The present disclosure relates to paramyxoviruses, in particular attenuated avian avulaviruses (para, ortho and meta), mutated and genetically modified forms, as well as a vaccine formulation comprising an attenuated avian avulavirus and uses/methods of use thereof.
There is provided a logic gate comprising a semiconductor device. The semiconductor device includes a charge reservoir layer disposed between a first charge accepting layer and a second charge accepting layer. The first charge accepting layer defines a first current flow path that is connected to a common output contact at one end and a drive contact at the other end. The second charge accepting layer defines a current flow path that is connected to the common output contact at one end and a ground contact at the other end. The charge reservoir layer comprises a potential well having a lowest energy state for mobile charge carriers that is at a lower energy than the lowest energy state for mobile charge carriers of both the first and second charge accepting layers. The logic gate further comprises a control gate and a ground electrode that are separated from the charge accepting layers by non-conducting layers. The control gate and the ground electrode are configured to apply an input voltage across the semiconductor device, such that mobile charge carriers confined within the charge reservoir layer are transferred to the first charge accepting layer at a first applied input voltage and transferred to the second charge accepting layer at a second applied input voltage.
H03K 19/08 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
H10D 62/81 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux de structures présentant des effets de confinement quantique, p. ex. des puits quantiques uniquesCorps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux de structures présentant une variation de potentiel périodique ou quasi-périodique
H10D 84/85 - Transistors IGFET complémentaires, p. ex. CMOS
H10D 84/90 - Circuits intégrés à tranches maîtresses
A multifrequency linear accelerator system (100) which can be used to generate multidirectional particle beams (101. 102) for, e.g., multidimensional radiotherapy and X-ray imaging is described. The system (100) comprises an electromagnetic ‘EM’ source (104), a first linear accelerator (106) operable at a first frequency, a second linear accelerator (108) operable at a second, different, frequency, a first circulator (110) and a second circulator (112). The first linear accelerator (106) is arranged to received EM power (118) supplied from the EM source at the first frequency via the first circulator (110), and the second linear accelerator (108) is arranged to receive EM power (120) supplied by the EM source at the second frequency via the first circulator (110) and the second circulator (112).
Methods, apparatus, a system, a computer program and a computer-readable data carrier are disclosed. A method comprises providing spectroscopic data associated with at least one microorganism, and obtained via a Raman or Infrared spectroscopy technique, as an input into at least one machine learning module, and responsive to providing the spectroscopic data, providing at least one trained machine learning model, wherein the trained machine learning model is configured to identify at least one microorganism in a biological sample.
G16B 15/00 - TIC spécialement adaptées à l’analyse de structures moléculaires bidimensionnelles ou tridimensionnelles, p. ex. relations structurelles ou fonctionnelles ou alignement de structures
G01N 21/3577 - CouleurPropriétés spectrales, c.-à-d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes en recherchant l'effet relatif du matériau pour les longueurs d'ondes caractéristiques d'éléments ou de molécules spécifiques, p. ex. spectrométrie d'absorption atomique en utilisant la lumière infrarouge pour l'analyse de liquides, p. ex. l'eau polluée
There is provided a process for tanning animal hide comprising treating an animal hide with at least one tanning agent and exposing the treated hide to a dose of ionising radiation of from 1 to 500 kJ/kg wherein the ionising radiation is in the form of a charged particle beam.
There is described herein, a plasma device for the generation of oxygen and nitrogen species (RONS) and methods of generating RONS using the plasma device.
A61L 2/00 - Procédés ou appareils de désinfection ou de stérilisation de matériaux ou d'objets autres que les denrées alimentaires ou les lentilles de contactAccessoires à cet effet
A61L 2/14 - Procédés ou appareils de désinfection ou de stérilisation de matériaux ou d'objets autres que les denrées alimentaires ou les lentilles de contactAccessoires à cet effet utilisant des phénomènes physiques du plasma, c.-à-d. des gaz ionisés
A semiconductor device comprises a substrate, one or more first III-semiconductor layers, and a plurality of superlattice structures between the substrate and the one or more first layers. The plurality of superlattice structures comprises an initial superlattice structure and one or more further superlattice structures between the initial superlattice structure and the one or more first layers. The plurality of superlattice structures is configured such that a strain-thickness product of semiconductor layer pairs in each superlattice structure of the one or more further superlattice structures is greater than or equal to a strain-thickness product of semiconductor layer pairs in superlattice structure(s) of the plurality of superlattice structures between that superlattice structure and the substrate. The plurality of superlattice structures is also configured such that a strain-thickness product of semiconductor layer pairs in at least one of the one or more further superlattice structures is greater than a strain-thickness product of semiconductor layer pairs in the initial superlattice structure.
