A method for manufacturing a reactor includes a bonding process of joining molded cores with a molded coil with an adhesive, and a welding process of connecting, by welding, the lead wire of a coil to a busbar fixed to the molded core. The coils are attached to respective leg portions. The bonding process includes an applying process of applying the adhesive to the joining surfaces of the respective leg portions of each of the core members, and the inner circumferential surfaces of the respective yoke portions of the core members, a depressing process of spreading the applied adhesive by depression, and a curing process of curing the adhesive.
H01F 27/32 - Isolation des bobines, des enroulements, ou de leurs éléments
H01F 41/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants
2.
SOLDER ALLOY, SOLDER PASTE, PRINTED CIRCUIT BOARD, AND ELECTRONIC CONTROL DEVICE
A solder alloy includes 2.5 mass % or more and 4.0 mass % or less of Ag, 0.6 mass % or more and 0.75 mass % or less of Cu, 2.0 mass % or more and 4.5 mass % or less of Bi, 0.01 mass % or more of Ni, 0.01 mass % or more of Co, and a balance including Sn. A total content of Ni and Co is 0.05 mass % or less. A formula 13≤58.046+(−4.238×Ag)+(−11.371×Cu)+(−4.145×Bi)≤33 is satisfied, wherein each of Ag, Cu, and Bi represents a content (mass %) of each element in the solder alloy.
Provided are a junction barrier Schottky diode having a trench structure that has high surge resistance and reduced energy loss during switching operation, and a method for manufacturing the same. An embodiment provides a junction barrier Schottky diode 1 comprising: an n-type semiconductor layer 11 having a plurality of trenches 111; a p-type semiconductor film 12 provided in contact with an inner surface of the a plurality of trenches 111; an anode electrode 13 which is provided on a first surface 113 of the n-type semiconductor layer 11 and in contact with a mesa-shaped portion 112 of the n-type semiconductor layer 11, a part of the anode electrode 13 being covered by the p-type semiconductor film 12 in the plurality of trenches 111; and a cathode electrode 14 provided on a second surface 114 of the n-type semiconductor layer 11 directly or with another layer therebetween.
H10D 62/10 - Formes, dimensions relatives ou dispositions des régions des corps semi-conducteursFormes des corps semi-conducteurs
H10D 62/86 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe II-VI, p. ex. ZnO
A reactor that suppresses the transmission of the vibration of the core and the vibration of the coil and that reduces the vibration thereof is provided. The reactor includes a coil 3 with a cylindrical shape and a core 1 having legs 12 around which the coil 3 is wound. The core includes a core mold resin 2 which covers at least a part of the core 1, and a core holder which holds the core 1. The coil 3 includes a coil mold resin 4 which covers at least a part of the coil 3, and a coil holder which holds the coil 3. The core holder and the coil holder independently hold the core 1 and the coil 3, respectively, and a gap S1 is provided between the legs 12 and the inner circumferential surface of the coil 3.
A solder alloy includes 35 mass % or more and 65 mass % or less of Bi, 0.1 mass % or more and 0.65 mass % or less of Sb, 0.05 mass % or more and 2 mass % or less of Ag, and a balance including Sn and an inevitable impurity.
B23K 35/26 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 400°C
B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme
B23K 35/36 - Emploi de compositions non métalliques spécifiées, p. ex. comme enrobages, comme fluxEmploi de matériaux de brasage ou de soudage spécifiés associé à l'emploi de compositions non métalliques spécifiées, dans lequel l'emploi des deux matériaux est important
A semiconductor substrate includes at least one main surface as a crystal growth base surface, and a gallium oxide-based semiconductor single crystal. The growth base surface is a (001) plane. An off angle in a [010] direction in a continuous region of not less than 70 area % of the growth base surface is in a range of more than −0.3° and not more than −0.01°, or in a range of not less than 0.01° and less than 0.3°. An off angle in a [001] direction in the region of the growth base surface is in a range of not less than −1° and not more than 1°. The semiconductor substrate has a diameter of not less than 2 inches.
A semiconductor substrate includes at least one main surface as a crystal growth base surface, and a gallium oxide-based semiconductor single crystal. The growth base surface is a (001) plane. An off angle in a [010] direction in a continuous region of not less than 70 area % of the growth base surface is in a range of more than −0.3° and not more than −0.01°, or in a range of not less than 0.010 and less than 0.3°. An off angle in a [001] direction in the region of the growth base surface is in a range of not less than −1° and not more than 1°. The semiconductor substrate has a diameter of not less than 2 inches.
The present disclosure is related to providing a polyamic acid that can form a polyimide exhibiting a low dielectric property and high heat resistance and that has good film formability, and a polyamic acid composition, polyimide, polyimide film, and printed circuit board that are produced by using this polyamic acid. A polyamic acid that is a product obtained by polyaddition reaction between a tetracarboxylic dianhydride (A) and at least two diamines (B), wherein the at least two diamines (B) contain a diamine having a fluorene skeleton (B1) and a dimer diamine (B2).
The present disclosure is related to providing a polyamic acid that can form a polyimide exhibiting a low dielectric property and a low hygroscopic property, and a polyamic acid composition, polyimide, polyimide film, and printed circuit board that are produced by using the polyamic acid. A polyamic acid that is a product obtained by polyaddition reaction between an ester-type acid dianhydride (A) and at least two diamines (B), wherein a dimer diamine (B1) is contained at a molar ratio of 0.3 or more relative to an entirety of the diamine component.
An MMC converter includes three units of two-terminal arms on a P-terminal side, and three units of two-terminal arms on an N-terminal side. An inductive element between the arms on the P-terminal side and the arms on the N-terminal side includes a reactor provided with a UP coil and a UN coil concentrically wound around an iron-core leg, a reactor provided with a VP coil and a VN coil concentrically wound around an iron-core leg, and a reactor provided with a WP coil and a WN coil concentrically wound around an iron-core leg. Each of the coils is wound around in a direction such that the iron-core legs are excited by a flow-through current from the N terminal to the P terminal.
