Embodiments of the present disclosure relate to multi-flow gas circuits, chamber kits, processing chambers, and related apparatus and methods applicable for semiconductor manufacturing. In one or more embodiments, a processing chamber includes a chamber body, heat source(s), and a gas circuit in fluid communication with the chamber body. The gas circuit includes a first flow controller and a first set of valves in fluid communication with the first flow controller. The first set of valves are in fluid communication with a first set of inject passages. The gas circuit includes a second flow controller and a second set of valves in fluid communication with the second flow controller. The second set of valves is in fluid communication with a second set of inject passages. The second set of inject passages and the first set of inject passages alternate with respect to each other along the plurality of flow levels.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
C23C 16/54 - Appareillage spécialement adapté pour le revêtement en continu
A method for increasing dielectric bonding strength during wafer-level processing is incorporated into a hybrid bonding process. A method may include immersing a substrate into a chemical bath at atmospheric conditions where the chemical bath forms a self-assembled monolayer on metal surfaces of the substrate and selectively depositing a high-k or high thermal conductivity dielectric material to form a dielectric cap on dielectric surfaces of the substrate absent of the self-assembled monolayer.
Embodiments herein are generally directed to methods of forming waveguide structures with blazed gratings. The method includes depositing a photoresist layer on a patterned hardmask disposed over a device layer or a substrate, exposing the photoresist layer to produce a plurality of photoresist segments, etching the device layer or the substrate to produce at least one step, the at least one step forming a blazed grating, trimming the plurality of photoresist segments horizontally, and removing the plurality of photoresist segments and the patterned hardmask. The method may further include repeating steps to produce a second step and a third step of the blazed grating.
Semiconductor processing chambers and systems, as well as methods of cleaning such chambers and systems are provided. Processing chambers and systems include a chamber body that defines a processing region, a liner positioned within the chamber body that defines a liner volume, a faceplate positioned atop the liner, a substrate support disposed within the chamber body, and a cleaning gas source coupled with the liner volume through a cleaning gas plenum and one or more inlet apertures. Systems and chambers include where at least one of the one or more inlet apertures is disposed in the processing region between the faceplate and a bottom wall of the chamber body.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
5.
METHODS FOR PREPARING DRUG CONTAINING PARTICLES ENCLOSED BY A LAMINATED ALUMINUM OXIDE AND SILICON OXIDE COATING
This disclosure pertains to a coated particle that has a drug-containing core and laminated aluminum oxide and silicon oxide coatings and methods of preparing thereof. The coated particle has a modified drug release profile comparing to the uncoated drug-containing core.
A method of stress management in a substrate. The method may include providing a stress compensation layer on a main surface of the substrate; and performing a chained implant procedure to implant a set of ions into the stress compensation layer. The chained implant procedure may include directing a first implant procedure to the substrate, the first implant procedure generating a first damage profile within the stress compensation layer; directing a second implant to the substrate, different from the first implant, wherein a composite damage profile is generated within the stress compensation layer after the second implant, the composite damage profile resulting in a higher stress response ratio than the first damage profile.
H01J 37/317 - Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p. ex. implantation d'ions
H01J 37/30 - Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets
7.
LOW RESISTIVITY METAL STACKS AND METHODS OF DEPOSITING THE SAME
Metal stacks and methods of depositing a metal stack on a semiconductor substrate are disclosed. The metal stack is formed by depositing a tungsten (W) layer on the semiconductor substrate and depositing a molybdenum (Mo) layer on the tungsten (W) layer. In one method, a tungsten (W) capping layer is deposited on the molybdenum (Mo) layer, followed by formation of a nitride capping layer on the tungsten (W) capping layer). In a second method, a nitride capping layer is formed on the molybdenum (Mo) layer using an ammonia free process. Both processes result in the formation of a metal stack having low resistivity.
H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
8.
VIA SHAPING BETWEEN METAL LAYERS FOR CONTROLLED RESISTANCE
This disclosure describes structures and methods for forming tapered vias between features in metal layers in semiconductor devices. Instead of straight vias that have 90° vertical sidewalls and a constant cross-sectional area throughout the height of the via, tapered vias may be formed that extend outward from one metal layer to a lower metal layer. The via may be allowed to expand in size in a direction parallel to the feature in the lower metal layer, while remaining a constant width so as not to expand beyond the footprint of the lower feature. This tapered shape results in a larger cross-sectional area at the interface between the via and the lower feature. This lowers the resistance of the via by increasing area for current flow, while also increasing the area of any liners which typically have higher resistances.
A method for forming a part for a process chamber incorporates a substrate core in the part. The method may include performing a silicon carbide (SiC) deposition process on a substrate to form a SiC coating of approximately 1mm to approximately 2mm on all sides of the substrate to form a composite SiC structure where the substrate is composed of a stack of a plurality of substrates each with a thickness of approximately 1 mm to approximately 2mm and separating the stack of the plurality of substrates of the composite SiC structure to form multiple composite structures where each multiple composite structure has an SiC coating on a top surface and on all side surfaces and a bottom surface of exposed substrate material.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
Techniques to dynamically tune components of an ion implanter are described. A method includes generating a first histogram for a first setting parameter of an ion implanter and a second histogram for a second setting parameter of the ion implanter. The histograms comprise a graphical representation of a distribution of data points across a range of values for each setting parameter. The method includes presenting the histograms on a user interface, receiving a control directive to modify a first range of values for the first setting parameter, predicting a modification to a second range of values for the second setting parameter based on the modification to the first range of values by a machine learning model, and presenting the second histogram for the second setting parameter to indicate the modification to the second range of values for the second setting parameter. Other embodiments are described and claimed.
H01J 37/317 - Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p. ex. implantation d'ions
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
Embodiments of the disclosure relate generally to Li batteries, methods of making the same, and equipment for making the same. In particular embodiments of the disclosure are relate to a separator stack includes a separator film, a metal lithium (Li) layer disposed on the separator film, and an inorganic passivation layer disposed on the metal Li layer.
H01M 50/451 - Séparateurs, membranes ou diaphragmes caractérisés par le matériau ayant une structure en couches comprenant des couches de matériau organique uniquement et des couches comprenant un matériau inorganique
12.
EVAPORATION SOURCE ARRANGEMENT, VACUUM DEPOSITION SYSTEM, AND METHOD OF COATING A SUBSTRATE
An evaporation source arrangement for depositing at least two layers onto a substrate is described. The evaporation source arrangement (100) includes an evaporation source (101) including a first vapor distribution pipe (110) with a first row of nozzles (111) that have a first main evaporation direction (M1) for depositing a first material onto the substrate, a second vapor distribution pipe (120) with a second row of nozzles (121) that have a second main evaporation direction (M2) for depositing a second material onto the substrate, and a third vapor distribution pipe (130) with a third row of nozzles (131) that have a third main evaporation direction (M3) for depositing a third material onto the substrate. The evaporation source arrangement further includes a rotation drive (113) for rotating the evaporation source around a rotation axis. The first main evaporation direction (M1) and the second main evaporation direction (M2) are tilted toward each other to enable a co-deposition of a mixed material layer onto the substrate, and the third row of nozzles is configured to simultaneously deposit a further layer comprising the third material above or below the mixed material layer onto the substrate.
H10K 71/16 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt physique en phase vapeur [PVD], p. ex. un dépôt sous vide ou une pulvérisation cathodique
C23C 14/56 - Appareillage spécialement adapté au revêtement en continuDispositifs pour maintenir le vide, p. ex. fermeture étanche
C23C 14/22 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le procédé de revêtement
13.
EVAPORATION SOURCE ARRANGEMENT, VACUUM DEPOSITION SYSTEM, AND METHOD OF COATING A SUBSTRATE
An evaporation source arrangement for coating a substrate is described. The evaporation source arrangement includes an evaporation source (101) with a first vapor distribution pipe (110) with a first row of nozzles (111) for depositing a first material on the substrate; a rotation drive (113) for rotating the evaporation source around a rotation axis (R1); and a shield arrangement (200) that partially surrounds the evaporation source and includes an idle shield (202) and a shaper shield (201). The rotation drive is configured to rotate the evaporation source relative to the shield arrangement between an idle position, in which the first row of nozzles is directed toward the idle shield (202), and a first deposition position, in which the first row of nozzles is aligned with a first slit (211) provided in the shaper shield (201), the first slit (211) configured to limit a first opening angle (β1) of vapor plumes emitted by the first row of nozzles. Further described are a vacuum deposition system and methods of coating a substrate.
