex. puce retournée [flip-chip], montage à côté épitaxial au-dessous ou montage à jonction au-dessous
• H01S 5/11 - Structure ou forme du résonateur optique comprenant une structure de bande photonique interdite
• H01S 5/187 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités horizontales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité horizontale [HCSEL] à réflexion de Bragg
• H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
• H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
• H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
• H01S 5/042 - Excitation électrique

Abrégé

A semiconductor laser chip (1) is specified herein, comprising: - a substrate (2) comprising a waveguide (3), wherein the waveguide (3) forms a part of an optical resonator or of an optical amplifier of the semiconductor laser chip (1), - a laser active material (4) embedded into the substrate (2), and - a light source (5) arranged on or over the substrate (2), wherein - the light source (5) optically pumps the laser active material (4) during operation, such that electromagnetic laser radiation (6) is generated and propagating inside the waveguide (3). Further, a laser arrangement is specified herein.

Classes IPC  ?

• H01S 3/16 - Matériaux solides
• H01S 3/23 - Agencement de plusieurs lasers non prévu dans les groupes , p. ex. agencement en série de deux milieux actifs séparés
• H01S 3/094 - Procédés ou appareils pour l'excitation, p. ex. pompage utilisant le pompage optique par de la lumière cohérente
• H01S 3/0933 - Procédés ou appareils pour l'excitation, p. ex. pompage utilisant le pompage optique par de la lumière incohérente produite par un semi-conducteur, p. ex. une diode émettrice de lumière
• H01S 3/063 - Lasers à guide d'ondes, p. ex. amplificateurs laser

Abrégé

The invention relates to a laser package comprising: a base element having an arrangement surface with at least one semiconductor laser element arranged thereon; a frame element, which comprises a ceramic as main material, which is connected to the base element, and which forms a frame surrounding the at least one semiconductor laser element in a lateral direction, the frame element having a circumferential first step extending from a base surface in a lateral direction and having a connection surface at least partly connected to a part of the arrangement surface, and the frame element having a circumferential second step extending from a cover surface opposite the base surface in a lateral direction; a cover element, which is at least substantially transparent to the laser light emitted by the at least one semiconductor laser element and is arranged on the cover surface; at least one optical element arranged on the cover element or integrated therein; and at least one deflection element arranged in the beam path of the at least one semiconductor laser element and designed to deflect laser light emitted by the at least one semiconductor laser element in the direction of the at least one optical element.

Classes IPC  ?

• H01S 5/022 - SupportsBoîtiers
• H01S 5/023 - Éléments de montage, p. ex. embases

Abrégé

A structure is specified. According to one embodiment, the structure comprises a nanocrystal configured to convert a primary radiation into a secondary radiation and an encapsulation at least partially surrounding the nanocrystal, wherein the encapsulation comprises a humectant. Furthermore, a method for producing a structure, a method for adjusting a water content of a structure, and an optoelectronic device, in particular comprising a micro-LED, are specified.

Classes IPC  ?

• C09K 11/02 - Emploi de substances particulières comme liants, revêtements de particules ou milieux de suspension
• C09K 11/08 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes
• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde

Abrégé

A method for producing an optoelectronic component comprises steps for providing a carrier having an optoelectronic semiconductor chip arranged on a top side of the carrier, the optoelectronic semiconductor chip having a front side, a rear side and sidewalls, the rear side of the optoelectronic semiconductor chip being oriented toward the top side of the carrier, for arranging a photopatternable first material on the top side of the carrier, the first material being a silicon organic glass, wherein the optoelectronic semiconductor chip is embedded into the first material, and for photopatterning the first material in such a way that a frame that covers the sidewalls of the optoelectronic semiconductor chip remains.

Classes IPC  ?

• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
• H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone

Abrégé

A camera system (1) comprising a plurality of photodetectors (2) and a plurality of optical channels (3) is specified, wherein - the photodetectors (2) are arranged spaced apart from one another in a detection plane (20), - to each one of the plurality of photodetectors (2) one of the optical channels (3) is assigned, - each of the optical channels (3) has a main viewing direction (30), and - the optical channels (3) comprise a plurality of different main viewing directions (30). For example, the camera system (1) is integrated in a display using micro-LEDs as light-emitting pixels.