H02M 5/458 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant alternatif, p. ex. pour changement de la tension, pour changement de la fréquence, pour changement du nombre de phases avec transformation intermédiaire en courant continu par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge ou des dispositifs à semi-conducteurs pour transformer le courant continu intermédiaire en courant alternatif utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02P 27/06 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p. ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs
A Schottky barrier diode includes a semiconductor layer of a first conductivity type including a wide-bandgap semiconductor and a trench defining a mesa portion on a first surface thereof, a high-resistance region under the trench of the semiconductor layer, the high-resistance region including an impurity of a second conductivity type different from the first conductivity type, an insulating film or a semiconductor film of the second conductivity type, the insulating film or semiconductor film covering at least a bottom surface among inner surfaces of the trench, an anode electrode on the semiconductor layer through the insulating film or the semiconductor film, the anode electrode being connected to the mesa portion, and a cathode electrode directly or through another layer on a second surface of the semiconductor layer on the opposite side to the first surface.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
16.
Solder alloy, joint portion, joining material, solder paste, joint structure, and electronic control device
A solder alloy includes 45 mass % or more and 63 mass % or less of Bi, 0.1 mass % or more and less than 0.7 mass % of Sb, 0.05 mass % or more and 1 mass % or less of In, and a balance including Sn.
B23K 35/26 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 400°C
B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme
C22C 12/00 - Alliages à base d'antimoine ou de bismuth
C22C 13/02 - Alliages à base d'étain avec l'antimoine ou le bismuth comme second constituant majeur
Reactor 10 includes the core 4, the coil 2 attached to the core 4, the resin member 5 covering a periphery of the core 4, and the fastening portion 53 fastening the external terminal 61 of the external device electrically connected to the coil 2. The external terminal 61 is connected to the lead wire 62 connecting the external terminal 61 and the external device. The lead wire 62 is wired linearly above the core 4 along the core 4 to which the coil 2 is not attached. The resin member 5 includes the guide portion 54 provided at an opposite of the fastening portion 53 so as to interpose the core 4 above which the lead wire 62 is wired and holding the lead wire 62 and the intermediate guide portion 55 provided between the fastening portion 53 and the guide portion 54 and holding the lead wire 62.
H01F 27/30 - Fixation ou serrage de bobines, d'enroulements ou de parties de ceux-ci entre euxFixation ou montage des bobines ou enroulements sur le noyau, dans l'enveloppe ou sur un autre support
H01F 37/00 - Inductances fixes non couvertes par le groupe
18.
MOLD CORE, REACTOR, AND MOLD CORE MANUFACTURING METHOD
Provided is a mold core, a reactor having the mold core, and a manufacturing method of the mold core in which the leg portion connecting surfaces of the yoke portions are aligned at the same height and gaps are prevented from forming between the end surfaces of the leg portions and the leg portion connecting surfaces. The mold core 2 of the reactor 1 is made of a dust core and includes the yoke cores 41 for connecting a plurality of leg portions 32, and the yoke resins 42 for molding the yoke cores 41 by insert molding. The yoke cores 41 are divided into a plurality of core blocks 5 connected in a row without gaps, and the core blocks 5 include leg-portion-side blocks 61 that are connected to the leg portions 32 one-to-one.
H01F 27/255 - Noyaux magnétiques fabriqués à partir de particules
H01F 41/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants
A Schottky barrier diode includes an n-type semiconductor layer including a gallium oxide-based semiconductor, an insulating film including SiO2 and covering a portion of an upper surface of the n-type semiconductor layer, and an anode electrode which is connected to the upper surface of the n-type semiconductor layer to form a Schottky junction with the n-type semiconductor layer and at least a portion of an edge of which is located on the insulating film. The insulating film further includes a first layer in contact with the n-type semiconductor layer and a second layer on the first layer. A refractive index of the first layer is lower than a refractive index of the second layer. The n-type semiconductor layer further includes a guard ring surrounding a junction with the anode electrode.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
A Schottky barrier diode includes an n-type semiconductor layer including a gallium oxide-based semiconductor, an insulating film including SiO2 and covering a portion of an upper surface of the n-type semiconductor layer, and an anode electrode which is connected to the upper surface of the n-type semiconductor layer to form a Schottky junction with the n-type semiconductor layer and at least a portion of an edge of which is located on the insulating film. The insulating film further includes a first layer in contact with the n-type semiconductor layer and a second layer on the first layer. A refractive index of the first layer is lower than a refractive index of the second layer.
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
The coil component includes a plurality of coils 2 including round wires 22 arranged in alignment and wound in multiple layers and a bobbin 3 around which the coils 2 are wound. The bobbin 3 includes a winding portion 21 around which the coils are wound, a flange portion 22 provided at both ends of the winding portion 21, and the wall portion provided between the adjacent coils 2 and standing from the winding portion 21. The flange portion 22 includes an inclined guide 222 that spreads toward an opening 221. The winding portion 31 includes the groove portion 312 in which the round wire 22 as the first layer is fitted, and a step 313 provided between the flange portion 32 and the groove portion 312 and protrudes from the winding portion 31. The wall portion 33 includes an inclined side surface 332.
3-based single crystal and a plurality of trenches opening on one surface, a gate electrode buried in each of the plurality of trenches, a source electrode connected to a mesa-shaped region between adjacent trenches in the n-type semiconductor layer, and a drain electrode directly or indirectly connected to the n-type semiconductor layer on an opposite side to the source electrode.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
25.