C23C 14/22 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 14/56 - Appareillage spécialement adapté au revêtement en continuDispositifs pour maintenir le vide, p. ex. fermeture étanche
Embodiments of the disclosure relate to a substrate processing system with improved thermal management. The substrate processing system utilizes a pyrometer for temperature measurement on the outer surface of a chamber body, and a controller to adjust operations based on estimated temperatures at various locations on the inner surface of a chamber body. The system employs a digital twin model, potentially physics-based, data-based, or a hybrid, to simulate process runs and generate temperature mappings inside the chamber body. The chamber structure features a chamber body made from high IR transmission materials and includes a chamber conditioning assembly with variable speed blowers and mechanical flow modulators. The associated method manipulates the system with the digital twin model and the chamber conditioning assembly for enhanced temperature control. Furthermore, an apparatus is presented, equipped with mechanical flow modulators directing air flows for effective thermal regulation, migrating unwanted window coating.
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
Embodiments of the disclosure provided herein include an apparatus and method for processing a substrate which may be used to clean the surface of a substrate. The apparatus includes a cleaning module. The cleaning module includes a tank, a processing fluid delivery system configured to deliver a processing fluid includes ozone to the tank, a drain disposed at a bottom of the tank, and an exhaust system disposed at a top of the tank. The processing fluid delivery system includes a front side spray bar port coupled to a front side spray bar located within the tank, and a back side spray bar port coupled to a back side spray bar located within the tank opposite the front side spray bar.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
Embodiments of the present disclosure include a thinned device structure and method of forming a thinned device structure. Embodiments of the disclosure provided herein include the use of engineered epitaxial (Epi) layers that are formed on a base substrate. The engineered epitaxial layers include two or more epitaxial layers that each include materials that allow at least one of the two or more epitaxial layers to be selectively removed from the other layer(s). In some embodiments, one of the two or more formed epitaxial layers has etch selectivity (e.g., wet and/or dry etch selectivity) to materials disposed on either side of the formed layer.
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique
H01L 21/18 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV du tableau périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p. ex. des matériaux de dopage
17.
PRE-LITHIATED ANODE ROLL TEMPERATURE CONTROL BY UTILIZING LIQUID OR INERT LIQUIFIED GAS TO ACTIVELY COOL THE WEB
Systems and methods for manufacturing energy storage devices are provided. In one or more implementations, which can be combined with other implementations, a temperature control fluid, for example, liquid electrolyte, inert liquified gas, gas, air, cooled gas, or chilled liquid spray, is used to actively cool the anode material. The temperature control fluid can be refrigerated to provide additional cooling benefit. The temperature control fluid can be selected from any liquid electrolyte compatible with the battery or the liquid electrolyte itself. The temperature control fluid can be applied before, during, or after a substrate independent direct transfer process to moderate the temperature of the web.
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
H01M 4/02 - Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
18.
N-CHANNEL COUPLED WITH P-CHANNEL AND METHODS OF MANUFACTURE
Logic devices and methods of manufacturing logic devices are provided. The semiconductor logic device includes an n-channel gate-all-around (n-GAA) field-effect transistor on a substrate integrated with a p-channel gate-all-around (p-GAA) field-effect transistor on the substrate adjacent to the n-channel gate-all-around (p-GAA) field-effect transistor. The n-channel gate-all-around (n-GAA) field effect-transistor has a structure including a plurality of layers comprising silicon and a corresponding plurality of layers comprising at least 25% germanium alternatingly arranged in stacked pairs extending between a source region and a drain region, and the p-channel gate-all-around (p-GAA) field-effect transistor has a plurality of layers comprising in a range of from 5% to 15% germanium and a corresponding plurality of layers comprising at least 25% germanium alternatingly arranged in stacked pairs.
H10D 84/03 - Fabrication ou traitement caractérisés par l'utilisation de technologies basées sur les matériaux utilisant une technologie du groupe IV, p. ex. technologie au silicium ou au carbure de silicium [SiC]
H10D 84/85 - Transistors IGFET complémentaires, p. ex. CMOS
19.
A PLASMA SOURCE WITH A WATER LEAKAGE DETECTION SYSTEM
Disclosed herein are a plasma source, an abatement unit, and a method for detecting a coolant leak. The plasma source includes an RF generation system coupled with a cooling system. The RF generation system includes one or more electrical components comprising a hollow RF antenna for generating a plasma. The cooling system includes a coolant channel extending through the plasma source, including the electrical components of the RF generation system; a first flow control device coupled to the coolant channel to control a flow of the coolant into the coolant channel and electrically isolated from the hollow antenna; a second flow control device coupled to the coolant channel to control a flow of the coolant out of the coolant channel; and a pressure measurement device coupled with the coolant channel to measure a pressure level of the coolant. The coolant channel includes the hollow RF antenna.
Implementations described herein relate to systems and methods treating high-k materials for use in forming MIM capacitors. Including various high-density plasma nitridation processes or combinations of high-density plasma oxidation processes and high-density plasma nitridation processes are provided.
A method of coating a substrate (10) in a vacuum chamber is described. The substrate has a structure formed thereon comprising a first sidewall (11) adjacent to a pixel region (13) and a first overhang (12) projecting from the first sidewall (11) partially over the pixel region (13). The method includes arranging a first evaporation source (101) in a first deposition position, the first evaporation source having a first vapor distribution pipe (110) with a first row of nozzles (111) that have a first main evaporation direction (M1); and transporting the substrate (10) past the first evaporation source (101) while directing a first material toward the substrate from the first row of nozzles (111). In the first deposition position, the first main evaporation direction (M1) is tilted relative to a surface normal (SN) of the substrate by a first tilt angle (α1) to either increase or decrease a deposition of the first material under the first overhang (12). Material layers of an OLED layer stack can be deposited on the substrate.
H10K 71/16 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt physique en phase vapeur [PVD], p. ex. un dépôt sous vide ou une pulvérisation cathodique
C23C 14/56 - Appareillage spécialement adapté au revêtement en continuDispositifs pour maintenir le vide, p. ex. fermeture étanche
C23C 14/22 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le procédé de revêtement
A method for estimating pressure values within a processing chamber is provided. The method can include receiving a measurement of a pressure at a terminal end of an exit flow path from a processing chamber, and processing the measurement of the pressure using a model including conductance values for a plurality of segments of the exit flow path to estimate one or more pressure values within the processing chamber.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
A method of processing a substrate. The method including delivering, by an RF generator, an RF signal to a processing volume of a processing chamber through an RF match including a configurable impedance altering element. Measuring in real¬ time, an electrical characteristic of the RF signal. Determining in real-time, a target electrical characteristic based upon a comparison between a calibrated electrical characteristic value and the measured electrical characteristic, in which the calibrated electrical characteristic value is selected to achieve at least one desired plasma processing parameter result. Adjusting in real-time, a setting of the configurable impedance altering element of the RF match to achieve the target electrical characteristic and maintaining, the target electrical characteristic by controlling the setting of the configurable impedance altering element of the RF match.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
24.
ROLL-BASED THIN FILM LOADING SYSTEM FOR MANUFACTURING
A method and apparatus for processing a thin film are provided. An example method includes disposing a first carrier on a base stage; disposing a first portion of the thin film above the first carrier; raising the base stage such that the first carrier contacts the thin film; chucking the first portion of the thin film to the first carrier; and cutting the first portion of the thin film away from a second portion of the thin film.
A method of capping a metal layer includes performing a conversion process to reduce a metal oxide layer formed on a top surface of the metal layer and form a metal sulfide layer on the top surface of the metal layer, exposing the top surface of the metal layer to an oxidizing environment, and performing a removal process to remove the metal sulfide layer.
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
26.
