A switching power supply device includes a first switch, a second switch, a current sensing portion configured to sense current flowing in the second switch, and a controller configured to control the first and second switches in accordance with the current sensed by the current sensing portion. The controller includes an accumulating portion configured to accumulate information of the current sensed by the current sensing portion during a predetermined period of time while the first switch is in the off state, and reflecting portion configured to start the transmission of the current information accumulated by the accumulating portion before the first switch is changed from the off state to the on state so as to reflect the current information accumulated by the accumulating portion on the slope voltage, and controls the first and second switches in accordance with the slope voltage.
B60L 50/50 - Propulsion électrique par source d'énergie intérieure au véhicule utilisant de la puissance de propulsion fournie par des batteries ou des piles à combustible
H02H 7/12 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés aux machines ou aux appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou de ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un changement indésirable des conditions normales de travail pour convertisseursCircuits de protection de sécurité spécialement adaptés aux machines ou aux appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou de ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un changement indésirable des conditions normales de travail pour redresseurs pour convertisseurs ou redresseurs statiques
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation
A micro-electromechanical systems (MEMS) Z-axis accelerometer can comprise a substrate, a sensor configured to measure an acceleration along an axis that extends in a direction perpendicular to a plane of the substrate, and a spring axis configured to deform axially in response to the acceleration. The sensor can include a comb finger arrangement in which a comb finger overlap area is parallel with the spring axis. Fingers of the comb finger arrangement can extend in a non-sensing direction of lowest restoring force.
A first integrated circuit and a second integrated circuit are coupled via a single-line communication line so as to form a circuit system. Multiple low times are defined in a protocol corresponding to multiple commands. The first integrated circuit fixes the electric potential of the communication line to a low level during the low time that corresponds to a command to be transmitted, so as to allow the command to be transmitted to the second integrated circuit.
H03L 7/00 - Commande automatique de fréquence ou de phaseSynchronisation
H03K 17/56 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
The present invention provides a nitride semiconductor device, including: a silicon substrate; a first lateral transistor over a first region of the silicon substrate and including: a first nitride semiconductor layer formed over the silicon substrate; and a first gate electrode, a first source electrode and a first drain electrode formed over the first nitride semiconductor layer; a second lateral transistor over a second region of the silicon substrate and including: a second nitride semiconductor layer formed over the silicon substrate; and a second gate electrode, a second source electrode and a second drain electrode formed over the second nitride semiconductor layer; a first separation trench formed over a third region; a source/substrate connecting via hole formed over the third region; and an interlayer insulating layer formed in the first separation trench.
H10D 62/85 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs
H10D 30/47 - Transistors FET ayant des canaux à gaz de porteurs de charge de dimension nulle [0D], à une dimension [1D] ou à deux dimensions [2D] ayant des canaux à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p. ex. transistors FET à nanoruban ou transistors à haute mobilité électronique [HEMT]
H10D 84/83 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET de composants à effet de champ uniquement de transistors FET à grille isolée [IGFET] uniquement
5.
COOLER AND COOLING STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
A cooler includes: a housing that includes an opening, an internal space, and a bottom; and a partition wall that rises in a first direction from the bottom and that is accommodated in the internal space. The housing includes an inlet channel and an outlet channel that are connected to the internal space. The internal space includes a first reservoir and a second reservoir that are partitioned by the partition wall. The first reservoir is connected to the inlet channel. The second reservoir is connected to the outlet channel. The partition wall includes an overflow section that overlaps with the opening as viewed in the first direction and is farthest from the bottom. The overflow section is located between the bottom and the opening.
H01L 23/46 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
An SiC semiconductor device includes an SiC semiconductor layer including an SiC monocrystal that is constituted of a hexagonal crystal and having a first main surface as a device surface facing a c-plane of the SiC monocrystal and has an off angle inclined with respect to the c-plane, a second main surface at a side opposite to the first main surface, and a side surface facing an a-plane of the SiC monocrystal and has an angle less than the off angle with respect to a normal to the first main surface when the normal is 0°.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 23/16 - Matériaux de remplissage ou pièces auxiliaires dans le conteneur, p. ex. anneaux de centrage
H10D 30/66 - Transistors FET DMOS verticaux [VDMOS]
H10D 62/10 - Formes, dimensions relatives ou dispositions des régions des corps semi-conducteursFormes des corps semi-conducteurs
H10D 62/832 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé étant des matériaux du groupe IV comprenant deux éléments ou plus, p. ex. SiGe
H10D 64/23 - Électrodes transportant le courant à redresser, à amplifier, à faire osciller ou à commuter, p. ex. sources, drains, anodes ou cathodes
H10D 84/00 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si
H10D 89/00 - Aspects des dispositifs intégrés non couverts par les groupes
7.
SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MODULE, LED DRIVE DEVICE, DC/DC CONVERTER, AND VEHICLE
A semiconductor device for controlling a driver circuit configured to drive an electronic device includes: a processing circuit configured to control the driver circuit according to a device address setting signal from outside and a control signal from outside; and an autonomous processing circuit provided independently of the processing circuit and configured to control the driver circuit under a preset condition, wherein when the device address setting signal falls within a predetermined condition, the processing circuit is enabled and the autonomous processing circuit is disabled, and when the device address setting signal deviates from the predetermined condition, the autonomous processing circuit is enabled and the processing circuit is disabled.
The wafer structure includes a wafer which has a first surface on one side and a second surface on the other side, a first electrode which covers the first surface, a second electrode which covers an inward portion of the second surface such as to expose a peripheral edge portion of the second surface, and a protective tape which has characteristics that an adhesion to the peripheral edge portion of the second surface is higher than an adhesion to the second electrode and which is adhered to the peripheral edge portion of the second surface and the second electrode.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe
H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
A mounting structure includes: a substrate; a conductive portion (a first conductive portion and a second conductive portion); a resistor arranged on a path through which a current flows in the conductive portion; and a detection wiring portion (a first detection wiring and a second detection wiring) electrically connected to the resistor. The first conductive portion includes a first pad portion arranged on a first side in a first direction. The second conductive portion includes a second pad portion offset from the first pad portion to a second side in the first direction. The mounting structure further includes a first conductive bonding member for bonding a first pad obverse surface and the resistor (the first portion), and a second conductive bonding member for bonding a second pad obverse surface and the resistor (the second portion). A first wiring obverse surface (a second wiring obverse surface) is offset to a second side in a thickness direction relative to the first pad obverse surface (the second pad obverse surface).