SOLDER ALLOY, SOLDER BONDING MATERIAL, SOLDER PASTE, AND SEMICONDUCTOR PACKAGE
A solder alloy includes 1.1% by mass or more and 8% by mass or less of Cu; 6% by mass or more and 20% by mass or less of Sb; 0.01% by mass or more and 0.5% by mass or less of Ni; and 0.001% by mass or more and 1% by mass or less of Co; a balance being Sn. An amount of Cu (% by mass) and an amount of Ni (% by mass) satisfies following formula: the amount of Ni/(the amount of Cu+the amount of Ni)<0.10.
3-based single crystal in a reaction chamber of an HVPE apparatus. When the semiconductor substrate is placed so that the growth base surface faces upward, an inlet for a dopant-including gas into the space is positioned higher than an inlet for an oxygen-including gas into the space and an inlet for a Ga chloride gas into the space is positioned higher than the inlet for the dopant-including gas into the space. When the semiconductor substrate is placed so that the growth base surface faces downward, the inlet for the dopant-including gas into the space is positioned higher than the inlet for the Ga chloride gas into the space and the inlet for the oxygen-including gas into the space is positioned higher than the inlet for the dopant-including gas into the space.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
B23K 35/362 - Emploi de compositions spécifiées de flux
B23K 35/36 - Emploi de compositions non métalliques spécifiées, p. ex. comme enrobages, comme fluxEmploi de matériaux de brasage ou de soudage spécifiés associé à l'emploi de compositions non métalliques spécifiées, dans lequel l'emploi des deux matériaux est important
3-based semiconductor and stacked on the substrate, a first electrode connected to a surface of the substrate on an opposite side to the epitaxial layer, and a second electrode connected to a surface of the epitaxial layer on an opposite side to the substrate and including a field plate portion at an outer peripheral portion. The semiconductor element is fixed onto the raised portion. An outer peripheral portion of the epitaxial layer, which is located on the outer side of the field plate portion, is located directly above a flat portion of the lead frame that is a portion at which the raised portion is not provided.
3-based semiconductor and located on the substrate, fixing the epitaxial layer side of the semiconductor wafer to a support substrate, thinning the substrate of the semiconductor wafer fixed to the support substrate, after the thinning of the substrate, forming an electrode on a lower surface of the substrate, bonding or forming a support metal layer on a lower surface of the electrode of the semiconductor wafer, and dicing the semiconductor wafer into individual pieces, thereby obtaining plural semiconductor elements each including the support metal layer. Thermal conductivity of the support metal layer is higher than thermal conductivity of the substrate.
A reactor that can suppress an increase in ripple current even when electric current imbalance occurs is provided. A reactor 10 includes an annular core 1 formed by a magnetic body, and two coils 2 which are attached and magnetically joined to the annular core 1 and which generate magnetic fluxes in directions opposite to each other. The differential permeability of the annular core 1 at 5000 A/m is equal to or more than 30% of the maximum differential permeability of the annular core 1.
A drive circuit is provided. When the switching element is in turn-on state and a collector-emitter voltage of the switching element is equal to or higher than a first predetermined voltage value, the first diode is turned on; the first transistor and the second transistor are turned on; and, after a mask time in which a first capacitor is started to be charged with a current from a current source and a voltage value at two ends becomes equal to or higher than a second predetermined voltage value higher than the first predetermined voltage value, an abnormality detection signal is output to the control unit. The control unit stops an output of the pulse signal to the switching element in response to the abnormality detection signal.
H03K 17/0812 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de commande
A reactor that suppresses the transmission of the vibration of the core and the vibration of the coil and that reduces the vibration thereof is provided. The reactor includes a coil 3 with a cylindrical shape and a core 1 having legs 12 around which the coil 3 is wound. The core includes a core mold resin 2 which covers at least a part of the core 1, and a core holder which holds the core 1. The coil 3 includes a coil mold resin 4 which covers at least a part of the coil 3, and a coil holder which holds the coil 3. The core holder and the coil holder independently hold the core 1 and the coil 3, respectively, and a gap S1 is provided between the legs 12 and the inner circumferential surface of the coil 3.
A high-side driver circuit is a circuit that drives a power semiconductor switch. The high-side driver circuit comprises a main switch N-channel MOSFET that has a drain terminal that is connected to a plus-side Vdc of a power supply and has a source terminal that is connected to an OUT terminal for a signal that drives the power semiconductor switch, a charge storage circuit that stores charge from the Vdc, and a voltage detection-capable switch that detects the voltage difference between an output terminal of the charge storage circuit and the Vdc and, upon detecting that the output terminal voltage of the charge storage circuit is at least a specific voltage higher than the voltage of a plus-side Vcc of the power supply, applies part or all of the output voltage of the charge storage circuit to a gate terminal of the main switch N-channel MOSFET.
H03K 3/00 - Circuits pour produire des impulsions électriquesCircuits monostables, bistables ou multistables
H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p. ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
A solder composition of the invention contains: a flux composition containing (A) a rosin resin, (B) an activator, (C) an imidazoline compound having a phenyl group, and (D) an antioxidant; and (E) solder powder, in which the (B) component contains (B1) an organic acid, the (B1) component contains at least one selected from the group consisting of (B11) 1-hydroxy-2-naphthoic acid, 3-hydroxy-2-naphthoic acid, and 1,4-dihydroxy-2-naphthoic acid, and the (C) component is at least one selected from the group consisting of 2-phenylimidazoline and 2-benzylimidazoline.
B23K 35/362 - Emploi de compositions spécifiées de flux
B23K 35/36 - Emploi de compositions non métalliques spécifiées, p. ex. comme enrobages, comme fluxEmploi de matériaux de brasage ou de soudage spécifiés associé à l'emploi de compositions non métalliques spécifiées, dans lequel l'emploi des deux matériaux est important
A terminal block includes a terminal and a base having a terminal attachment part to which the terminal is attached. The terminal includes a coupling part coupled to the terminal attachment part. The terminal attachment part is formed with an insertion hole extending in a first direction and into which the coupling part is inserted, and a fitting hole communicating with the insertion hole. The coupling part includes a click part configured to fit into the fitting hole, and the click part projects toward the fitting hole by being bent at a root of the click part along a straight line substantially parallel to the first direction.