MULTI-LAYERED EPITAXIAL STACK AND METHODS FOR PREPARING THE SAME
Embodiments of the present disclosure generally relate to epitaxial film stacks and vapor deposition processes for preparing the epitaxial film stacks. In one or more embodiments, a carbon-doped silicon-germanium and silicon mini-stack is produced with relatively low defects or crystal imperfections. A multi-layered epitaxial stack containing a plurality of the carbon-doped silicon-germanium and silicon mini-stacks is deposited on a substrate. Each multi-layered epitaxial stack contains a carbon- doped silicon germanium stack and a silicon film. The carbon-doped silicon germanium stack contains a carbon-silicon-germanium layer disposed between a first silicon-germanium layer and a second silicon-germanium layer. The silicon film contains the silicon bulk layer disposed on the silicon seed layer, In some embodiments, a method for fabricating the epitaxial film stack includes sequentially depositing a carbon-doped silicon germanium stack and a silicon film to form the carbon-doped silicon-germanium and silicon mini-stack during a deposition cycle.
The present disclosure provides methods and apparatus that facilitate the formation of high-quality carbon gapfill structures and that address the issues related to conventional carbon gapfill methods. In certain embodiments, the carbon gapfill methods and apparatus described herein include plasma enhanced CVD (PECVD) or flowable CVD (FCVD) processes to gapfill structures with high-quality,, and stable carbon films.
C23C 16/509 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence utilisant des électrodes internes
Thicker hardmasks are typically needed for etching deeper capacitor holes in a DRAM structure. Instead of increasing the hardmask thickness, hardmasks may instead be formed with an increased etch selectivity relative to the underlying semiconductor structure. For example, boron-based hardmasks may be formed that include a relatively high percentage of boron (e.g., greater than 90%). The etch selectivity of the hardmask may be improved by performing an ion implant process using different types of ions. The ion implant may take place before or after opening the hardmask with the pattern for the DRAM capacitor holes. Some designs may also tilt the semiconductor substrate relative to the ion implant process and rotate the substrate to provide greater ion penetration throughout a depth of the openings in the hardmask.
H01L 21/033 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou comportant des couches inorganiques
Chemical deliver conduits, systems for substrate processing and methods for supplying a chemical to a substrate processing chamber are described. The conduit has a length and connects a vessel containing the chemical to the substrate processing chamber. The conduit comprises an outer channel surrounding an inner channel. The outer channel is in fluid communication with source of a heat transfer fluid, and the inner channel is in fluid communication with the vessel containing the chemical.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
30.
DUAL CHANNEL SHOWERHEAD CONDUCTANCE OPTIMIZATION FOR UNIFORM RADIAL FLOW DISTRIBUTION
A dual-channel showerhead may include a first plate defining two or more channels and a second plate including a bottom surface and defining a plurality of apertures. Each of the two or more channels may be fluidly coupled with one of the plurality of apertures to define a fluid path extending from the first plate through the bottom surface. The plurality of apertures may be arranged in a series of rings. A first subset of apertures of the plurality of apertures may extend through the first plate and the bottom surface. A second subset of apertures in a first ring of the series of rings may include a first opening area. Each aperture of the second subset in a second ring may include a second opening area smaller than the first opening area, such that a flow conductance of the first ring is within 5% of the second ring.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
The present disclosure generally relates to semiconductor processing and, in particular, provides methods of forming a resist underlayer on a substrate for use in EUV lithography processing. In an embodiment, the method includes flowing a precursor gas mixture into the processing region of the process chamber, applying a pulsed RF power to the precursor gas mixture to generate a plasma in the processing region, depositing a resist underlayer on the substrate with the plasma generated from the pulsed RF power, and forming a patterned chemically amplified photoresist (CAR) over the resist underlayer.
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
G03F 7/16 - Procédés de couchageAppareillages à cet effet
A cluster tool for fabricating substrates includes a factory interface; a first processing mainframe coupled to the factory interface, including: a processing chamber monolithic structure including four processing chambers in the same housing; four load locks coupled to the processing chamber monolithic structure, each load lock including a heater assembly configured to increase the temperature of a substrate disposed in the load lock; and a swapper assembly disposed between the four load locks and the processing chamber monolithic structure, wherein the swapper assembly includes four swappers, each swapper configured to swap substrates between one processing chamber and one load lock along a linear trajectory.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
33.
METHOD FOR TESTING A PACKAGING SUBSTRATE, AND APPARATUS FOR TESTING A PACKAGING SUBSTRATE
A method for testing a packaging substrate with at least one electron beam column is provided. The method includes a first test operation, wherein the first test operation includes: positioning the packaging substrate in a vacuum chamber; connecting a voltage source to one or more first contact pads of a first large network of the packaging substrate, the first large network comprising a first plurality of contact pads having a large number of contact pads, the first large network further comprising first electrical interconnect paths for interconnecting the first plurality of contact pads; applying a first electric potential to the one or more first contact pads using the voltage source; charging one or more further networks of the packaging substrate to a second electric potential different from the first electric potential, wherein the one or more further networks comprise a further plurality of contact pads; obtaining information about one or more electric potentials of a second plurality of contact pads comprising the further plurality of contact pads, wherein obtaining the information about one or more electric potentials comprises directing an electron beam of the at least one electron beam column via vector addressing onto each of the second plurality of contact pads and obtaining information about an electric potential of each of the second plurality of contact pads; and determining at least one defect of the packaging substrate based on the information about one or more electric potentials of the second plurality of contact pads.
G01R 31/309 - Test sans contact utilisant des rayonnements électromagnétiques non ionisants, p. ex. des rayonnements optiques de circuits imprimés ou hybrides
G01R 31/308 - Test sans contact utilisant des rayonnements électromagnétiques non ionisants, p. ex. des rayonnements optiques
G01R 31/311 - Test sans contact utilisant des rayonnements électromagnétiques non ionisants, p. ex. des rayonnements optiques de circuits intégrés
34.
FIN STRUCTURES, PLATE APPARATUS, AND RELATED METHODS, PROCESS KITS, AND PROCESSING CHAMBERS FOR GROWTH RATES AND PROCESS UNIFORMITY
The present disclosure relates to semiconductor processing chambers, and more particularly, to fin structures that facilitate growth rates and process uniformity. In one or more embodiments, a processing chamber applicable for use in semiconductor manufacturing includes one or more gas inlets operable to flow a gas into an internal volume of the processing chamber and a substrate support disposed in the internal volume. The processing chamber includes a plate apparatus disposed in the internal volume and above the substrate support. The plate apparatus includes a plate, and one or more fins disposed at least partially below the plate.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale
A showerhead for a process chamber is provided including: a first portion that includes a plurality of gas inlets and a first plurality of gas outlets; and a second portion over the first portion, the second portion including a second plurality of gas outlets, wherein the plurality of gas inlets of the first portion are fluidly coupled to the second plurality of gas outlets of the second portion, the first plurality of gas outlets of the first portion are fluidly coupled to the plurality of gas inlets of the first portion, the second portion is transparent to infrared radiation and ultraviolet radiation, and the first portion is transparent to infrared radiation and opaque to ultraviolet radiation.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/48 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement par irradiation, p. ex. par photolyse, radiolyse ou rayonnement corpusculaire
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
36.
METHODS AND APPARATUS FOR ANISOTROPIC FILM GROWTH, AND RELATED DEVICE
The present disclosure relates to semiconductor processing methods for anisotropic film growth. The method includes heating a substrate positioned in a processing chamber. The method includes flowing one or more process gases over the substrate. The one or more process gases include trichlorosilane (TCS) and a cleaning gas acid. The method includes depositing one or more layers on one or more fins on the substrate. The deposition of the one or more layers includes forming the one or more layers at a first growth rate along a first dimension and a second growth rate along a second dimension, and the second growth rate is faster than the first growth rate.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
37.
PASSIVATION APPARATUS AND METHOD FOR LITHIUM METAL ANODE
A method and apparatus for passivation of alkali metal surfaces are provided. The method includes conveying a web-based substrate through an interior region of a passivation unit, the web-based substrate having a lithium metal film formed thereon. The method further includes exposing a titanium dioxide (TiO2) photocatalyst to UV/LED light in the presence of a CO2 gas or a fluorocarbon (CxFy) gas to generate either CO2 radicals or CxFy radicals. The method further includes exposing the lithium metal film to the CO2 radicals or the CxFy radicals to form a lithium carbonate film or a lithium fluoride film on the lithium metal film.
Vapor deposition processing chamber temperature control apparatus and vapor deposition processing chambers incorporating the temperature control apparatus are described. The temperature control apparatus has a base plate with a plurality of reflectors arranged in at least two annular zones, each annular zone separated into at least two sector zones. The reflectors are configured to decrease a specific side-to-side temperature non-uniformity profile of a heated substrate support positioned above the base plate in the vapor deposition processing chamber.