A semiconductor light emitting device comprises a current confinement layer and a semiconductor light emitting stack. The semiconductor light emitting stack is disposed on the current confinement layer and has a bottom surface in contact with the current confinement layer. The current confinement layer includes an insulating layer and a plurality of conductive portions. The plurality of conductive portions are disposed in the insulating layer in contact with the bottom surface. An area ratio of the plurality of conductive portions to the bottom surface is 7% or more and 15% or less.
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
A semiconductor light emitting device includes: a surface emitting laser element including an element front surface and configured to emit laser light from the element front surface; an element container including a bottom wall where the surface emitting laser element is arranged and a peripheral wall surrounding the surface emitting laser element when viewed from a direction perpendicular to the element front surface, the bottom wall and the peripheral wall constituting a containing space which contains the surface emitting laser element and is open on a same side as the element front surface; a diffusion layer covering the element front surface in the containing space and including a diffusion material; and a reflector covering at least one selected from the group of the bottom wall and the peripheral wall in the containing space and made of a resin material having a higher reflectivity than the diffusion layer.
H01S 5/02255 - Découplage de lumière utilisant des éléments de déviation de faisceaux lumineux
H01S 5/02234 - Boîtiers remplis de résineBoîtiers en résine
H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
12.
GATE DRIVER CIRCUIT, MOTOR DRIVE DEVICE USING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
A gate driver circuit for driving an N-type power transistor that constitutes a switching circuit, includes: a high-level line on which a voltage higher than a source of the power transistor is generated; a turn-on transistor configured to source a current to a gate of the power transistor; a turn-off transistor configured to sink a current from the gate of the power transistor; and a control circuit, wherein the turn-on transistor includes a plurality of transistors connected between the gate of the power transistor and the high-level line, and wherein the control circuit controls on/off states of the plurality of transistors so that when turning the power transistor on, the turn-on transistor has a first drive capability in a first period, a second drive capability lower than the first drive capability in a second period, and a third drive capability higher than the second drive capability in a third period.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H02P 27/00 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation
13.
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND POWER SUPPLY DEVICE
A semiconductor integrated circuit device configured to be used as a part of a power supply device includes: an error amplifier configured to output an error voltage according to a difference between a feedback voltage, which is based on an output voltage of the power supply device, and a reference voltage; a first switching element and a second switching element that are connected in series; a first controller configured to control switching of the first switching element and the second switching element based on the error voltage; an output transistor; a second controller configured to linearly control the output transistor based on the error voltage; and a first terminal configured so that a connection node between the first switching element and the second switching element and an output terminal of the output transistor are connected to the first terminal.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
14.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes a semiconductor substrate having a first conductivity type; a gate electrode positioned on the semiconductor substrate; and a semiconductor part embedded in the semiconductor substrate and having the first conductivity type, in which the semiconductor substrate is provided with at least a part of a drift region being adjacent to the semiconductor part and having a second conductivity type, and a surface of the semiconductor part and a first portion included in a surface of the drift region are positioned higher than a second portion in a surface of the semiconductor substrate, the second portion being positioned below the gate electrode.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/308 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
15.
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH IMPROVED HEAT DISSIPATION
A semiconductor device includes a lead frame, a semiconductor element mounted on the top surface of the bonding region, and a case covering part of the lead frame. The bottom surface of the bonding region is exposed to the outside of the case. The lead frame includes a thin extension extending from the bonding region and having a top surface which is flush with the top surface of the bonding region. The thin extension has a bottom surface which is offset from the bottom surface of the bonding region toward the top surface of the bonding region.
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
A semiconductor device includes a semiconductor layer of a first conductivity type that has a main surface and that includes a device region, a base region of a second conductivity type that is formed in a surface layer portion of the main surface at the device region, a source region of the first conductivity type that is formed in a surface layer portion of the base region at an interval inward from a peripheral portion of the base region and that defines a channel region with the semiconductor layer, a base contact region of the second conductivity type that is formed in a region different from the source region at the surface layer portion of the base region and that has an impurity concentration exceeding an impurity concentration of the base region, a well region of the first conductivity type that is formed in the surface layer portion of the main surface at an interval from the base region at the device region and that defines a drift region with the base region, a drain region of the first conductivity type that is formed in a surface layer portion of the well region, an impurity region of the second conductivity type that is formed in the surface layer portion of the well region and that is electrically connected to the drain region, and a gate structure that has a gate insulating film covering the channel region on the main surface and a gate electrode facing the channel region on the gate insulating film and electrically connected to the source region and the base contact region.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
A semiconductor device includes a semiconductor layer made of SiC. A transistor element having an impurity region is formed in a front surface portion of the semiconductor layer. A first contact wiring is formed on a back surface portion of the semiconductor layer, and defines one electrode electrically connected to the transistor element. The first contact wiring has a first wiring layer forming an ohmic contact with the semiconductor layer without a silicide contact and a second wiring layer formed on the first wiring layer and having a resistivity lower than that of the first wiring layer.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
A semiconductor device includes an insulating layer, a conductive layer, a heat dissipation layer, a semiconductor element, and a bonding layer. The conductive layer includes an obverse surface facing away from the insulating layer in a first direction and is bonded to the insulating layer. The heat dissipation layer is located opposite to the conductive layer with respect to the insulating layer and bonded to the insulating layer. The semiconductor element is bonded to the obverse surface. The bonding layer bonds the obverse surface and the semiconductor element. The conductive layer is formed with a recess that is recessed from the obverse surface. The bonding layer includes a first portion located between the semiconductor element and the recess as viewed in the first direction, and the first portion covers the obverse surface.
H01L 23/10 - ConteneursScellements caractérisés par le matériau ou par la disposition des scellements entre les parties, p. ex. entre le couvercle et la base ou entre les connexions et les parois du conteneur
19.
SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS AND VEHICLE
The present disclosure provides a semiconductor device. The semiconductor device includes: a semiconductor substrate; a well, formed in the semiconductor substrate; an output terminal, electrically connected to the semiconductor substrate; a ground terminal, configured to receive a ground voltage; a detection signal generating circuit, configured to generate a negative current detection signal when an output voltage present at the output terminal is detected to be less than the ground voltage; and a control circuit, configured to apply the ground voltage or the output voltage to the well in response to the negative current detection signal. The detection signal generating circuit includes: a comparator, configured to generate the negative current detection signal by comparing an output detection voltage with the ground voltage or the threshold voltage; a bias circuit, configured to switch between applying the output voltage or a bias voltage as the output detection voltage; and a clamp circuit.