The present disclosure provides a photosensitive dry film enabling a photocured film being excellent in insulation reliability and resolution and having a frosted appearance to be obtained. A photosensitive dry film including a support film having a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface, and a photosensitive resin layer provided on the first main surface, in which the first main surface has an irregular surface formed by chemical etching.
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
G03F 7/027 - Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p. ex. composés éthyléniques
G03F 7/033 - Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p. ex. composés éthyléniques avec des liants les liants étant des polymères obtenus par des réactions faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carbone, p. ex. polymères vinyliques
G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G03F 7/30 - Dépouillement selon l'image utilisant des moyens liquides
H05K 3/00 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
H05K 3/28 - Application de revêtements de protection non métalliques
39.
3-based single crystal film, and crystalline layered structure
C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
An object of the present invention is to provide a Schottky barrier diode less liable to cause dielectric breakdown due to concentration of an electric field. A Schottky barrier diode according to this disclosure includes a semiconductor substrate made of gallium oxide, a drift layer made of gallium oxide and provided on the semiconductor substrate, an anode electrode brought into Schottky contact with the drift layer, and a cathode electrode brought into ohmic contact with the semiconductor substrate. The drift layer has an outer peripheral trench surrounding the anode electrode in a plan view. The surface of the drift layer positioned between the anode electrode and the outer peripheral trench is covered with a semiconductor layer having a conductivity type opposite to that of the drift layer.
An object of the present invention is to provide a Schottky barrier diode less liable to cause dielectric breakdown due to concentration of an electric field. A Schottky barrier diode according to this disclosure includes a semiconductor substrate made of gallium oxide, a drift layer made of gallium oxide and provided on the semiconductor substrate, an anode electrode 40 brought into Schottky contact with the drift layer, a cathode electrode brought into ohmic contact with the semiconductor substrate, an insulating layer provided on the drift layer so as to surround the anode electrode in a plan view, and a semiconductor layer provided on a surface of a part of the drift layer that is positioned between the anode electrode and the insulating layer and on the insulating layer. The semiconductor layer has a conductivity type opposite to that of the drift layer.
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
3-based single crystal substrate having a crack density of less than 0.05 cracks/cm can be obtained that has as a principal surface thereof a surface rotated 10-150° from the (100) plane, when a rotation direction from the (100) plane to the (001) plane via the (101) plane is defined as positive, having the [010] axis as the rotation axis.
A Schottky barrier diode includes a semiconductor substrate made of gallium oxide, a drift layer made of gallium oxide and provided on the semiconductor substrate, an anode electrode brought into Schottky contact with the drift layer, and a cathode electrode brought into ohmic contact with the semiconductor substrate. The drift layer has a plurality of trenches formed in a position overlapping the anode electrode in a plan view. Among the plurality of trenches, a trench positioned at the end portion has a selectively increased width. Thus, the curvature radius of the bottom portion of the trench is increased, or an edge part constituted by the bottom portion as viewed in a cross section is divided into two parts. As a result, an electric field to be applied to the bottom portion of the trench positioned at the end portion is mitigated, making dielectric breakdown less likely to occur.
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
3-based single crystal, an anode electrode that forms a Schottky junction with the semiconductor layer and is configured so that a portion in contact with the semiconductor layer includes Mo or W, and a cathode electrode. A turn-on voltage thereof is not less than 0.3 V and not more than 0.5 V.
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
An object of the present invention is to provide a Schottky barrier diode less apt to cause dielectric breakdown due to concentration of an electric field. A Schottky barrier diode includes a semiconductor substrate 20 made of gallium oxide, a drift layer 30 made of gallium oxide and provided on the semiconductor substrate 20, an anode electrode 40 brought into Schottky contact with the drift layer 30, and a cathode electrode 50 brought into ohmic contact with the semiconductor substrate 20. The drift layer 30 has an outer peripheral trench 10 that surrounds the anode electrode 40 in a plan view, and the outer peripheral trench 10 is filled with a semiconductor material 11 having a conductivity type opposite to that of the drift layer 30. An electric field is dispersed by the presence of the thus configured outer peripheral trench 10. This alleviates electric field concentration on the corner of the anode electrode 40, making it less apt to cause dielectric breakdown.
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
3-based single crystal, and includes a trench opened on a surface thereof opposite to the first semiconductor layer, an anode electrode formed on the surface of the second semiconductor layer, a cathode electrode formed on a surface of the first semiconductor layer, an insulating film covering the inner surface of the trench of the second semiconductor layer, and a trench electrode that is buried in the trench of the second semiconductor layer so as to be covered with the insulating film and is in contact with the anode electrode. The second semiconductor layer includes an insulating dry-etching-damaged layer with a thickness of not more than 0.8 μm in a region including the inner surface of the trench.
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
A lead-free solder alloy includes 2.0% by mass or more and 4.0% by mass or less of Ag, 0.3% by mass or more and 0.7% by mass or less of Cu, 1.2% by mass or more and 2.0% by mass or less of Bi, 0.5% by mass or more and 2.1% by mass or less of In, 3.0% by mass or more and 4.0% by mass or less of Sb, 0.001% by mass or more and 0.05% by mass or less of Ni, 0.001% by mass or more and 0.01% by mass or less of Co, and the balance being Sn.
A reactor capable of suppressing a deformation of a resin material in a gap between partial cores is provided. This reactor includes: a core that includes T-shaped cores which are at least a pair of partial cores disposed via the gap therebetween; a coil attached to respective parts of the T-shaped cores; and a core casing that is a core molding member which is formed integrally by a resin material and which covers the T-shaped cores. The core casing includes the coupling portion that is provided between the T-shaped cores at a location corresponding to the gap, and the coupling portion is provided with a through-hole, and a pair of connection portions which face with each other across the through-hole and which connects a space between the T-shaped cores.