Classes IPC  ?

• H04N 23/56 - Caméras ou modules de caméras comprenant des capteurs d'images électroniquesLeur commande munis de moyens d'éclairage
• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
• H04N 13/254 - Générateurs de signaux d’images utilisant des caméras à images stéréoscopiques en combinaison avec des sources de rayonnement électromagnétique pour l’éclairage du sujet
• H04N 13/271 - Générateurs de signaux d’images où les signaux d’images générés comprennent des cartes de profondeur ou de disparité
• H10K 59/40 - OLED intégrées avec écrans tactiles
• H10K 59/65 - OLED intégrées avec des capteurs d'images inorganiques
• G06V 40/13 - Capteurs à cet effet
• H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
• H10K 59/60 - OLED intégrées avec des éléments inorganiques sensibles à la lumière, p. ex. avec des cellules solaires inorganiques ou des photodiodes inorganiques
• H04N 23/955 - Systèmes de photographie numérique, p. ex. systèmes d'imagerie par champ lumineux pour l’imagerie sans objectif
• H04N 23/957 - Caméras ou modules de caméras à champ lumineux ou plénoptiques

Abrégé

The present disclosure relates to a light emitting device (100) that comprises an array (105) of light emitting pixels (110), wherein each light emitting pixel (110) is separately controllable to emit light, a determination unit (120) that is configured to determine which of virtual pixels (125) shall emit light in a next time interval and to output for each of the virtual pixels (125) a first control signal that indicates an intended light emission by the respective virtual pixel (125) during the next time interval, and a control unit (130) that is configured to receive the first control signals and to generate based thereon for each light emitting pixel (110) a second control signal for controlling light emission by the respective light emission pixel (110) during the next time interval. Here, a mapping (135) between virtual pixels (125) and light emitting pixels (110) maps each virtual pixel (125) to one or a group of adjacent light emitting pixels (110). The control unit (130) generates the second control signals from the first control signals by applying the mapping to the first control signals.

Classes IPC  ?

• H05B 45/44 - Détails des circuits de charge à LED avec un contrôle actif à l'intérieur d'une matrice de LED
• H05B 45/10 - Commande de l'intensité de la lumière

Abrégé

The invention concerns a test arrangement comprising a carrier substrate with a top surface; a first common contact element and a second common contact element arranged on the top surface distant from each other, wherein the first and the second common contact element each comprise a metal layer on the top surface covered by a conductive transparent layer; at least one vertical optoelectronic component, in particular μLED, arranged on the first common contact element in such a way, that a first contact area of the at least one vertical optoelectronic component connects the first common contact element, wherein the at least one vertical optoelectronic component comprises a second contact area opposite the first contact area; a dielectric material embedding the at least one vertical optoelectronic component, wherein the dielectric material extends adjacent to and/or partially onto the first and/or the second common contact element; a conductive transparent top contact layer that is arranged on the dielectric material covering the at least one vertical optoelectronic component, extending along at last one sidewall of the dielectric material thereby contacting the second common contact element; and a test circuit connected to the first and the second common contact element and configured to provide a test signal to the at least one vertical optoelectronic component.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails

Abrégé

The invention concerns a system for controlling pest infestation of crops, comprising one or more light sources that are particularly arranged in a grid like pattern, wherein the one or more light source is configured to emit UV radiation in a direction substantially different to a radiation direction for crop growth. A fog generator is configured to produce fog in a first volume covered by the UV radiation emitted by the one or more light sources, where the produced fog comprises a specified density and a specified range of droplet size; said fog scattering UV radiation emitted by the one or more light sources towards the crops. The first volume is distanced from the one or more light sources.

Classes IPC  ?