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
A first current source is configured to generate a first current switchable between a first current amount and a second current amount less than the first current amount. A first current mirror circuit has an input node to which the first current source is connected and is configured to fold and supply the first current to a gate of a power transistor. An on-fixing switch is connected between the gate of the power transistor and a high-level line in which a high voltage equivalent to a high level of a gate voltage of the power transistor is generated. A control circuit is configured to control the on-fixing switch and the first current source.
A semiconductor light emitting device includes a surface-emitting laser element including an element front surface from which a laser beam is emitted, a light-transmissive first resin portion that encapsulates the surface-emitting laser element and includes a first resin surface, and a second resin portion that differs from the first resin portion and is at least partially formed on the first resin surface facing the element front surface in a direction orthogonal to the element front surface.
Provided is a light-emitting element drive system including a leader light-emitting element drive device configured to be capable of driving light-emitting elements, and to include a DC/DC controller configured to be capable of controlling an output stage that can output an output voltage; and a plurality of follower light-emitting element drive devices configured to be capable of driving the light-emitting elements applied with the output voltage. The follower light-emitting element drive device includes at least one signal output terminal capable of outputting an operation information signal related to driving of the light-emitting elements. A plurality of the signal output terminals are connected to the same node, and the same node is connected to a signal input terminal of the leader light-emitting element drive device.
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
An electronic component of the present disclosure includes a first insulating layer that includes impurities, a thin film resistor formed on the first insulating layer, and a barrier layer that is formed in at least one part of a region between the thin film resistor and the first insulating layer and that obstructs transmission of the impurities. The first insulating layer includes a first surface and a concave portion that is hollowed with respect to the first surface, and the barrier layer may include a first part embedded in the concave portion and a second part formed along the first surface of the first insulating layer from an upper area of the first part.
H01C 1/034 - BoîtiersEnveloppesEnrobageRemplissage de boîtier ou d'enveloppe le boîtier ou l'enveloppe étant constitué par un revêtement ou un moulage sans gaine extérieure
H01C 1/032 - BoîtiersEnveloppesEnrobageRemplissage de boîtier ou d'enveloppe avec plusieurs couches entourant l'élément résistif
H01C 7/00 - Résistances fixes constituées par une ou plusieurs couches ou revêtementsRésistances fixes constituées de matériaux conducteurs en poudre ou de matériaux semi-conducteurs en poudre avec ou sans matériaux isolants
A semiconductor device has an electrode structure that includes source electrodes, a gate electrode, and drain electrodes disposed on a semiconductor laminated structure and extending in parallel to each other and in a predetermined first direction and a wiring structure that includes source wirings, drain wirings, and gate wirings disposed on the electrode structure and extending in parallel to each other and in a second direction orthogonal to the first direction. The source wirings, the drain wirings, and the gate wirings are electrically connected to the source electrodes, the drain electrodes, and the gate electrode, respectively. The semiconductor device includes a conductive film disposed between the gate electrode and the drain wirings and being electrically connected to the source electrodes.
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
A photodiode comprises a substrate and a semiconductor stack. The substrate has a major surface. The semiconductor stack is disposed on the major surface. The semiconductor stack includes a buffer layer disposed on the major surface and a light absorption layer disposed on the buffer layer. The light absorption layer is formed of InxGa1-xAsyP1-y, where x and y are larger than 0 and smaller than 1. The buffer layer is formed of InzGa1-zAs, where z is larger than 0 and smaller than 1.
H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 31/109 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PN à hétérojonction
In a power conversion circuit, a first end of an inductor is connected to a connection point between a first and a second switching elements. The first switching element is turned on and turned off by a gate driver. When the first switching element is turned on, a conduction current flows through the inductor and energy is stored. When the first switching element is turned off, due to release of the energy, a rectified current is generated through the second switching element. A loop of a gate current supplied by the gate driver is formed inside a loop of the rectified current. A magnetic flux that is in an opposite direction of a magnetic flux of the rectified current and is generated in the loop of the gate current generates an induced current in a direction opposite to the gate current, and charges accumulated in a gate are drawn out.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 7/5387 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p. ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur dans une configuration en pont
A nitride semiconductor device includes a first nitride semiconductor layer that constitutes an electron transit layer, a second nitride semiconductor layer that is formed on the first nitride semiconductor layer, is larger in bandgap than the first nitride semiconductor layer, and constitutes an electron supply layer, and a gate portion that is formed on the second nitride semiconductor layer. The gate portion includes a first semiconductor gate layer of a ridge shape that is disposed on the second nitride semiconductor layer and is constituted of a nitride semiconductor containing an acceptor type impurity, a second semiconductor gate layer that is formed on the first semiconductor gate layer and is constituted of a nitride semiconductor with a larger bandgap than the first semiconductor gate layer, and a gate electrode that is formed on the second semiconductor gate layer and is in Schottky junction with the second semiconductor gate layer.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
A pull-up circuit contains a variable current source structured to supply current to a CC pin of a connector. A voltage detection circuit is structured to measure voltage at a CC1 pin and at a CC2 pin. A processor is structured to control the variable current source, and to detect moisture adhered to the CC1 pin and the CC2 pin, with reference to an output of the voltage detection circuit.
In a switching power supply apparatus configured to generate an output voltage from an input voltage, the output voltage is obtained by rectifying and smoothing a switch voltage obtained by alternately turned on and off first and second transistors connected in series to each other in accordance with the output voltage. A light-load support circuit includes a reverse current detection circuit that outputs a reverse current detection signal when a magnitude of the switch voltage is lower than an offset voltage during an on period of the second transistor, and an offset correction circuit. In response to the reverse current detection signal, a transition to a specific state occurs, in which the first and second transistors are off. The offset correction circuit corrects the offset voltage on the basis of the switch voltage at a specific timing of being switched to the specific state.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
A linear power source circuit includes: an input unit to which an input signal is input and which outputs a first current signal; a current-voltage convertor which converts the first current signal into a first voltage signal; a voltage-current convertor configured to convert the first voltage signal into a second current signal; and an output unit configured to generate an output voltage signal from the second current signal by a first current mirror unit, a second current mirror unit, and a third current mirror unit, and configured to output the output voltage signal to an output terminal. The input unit and the current-voltage convertor constitute a current feedback type operational amplifier.
H03F 3/21 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H03F 3/42 - Amplificateurs comportant plusieurs éléments amplificateurs ayant leurs circuits à courant continu en série avec la charge, l'électrode de commande de chaque élément étant excitée par au moins une partie du signal d'entrée, p. ex. amplificateurs dit "totem pole"
32.