H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/0392 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
A semiconductor device comprises a substrate, one or more first III-semiconductor layers, and a plurality of superlattice structures between the substrate and the one or more first layers. The plurality of superlattice structures comprises an initial superlattice structure and one or more further superlattice structures between the initial superlattice structure and the one or more first layers. The plurality of superlattice structures is configured such that a strain-thickness product of semiconductor layer pairs in each superlattice structure of the one or more further superlattice structures is greater than or equal to a strain-thickness product of semiconductor layer pairs in superlattice structure(s) of the plurality of superlattice structures between that superlattice structure and the substrate. The plurality of superlattice structures is also configured such that a strain-thickness product of semiconductor layer pairs in at least one of the one or more further superlattice structures is greater than a strain-thickness product of semiconductor layer pairs in the initial superlattice structure.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/0392 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
H01L 29/15 - Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
A memory cell comprises a floating gate being disposed between a control gate and a channel, the floating gate being electrically isolated from the control gate and the channel by charge barriers and being configured to enable the selective passage of charge carriers into and out of the floating gate to provide occupancy states of the floating gate. The channel is arranged to provide a minimum threshold voltage to be applied between a control gate and the substrate for introducing charge carriers into the channel from the substrate to make the channel conductive, the minimum threshold voltage being dependent on the occupancy state of the floating gate, such that a read voltage may be applied between the control gate and the substrate that will provide a conductive channel for a first occupancy state of the floating gate and a non-conductive channel for a second occupancy state of the floating gate.
G11C 16/10 - Circuits de programmation ou d'entrée de données
G11C 16/04 - Mémoires mortes programmables effaçables programmables électriquement utilisant des transistors à seuil variable, p. ex. FAMOS
H01L 29/788 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante
H10B 43/35 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p. ex. NON-ET
s disease. Particularly, certain embodiments relate to GIP/GLP-1 co-agonist peptides for use in the treatment of these two neurological disorders. Also included in the present invention are inter alia pharmaceutical compositions comprising the GIP/GLP-1 co-agonist peptides, together with methods of treating such disorders as well as other subject matter.
A61K 47/54 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p. ex. les supports ou les additifs inertesAgents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p. ex. conjugués polymère-médicament l’ingrédient non actif étant un agent de modification l’agent de modification étant un composé organique
A61P 25/28 - Médicaments pour le traitement des troubles du système nerveux des troubles dégénératifs du système nerveux central, p. ex. agents nootropes, activateurs de la cognition, médicaments pour traiter la maladie d'Alzheimer ou d'autres formes de démence
The invention relates to platinum and rhenium complexes of formula (I) that may be used as imaging agents. In particular, the invention relates to imaging agents, for example imaging agents for use in the imaging of peroxisomes. Certain embodiments of the invention relate to compounds per se. Other embodiments relate to a process for the preparation of compounds and to the use of compounds as imaging agents. (Formula (I))
G01N 33/58 - Analyse chimique de matériau biologique, p. ex. de sang ou d'urineTest par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligandsTest immunologique faisant intervenir des substances marquées
C07F 13/00 - Composés contenant des éléments des groupes 7 ou 17 du tableau périodique
C07F 15/00 - Composés contenant des éléments des groupes 8, 9, 10 ou 18 du tableau périodique
C07K 5/02 - Peptides ayant jusqu'à quatre amino-acides dans une séquence entièrement déterminéeLeurs dérivés contenant au moins une liaison peptidique anormale
Aspects and embodiments of the present invention relate to the treatment of neurological disorders such as for example, Alzheimer's disease and Parkinson's disease. Particularly, certain embodiments relate to GIP/GLP-1 co-agonist peptides for use in the treatment of these two neurological disorders. Also included in the present invention are inter alia pharmaceutical compositions comprising the GIP/GLP-1 co-agonist peptides, together with methods of treating such disorders as well as other subject matter.
A61K 47/54 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p. ex. les supports ou les additifs inertesAgents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p. ex. conjugués polymère-médicament l’ingrédient non actif étant un agent de modification l’agent de modification étant un composé organique
A61P 25/28 - Médicaments pour le traitement des troubles du système nerveux des troubles dégénératifs du système nerveux central, p. ex. agents nootropes, activateurs de la cognition, médicaments pour traiter la maladie d'Alzheimer ou d'autres formes de démence
A vertical-cavity surface-emitting laser (“VCSEL”) has at least a substrate, electrical contacts, a first mirror region, a second mirror region and an active region between the mirror regions; where the mirror regions comprise distributed Bragg reflectors formed of a plurality of layers; laser emission is from at least one gallium arsenide antimonide nanostructure in the active region; and each said nanostructure contains more antimony atoms than arsenic atoms.
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
B82Y 20/00 - Nano-optique, p. ex. optique quantique ou cristaux photoniques
14.