H01F 41/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants
H01F 41/04 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants pour la fabrication de bobines
53.
Driver circuit device for driving external device having semiconductor element
A gate driver includes: driver boards mountable on an IGBT module which is a driving-target external device; gate driver circuits which are formed on the driver boards and each apply a drive signal generated using power and a signal which are externally input through an input connector, to semiconductor elements of the IGBT module; and an insulating surrounding member disposed to surround a peripheral edge of the input-side driver board.
H05K 5/00 - Enveloppes, coffrets ou tiroirs pour appareils électriques
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H03K 17/567 - Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p. ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
H05K 5/02 - Enveloppes, coffrets ou tiroirs pour appareils électriques Détails
54.
Semiconductor substrate, and epitaxial wafer and method for producing same
3-based single crystal and a plurality of trenches opening on one surface, a gate electrode buried in each of the plurality of trenches, a source electrode connected to a mesa-shaped region between adjacent trenches in the n-type semiconductor layer, and a drain electrode directly or indirectly connected to the n-type semiconductor layer on an opposite side to the source electrode.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/267 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des éléments couverts par plusieurs des groupes , , , , dans différentes régions semi-conductrices
3-based single crystal, and a p-type semiconductor layer including a p-type semiconductor in which a volume of an amorphous portion is higher than a volume of a crystalline portion. The n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer form a pn junction.
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
Molded solder includes first metal powder and second metal powder. The first metal powder has a first solidus temperature and a first liquidus temperature and includes an alloy containing metal elements. The second metal powder has a melting temperature or a second solidus temperature and a second liquidus temperature and includes single metal element or an alloy containing metal elements. The melting temperature and the second liquidus temperature are higher than the first liquidus temperature. The molded solder is so constructed that a mixture of the first metal powder and the second metal powder are press-molded. The molded solder is so constructed that a first solidus temperature of a solder becomes higher when the molded solder becomes the solder after the first metal powder has been melted by heating the molded solder at a temperature equal to or higher than the first liquidus temperature.
B22F 3/00 - Fabrication de pièces ou d'objets à partir de poudres métalliques, caractérisée par le mode de compactage ou de frittageAppareils spécialement adaptés à cet effet
B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
B23K 35/26 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 400°C
A current sensor 100 includes: a magnetic core 104 which focuses a magnetic field generated by continuity of a current to be sensed IP; an element 108 which outputs a sensing signal according to an intensity of the magnetic field focused by the magnetic core 104; a circuit 116 which applies a feedback current to a winding 118 based on the sensing signal from the element 108 and balances magnetism; and a coupling circuit 124 which couples supply paths 123, 124 of a power supply 122 to the circuit 116 and an application path 117 of a feedback current to the winding 118 via capacitors C1, C2.
G01R 15/18 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p. ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs inductifs, p. ex. des transformateurs
3-based single crystal and a trench opened on a surface thereof opposite to the first semiconductor layer, an anode electrode formed on the surface of the second semiconductor layer, a cathode electrode formed on a surface of the first semiconductor layer, an insulating film covering an inner surface of the trench, and a trench MOS gate that is buried in the trench so as to be covered with the insulating film and is in contact with the anode electrode. The second semiconductor layer includes a lower layer on a side of the first semiconductor layer and an upper layer on a side of the anode electrode having a higher donor concentration than the lower layer.
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
A reactor includes: a reactor main body including a core formed of a powder magnetic core, a resin member covering the circumference of the core, and a coil wound around the outer circumference of the resin member; a casing which includes a bottom surface and a side wall standing upright therefrom, and which houses therein the reactor main body; and a filler molding portion formed of a cured filler, and fastening the reactor main body to the casing. The resin member is provided with a bottom opening provided in an end surface that faces the bottom surface of the casing and exposing the core, and a back-side opening provided in an end surface orthogonal to the winding direction of the coil and facing the side wall, and exposing the core. The back-side opening is provided with exposing portions which is not covered with the filler molding portion and is exposed.
H01F 41/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants
H01F 27/32 - Isolation des bobines, des enroulements, ou de leurs éléments
H05K 3/10 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés dans lesquels le matériau conducteur est appliqué au support isolant de manière à former le parcours conducteur recherché
H01F 27/30 - Fixation ou serrage de bobines, d'enroulements ou de parties de ceux-ci entre euxFixation ou montage des bobines ou enroulements sur le noyau, dans l'enveloppe ou sur un autre support
H05K 1/16 - Circuits imprimés comprenant des composants électriques imprimés incorporés, p. ex. une résistance, un condensateur, une inductance imprimés
H01F 27/26 - Fixation des parties du noyau entre ellesFixation ou montage du noyau dans l'enveloppe ou sur un support
3-based single crystal; an anode electrode 11 which forms a Schottky junction with the semiconductor layer 10, and has a portion which contacts the semiconductor layer 10 and is composed of Fe or Cu; and a cathode electrode 12.
H01L 21/441 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
H01L 21/465 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
A reactor includes: a reactor body having a core; and an installation destination object on which the reactor body is mounted; wherein the reactor body has three fixing portions for fixing the reactor body to the installation destination object, the installation destination object has mount portions for mounting the fixing portions, and the reactor body is fixed to the installation destination object by the fixing portions being mounted on the mount portions.
A gas purifying apparatus has: a compressing unit for corn pressing a gas in which an atmosphere or inert gas and a substance vaporized by heating have been mixed; and an expanding unit for liquefying the substance by expanding the gas compressed by the compressing unit, wherein the gas in which the substance has been reduced is obtained.