MACRO MODEL, CIRCUIT DESIGN SIMULATION PROGRAM INCLUDING MACRO MODEL AND CIRCUIT DESIGN SIMULATOR CAPABLE OF EXECUTING CIRCUIT DESIGN SIMULATION PROGRAM
A macro model is used in a circuit design simulator based on a nodal method. The macro model is configured to include a behavior model the function of which is defined by one conditional branch that includes a plurality of conditional branches as options.
G06F 30/327 - Synthèse logiqueSynthèse de comportement, p. ex. logique de correspondance, langage de description de matériel [HDL] à liste d’interconnections [Netlist], langage de haut niveau à langage de transfert entre registres [RTL] ou liste d’interconnections [Netlist]
G06F 30/3308 - Vérification de la conception, p. ex. simulation fonctionnelle ou vérification du modèle par simulation
A semiconductor device includes an insulating layer, a barrier electrode layer formed on the insulating layer, a Cu electrode layer that includes a metal composed mainly of copper and that is formed on a principal surface of the barrier electrode layer, and an outer-surface insulating film that includes copper oxide, that coats an outer surface of the Cu electrode layer, and that is in contact with the principal surface of the barrier electrode layer.
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
A chip resistor includes: an insulating substrate having a front surface, a back surface on an opposite side of the insulating substrate from the front surface, a first end surface connected to the front surface and the back surface, and a second end surface on an opposite side of the insulating substrate from the first end surface; a resistor layer disposed over the front surface; a first electrode connected to the resistor layer; and a second electrode connected to the resistor layer, wherein the first end surface and the second end surface are spaced apart from each other in a direction in which the first electrode and the second electrode are spaced apart from each other, and wherein the first electrode includes a first back surface electrode disposed over the back surface and electrically connected to the resistor layer.
H01C 17/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de résistances
H01C 1/028 - BoîtiersEnveloppesEnrobageRemplissage de boîtier ou d'enveloppe l'élément résistif étant enrobé dans un matériau isolant pourvu d'une gaine extérieure
H01C 1/142 - Bornes ou points de prise spécialement adaptés aux résistancesDispositions de bornes ou points de prise sur les résistances les bornes ou points de prise étant constitués par un revêtement appliqué sur l'élément résistif
H01C 7/06 - Résistances fixes constituées par une ou plusieurs couches ou revêtementsRésistances fixes constituées de matériaux conducteurs en poudre ou de matériaux semi-conducteurs en poudre avec ou sans matériaux isolants présentant des moyens pour réduire au minimum les variations de résistance dépendantes des variations de température
H01C 17/23 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de résistances adaptés pour ajuster la valeur de la résistance en ouvrant ou en fermant des pistes résistantes d'une valeur prédéterminée
An insulating substrate comprises a ceramic substrate having a major surface, a plurality of first ribs formed on the major surface, and a glaze layer disposed on the major surface so as to cover the plurality of first ribs. The plurality of first ribs in plan view extend in a first direction and are spaced in a second direction orthogonal to the first direction and thus aligned.
A power semiconductor device used in a boost converter to boost an input voltage comprises: an output terminal; a switching circuit including a switching transistor and configured to generate an output terminal voltage at the output terminal using an inductor that receives the input voltage, the output terminal voltage resulting from boosting of the input voltage; a feedback terminal to receive a monitoring subject voltage responsive to the output terminal voltage via an external wire of the power semiconductor device; and a control driving circuit configured to control the switching circuit on the basis of error between a comparison voltage and a predetermined reference voltage, the comparison voltage being determined on the basis of a feedback voltage applied to the feedback terminal and the output terminal voltage.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
A semiconductor device includes: a first chip including a first semiconductor substrate, a first circuit, and a first element insulating layer formed over the first semiconductor substrate; a second chip spaced apart from the first chip in a first direction and including a second semiconductor substrate, a second circuit, and a second element insulating layer formed over the second semiconductor substrate; a sub-mount chip separate from the first and second chips; and a transformer chip disposed over the sub-mount chip and including a transformer through which the first and second circuits transmit signals or power, wherein the transformer chip includes a third semiconductor substrate and a third element insulating layer formed over the third semiconductor substrate, wherein the transformer is embedded in the third element insulating layer, and wherein the sub-mount chip includes a fourth semiconductor substrate and an insulating layer formed over the fourth semiconductor substrate.
A nitride semiconductor device includes an electron transit layer, an electron supply layer, a gate layer, a gate electrode on the gate layer, a source electrode, and a drain electrode. The gate layer includes a first gate portion, a second gate portion, and a recess between the first gate portion and the second gate portion. The gate electrode is arranged over both the first gate portion and the second gate portion. The nitride semiconductor device further includes an insulator located in the recess.
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
A simulation apparatus comprises a model storage unit storing a motor physical model modeled by a wiring circuit section and a rotation motion equation section, and an abnormal state model obtained by modeling a motor abnormal state; and a model arithmetic unit configured to perform arithmetic processing using the motor physical model. The abnormal state model calculates an abnormal parameter indicating a deviation amount from a normal state, and the abnormal parameter is input to the motor physical model.
A pulse transmission circuit is incorporated in a signal transmission device employing a capacitive insulation method, and configured to cause a transmission pulse signal, which is transmitted to a capacitor of a subsequent stage, to make a gradual logic-level transition when a logic level of an input pulse signal switches. For example, the pulse transmission circuit may be configured to trigger the transmission pulse signal a plurality of times, while causing the transmission pulse signal to make a gradual logic-level transition, so as to repeat raising and lowering of the transmission pulse signal.
H03K 17/689 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ avec une isolation galvanique entre le circuit de commande et le circuit de sortie
H03M 1/78 - Conversion simultanée utilisant un réseau en échelle
41.
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device includes a semiconductor element, a lead frame, a conductive member, a resin composition and a sealing resin. The semiconductor element has an element front surface and an element back surface facing away in a first direction. The semiconductor element is mounted on the lead frame. The conductive member is bonded to the lead frame, electrically connecting the semiconductor element and the lead frame. The resin composition covers a bonded region where the conductive member and lead frame are bonded while exposing part of the element front surface. The sealing resin covers part of the lead frame, the semiconductor element, and the resin composition. The resin composition has a greater bonding strength with the lead frame than a bonding strength between the sealing resin and lead frame and a greater bonding strength with the conductive member than a bonding strength between the sealing resin and conductive member.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
A semiconductor device includes a semiconductor element, a sealing resin covering the semiconductor element, a terminal electrically connected to the semiconductor element and protruding from the sealing resin in a first direction orthogonal to a thickness direction, and a plating layer located on the terminal. The terminal includes an end surface at a distal end protruding from the sealing resin, a first surface facing a first side in the thickness direction, and a recess recessed from both the end surface and the first surface. The plating layer includes a recess plating section located on at least a portion of the recess.