C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
39.
APPARATUS AND METHOD TO ACHIEVE LOW LOSS PVD SINK WITH CMOS BEOL COMPATIBLE THERMAL BUDGET
Embodiments of the present disclosure generally relate to photonics. The disclosure includes tools, photonic devices, device films for photonics devices, and methods of forming a device film. In at least one embodiment, a photonic device includes a substrate, a buried oxide (BOX) layer disposed over the substrate, a device layer disposed over the BOX layer, the device layer comprising at least one device, a cladding disposed over the device layer, and a lens layer disposed over the cladding, the lens layer comprising a microlens aligned with the device. At least one of the BOX layer, the device layer, the cladding, and the lens layer, of the photonic device includes silicon nitride and has a propagation loss of less than about 1.5 dB/cm
A gas cushion drum for enhanced heat extraction is provided. In an embodiment, the gas cushion drum may include a curved cooling drum having a cooling drum surface extending between opposite circular bases, a pair of rotating discs coupled to the circular bases of the curved cooling drum, a set of nozzle outlets disposed along the cooling drum surface and configured to output a gas across the cooling drum surface, and a substrate coupled to a circumferential surface of each of the pair of rotating discs and disposed above the set of nozzles, wherein a substantially uniform gas cushion is formed between an inner surface of the substrate and the cooling drum surface from the gas outputted from the set of nozzle outlets.
The present disclosure relates to pre-heat rings including carbon heaters, and related heating systems, methods and processing chambers for semiconductor manufacturing. In one or more embodiments, a pre-heat ring applicable for use in semiconductor manufacturing includes a ring structure, and a carbon heater coupled to the ring structure. The carbon heater has a carbon content that is at least 99% by atomic percentage.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
42.
HEAT TRANSFER JACKETS AND SENSOR ASSEMBLIES, AND RELATED METHODS AND PROCESSING CHAMBERS, FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING
The present disclosure relates to heat transfer jackets and sensor assemblies, and related methods and processing chambers, for semiconductor manufacturing. In one or more embodiments, a jacket includes one or more outer walls bounding a plurality of fluid channels, and an inner wall at least partially surrounded by at least one of the plurality of fluid channels. The inner wall at least partially defines a receptacle opening. The jacket includes a fluid inlet formed in at least one of the one or more outer walls, a fluid outlet formed in at least one of the one or more outer walls, and a plurality of partition walls separating the plurality of fluid channels. At least one of the plurality of partition walls intersects at least one of the one or more outer walls.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
43.
LIFT PINS INCLUDING OPENING, AND RELATED COMPONENTS AND CHAMBER KITS, FOR PROCESSING CHAMBERS
The present disclosure relates to lift pins that include an opening, and related components and chamber kits, for disposition in processing chambers for semiconductor manufacturing. In one or more embodiments, a processing chamber applicable for use in semiconductor manufacturing includes a chamber body and a window. The processing chamber includes one or more heat sources, a substrate support, and a plurality of lift pins disposed in a processing volume. The plurality of lift pins respectively include a shaft section having a first outer dimension, a head section having a second outer dimension, and an opening formed in the shaft section. The opening has a dimension that is a first ratio that is at least 0.3 of the first outer dimension of the shaft section. The dimension of the opening is a second ratio that is at least 0.2 of the second outer dimension of the head section.
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
44.
APPARATUS AND METHOD OF IN-SITU FILM THICKNESS MEASUREMENT DURING DISPLAY DEPOSITION PROCESS
A processing system herein includes a processing chamber, a metrology system, and a metrology source. The processing chamber includes a lid assembly, a substrate support assembly, a first wall, a second wall, a bottom, and a viewing port. The first wall, the second wall, and the bottom define a processing volume. The metrology system includes a translation stage and a collimator. The metrology source includes a radiation source and a spectrometer. A method herein includes disposing a substrate on a substrate support in a processing chamber; calculating a baseline reflectivity of the substrate; providing a precursor mixture to the processing chamber from the precursor mixture; forming a plasma in a the processing chamber from the precursor mixture; depositing a film on the substrate from the plasma; measuring a thickness of the film; detecting an endpoint of a deposition process; and stopping the deposition process.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
45.
TRANSFER TOOL CONFIGURATION FOR SAFE TRANSFER OF LITHIUM ONTO A SUBSTRATE
In one embodiment, a flexible substrate processing system is provided comprising: a pickup hub; a lamination unit comprising a first calender roller and a second calender roller; and a drying unit having an interior volume, the pickup hub configured to rotate and assist in conveying a flexible substrate through the interior volume of the drying unit before the flexible substrate passes between the first calender roller and the second calender roller, the drying unit including one or more heating units directed toward the interior volume.
The present disclosure relates to heaters, and related chamber kits and processing chambers, for semiconductor manufacturing. In one or more embodiments, a chamber kit applicable for semiconductor manufacturing includes a heater and a liner. The heater includes an arcuate heater body including one or more first sections, one or more second sections, and one or more connector sections. The heater includes a first electrode coupled to the arcuate heater body, and a second electrode coupled to the arcuate heater body. The liner includes a ledge sized and shaped to support the arcuate heater body, a first opening sized and shaped to receive at least part of the heater therethrough, and a second opening sized and shaped to receive at least part of the heater therethrough.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
47.
AUXILIARY FLOW PLATE FOR THICKNESS AND CONCENTRATION UNIFORMITY AND ADJUSTABILITY
The present disclosure relates to an auxiliary flow plate for process kits and semiconductor processing chambers, and related methods and flow guides. In one or more embodiments, a chamber kit includes a liner, a first plate, and a second plate. The liner includes an inner face, a first ledge disposed along the inner face, and a second ledge disposed along the inner face. The second ledge is spaced from the first ledge along the inner face. The first plate is sized and shaped to be disposed within the liner on the first ledge. The second plate is sized and shaped to be disposed within the liner on the second ledge.
m4-m4-m, wherein m is an integer from 1 to 3, X is selected from iodine (I) and bromine (Br) and R is selected from the group consisting of a methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, cyclohexyl group and cyclopentyl group. The methods may be performed in a back-end-of-the line (BEOL) process, and the substrate contains a low-k dielectric material.
In one or more embodiments, a semiconductor processing kit includes a reflector assembly. The reflector assembly configured to support one or more sensing devices therein. The reflector assembly includes a body having a top surface and a volume at least partially defined by an inner surface and an outer surface. The reflector assembly further includes a baffle and a fluid channel disposed within the baffle. The fluid channel is configured to flow a fluid to adjust a temperature of the one or more sensing devices. A ring is disposed on the top surface. The ring is configured to reduce a flow of a fluid into the volume. A reflector is concentrically disposed radially outward of the outer surface and creates a gap that allows the fluid to partially flow between the inner surface of the reflector and the outer surface.
A method for substrate dispatching management at a substrate fabrication facility is provided. The method includes obtaining data about a state of a fabrication facility and providing the data as input to an agent of a predictive subsystem associated with the fabrication facility to obtain one or more outputs indicative of one or more settings of one or more dispatching factors. The one or more dispatching factors comprise a dispatching parameter or ranking order. A dispatching decision is generated using the one or more settings of the one or more dispatching factor and a set of operations on a candidate set of substrates, based on the dispatching decision, is initiated.
Embodiments of the present disclosure relate to an apparatus for processing a substrate. A processing chamber includes a chamber body. The chamber body includes an upper body, a lower body, a carrier and feed (CF) ring disposed between the upper body and the lower body, an upper liner, a lower liner, and a substrate support. The lower liner includes an upper venting liner. The upper venting liner includes one or more upper vents, and an internal volume. The internal volume includes a processing volume, and a purge volume. The substrate support is disposed within the internal volume. The upper venting liner is disposed below the substrate support.
Embodiments of the present disclosure generally relate to LED pixels and methods of fabricating LED pixels. More specifically, the present disclosure relates to using a release layer to form a color conversion layer separate from a backplane and bonding the color conversion layer to the backplane to form the pixel. The pixel includes a backplane, a plurality of light emitting diodes (LEDs) disposed over the backplane, an adhesive layer disposed at least between each of the LEDs over the backplane, a plurality of sub-pixel isolation (SI) structures, where adjacent SI structures define a well of a sub-pixel such that each well of each sub-pixel includes one LED of the plurality of LEDs, where each LED of the plurality of LEDs is disposed in a second portion of each well, and at least three sub-pixels including a color conversion material in the first portion of each well.