B01D 53/00 - Séparation de gaz ou de vapeursRécupération de vapeurs de solvants volatils dans les gazÉpuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p. ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols
F02G 1/04 - Ensembles fonctionnels de moteurs à gaz chauds à déplacement positif du type à cycle fermé
F16D 31/02 - Accouplements ou embrayages à fluide avec des groupes de pompage du type volumétrique, c.-à-d. dans lesquels passe un volume déterminé de liquide par tour de pompe utilisant des pompes à pistons ou à plongeurs travaillant dans des cylindres
A small size reactor that effectively utilizes a space is provided. This reactor includes: a reactor body which includes a core and a coil attached to the core, a casing which houses therein the reactor body and which has an opening where a part of the reactor body protrudes outwardly, a bus bar which is a conductive component electrically connected to the coil and which covers a part of a side of the reactor body protruding from the opening, and a terminal stage which includes an extended portion formed of a resin material where a part of the bus bar is embedded and provided along an edge of the opening, and which supports an electrical connection portion between the bus bar and an exterior.
H01F 27/30 - Fixation ou serrage de bobines, d'enroulements ou de parties de ceux-ci entre euxFixation ou montage des bobines ou enroulements sur le noyau, dans l'enveloppe ou sur un autre support
H01F 27/255 - Noyaux magnétiques fabriqués à partir de particules
H01F 27/32 - Isolation des bobines, des enroulements, ou de leurs éléments
National Institute of Information and Communications Technology (Japon)
Inventeur(s)
Sasaki, Kohei
Higashiwaki, Masataka
Abrégé
3-based single crystal and a trench opened on a surface thereof opposite to the first semiconductor layer, an anode electrode formed on the surface of the second semiconductor layer opposite to the first semiconductor layer, a cathode electrode formed on a surface of the first semiconductor layer opposite to the second semiconductor layer, an insulating film covering the inner surface of the trench of the second semiconductor layer, and a trench MOS gate that is embedded in the trench of the second semiconductor layer so as to be covered with the insulating film and is in contact with the anode electrode.
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
A reactor includes a reactor main body that includes a core and a coil attached to the core, a casing that houses therein the reactor main body and has a portion where an opening is formed, a terminal stage that supports the portion of a conductor electrically connected to the coil, and a shielding member that is integrally formed with the terminal stage and suppresses the leakage of magnetic fluxes from the reactor main body while maintaining the opening opened.
H01F 27/34 - Moyens particuliers pour éviter ou réduire les effets électriques ou magnétiques indésirables, p. ex. pertes à vide, courants réactifs, harmoniques, oscillations, champs de fuite
A current sensor includes core components that form a magnetic circuit and form a space where to dispose a probe coil on the magnetic circuit; and a clip that press-joins the core components with each other. Since magnetic reluctance decreases at a portion where the core components are press-joined by the clip, an amount of magnetic flux of an external magnetic field passing through this portion increases, and accordingly, an amount of magnetic flux interlinked with the probe coil decreases. This improves the immunity of the current sensor to an external magnetic field.
G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p. ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p. ex. des dispositifs à effet Hall
G01R 15/18 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p. ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs inductifs, p. ex. des transformateurs
G01R 1/18 - Aménagements de blindage contre les champs électriques ou magnétiques, p. ex. contre le champ terrestre
G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
G01R 33/04 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant le principe du déclenchement périodique de flux
73.
Flux, solder paste, and method for forming solder bump
A flux includes a rosin resin, an activator, a thixotropic agent, and a solvent. The solvent includes 30% by mass or more and 60% by mass or less monovalent alcohol with respect to a total mass amount of the flux. The monovalent alcohol has 18 or more and 24 or less of carbon atoms in one molecule.
A lead-free solder alloy includes 1% by weight or more and 4% by weight or less of Ag, 1% by weight or less of Cu, 3% by weight or more and 5% by weight or less of Sb, 0.01% by weight or more and 0.25% by weight or less of Ni, and Sn.
A solder composition contains: flux composition containing (A) rosin-based resin, (B) activator, and (C) solvent; and (D): solder powder with a melting point of 200 to 250 degrees C. The component (A) contains (A1) rosin-based resin with a softening point of 120 degrees C. or more and an acid number of 220 mgKOH/g or more and (A2) rosin-based resin with a softening point of 100 degrees C. or less and an acid number of 20 mgKOH/g or less. The component (C) contains (C1) hexanediol solvent with a melting point of 40 degrees C. or more and a boiling point of 220 degrees C. or less and (C2) solvent with a viscosity of 10 mPa·s or less at 20 degrees C. and a boiling point of 270 degrees C. or more. A content of the component (A1) ranges from 15 to 25 mass % with respect to the flux composition (100 mass %).
B23K 35/36 - Emploi de compositions non métalliques spécifiées, p. ex. comme enrobages, comme fluxEmploi de matériaux de brasage ou de soudage spécifiés associé à l'emploi de compositions non métalliques spécifiées, dans lequel l'emploi des deux matériaux est important
B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme
C30B 31/00 - Procédés de diffusion ou de dopage des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeAppareillages à cet effet
C30B 13/10 - Croissance des monocristaux par fusion de zoneAffinage par fusion de zone en introduisant dans la zone fondue le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ avec addition d'un matériau de dopage
C30B 13/24 - Chauffage de la zone fondue par irradiation ou par décharge électrique en utilisant des radiations électromagnétiques
C30B 13/30 - Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone de fusion, p. ex. par concentrateurs, par champs électromagnétiquesCommande de la section du cristal
C30B 13/32 - Mécanismes pour déplacer soit la charge, soit le dispositif de chauffage
A solder composition of the invention contains solder powders and a flux composition. The flux composition contains (A) a resin and (B) an activator. The (B) component contains (B1) an organic acid, and (B2) a pyridine compound represented by a formula (1) below. A chlorine concentration is 900 mass ppm or less, a bromine concentration is 900 mass ppm or less, an iodine concentration is 900 mass ppm or less and a total halogen concentration is 1500 mass ppm or less in the solder composition.
3 are not simultaneously hydrogen atoms.