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A semiconductor device includes a semiconductor element and a first connection member. The semiconductor element includes a substrate and an electrode pad. The substrate includes a transistor formation region, in which a transistor is formed and which is shaped to be non-quadrangular. The electrode pad is located on the transistor formation region. The first connection member is connected to the electrode pad at one location. The electrode pad is arranged to cover a center of gravity of the transistor formation region in a plan view of the electrode pad. In the plan view, a connection region in which the first connection member is connected to the electrode pad includes a center of gravity position of the transistor formation region.
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
H01L 21/765 - Réalisation de régions isolantes entre les composants par effet de champ
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
A semiconductor device includes: a first chip including a first circuit; a second chip disposed to be spaced apart from the first chip in a first direction and including a second circuit; and a transformer chip disposed over the first chip and including a transformer. The first circuit and the second circuit are configured to transmit a signal or power via the transformer. The transformer chip includes: an element insulating layer; and an outer coil and an inner coil disposed as the transformer in the element insulating layer. The inner coil is disposed inside the outer coil so as not to overlap the outer coil when viewed from a thickness direction of the element insulating layer.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
The present disclosure provides a nitride semiconductor device. The nitride semiconductor device includes: an electron travelling layer; an electron supply layer; a gate layer, formed on the electron supply layer; a gate electrode, formed on the gate layer; and a passivation layer, having a source opening and a drain opening. The electron travelling layer includes: a first portion, located under the gate layer; and a second portion, located between the gate layer and the source opening, and located between the gate layer and the drain opening. The electron supply layer includes: a first electron supply layer, formed on the first portion and located below the gate layer; and a second electron supply layer, formed on the second portion and connected to the first electron supply layer.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
46.
HALL ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
The present disclosure provides a Hall element. The Hall element includes: a substrate; a magnetosensitive layer, disposed on a top surface of the substrate; a protective layer, covering the magnetosensitive layer and having an opening exposing a predetermined region of the magnetosensitive layer; an ohmic contact layer, electrically connected to the magnetosensitive layer exposed from the opening, wherein a portion of the ohmic contact layer is in contact with the protective layer around the opening; and a metal layer, disposed on the ohmic contact layer, wherein a portion of the metal layer is in contact with the protective layer around the ohmic contact layer.
A power supply control device includes a feedback terminal, a feedback control circuit, and a terminal inspection circuit. The feedback control circuit is configured to control an output stage of a power supply device according to a feedback voltage applied to the feedback terminal. The terminal inspection circuit is configured to forcibly stop driving the output stage when it is detected that the feedback voltage is lower than a first threshold and an output current flowing through the output stage is higher than a second threshold during a first period at start-up, or when it is detected that the feedback voltage is lower than the first threshold at completion of the first period.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02H 3/20 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension
H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
Provided is a semiconductor package including a Si substrate, a drift layer, a buffer layer, an anode electrode, a trench, a semiconductor apparatus, an anode terminal, a cathode terminal, and a sealing resin.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
GATE DRIVE CIRCUIT, POWER GOOD CIRCUIT, OVERCURRENT DETECTION CIRCUIT, OSCILLATION PREVENTION CIRCUIT, SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND SWITCHING POWER SUPPLY DEVICE
A high-side pre-driver includes a first high-side transistor and a second high-side transistor, a low-side pre-driver includes a third high-side transistor and a fourth high-side transistor and a delay is provided in at least one of a time period between a first gate signal configured to turn on the first high-side transistor and a second gate signal configured to turn on the second high-side transistor and a time period between a third gate signal configured to turn on the third high-side transistor and a fourth gate signal configured to turn on the fourth high-side transistor.
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
In order both to accommodate instantaneous current as well as overcurrent protection in accordance with the load, an overcurrent protection circuit has: a threshold value generation unit that, in accordance with a threshold value control signal, switches between setting an overcurrent detection threshold value to a first set value (∝Iref) and a second set value (∝Iset) lower than the first set value; an overcurrent detection unit that compares a sense signal in accordance with the current being monitored and the overcurrent detection value and generates an overcurrent protection signal; a reference value generation unit that generates a reference value (∝Iset) in accordance with the seconds set value; a comparison unit that compares the sense signal and the reference value, and generates a comparison signal; and a threshold value control unit that monitors the comparison signal, and generates a threshold value control signal.
H02H 1/00 - Détails de circuits de protection de sécurité
B60R 16/02 - Circuits électriques ou circuits de fluides spécialement adaptés aux véhicules et non prévus ailleursAgencement des éléments des circuits électriques ou des circuits de fluides spécialement adapté aux véhicules et non prévu ailleurs électriques
B60R 16/03 - Circuits électriques ou circuits de fluides spécialement adaptés aux véhicules et non prévus ailleursAgencement des éléments des circuits électriques ou des circuits de fluides spécialement adapté aux véhicules et non prévu ailleurs électriques pour l'alimentation des sous-systèmes du véhicule en énergie électrique
H02H 3/087 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge pour des systèmes à courant continu
H02H 3/093 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge avec des moyens de temporisation
H02H 7/20 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés aux machines ou aux appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou de ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un changement indésirable des conditions normales de travail pour équipement électronique
51.
JOINT STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND JOINING METHOD
A joint structure includes a first and a second metal member overlapping with each other as viewed in a first direction. The first metal member and the second metal member are joined together. The joint structure includes a welded portion at which the first metal member and the second metal member, overlapping with each other, are partly fused to each other. The welded portion has an outer circumferential edge and a plurality of linear marks. The outer circumferential edge is annular as viewed in the first direction. The plurality of linear marks each extend from an inside of the welded portion toward the outer circumferential edge as viewed in the first direction. Each of the plurality of linear marks is curved to bulge to one sense of an annular direction along the outer circumferential edge.
A semiconductor device includes a first wire, a first semiconductor element including an electrode electrically connected to the first wire, and a bump electrically bonded to the electrode. The first wire includes a first bonding portion located at one end and a second bonding portion located at another end. The bump includes a disc portion in contact with the electrode, and a pillar portion protruding from the disc portion in a first direction. The second bonding portion is electrically bonded to the pillar portion. A dimension of the pillar portion in the first direction increases as approaching the first bonding portion.