• A61L 2/10 - Procédés ou appareils de désinfection ou de stérilisation de matériaux ou d'objets autres que les denrées alimentaires ou les lentilles de contactAccessoires à cet effet utilisant des phénomènes physiques des radiations des ultraviolets
• A61L 2/00 - Procédés ou appareils de désinfection ou de stérilisation de matériaux ou d'objets autres que les denrées alimentaires ou les lentilles de contactAccessoires à cet effet
• A01G 7/04 - Traitement électrique ou magnétique des végétaux pour favoriser leur croissance
• A01M 7/00 - Adaptations ou aménagements particuliers des appareils de pulvérisation de liquides aux fins couvertes dans la présente sous-classe
• A01M 13/00 - FumigateursAppareils émetteurs de gaz

Abrégé

The invention relates to a method for producing an electronic component, having the steps of providing a carrier with an upper face and a semiconductor chip arranged on the upper face, forming a coating body from a photoresist on the upper face of the carrier by means of a molding method in a mold of a molding tool, wherein the semiconductor chip is integrated into the coating body, exposing at least one part of the coating body, and removing a part of the coating body by means of a development process.

Classes IPC  ?

• H01L 33/52 - Encapsulations
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs

Abrégé

The invention relates to a display module comprising a first contact element, which is arranged in a first plane and which has a metal layer and a conductive transparent layer; a plurality of second contact elements which are arranged at a distance from one another and at a distance from the first contact element in the first plane; a plurality of vertical optoelectronic components, in particular µLEDs, which are arranged in such a way that a first contact surface of the vertical optoelectronic components is electrically connected to the first contact element, and a second contact surface, opposite the first contact surface, of the vertical optoelectronic components is electrically connected to one of the plurality of second contact elements; a dielectric first material layer in which the vertical optoelectronic components are embedded and which surrounds the vertical optoelectronic components in a lateral direction, in such a way that at least the first and second contact surfaces are exposed; and an electrically conductive transparent contact layer which is adjacent to the dielectric first material layer and which covers an upper surface of the dielectric first material layer and the first contact surfaces, wherein the contact layer electrically connects the first contact element to the first contact surfaces.

Classes IPC  ?

• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
• H01L 33/42 - Matériaux transparents
• H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière

Abrégé

A display with a plurality of pixels (1) is provided, wherein - each pixel (1) has a first set of at least two sub-pixels (2) and a second set of at least two sub-pixels (3), - each sub-pixel (R, G, B) comprises a micro-LED (5) emitting electromagnetic radiation during operation, and - micro optic elements (4) are arranged above the micro-LEDs (5) of the second set of sub-pixels (3), the micro optic elements (4) collimating beam cones (6) of the electromagnetic radiation of the micro-LEDs (5) of the second set of sub-pixels (3). Further a method for operating a display and a method for manufacturing a plurality of micro optic elements, particularly for a display, are provided.

Classes IPC  ?

• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• G02B 13/00 - Objectifs optiques spécialement conçus pour les emplois spécifiés ci-dessous

Abrégé

x1y11-x1-y1x2y21-x2-y21-x2-y2P, where 0.51

Classes IPC  ?

• H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
• H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
• H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique

Abrégé

The invention relates to a LIDAR system (10) comprising a tunable laser source (100) suitable for emitting electromagnetic radiation, namely source radiation (15), which is reflected by an object (105). The LIDAR system (10) also comprises a multi-mode waveguide (112) suitable for receiving radiation (16) reflected by the object (105), and a plurality of single-mode waveguides (1151, 1152, …115n) and a coupling device (118, 132) suitable for supplying each of the modes (161, 162) of the reflected radiation (16) that have been guided through the multi-mode waveguide (112) to one of the single-mode waveguides (1151, 1152, …115n). The LIDAR system also comprises a plurality of detection devices (125) each suitable for detecting a heterodyne signal resulting from the reflected radiation (16) that has been guided through an associated single-mode waveguide (1151, 1152, …115n) heterodyning a partial beam of the source radiation (15).

Classes IPC  ?