B23K 35/362 - Emploi de compositions spécifiées de flux
B23K 35/26 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 400°C
B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme
National Institute of Information and Communications Technology (Japon)
Inventeur(s)
Sasaki, Kohei
Higashiwaki, Masataka
Abrégé
A semiconductor element includes a Molecular Beam Epitaxy (MBE)-grown channel layer including a β-Ga2O3 single crystal layer. The MBE-grown channel layer is formed on a β-Ga2O3 single crystal substrate.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
79.
High voltage withstand Ga2O3-based single crystal schottky barrier diode
NATIONAL INSTITUTE OF INFORMATION AND COMMUNICATIONS TECHNOLOGY (Japon)
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY (Japon)
Inventeur(s)
Sasaki, Kohei
Goto, Ken
Higashiwaki, Masataka
Koukitu, Akinori
Kumagai, Yoshinao
Murakami, Hisashi
Abrégé
3-based single crystal including a second Group IV element and that has a higher effective donor concentration than the first layer and is laminated on the first layer, an anode electrode formed on the first layer, and a cathode electrode formed on the second layer.
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
C30B 15/34 - Croissance des cristaux par alimentation de couche avec contrôle de surface en utilisant des matrices de formage ou des fentes de guidage
C30B 25/20 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat le substrat étant dans le même matériau que la couche épitaxiale
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
C30B 25/20 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat le substrat étant dans le même matériau que la couche épitaxiale
H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
C30B 29/26 - Oxydes complexes de formule BMe2O4, dans laquelle B est Mg, Ni, Co, Al, Zn ou Cd et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al
C30B 29/68 - Cristaux avec une structure multicouche, p. ex. superréseaux
C30B 31/08 - Procédés de diffusion ou de dopage des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeAppareillages à cet effet par contact avec la substance de diffusion à l'état gazeux la substance de diffusion étant un composé des éléments à diffuser
An annular core includes an upper core and a lower core. A coil is attached to the leg of the annular core in a way that the winding axis is aligned in the vertical direction. The surface of the upper core is covered by an upper cover formed of resin. The surface of the lower core is covered by the lower cover formed of resin. A casing formed of metal includes a bottom plate having an opening, and a side wall integrated with the bottom plate, and the lower core, the coil, and the upper core are housed in the casing. A part of the lower cover is exposed via the opening of the casing. A filler resin is filled in a gap between the circumference of the annular core and the coil, and the side wall of the casing or the lower cover.
H01F 27/22 - Refroidissement par conduction de chaleur à travers des éléments de remplissage solides ou en poudre
H01F 27/26 - Fixation des parties du noyau entre ellesFixation ou montage du noyau dans l'enveloppe ou sur un support
H01F 27/30 - Fixation ou serrage de bobines, d'enroulements ou de parties de ceux-ci entre euxFixation ou montage des bobines ou enroulements sur le noyau, dans l'enveloppe ou sur un autre support
H01F 41/04 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants pour la fabrication de bobines
H01F 27/32 - Isolation des bobines, des enroulements, ou de leurs éléments
Provided are a core and coil molding structure and a manufacturing method thereof which are capable of eliminating a void between coil layers to prevent foreign materials from entering therein, and which improve the vibration resistance and shock resistance of a reactor. A core and coil molding structure includes a coil that is a rectangular coil, a core yoke member in a block shape, and a resin member molding at least a part of those. The presence of a positioning member in a pin shape which positions the coil within a mold forms a groove in the inner circumference of the coil in the resin member.
H01F 41/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants
H01F 41/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques
B29C 45/14 - Moulage par injection, c.-à-d. en forçant un volume déterminé de matière à mouler par une buse d'injection dans un moule ferméAppareils à cet effet en incorporant des parties ou des couches préformées, p. ex. moulage par injection autour d'inserts ou sur des objets à recouvrir
12-w (0.03≤x≤0.2, 0.003≤y≤0.2, −0.2≤w≤0.2). Reduction of fluorescence intensity of the phosphors is less than 3% when an excitation light wavelength is 460 nm and a temperature is increased from 25° C. to 100° C.
C09K 11/77 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances inorganiques luminescentes contenant des métaux des terres rares
C30B 15/04 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ avec addition d'un matériau de dopage, p. ex. pour une jonction n–p
C30B 29/28 - Oxydes complexes de formule A3Me5O12, dans laquelle A est un métal des terres rares et Me est Fe, Ga, Sc, Cr, Co ou Al, p. ex. grenats
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
C30B 15/00 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski
According to one aspect of the present invention, a lead-free solder alloy includes 2% by mass or more and 3.1% by mass or less of Ag, more than 0% by mass and 1% by mass or less of Cu, 1% by mass or more and 5% by mass or less of Sb, 3.1% by mass or more and 4.5% by mass or less of Bi, 0.01% by mass or more and 0.25% by mass or less of Ni, and Sn.
B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme
B23K 35/36 - Emploi de compositions non métalliques spécifiées, p. ex. comme enrobages, comme fluxEmploi de matériaux de brasage ou de soudage spécifiés associé à l'emploi de compositions non métalliques spécifiées, dans lequel l'emploi des deux matériaux est important
H05K 1/09 - Emploi de matériaux pour réaliser le parcours métallique
A reactor is provided. The reactor includes a coil and a terminal block that is fixed to conductor wires that led out from both ends in a winding core direction of the coil. The terminal block includes an input-side terminal block that is fixed to an input-side conductor wire that leads out from one end of the coil, and an output-side terminal block that is fixed to an output-side conductor wire that leads out from another end portion of the coil. The input-side terminal block and the output-side terminal block are disposed on different levels in the winding core direction based on lead-out positions in the winding core direction of the input-side conductor wire and the output-side conductor wire.
H02M 5/458 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant alternatif, p. ex. pour changement de la tension, pour changement de la fréquence, pour changement du nombre de phases avec transformation intermédiaire en courant continu par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge ou des dispositifs à semi-conducteurs pour transformer le courant continu intermédiaire en courant alternatif utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H02P 27/06 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p. ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs
86.