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A semiconductor device includes a plurality of first switching parts, a first control element, at least one lead, a plurality of first connection members and a plurality of second connection members. Each first switching part includes a first switching element and a second switching element. In the plurality of first switching parts, the first switching element and the second switching element are electrically connected in parallel to each other and are of different types. The first switching element and the second switching element of each first switching part are disposed around the first control element as viewed in a thickness direction.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continuTransformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
H02M 7/537 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p. ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur
54.
NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING LAYERED STRUCTURE OF ACTIVE REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
A nitride semiconductor device includes a channel layer, a barrier layer made of AlxInyGa1-x-yN (x>0, x+y≤1), an active region that has a layered structure including the channel layer and the barrier layer, an inactive region that is formed at the layered structure around the active region and that is a concave portion having a bottom portion that reaches the channel layer, a gate layer made of a nitride semiconductor selectively formed on the barrier layer in the active region, a gate electrode formed on the gate layer, a first insulating film that covers the gate electrode and that is in contact with the barrier layer in the active region, and a second insulating film that covers the first insulating film and that is in contact with the inactive region.
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
A semiconductor device includes a semiconductor element circuit, a conductive support and a sealing resin. The conductive support includes a die pad, first terminals spaced in a first direction, second terminals spaced in the first direction and opposite to the first terminals in a second direction perpendicular to the first direction, and a support terminal connected to the die pad. The sealing resin encapsulates portions of the first and second terminals, a portion of the support terminal, the semiconductor element circuit and the die pad. The sealing resin has two first side surfaces spaced apart in the second direction and two second side surfaces spaced apart in the first direction. The first terminals and second terminals are exposed from the first side surfaces, while none of the elements of the conductive support is exposed from the second side surfaces.
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
A linear regulator includes: a first transistor of an N-channel type configured to be connected between an application terminal for an input terminal and an application terminal for a stabilized voltage; a second transistor of an N-channel type configure to, by forming a current mirror type output stage with the first transistor, generate an output current flowing in the first transistor by mirroring a bias current flowing in the second transistor itself; a feedback controller circuit configured to control the bias current according to the difference between a feedback voltage corresponding to the stabilized voltage and a predetermined reference voltage; and a load configured to draw a first leakage current from a control terminal common to the first and second transistors.
G05F 1/575 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final caractérisé par le circuit de rétroaction
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
A semiconductor device includes a semiconductor chip that has a main surface, an insulating layer that is formed on the main surface, a functional device that is formed in at least one among the semiconductor chip and the insulating layer, a low potential terminal that is formed on the insulating layer and is electrically connected to the functional device, a high potential terminal that is formed on the insulating layer at an interval from the low potential terminal and is electrically connected to the functional device, and a seal conductor that is embedded as a wall in the insulating layer such as to demarcate a region including the functional device, the low potential terminal and the high potential terminal from another region in plan view, and is electrically separated from the semiconductor chip, the functional device, the low potential terminal and the high potential terminal.
The present disclosure provides a thermal print head. The thermal print head includes: a substrate; a glaze layer; a wiring layer; a heat element; and a protective layer. The glaze layer is disposed on the substrate. The wiring layer is disposed on the glaze layer. The wiring layer has a common electrode and a plurality of individual electrodes. The common electrode has protrusions arranged in intervals along a first direction in a plan view and extending along a second direction perpendicular to the first direction in the plan view. The plurality of individual electrodes have tip portions extending along the second direction. The protrusions and the tip portions are alternately arranged in intervals along the first direction in the plan view. The heat element extends along the first direction in the plan view, is disposed on the glaze layer, and overlaps with the protrusions and the tip portions.
A bootstrap circuit includes a first switch configured to have a first terminal to which a constant voltage is applied, a capacitor configured to have a first terminal to which a second terminal of the first switch is connected and a second terminal to which a switching voltage is applied, and a controller configured to control the first switch based on the switching voltage and a control signal. The switching voltage is a voltage generated at a connection node between a first switching element and a second switching element. The second switching element is a switching element provided on a lower potential side with respect to the first switching element and configured to perform switching based on the control signal.
H02M 3/145 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande
B60R 16/03 - Circuits électriques ou circuits de fluides spécialement adaptés aux véhicules et non prévus ailleursAgencement des éléments des circuits électriques ou des circuits de fluides spécialement adapté aux véhicules et non prévu ailleurs électriques pour l'alimentation des sous-systèmes du véhicule en énergie électrique
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
60.
OVERCURRENT PROTECTION CIRCUIT, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND VEHICLE
An overcurrent protection circuit that limits a current to be monitored based on a current limit signal includes: a first transistor and a second transistor configured to form an amplifier input stage that receives input of a detection signal according to the current to be monitored; a third transistor configured to generate a current output signal according to a difference between the detection signal and a reference signal, and configured to form an amplifier output stage that inputs the current output signal as a negative feedback to the amplifier input stage; and a current mirror circuit configured to generate the current limit signal by replicating a signal based on the current output signal.
A piezoelectric film device 90 includes a substrate 80 having a lower surface 81 and an upper surface 82 facing opposite directions, a support portion 41 supporting the lower surface 81 and fixed to an installation surface, and a piezoelectric film 12 provided on the upper surface 82 and displaced in a vertical direction together with the substrate 80 in response to application of a bias voltage and a drive voltage, in which the substrate 80 has a first region 81x supported by the support portion 41 and a second region 81y not supported by the support portion 41 as regions of the lower surface 81, and in a state where the bias voltage and the drive voltage are not applied, the substrate 80 is formed to be warped such that the second region 81y is located closer to the installation surface than the first region 81x.
An output feedback control circuit includes, for example, a first amplifier configured to generate a first error signal commensurate with a difference between an output voltage, which is fed to a load, or a feedback voltage commensurate therewith and a reference voltage, a second amplifier configured to be faster than the first amplifier and to generate a second error signal commensurate with a difference between the output voltage or the feedback voltage and the first error signal (or the reference voltage), a calculator configured to superimpose a remote sense signal, which is derived from a grounded terminal of the load, on the reference voltage, which is fed to the first amplifier, and a capacitor connected between an application terminal for the first error signal and an application terminal for the remote sense signal.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
An operational amplifier includes: an input circuit including a PMOS input differential pair and an NMOS input differential pair, an operating input differential pair being switchable between the PMOS input differential pair and the NMOS input differential pair; a current generation circuit structured to generate a reference current; and an output circuit through which an idling current that increases according to an increase in the reference current flows, and structured to generate an output voltage according to output signals of the PMOS input differential pair and the NMOS input differential pair. The current generation circuit is structured to make the reference current larger in a case where a decreasing condition of the idling current is satisfied than in a case where the decreasing condition is not satisfied.