• G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p. ex. agencements d'éléments optiques
• G01S 17/34 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes continues, soit modulées en amplitude, en fréquence ou en phase, soit non modulées utilisant la transmission d'ondes continues modulées en fréquence, tout en faisant un hétérodynage du signal reçu, ou d’un signal dérivé, avec un signal généré localement, associé au signal transmis simultanément
• G01S 7/4912 - Récepteurs

Abrégé

The invention relates to a laser package having a base plate and three laser elements implemented in semiconductor bodies. A transparent housing surrounds the laser elements on the base plate. The laser elements have an emission region arranged off-center in respect of their respective semiconductor bodies and are aligned relative to one another such that the distance between the emission regions is as small as possible. According to the invention, this is achieved, inter alia, by stacking at least two of the laser elements on one another, wherein a thin interposer is arranged therebetween.

Classes IPC  ?

• H01S 5/00 - Lasers à semi-conducteurs
• H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
• H01S 5/04 - Procédés ou appareils pour l'excitation, p. ex. pompage

Abrégé

The invention relates to a photoactive construction element. According to one embodiment, the photoactive construction element comprises a spatial volume which is delimited by side faces, wherein at least one side face comprises a semipermeable membrane, and photocatalytic particles in the spatial volume, wherein the photocatalytic particles can move freely in the spatial volume. In particular, the photoactive construction element has an internal radiation source which comprises a micro-LED or a micro-LED arrangement. Also disclosed is a photoactive system comprising an external radiation source which in particular comprises a micro-LED or a micro-LED arrangement. Also disclosed are a method for cleaning a medium and a method for separating a component of a medium.

Classes IPC  ?

• C02F 1/32 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par irradiation par la lumière ultraviolette
• B01J 8/00 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés
• B01J 19/12 - Procédés utilisant l'application directe de l'énergie ondulatoire ou électrique, ou un rayonnement particulaireAppareils à cet usage utilisant des radiations électromagnétiques
• B01J 35/39 - Propriétés photocatalytiques
• C02F 1/72 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par oxydation
• B01J 8/20 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées l'agent fluidisant étant un liquide

Abrégé

The invention concerns a µ-LED comprising a semiconductor layer stack having a first layer of a first doping type, a second layer of a second doping type, and an active region arranged between the first and the second layer. The semiconductor layer stack comprises a bottom surface and a top surface as well as mesa structured side surfaces connecting the top and bottom surface and a central region with a lateral dimension which is less than one half of a lateral dimension of the semiconductor layer stack. Further the semiconductor layer stack comprises a material including at least one of phosphide and arsenide and a current path from the first layer to the second layer through the active region is limited to the central region.

Classes IPC  ?

• H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet

Abrégé

The invention relates to an optoelectronic component having a first pixel element, a second pixel element and an imaging optical system shared by the first and second pixel element, wherein the first pixel element has a first image distance in relation to the imaging optical system, and wherein the second pixel element has a second image distance, which differs from the first image distance, in relation to the imaging optical system. The invention also relates to a lighting device having an optoelectronic component.

Classes IPC  ?

• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• F21S 41/663 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. phares caractérisés par une distribution lumineuse variable par action sur des sources lumineuses par commutation de sources lumineuses
• H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• F21S 41/153 - Diodes électroluminescentes [LED] disposées sur une ou plusieurs lignes disposées dans une matrice

Abrégé

The invention relates to a method for producing a plurality of radiation-emitting components. The method comprises the steps of: - providing a composite (2) of parts, which has a plurality of radiation-emitting semiconductor chips (3), wherein on a main emission surface (31) of each of the radiation-emitting semiconductor chips (3) a conversion layer (4) is disposed, wherein the conversion layers (4) comprise a matrix material (5) and a luminophore (6), and - plasma etching at least part of the conversion layers (4), wherein a thickness is reduced at least in places. The invention also relates to a composite of parts and to a radiation-emitting component.

Classes IPC  ?