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
53.
CERAMIC COATED HEAT EXCHANGING DRUM WITH NOZZLES, NON-SEALING AND SEALING MESAS
The present disclosure provides a cooling drum. The cooling drum includes a curved drum surface for supporting a substrate, the curved drum surface, a dielectric portion, a plurality of sealing mesas, a plurality of non-sealing mesas, a plurality of grooves, and a plurality of gas inlets disposed on the plurality of sealing mesas and the plurality of non-sealing mesas.
A system includes a remote plasma source, a processing chamber comprising a radical sensor, and a controller. The radical sensor is configured to measure the concentration of fluorine radicals in the processing chamber. The controller is to adjust one or more settings of at least one of the remote plasma source or the processing chamber based on the measured concentration of fluorine radicals in the processing chamber.
This specification describes technologies for creating and coupling word lines of a 3D memory cell array to corresponding word lines of a word line connect area. One aspect is a method that includes positioning a memory cell array on a substrate adjacent to a word line connect area, the word line connect area comprising a plurality of layers, the plurality of layers alternating between a first material and a second material; replacing at least a portion of the layers of the first material with a third material; and replacing at least a portion of the layers of the second material with a fourth material, wherein the fourth material forms word lines within the word line connect area and is electrically coupled to memory cell word lines within the memory cell array.
A method for testing a packaging substrate with at least one electron beam column is described. The method includes placing the packaging substrate on a stage in a vacuum chamber; testing one or more networks on the packaging substrate in the vacuum chamber with at least one electron beam column; and discharging the one or more networks while testing the one or more networks.
A processing system is provided that includes a process chamber. The process chamber includes: a chamber body disposed around a process volume and a substrate support. The processing system further includes a gas supply system coupled to a gas inlet of the process chamber, the gas supply system including: a main gas line connected with the gas inlet of the process chamber. The main gas line includes a first valve configured to open and provide a gas flow path through the main gas line to the process chamber. A first process gas line is connected with the main gas line at a first connection located upstream of the first valve. A second process gas line is connected with the main gas line at a second connection located upstream of the first valve. The main gas line can be separately purged upstream and downstream of the first valve.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
58.
SMART FACEPLATE USING SHAPE MEMORY ALLOY POPPET ACTUATORS
Embodiments of the present disclosure relate to a faceplate that implements poppets to vary nozzle cross-sections. In one embodiment, a faceplate is provided. The faceplate includes a body, a plurality of holes in the body, and a plurality of poppet assemblies. The poppet assemblies include a poppet configured to travel in a first portion of the hole and create a variable passage in a second portion of the hole. The poppet assemblies further include a first spring connected to the poppet and operable to move the poppet in a first direction when connected to an electrical power, and a second spring connected to the poppet and operable to move the poppet in a second direction that is opposite the first direction when the electrical power is reduced or terminated.
An evaporation assembly for coating material deposition is provided. The evaporation assembly includes a first heater region including a plurality of first heaters and an evaporator body. At least a portion of the evaporator body positioned within the first heater region. The evaporator body includes a top surface having a plurality of slit openings for delivering evaporated material. The plurality of slit openings extending along a length dimension of the evaporator body. The evaporation assembly further includes a second heater region including one or more second heaters. The evaporation assembly further includes a crucible positioned within the second heater region. The crucible includes a crucible body fluidly coupled with the evaporator body. The crucible body defines an interior region for holding the material to be evaporated. The crucible body has an opening through which the evaporated material can escape.
Exemplary semiconductor processing systems may include a chamber body having a bottom plate. The systems may include a substrate support disposed within the chamber body. The substrate support may include a support plate and a shaft. The shaft may include a cooling hub that extends through the bottom plate. The shaft may include a ground shaft that is seated atop the cooling hub. The ground shaft may include a ceramic material. The systems may include an inner isolator coupled with a bottom of the support plate. The inner isolator may define an aperture therethrough that receives the shaft. The systems may include an outer isolator that is seated atop the inner isolator. Each of the inner isolator and the outer isolator may include a ceramic material.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
Exemplary carrier heads for a chemical mechanical polishing apparatus may include a carrier body. The carrier heads may include a flexible membrane coupled with the carrier body. The flexible membrane may include a substrate-receiving surface that faces away from the carrier body. The substrate-receiving surface may include a plurality of gripping elements that protrude away from the substrate-receiving surface. Each of the plurality of gripping elements may have a maximum lateral dimension that is no greater than 2 mm.
B24B 37/30 - Supports de pièce pour rodage simple face de surfaces planes
B24B 37/04 - Machines ou dispositifs de rodageAccessoires conçus pour travailler les surfaces planes
B24B 57/02 - Dispositifs pour l'alimentation, l'application, le triage ou la récupération de produits de meulage, polissage ou rodage pour l'alimentation en produits de meulage, polissage ou rodage à l'état fluide, vaporisés, pulvérisés ou liquéfiés
B24B 41/06 - Supports de pièces, p. ex. lunettes réglables
Embodiments of the present technology may include semiconductor processing methods and systems. Methods and systems may include providing a substrate to a processing region of a semiconductor processing chamber, where the substrate includes one or more alternating pairs of a semiconductor material layer and a sacrificial material layer. Methods include forming one or more vertically extending features through the one or more alternating pairs of semiconductor material layer and sacrificial material layer, forming one or more sidewalls having alternating exposed lateral ends of the semiconductor material and the sacrificial material. Methods include forming a protective material layer over the exposed lateral ends of the semiconductor material layer. Methods include laterally recessing at least a portion of the sacrificial material layer from the one or more vertically extending features and trimming a portion of the semiconductor material layer adjacent to the one or more vertically extending features.
Embodiments of the disclosure relate to methods using an oligomer film to protect a substrate surface. The oligomer film is formed on the substrate surface with a first feature and a second feature each having a feature depth. The first feature has a first critical dimension (CD) and the second feature has a second CD. The semiconductor substrate surface is exposed to one or more monomers to form the oligomer film, and the oligomer film forms selectively on the bottom and fills a portion of the feature depth. The oligomer film fills the feature depth to substantially the same or the same height in each of the first feature and the second feature. Methods of forming semiconductor devices using the oligomer film are also disclosed.
Exemplary anneal chambers may include a base that defines a chamber interior. The base may include a cooling plate within the chamber interior. The base and the cooling plate may be integral with one another. The chambers may include a lid that is coupled with the base. The chambers may include a heater plate mounted in the chamber interior alongside the cooling plate. The chambers may include a transfer hoop movably coupled within the chamber interior. The base may define a first transfer hoop recess about at least a portion of the heater plate. The base may define a second transfer hoop recess about at least a portion of the cooling plate.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
65.
PEDESTAL HEATER WITH SUBSTRATE TEMPERATURE MEASUREMENT SYSTEM
Exemplary substrate support assemblies may include a support plate that comprises a substrate support surface. The assemblies may include a support stem coupled with the support plate. A channel may be defined through at least a portion of a length of the support stem and extends through the substrate support surface. A temperature sensor assembly may be disposed within the channel. The temperature sensor assembly may include a light pipe disposed within the channel such that a top end of the light pipe extending through at least a portion of the support plate. The temperature sensor assembly may include a sensor that is coupled with a bottom end of the light pipe.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
G01K 11/32 - Mesure de la température basée sur les variations physiques ou chimiques, n'entrant pas dans les groupes , , ou utilisant des changements dans la transmittance, la diffusion ou la luminescence dans les fibres optiques
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
Exemplary methods of forming a silicon-containing material may include providing a silicon-containing precursor to a processing region of a semiconductor processing chamber. A substrate may be housed within the processing region of the semiconductor processing chamber and include one or more features. The methods may include generating plasma effluents of the silicon-containing precursor in the processing region. The methods may include depositing a silicon-containing material on a vertically extending portion and a horizontally extending portion of the feature. Methods include soaking the deposited silicon-containing material with a second silicon-containing material.