The present disclosure provides a transducer. The transducer includes: a support substrate, having a first cavity; an oscillating device; and a lid, having a second cavity and bonded to the oscillating device by an adhesive. The oscillating device includes a first frame and an oscillating unit. A portion of the oscillating unit is connected to the first frame. When viewed from a connection direction of the oscillating device and the lid, the portion of the oscillating unit other than a connecting portion between the oscillating unit and the first frame is separated from the first frame by a slit penetrating the oscillating device along the connection direction. The lid has a second frame surrounding the second cavity and including a second bonding surface bonded to the first bonding surface by the adhesive. The first cavity and the second cavity are connected by the slit.
A semiconductor device A1 includes a substrate 3, a conductive section 5 formed on the substrate 3 and including a conductive material, a lead 1A located on the substrate 3, a semiconductor chip 4A located on the lead 1A, a control chip 4G located on the substrate 3 and electrically connected to the conductive section 5 and the semiconductor chip 4A for controlling an operation of the semiconductor chip 4A, and a resin 7 covering the semiconductor chip 4A, the control chip 4G, at least a part of the substrate 3 and a part of the lead 1A. This configuration contributes to achieving a higher level of integration of the semiconductor device.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
A semiconductor device includes: a first driver that drives an output element constituting a switching output stage; at least a part of a bootstrap circuit that generates a boot voltage higher than a switching voltage output from the switching output stage and feed the boot voltage to the first driver; and a boot voltage detection circuit that charges the boot voltage on sensing, with the output element off, the difference between the boot voltage and the switching voltage becoming lower than a lower-limit detection value. The boot voltage detection circuit senses the boot voltage through resistance voltage division if a rectification element constituting together with the output element the switching output stage is on, and senses the boot voltage through capacitance voltage division if the rectification element is off.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
A communication device includes a communication line, a master node, and a slave node. At least one of the master node or the slave node is configured to switch to either a first state in which feedback input of a bus voltage of the communication line is received to control a slew rate of the bus voltage to a desired value, and a second state in which input of a predetermined control signal is received to control the slew rate of the bus voltage to a desired value.
H04L 25/49 - Circuits d'émissionCircuits de réception à conversion de code au transmetteurCircuits d'émissionCircuits de réception à pré-distorsionCircuits d'émissionCircuits de réception à insertion d'intervalles morts pour obtenir un spectre de fréquence désiréCircuits d'émissionCircuits de réception à au moins trois niveaux d'amplitude
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
The present disclosure provides a semiconductor device including a diode. The semiconductor device includes: a semiconductor substrate; an n-type diffusion region selectively formed in a surface layer portion of a p-type epitaxial layer; an n-type buried layer sandwiched between the semiconductor substrate and the n-type diffusion region and having an impurity concentration greater than that of the n-type diffusion region; a p-type anode contact region formed in a surface layer portion of a first main surface of the semiconductor substrate; an n-type first cathode contact region formed in a surface layer portion of the n-type diffusion region and in a surface layer portion of the first main surface; a p-type well region extending along a depth direction from the first main surface outside the first cathode contact region to reach the n-type buried layer, dividing the n-type diffusion region along a direction along the first main surface.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
A semiconductor device includes a first unit, a second unit, and a third unit placed on the first unit and on the second unit. The first unit includes a first semiconductor substrate, a first element insulating layer, and a first insulation element. The second unit includes a second semiconductor substrate, a second element insulating layer, and a second insulation element. The third unit includes a third semiconductor substrate, a third element insulating layer, a third insulation element, and a fourth insulation element. In a unit arrangement state, the first insulation element and the third insulation element are placed to face each other in the Z-direction, and the second insulation element and the fourth insulation element are placed to face each other in the Z-direction.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
A gate drive circuit is configured to drive a gate of a second switching device in a motor drive circuit, the motor drive circuit including a plurality of half-bridge circuits each including a first switching device, and the second switching device that is connected in series to the first switching device and that is provided on a low-potential side relative to the first switching device, the motor drive circuit being configured to drive a motor. The gate drive circuit includes: a current source unit that is configured to allow current to flow into the gate; and a current sink unit that is configured to draw current from the gate. The current source unit includes a first diode that is provided with an orientation in which a cathode of the first diode is directed to a side where the gate of the second switching device is present.
H02P 3/22 - Dispositions pour l'arrêt ou le ralentissement de moteurs, génératrices électriques ou de convertisseurs dynamo-électriques pour arrêter ou ralentir individuellement un moteur dynamo-électrique ou un convertisseur dynamo-électrique pour arrêter ou ralentir un moteur à courant alternatif par freinage sur court-circuit ou sur résistance
71.
SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND WAFER-ATTACHED STRUCTURE
A method for manufacturing a semiconductor device includes a step of preparing a semiconductor wafer source which includes a first main surface on one side, a second main surface on the other side and a side wall connecting the first main surface and the second main surface, an element forming step of setting a plurality of element forming regions on the first main surface of the semiconductor wafer source, and forming a semiconductor element at each of the plurality of element forming regions, and a wafer source separating step of cutting the semiconductor wafer source from a thickness direction intermediate portion along a horizontal direction parallel to the first main surface, and separating the semiconductor wafer source into an element formation wafer and an element non-formation wafer after the element forming step.
H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
B23K 26/53 - Travail par transmission du faisceau laser à travers ou dans la pièce à travailler pour modifier ou reformer le matériau dans la pièce à travailler, p. ex. pour faire des fissures d'amorce de rupture
H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe
H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test
A power control device includes: an output voltage controller configured to control an output voltage based on a feedback voltage corresponding to the output voltage; and an overvoltage protector configured to continue or stop the operation of the output voltage controller based on a first detection result of whether the output voltage has exceeded an output voltage threshold value and a second detection result of whether the feedback voltage has fallen to or below a feedback voltage threshold value.