Glycosaminoglycan-coated metallic nanoparticles and uses thereof
The present invention is a composition comprising a plurality of nanoparticles of at least one noble metal each coated with a plurality of linker molecules, at least some of which are attached to at least one of a plurality of glycosaminoglycan chains.
A61K 33/00 - Préparations médicinales contenant des ingrédients actifs inorganiques
A61K 47/65 - Séquences de liaison, liants ou bras-espaceurs peptidiques, p. ex. séquences de liaison peptidiques vulnérable aux protéases
A61K 47/68 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p. ex. les supports ou les additifs inertesAgents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p. ex. conjugués polymère-médicament l’ingrédient non actif étant un agent de modification l’agent de modification étant un anticorps, une immunoglobuline ou son fragment, p. ex. un fragment Fc
A61K 47/69 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p. ex. les supports ou les additifs inertesAgents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p. ex. conjugués polymère-médicament le conjugué étant caractérisé par sa forme physique ou sa forme galénique, p. ex. émulsion, particule, complexe d’inclusion, stent ou kit
A memory cell for storing one or more bits of information has a control gate, a source terminal and a drain terminal. A semiconductor substrate is located between the source and drain terminals, and a floating gate is disposed between the control gate and the semiconductor substrate. The floating gate is electrically isolated from the control gate by a charge trapping barrier, and is electrically isolated from the semiconductor substrate by a charge blocking barrier. At least one of the charge trapping barrier and the charge blocking barrier contains a III-V semiconductor material. The charge trapping barrier is adapted to enable the selective passage of charge carriers between the control gate and the floating gate, in use, to modify the one or more bits of information stored by the memory cell.
G11C 16/04 - Mémoires mortes programmables effaçables programmables électriquement utilisant des transistors à seuil variable, p. ex. FAMOS
H01L 29/80 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse
H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
H01L 29/43 - Electrodes caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
G11C 16/14 - Circuits pour effacer électriquement, p. ex. circuits de commutation de la tension d'effacement
G11C 16/28 - Circuits de détection ou de lectureCircuits de sortie de données utilisant des cellules de détection différentielle ou des cellules de référence, p. ex. des cellules factices
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
16.
Amplification of electromagnetic waves via interaction with an electron beam by using a waveguide having a linear interaction channel with curved parts and including rows of pillars extending through the waveguide
The present invention is a rectangular waveguide providing amplification of an electromagnetic wave via interaction with an electron beam in a linear interaction channel where the electron beam enters the waveguide at a first curved part of the waveguide, traverses the linear interaction channel and exits the waveguide at a second curved part of the waveguide.
H01J 23/16 - Éléments de circuits à capacité et inductance réparties en interaction avec la décharge et structurellement associés au tube
H01J 23/36 - Dispositifs de couplage à capacité et inductance réparties, structurellement associés au tube pour introduire ou extraire une énergie ondulatoire
H01J 25/02 - Tubes à faisceau électronique modulé en vitesse ou en densité dans une zone modulatrice et cédant ensuite de l'énergie dans une zone inductrice, les zones étant associées à un ou plusieurs résonateurs
H03F 3/54 - Amplificateurs utilisant l'effet de temps de transit dans des tubes ou des dispositifs à semi-conducteurs
H03F 3/58 - Amplificateurs utilisant l'effet de temps de transit dans des tubes ou des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des tubes à ondes progressives
H03F 1/06 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire dans les amplificateurs à tubes à décharge pour augmenter le rendement de l'amplification des ondes modulées de fréquence radio-électriqueModifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire dans les amplificateurs à tubes à décharge pour augmenter le rendement des amplificateurs fonctionnant aussi en modulateurs
H03F 3/189 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence
Methods treat neurological disorders, for example neurodegenerative disorders such as Alzheimer's disease, Parkinson's disease and stroke. Particularly although not exclusively, GIP/GLP-1 co-agonist peptide is used in the treatment of such neurological disorders. Pharmaceutical compositions include a GIP/GLP-1 co-agonist peptide for use in treatment of such disorders.
The present invention relates to a method of diagnosing, or providing a prognosis to, or for providing the likelihood of developing, malignant melanoma in a subject, the method comprising the steps of: (a) measuring two or more markers in blood perfusion dynamics at and/or around a skin lesion site; and (b) determining if the two or more markers is different to a normal value. The invention also relates to a device for diagnosing/providing a prognosis to/for malignant melanoma in a subject.
Disclosed is a fluid sampling device comprising a plurality of inlet channels, each of which is arranged to receive an airflow from an associated direction, such that a sampling medium associated with a particular inlet channel is exposed to airflow from the associated direction.
Disclosed is a fluid sampling device comprising a housing arranged to be freely rotatable under the influence of a fluid and comprising an opening for channeling the fluid through the housing such that the fluid contacts a particular portion of a sampling medium corresponding to a relative angular position of the housing.
brevets