Exemplary rotary conical reactor systems may include a double cone chamber. The systems may include a vacuum source fluidly coupled with the double cone chamber. The systems may include a rotation assembly that rotates the double cone chamber about a central axis. The systems may include a gas injector that extends through the rotation assembly and that is fluidly coupled with the double cone chamber. A shaft of the gas injector may be coaxial with the central axis. The gas injector may include at least one metal organic inlet. The gas injector may include an oxidizer final valve. The gas injector may include an oxidizer lumen that fluidly couples the oxidizer final valve with the chamber. The gas injector may include a metal organic lumen that is fluidly coupled with the double cone chamber. Each metal organic inlet may be fluidly coupled with the metal organic lumen.
A61J 3/00 - Dispositifs ou procédés spécialement conçus pour donner à des produits pharmaceutiques une forme physique déterminée ou une forme propre à leur administration
C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
B01J 2/00 - Procédés ou dispositifs pour la granulation de substances, en généralTraitement de matériaux particulaires leur permettant de s'écouler librement, en général, p. ex. en les rendant hydrophobes
B01J 2/12 - Procédés ou dispositifs pour la granulation de substances, en généralTraitement de matériaux particulaires leur permettant de s'écouler librement, en général, p. ex. en les rendant hydrophobes dans des tambours rotatifs
B01J 2/04 - Procédés ou dispositifs pour la granulation de substances, en généralTraitement de matériaux particulaires leur permettant de s'écouler librement, en général, p. ex. en les rendant hydrophobes par division du produit liquide en gouttelettes, p. ex. par pulvérisation, et solidification des gouttelettes en milieu gazeux
68.
SYSTEM AND METHOD OF ABATING RESIDUAL EFFLUENT GASES
Disclosed herein are a system and a method for abating effluent gases output by a processing chamber. The abatement system includes a plasma source, a reagent delivery subsystem having a foreline, and a controller coupled with the processing chamber, the plasma source and the reagent delivery subsystem. The reagent delivery subsystem provides a first reagent gas into the foreline during a substrate processing period and includes a flow control device operable to regulate the flow rate of the first reagent gas. The controller controls the reagent delivery subsystem and the plasma source based on processing information of the processing chamber. During a chamber evacuation period of the processing chamber, the controller causes the reagent delivery subsystem to stop providing or reduce a flow rate of the first reagent gas while causing the plasma source to maintain the plasma.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
B01D 53/32 - Séparation de gaz ou de vapeursRécupération de vapeurs de solvants volatils dans les gazÉpuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p. ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols par effets électriques autres que ceux prévus au groupe
69.
METHODS FOR FABRICATING OPTICAL DEVICES WITH BINARY AND BLAZED GRATING STRUCTURES
Methods of forming an optical device having different optical device structures in a single device material layer are provided. The method includes forming a patterned hardmask over a device material layer deposited on a top surface of a substrate and patterning a first region of the device material layer to form a first plurality of optical features. The method also includes depositing a dielectric layer over the patterned hardmask and selectively etching the dielectric layer and a second region of the device material layer to form a second plurality of optical features in the device material layer. The first plurality of optical features may be binary grating structures and the second plurality of optical features may be blazed grating structures.
Exemplary methods and systems of semiconductor processing may include etching a portion of a silicon-containing material from a substrate disposed within a processing region of a semiconductor processing chamber. Methods may include forming a low quality oxide within one or more of the recesses, where the low quality oxide and a silicon-containing material each contain an exposed surface. Methods include contacting the low quality oxide and the high quality semiconductor material with a passivating agent selective to a surface defect of the low quality oxide. Methods include contacting the substrate with an etching agent and/or a cleaning agent, where the contacting with the cleaning agent removes the high quality semiconductor material at an equal or faster rate than the low quality oxide.
Exemplary semiconductor processing chambers may include a chamber body. The chambers may include a showerhead positioned atop the body. The chambers may include an electrostatic chuck assembly disposed within the body. The assembly may include a puck that may include a first plate including an electrically insulating material and that defines a substrate support surface. The puck may include a multi-zone heating assembly thermally coupled with the first plate. The puck may include bipolar electrodes. The puck may include a second plate that defines cooling channels. The assembly may include an insulator beneath the second plate. The assembly may include a base plate beneath the insulator. The assembly may include a shaft that may include a heater rod coupled with the heating assembly. The shaft may include a cooling fluid lumen fluidly coupled with the cooling channels. The shaft may include a power rod electrically coupled with a bipolar electrode.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H02N 13/00 - Embrayages ou dispositifs de maintien utilisant l'attraction électrostatique, p. ex. utilisant l'effet Johnson-Rahbek
72.
OPTIMUM MATERIAL STACKS FOR SEMICONDUCTOR CONTACTS
The methods of the present disclosure enable formation of highly conductive contacts that facilitate in increasing the device speed and lowering the operating voltages of semiconductor devices such as, but not limited to, metal-on-semiconductor (MOS) transistors and the like. In one embodiment, the methods create the optimal contacts, useful in N type or P type MOS devices, by forming metal-insulator- semiconductor (MIS) contact structure or a non-stoichiometric layer contact structure. It is noted that N type or P type contacts require different work function metals to achieve a low Schottky barrier height (SBH).
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
H01L 23/535 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions internes, p. ex. structures d'interconnexions enterrées
A system may include a gimbal defining a plurality of pockets, where each pocket may include a first portion and a second portion that extends between the first portion and a base of the pocket. The second portion may have a greater diameter than the first portion. The system may include a plurality of conditioning disks, where each conditioning disk is seated within the first portion of a respective pocket. The system may include a plurality of gaskets, where each gasket is seated within the second portion of a respective pocket. The system may include a plurality o-rings, each o-ring disposed between a peripheral edge of one of the plurality of conditioning disks and a lateral wall of one of the plurality of pockets. The system may include a plurality of shoulder screws for coupling the gimbal with one of the plurality of gaskets and a conditioning disk.
Exemplary chemical mechanical cleaning systems may include a carrier head. The systems may include a motor that is coupled with the carrier head. The motor may be operable to rotate the carrier head about a central axis of the carrier head. The systems may include a two-stage downforce actuator that is operable to vertically translate the carrier head and the motor between a raised position and a cleaning position. The downforce actuator may include a first stage that includes a linear actuator that is operable to vertically translate the carrier head between the raised position and at least an upper 50% of a vertical travel distance between the raised and cleaning positions. The downforce actuator may include a second stage that includes an expandable flexure that is operable to vertically translate the carrier head between the cleaning position and no greater than a lower 50% of the vertical distance.
B24B 37/005 - Moyens de commande pour machines ou dispositifs de rodage
B24B 37/10 - Machines ou dispositifs de rodageAccessoires conçus pour travailler les surfaces planes caractérisés par le déplacement de la pièce ou de l'outil de rodage pour un rodage simple face
B24B 37/02 - Machines ou dispositifs de rodageAccessoires conçus pour travailler les surfaces de révolution
B24B 37/30 - Supports de pièce pour rodage simple face de surfaces planes
B24B 57/02 - Dispositifs pour l'alimentation, l'application, le triage ou la récupération de produits de meulage, polissage ou rodage pour l'alimentation en produits de meulage, polissage ou rodage à l'état fluide, vaporisés, pulvérisés ou liquéfiés
Substrate support assemblies may include an electrostatic chuck body defining a substrate support surface that defines a substrate seat. Assemblies may include a support stem coupled with the electrostatic chuck body. Assemblies may include a first bipolar electrode embedded within the electrostatic chuck body. Assemblies may include a second bipolar electrode embedded within the electrostatic chuck body radially inward of at least a portion of the first bipolar electrode and coaxial with the first bipolar electrode. Assemblies may include an annular electrode disposed about the first bipolar electrode, where the annular electrode is DC floated and RF powered and exhibits an induced DC current.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
76.
POLISHING ARTICLES FOR HYBRID BONDING APPLICATIONS
Printable resin precursor compositions and polishing articles including printable resin precursors are provided that are particularly suited for polishing substrates utilized in hybrid bonding applications. Methods and articles may include a plurality of first polishing elements, where at least one of the plurality of first polymer layers forms the polishing surface; and one or more second polishing elements, where at least a region of each of the one or more second polishing elements is disposed between at least one of the plurality of first polishing elements and a supporting surface of the polishing pad. One or more first polishing elements have a Shore D hardness of greater than 60, one or more second polishing elements have a Shore D hardness of from about 20 to less than 60, and the polishing article has a total Shore D hardness of greater than or about 50.