• H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde

Abrégé

A method for producing an optical waveguide (1), comprising the step of providing a core region (30) arranged on a bottom cladding region (21) is provided. Furthermore, a shadow mask (41) is arranged on a side of the core region (30) facing away from the bottom cladding region (21). A second mask (42) is deposited on the core region (30), wherein the second mask (42) comprises a tapered mask region (400). The shadow mask (41) is removed and the second mask (42) and partially the core region (30) are etched, wherein the core region (30) comprises a tapered core region (300).

Classes IPC  ?

• G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
• G02B 6/136 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication par gravure

Abrégé

An optoelectronic semiconductor module (1), comprising a semiconductor emitter (10) and a photonic module (20), is described herein. The semiconductor emitter (10) comprises an emitting region (103) configured to emit an electromagnetic radiation. The photonic module (20) is arranged downstream of the semiconductor emitter (10). The photonic module (20) comprises a waveguide (200) configured to guide the electromagnetic radiation along its propagation path. The waveguide (200) comprises a rib region (2001) and a slab region (2002).

Classes IPC  ?

• H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
• H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque

Abrégé

The invention concerns a tool material for preparing lenses obtainable by crosslinking a first perfluoropolyether having at least one first crosslinking group and a second perfluoropolyether having at least one second crosslinking group in the presence of a photoinitiator. Furthermore, the invention concerns a method for preparing the tool material and the use of the tool material for preparing lenses.

Classes IPC  ?

• B29D 11/00 - Fabrication d'éléments optiques, p. ex. lentilles ou prismes
• C08G 65/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant une liaison éther dans la chaîne principale de la macromolécule
• B29C 33/40 - Matière plastique, p. ex. mousse ou caoutchouc

Abrégé

An optoelectronic semiconductor chip comprises a front-side radiation-transmissive chip substrate, a rear-side semicon- ductor layer sequence arranged on the chip substrate, the semiconductor layer sequence being configured for radiation emission or radiation detection, and rear-side contact elements for contacting the semiconductor layer sequence. The chip substrate is formed in one piece with a lens shape deviating from a cuboid shape. Further described is a method for producing at least one optoelectronic semiconductor chip.

Classes IPC  ?

• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
• H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
• H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
• H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
• H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs

Abrégé

The invention concerns a method for manufacturing an optoelectronic device comprising the steps of: providing a semiconductor layer stack of at least a first layer of a first conductivity type, a second layer of a second conductivity type as well as an active region between the first and second layer; plasma etching the semiconductor layer stack such that at least a first portion of the semiconductor layer stack is retained and at least a second portion of the semiconductor layer stack adjacent to the first portion is removed, thereby forming an etched side surface of the first portion comprising the first layer, the second layer and the active region; and surface treating the etched side surface using a chlorine based substantially isotropic etching process.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
• H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote

Abrégé

The invention concerns an optoelectronic device, in particular combined µ-LED (2) and µ-Detector (5), comprising a first semiconductor layer (3a) having a first portion (7a) and a laterally displaced second portion (7b), a second semiconductor layer (3b) arranged on a first portion (7a), and an active region (4) arranged between the first portion (7a) and the second semiconductor layer (3b). The optoelectronic device further comprises a top contact element (8) arranged on the second semiconductor layer (3b) and a bottom contact element (6) electrically coupled to the first portion (7a). The first and the second semiconductor layer thereby comprise a doping of a different conductivity type and the first portion (7a), the active region (4) and the second semiconductor layer (3b) form a semiconductor layer stack configured to emit light of at least a first wavelength when applying a supply voltage to the top and bottom contact elements (8, 6). In addition, the second portion (7b) is configured to accommodate a detector element (5) and/or is substantially transparent to light of the first wavelength.

Classes IPC  ?

• H01L 31/12 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour
• G02B 6/42 - Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
• H04B 10/43 - Émetteurs-récepteurs utilisant un seul composant en tant que source lumineuse et récepteur, p. ex. utilisant un photoémetteur comme photorécepteur
• H01L 31/173 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface formés dans, ou sur un substrat commun