Transformer and switched-mode power supply apparatus
A transformer being capable of reducing cross regulation even in a case where the load is unbalanced and a switched-mode power supply apparatus using the transformer are provided. A transformer T has a core; a primary winding provided in the core; at least two secondary windings provided in the core around a winding axis which is the same as a winding axis of the primary winding; and at least two auxiliary windings provided in the core around a winding axis which is the same as the winding axis of the primary winding; respectively neighboring the secondary windings; and connected in parallel to each other. A switched-mode power supply apparatus has the transformer T; a switching element connected to the primary winding of the transformer T; and a control circuit configured to control the switching element.
H01F 27/38 - Organes de noyaux auxiliairesBobines ou enroulements auxiliaires
H01F 30/04 - Transformateurs fixes non couverts par le groupe avec plusieurs enroulements secondaires alimentant chacun une charge séparée, p. ex. pour alimentations de postes radio-électriques
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
A transformer is capable of suppressing the output voltage difference, and a switched-mode power supply apparatus uses the transformer. A transformer has a core; a primary winding provided in the core; a gap provided in the core at a location where the primary winding is provided; and at least two secondary windings, provided in the core and spaced apart from both sides of the primary winding as well as the gap at an equal distance in a winding axis direction of the primary winding. A switched-mode power supply apparatus has the transformer; a switching element connected to the primary winding of the transformer; and a control circuit configured to control the switching element.
H01F 30/04 - Transformateurs fixes non couverts par le groupe avec plusieurs enroulements secondaires alimentant chacun une charge séparée, p. ex. pour alimentations de postes radio-électriques
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H01F 5/02 - Bobines d'induction enroulées sur des supports non magnétiques, p. ex. mandrins
H02M 3/28 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire
3-based single crystal film. The Si-containing vapor is produced by heating Si or a Si compound and Ga while allowing the Si or a Si compound to contact with the Ga.
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
90.
Water-based organic solderability preservative, and electronic board and surface treatment method using the same
A water-based organic solderability preservative includes (A) an imidazole compound, (B) an organic acid, (C) a complex coating formation aid, (D) an organic solvent and (E) water. The component (D) (organic solvent) has a solubility to water of 10 g/100 g or more at 20 degrees C. and a boiling temperature in a range from 100 degrees C. to 300 degrees C.
National Institute of Information and Communications Technology (Japon)
Inventeur(s)
Sasaki, Kohei
Higashiwaki, Masataka
Wong, Man Hoi
Abrégé
A semiconductor element includes a high-resistivity substrate that includes a β-Ga2O3-based single crystal including an acceptor impurity, an undoped β-Ga2O3-based single crystal layer formed on the high-resistivity substrate, and an n-type channel layer that includes a side surface surrounded by the undoped β-Ga2O3-based single crystal layer. The undoped β-Ga2O3-based single crystal layer includes an element isolation region.
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
A solder composition of the invention includes: a flux composition containing a component (A) in a form of a rosin-based resin, a component (B) in a form of an activator, a component (C) in a form of a solvent and a component (D) in a form of a thixotropic agent; and a component (E) in a form of a solder powder. The component (C) in a form of the solvent contains a component (C1) in a form of a isobornyl cyclohexanol and a component (C2) in a form of a solvent whose viscosity at 20 degrees C. is 10 mPa·s or less and whose boiling point ranges from 220 degrees C. to 245 degrees C.
B23K 35/00 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage
B23K 35/26 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 400°C
B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme
B23K 35/36 - Emploi de compositions non métalliques spécifiées, p. ex. comme enrobages, comme fluxEmploi de matériaux de brasage ou de soudage spécifiés associé à l'emploi de compositions non métalliques spécifiées, dans lequel l'emploi des deux matériaux est important
B23K 35/362 - Emploi de compositions spécifiées de flux
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/51 - Matériaux isolants associés à ces électrodes
95.
Semiconductor element, method for manufacturing same, semiconductor substrate, and crystal laminate structure
NATIONAL INSTITUTE OF INFORMATION AND COMMUNICATIONS TECHNOLOGY (Japon)
Inventeur(s)
Sasaki, Kohei
Kuramata, Akito
Higashiwaki, Masataka
Abrégé
3-based crystal including an n-type dopant, an ion implanted layer that is formed on a surface of the epitaxial layer and includes a higher concentration of n-type dopant than the epitaxial layer, an anode electrode connected to the epitaxial layer, and a cathode electrode connected to the ion implanted layer.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
H01L 29/12 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
C30B 15/34 - Croissance des cristaux par alimentation de couche avec contrôle de surface en utilisant des matrices de formage ou des fentes de guidage
A reactor is provided which can be reduced in size, can prevent falling off of the temperature sensor and can make accurate temperature detection.
a is sandwiched by the resin member 20 and the coil 5 in close contact.
G01K 1/14 - SupportsDispositifs de fixationDispositions pour le montage de thermomètres en des endroits particuliers
G01K 7/22 - Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur utilisant des éléments résistifs l'élément étant une résistance non linéaire, p. ex. une thermistance
H01F 27/40 - Association structurelle de composants électriques incorporés, p. ex. fusibles
H01F 37/00 - Inductances fixes non couvertes par le groupe
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/267 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des éléments couverts par plusieurs des groupes , , , , dans différentes régions semi-conductrices
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY (Japon)
Inventeur(s)
Goto, Ken
Koukitu, Akinori
Kumagai, Yoshinao
Murakami, Hisashi
Abrégé
3-based single crystal and is formed on the principal surface of the semiconductor substrate by epitaxial crystal growth using the HVPE method. A method for manufacturing the epitaxial wafer includes forming the epitaxial layer by epitaxial crystal growth using the HVPE method on the semiconductor substrate.
H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
100.
Nitride semiconductor template and ultraviolet LED
brevets