B24D 18/00 - Fabrication d'outils pour meuler, p. ex. roues, non prévue ailleurs
B24D 3/32 - Propriétés physiques des corps ou feuilles abrasives, p. ex. surfaces abrasives de nature particulièreCorps ou feuilles abrasives caractérisés par leurs constituants les constituants étant utilisés comme agglomérants et étant essentiellement organiques en résines à structure poreuse ou alvéolaire
B24B 37/04 - Machines ou dispositifs de rodageAccessoires conçus pour travailler les surfaces planes
A component includes a body and a coating deposited on a surface of the body. The coating includes a porous ceramic. The coating further includes a polymer sealant. The coating further includes a plurality of particles disposed within the polymer sealant.
Exemplary semiconductor processing chambers may include a chamber body. The chambers may include a bottom plate coupled with a bottom surface of the chamber body. The chambers may include a substrate support assembly disposed within the chamber body. The substrate support assembly may include a support plate and a support stem coupled with the support plate. The chambers may include a mounting bracket that couples the support stem with a lower surface of the bottom plate. The chambers may include a plurality of tilt actuators. Each of the tilt actuators may couple the mounting bracket with the lower surface of the bottom plate. Each of the tilt actuators may be operable to adjust a vertical distance between the lower surface of the bottom plate and the mounting bracket at a mounting site of the respective tilt actuator to adjust a planarity of the support plate relative to the bottom plate.
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
Embodiments of interferometric endpoint (IEP) housing assemblies for endpoint detection of plasma processing are provided herein. In some embodiments, IEP housing assemblies include: an IEP housing having an upper end configured to interface with a light source and having an internal cavity, wherein a lower end of the IEP housing is configured to interface with a dome assembly of a process chamber; a bracket having a body disposed about the IEP housing and having a plurality of arms extending radially outward from the body; and a plurality of biasing members extending from the body to the IEP housing and configured to hold the IEP housing within the body while allowing side-to-side deflection.
Exemplary semiconductor processing chambers may include a chamber body. The chambers may include a substrate support assembly disposed within the chamber body. The chambers may include a substrate support assembly having a support plate seated atop a support stem. The chambers may include a radio frequency (RF) shield seated atop the chamber body and extending about a peripheral edge of the support plate. The RF shield may include a lower annular member. The RF shield may include an upper annular member seated atop the lower annular member. The upper annular member may define a lip that protrudes radially outward from an outer surface of the upper annular member. Each of the lower annular member and the upper annular member may include a dielectric material.
Embodiments of the disclosure include a method for forming a device comprising generating an image of a second die that is bonded on a first die that is bonded on a base substrate, the first die having a first feature formed on a first surface of the first die and the second die having a second feature formed on a second surface of the second die, determining a relative displacement between portions of the first feature and the second feature based on the generated image, and determining updated alignment instructions based on the determined relative displacement.
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
Showerhead assemblies for semiconductor manufacturing processing chambers and semiconductor manufacturing processing chambers using the showerhead assemblies are described. The showerhead assemblies comprise a backing plate with an embedded heater and a faceplate. The embedded heater has a radius sufficient to located the heater over a sidewall of the processing chamber and reduces temperature non-uniformity of a wafer during processing.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
83.
SUBSTRATE SUPPORT ASSEMBLY WITH DIELETRIC COOLING PLATE
A substrate support assembly includes a first puck plate including one or more first functional elements, and a dielectric cooling plate is bonded to the first puck plate. The dielectric cooling plate includes one or more first channels for a coolant to flow therethrough, and one or more second channels for a gas to flow therethrough.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
84.
CHAMBER KITS, PROCESSING CHAMBERS, AND METHODS FOR GAS ACTIVATION IN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING
Embodiments of the present disclosure relate to chamber kits, processing chambers, and related methods and components for gas activation applicable for semiconductor manufacturing. In one or more embodiments, a processing chamber includes a chamber body and one or more heat sources configured to heat a processing volume of the chamber body. The chamber body includes one or more gas inject passages formed in the chamber body, and one or more gas exhaust passages formed in the chamber body. The processing chamber includes a first pre-heat ring that includes a first opaque surface, and a second pre-heat ring that includes a second opaque surface. The first pre-heat ring and the second pre-heat ring define a first gas flow path between the first opaque surface and the second opaque surface, and the first gas flow path in fluid communication with at least one of the one or more gas inject passages.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
85.
SYSTEMS AND METHODS FOR DETECTING A SUBSTRATE IN A CHAMBER OF A SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM
Methods, systems, and apparatus are provided for detecting a substrate in a chamber of a substrate processing system. In some embodiments, the system may include a sensor system comprising: a light source configured to generate light; a first light guide fixed relative to the light source and having a light input and a light output offset from the light input, the light input configured to receive light generated by the light source, wherein the first light guide guides the light between the light input and the light output so that the light output emits a light beam into a volume of the chamber; and a sensor configured to sense the light beam emitted from the light output.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
G01B 11/03 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur en mesurant les coordonnées de points
86.
STRUCTURE AND TECHNIQUE OF PHOTO-DEFINED SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SELECTIVE DIELECTRIC CONSTANT REDUCTION
A semiconductor device may include a substrate. The semiconductor device may also include a dielectric material characterized, at least in part, by a dielectric constant. The semiconductor device may include a metallic pathway formed in the dielectric material. The semiconductor device may include a region about the metallic pathway of the semiconductor device may include a plurality of air gaps within the dielectric material and arranged three-dimensionally throughout the region, where the region may include a lower dielectric constant than the dielectric constant of the dielectric material.
H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
87.
LOW ENERGY TREATMENT TO PASSIVATE SIC SUBSTRATE DEFECTS
Disclosed herein are methods for passivating SiC substrate defects using a low-energy treatment. In some embodiments, a method may include providing a silicon carbide (SiC) substrate, treating the SiC substrate using an ion implant or a plasma doping process, forming a first epitaxial layer over an upper surface of the SiC substrate after the SiC substrate is treated, and forming a second epitaxial layer over the first epitaxial layer.
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
Some embodiments are directed to a remote plasma system. The remote plasma system may include: a first tube; a second tube; a first isolation component coupled between a first end of the first tube and a first end of the second tube; a second isolation component coupled between a second end of the first tube and a second end of the second tube; and a first capacitive element coupled to the first isolation component.
Exemplary semiconductor processing methods may include a substrate housed in the processing region. A layer of silicon-containing material may be disposed on the substrate, a patterned resist material may be disposed on the layer of silicon-containing material, and a layer of carbon-containing material may be disposed on the patterned resist material and the layer of silicon-containing material. The methods may include providing a hydrogen-containing precursor, a nitrogen-containing precursor, or both to a processing region of a semiconductor processing chamber, forming plasma effluents of the hydrogen-containing precursor and/or the nitrogen-containing precursor, and contacting the substrate with the plasma effluents of the hydrogen-containing precursor and/or the nitrogen-containing precursor. The contacting may remove a portion of the layer of carbon-containing material. The methods may include providing a fluorine-containing precursor to the processing region, forming plasma effluents of the fluorine-containing precursor, and contacting the substrate with the plasma effluents of the fluorine-containing precursor.
H01L 21/033 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou comportant des couches inorganiques
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Chemical mechanical polishing system and method include a substrate is loaded into a carrier head having a housing having an upper carrier body and a lower carrier body, and a membrane assembly beneath the lower carrier body. A space between the lower carrier body and the membrane assembly defines a pressurizable chamber, a distance from a sensor in the lower carrier body to the membrane assembly is measured, and pressure in the pressurizable chamber is controlled based on the measured distances to maintain a consistent total downforce on the membrane assembly as the distance between the sensor and the membrane assembly changes.
B24B 49/12 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meulerAgencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p. ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage impliquant des dispositifs optiques
B24B 49/10 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meulerAgencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p. ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage impliquant des dispositifs électriques
Exemplary semiconductor processing methods may include providing a silicon-containing precursor to a processing region of a semiconductor processing chamber. A substrate including one or more features may be housed within the processing region. The methods may include providing a hydrogen-containing precursor to the processing region of the semiconductor processing chamber. The methods may include forming plasma effluents of the silicon-containing precursor and the hydrogen-containing precursor. The methods may include depositing a silicon-containing material on the substrate. The silicon-containing material may extend into the one or more features.
A method of fabrication of a substrate includes, after deposition of an outer layer on a substrate and before polishing of an exposed surface of the outer layer of the substrate, performing a hydroblasting treatment of a selected portion of the exposed surface by directing a treatment liquid from a nozzle at a sufficiently high velocity onto the selected portion to remove material from the selected portion such that a thickness non-uniformity of the outer layer is reduced. Then the outer layer of the treated substrate is subject to chemical mechanical polishing to planarize and reduce a thickness of the outer layer.
B24B 57/02 - Dispositifs pour l'alimentation, l'application, le triage ou la récupération de produits de meulage, polissage ou rodage pour l'alimentation en produits de meulage, polissage ou rodage à l'état fluide, vaporisés, pulvérisés ou liquéfiés
B24B 37/04 - Machines ou dispositifs de rodageAccessoires conçus pour travailler les surfaces planes
B24B 37/005 - Moyens de commande pour machines ou dispositifs de rodage
B24B 49/02 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meulerAgencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p. ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage comparant la cote instantanée de la pièce travaillée à la cote cherchée, la mesure ou le calibrage étant continus ou intermittents
Exemplary semiconductor processing methods may include providing deposition precursors to a processing region of a semiconductor processing chamber. The deposition precursors may include a silicon-carbon-and-nitrogen-containing precursor. A substrate may be disposed within the processing region. The methods may include forming plasma effluents of the deposition precursors. The methods may include depositing a layer of silicon-carbon-and-nitrogen-containing material on the substrate. The layer of silicon-carbon-and-nitrogen-containing material may be characterized by a dielectric constant of less than or about 4.0. The layer of silicon-carbon-and-nitrogen-containing material may be characterized by a leakage current at 2 MV/cm of less than or about 3E-08 A/cm2.
C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
A chemical mechanical polishing apparatus includes a platen to hold a polishing pad, a carrier to hold a substrate against a polishing surface of the polishing pad during a polishing process, a polishing liquid dispenser having a polishing liquid port positioned over the platen to deliver polishing liquid onto the polishing pad, a temperature control system including coolant liquid fluid reservoirs for containing coolant fluids, a thermal controller configured to control the temperature of the coolant fluid within the coolant fluid reservoirs, and a first dispenser having openings in fluid connection with the coolant fluid reservoirs, the openings positioned configured to spray an aerosolized coolant liquid directly onto the polishing pad, and a second dispenser having a coolant port in fluid connection with the coolant fluid reservoirs, the coolant port positioned over the platen and configured to flow a stream of coolant liquid directly onto the polishing pad.
B24B 55/03 - Équipement pour refroidir les surfaces abrasives, p. ex. dispositifs d'alimentation en agent de refroidissement conçus comme équipement complet d'alimentation en agent de refroidissement ou de clarification de celui-ci
B24B 37/30 - Supports de pièce pour rodage simple face de surfaces planes
B24B 37/10 - Machines ou dispositifs de rodageAccessoires conçus pour travailler les surfaces planes caractérisés par le déplacement de la pièce ou de l'outil de rodage pour un rodage simple face
A chemical mechanical polishing apparatus includes an inner platen to support an inner polishing pad, aan annular outer platen to support an outer polishing pad, a carrier head to hold a substrate, a first motor to rotate the inner platen about a vertical axis at a first rotation rate, and a second motor to rotate the outer platen about the vertical axis at a second rotation rate. The outer polishing pad coaxially surrounds the inner platen, and an outer edge of the inner platen and an inner edge of the outer platen are separated by a gap.
B24B 37/005 - Moyens de commande pour machines ou dispositifs de rodage
B24B 37/04 - Machines ou dispositifs de rodageAccessoires conçus pour travailler les surfaces planes
B24B 37/10 - Machines ou dispositifs de rodageAccessoires conçus pour travailler les surfaces planes caractérisés par le déplacement de la pièce ou de l'outil de rodage pour un rodage simple face
B24B 37/26 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes caractérisés par la forme ou le profil de la surface du tampon de rodage, p. ex. rainurée
B24B 37/30 - Supports de pièce pour rodage simple face de surfaces planes
B24B 55/06 - Équipement d'enlèvement des poussières sur les machines à meuler ou à polir
B24B 57/02 - Dispositifs pour l'alimentation, l'application, le triage ou la récupération de produits de meulage, polissage ou rodage pour l'alimentation en produits de meulage, polissage ou rodage à l'état fluide, vaporisés, pulvérisés ou liquéfiés
A semiconductor processing chamber may include a pedestal configured to support a substrate during a plasma-enhanced chemical-vapor deposition (PECVD) process that forms a film on a surface of the substrate. The chamber may also include one or more internal meshes embedded in the pedestal. The one or more internal meshes may be configured to deliver radio-frequency (RF) power to a plasma in the semiconductor processing chamber during the PECVD process. An outer diameter of the one or more internal meshes may be less that a diameter of the substrate. The chamber may further include an RF source configured to deliver the RF power to the one more internal meshes. This configuration may reduce arcing within the processing chamber.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
97.
EDGE AND HOT SPOT COMPENSATION TECHNIQUES IN CHEMICAL MECHANICAL POLISHING
A polishing pad has a polishing layer having a polishing surface that has a circular central region and an annular outer region surrounding the central region. The polishing surface can include slurry distribution grooves formed with uniformity spacing across the central region and the annular outer region, and slurry discharge grooves that start at an outer perimeter of the circular central region and extend radially outward to an edge of the polishing pad so as to preferentially discharge the polishing liquid from the annular outer region. The central region can be formed of a first polishing material and the annular outer region can be formed of a second polishing material that is softer than the first polishing material.
B24B 37/04 - Machines ou dispositifs de rodageAccessoires conçus pour travailler les surfaces planes
B24B 37/005 - Moyens de commande pour machines ou dispositifs de rodage
B24B 37/10 - Machines ou dispositifs de rodageAccessoires conçus pour travailler les surfaces planes caractérisés par le déplacement de la pièce ou de l'outil de rodage pour un rodage simple face
B24B 57/02 - Dispositifs pour l'alimentation, l'application, le triage ou la récupération de produits de meulage, polissage ou rodage pour l'alimentation en produits de meulage, polissage ou rodage à l'état fluide, vaporisés, pulvérisés ou liquéfiés
A method of lithium metal removal is disclosed. The method includes mixing a quenching agent with a non-aqueous bath; submerging a lithium coated component in the non-aqueous bath; and forming a lithium salt. In another embodiment, a method of lithium metal removal is disclosed. The method includes submerging a lithium coated component in a non-aqueous bath; mixing a quenching agent with the non- aqueous bath; and forming a lithium salt. In yet another embodiment, a method of lithium metal removal is disclosed. The method includes mixing a first quenching agent with a non-aqueous bath; reacting a first lithium coated component with the first quenching agent in the non-aqueous bath; forming a first lithium salt; mixing a second quenching agent with the non-aqueous bath; reacting a second lithium coated component with the second quenching agent in the non-aqueous bath; and forming a second lithium salt.
C22B 3/16 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation dans des solutions organiques
C22B 3/06 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation dans des solutions inorganiques acides
99.
ELECTROSTATICALLY SECURED SUBSTRATE SUPPORT ASSEMBLY
A substrate support assembly includes a cooling plate and a chuck disposed on the cooling plate. The chuck includes one or more heating electrodes, and one or more clamp electrodes to electrostatically secure the chuck to the cooling plate. Another substrate support assembly includes a cooling plate, a first puck plate bonded to the cooling plate, and a second puck plate disposed on the first puck plate. The second puck plate includes one or more clamp electrodes to electrostatically secure the second puck plate to the first puck plate.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
100.
SUPPRESSING HEATING OF A PLASMA PROCESSING CHAMBER LID
Semiconductor processing systems and system components are described for mitigating lid heating of a plasma processing chamber. One system includes a plasma-based processing chamber enclosing a processing region, the processing chamber comprising a first portion including sidewalls and a bottom and a second portion including a chamber lid; a substate support within the processing chamber and configured to retain a first substrate in the processing region of the chamber; an inductively coupled plasma source configured to direct RF energy into the chamber; a conductive structure proximate to the chamber lid on an exterior side of the processing chamber; and a power source configured to apply a negative charge to the conductive structure that generates an electric field through the chamber lid, the electric filed providing repulsion force to incident electrons.
brevets