H02H 7/12 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés aux machines ou aux appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou de ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un changement indésirable des conditions normales de travail pour convertisseursCircuits de protection de sécurité spécialement adaptés aux machines ou aux appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou de ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un changement indésirable des conditions normales de travail pour redresseurs pour convertisseurs ou redresseurs statiques
G05F 1/56 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
G05F 1/569 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final sensible à une condition du système ou de sa charge en plus des moyens sensibles aux écarts de la sortie du système, p. ex. courant, tension, facteur de puissance à des fins de protection
G05F 1/571 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final sensible à une condition du système ou de sa charge en plus des moyens sensibles aux écarts de la sortie du système, p. ex. courant, tension, facteur de puissance à des fins de protection avec détecteur de surtension
G05F 1/575 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final caractérisé par le circuit de rétroaction
G05F 1/595 - Dispositifs à semi-conducteurs connectés en série
H02H 1/00 - Détails de circuits de protection de sécurité
H02H 3/20 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension
H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
A semiconductor device includes at least one terminal, and the terminal includes a cylindrical holder having electrical conductivity and a metal pin inserted in the holder. The semiconductor device further includes a terminal support supporting the holder, and a sealing resin covering a part of the holder and covering the terminal support. The sealing resin includes a resin obverse surface facing a first side in a thickness direction. The holder includes a first surface located at one end on the first side in the thickness direction and a first outer side surface extending in the thickness direction. The first surface is located at a position different from the resin obverse surface in the thickness direction. The first outer side surface is in contact with the sealing resin. The metal pin protrudes beyond the resin obverse surface toward the first side in the thickness direction.
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
A semiconductor module includes a cooling unit and a semiconductor device attached to the cooling unit. The cooling unit includes a housing and a heat dissipating member. The housing includes a recess and a bottom portion. The heat dissipating member is attached to the bottom portion and at least partly accommodated in the recess. The recess includes an inlet and an outlet. The semiconductor device includes a substrate that includes a heat dissipating layer covering the recess. The heat dissipating layer includes a base surface facing the recess and a depression recessed from the base surface. The depression overlaps with the recess in plan view.
H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
75.
LIGHT EMITTING ELEMENT DRIVING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE
A light emitting element driving device is configured to drive a light emitting element, the light emitting element driving device includes: a switch driving unit configured to drive a switch connectable to a negative end of the light emitting element the positive end of which is grounded; and an overcurrent detection unit configured to detect an overcurrent based on a voltage generated across both ends of a current detection resistor connected to a negative side of the switch and the switch driving unit is configured to switch the switch to an off-state when the overcurrent detection unit detects the overcurrent.
H05B 47/25 - Circuits de protection contre un excès de courant
H05B 45/14 - Commande de l'intensité de la lumière à l'aide d'une rétroaction électrique provenant de LED ou de modules de LED
H05B 45/325 - Modulation de la largeur des impulsions [PWM]
H05B 45/375 - Alimentation du circuit à découpage [SMPS] en utilisant une topologie de dévoltage
H05B 45/54 - Circuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED] réagissant aux dysfonctionnements des LED ou à un comportement indésirable des LEDCircuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED] sensibles à la vie des LEDCircuits de protection dans un ensemble sériel de LED
H05B 47/14 - Commande de la source lumineuse en réponse à des paramètres détectés en détectant les paramètres électriques de la source lumineuse
A switching power supply includes: a first amplifier configured to output a first error signal commensurate with a difference between an output voltage or a feedback voltage commensurate therewith and a predetermined reference voltage; a second amplifier configured to output a second error signal commensurate with a different between the feedback voltage and the first error signal; a ramp signal generation circuit configured to generate a ramp signal; a pulse width modulation (PWM) comparator configured to generate an off signal by comparing the second error signal with the ramp signal; a control circuit configured to generate a control signal based on the off signal; and a switching output circuit configured to generate the output voltage based on the control signal.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
77.
HEAT TREATMENT APPARATUS AND METHOD OF OPERATING THEREOF
A heat treatment apparatus includes a semiconductor substrate; a carbon susceptor on which the semiconductor substrate is placed; a first heating device; an optical system for condensing light output from the first heating device and irradiating the surface of the semiconductor substrate; and a second heating device which faces the semiconductor substrate across the carbon susceptor and is arranged at a distance from the carbon susceptor. The semiconductor substrate is heated to a first temperature by the second heating device; and the semiconductor substrate is heated to a second temperature higher than the first temperature by the first heating device with the optical system that condenses light and irradiates the semiconductor substrate.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
C23C 16/48 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement par irradiation, p. ex. par photolyse, radiolyse ou rayonnement corpusculaire
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
A semiconductor light emitting device includes: a substrate having a substrate front surface; a first front surface electrode, a second front surface electrode, and a third front surface electrode that are formed on the substrate front surface; an edge light emitting element that includes a first light emitting surface facing in a direction intersecting a thickness direction perpendicular to the substrate front surface and a second light emitting surface facing in a direction opposite to the first light emitting surface, and is electrically connected to the first front surface electrode; and a light receiving element that includes a second element front surface having a light receiving region and is electrically connected to the second front surface electrode and the third front surface electrode with the second element front surface facing the second light emitting surface.
The present disclosure provides a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a first process of forming a first layer on a main surface of a wafer, wherein the first layer has a reference mark for measuring a positional deviation of a resist relative to a first element pattern for a semiconductor element; a second process of forming the resist on the first layer to cover the reference mark and the first element pattern; a third process of exposing and developing the resist to form a positional deviation determination pattern overlapping the reference mark in a plan view; a peripheral pattern surrounding the positional deviation determination pattern in the plan view; and a second element pattern for the semiconductor element; and a fourth process of determining a positional deviation of the second element pattern with respect to the first element pattern.
H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
A semiconductor device includes: a semiconductor chip having a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface; a first drain region of first conductivity type formed in a surface layer portion of the first main surface; a back gate region of second conductivity type spaced apart from the first drain region in the surface layer portion of the first main surface; a source region of the first conductivity type spaced inward from a peripheral edge of the back gate region in a surface layer portion of the back gate region; a back gate contact region of the second conductivity type electrically isolated from the source region in the surface layer portion of the back gate region; and a gate electrode facing a channel region formed in the back gate region between the peripheral edge of the back gate region and the source region.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
A semiconductor device includes: a semiconductor chip having a main surface; an output region formed over the main surface with output elements being arranged in the output region; an inner element region surrounded by the output region and insulated and isolated from the output region with a first element different from the output elements being arranged in the inner element region; a first wiring layer formed over the main surface so as to cover the output region, and including a first output wiring electrically connected to the output elements; and a second wiring layer formed over the first wiring layer, and including second output wirings electrically connected to the first output wiring and a connection wiring insulated and isolated from the second output wirings, the connection wiring extending across the output region from the inner element region to an outer region outside the output region.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 23/34 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
A semiconductor integrated circuit device includes: a first terminal configured to receive a first voltage; a part of a charge pump circuit configured to output a second voltage obtained by stepping down the first voltage received from the first terminal; at least a part of a linear power supply circuit configured to output a third voltage obtained by stepping down the second voltage received from the charge pump circuit; an internal circuit configured to use the third voltage received from the linear power supply circuit as a power supply voltage; a second terminal configured such that a first end of an external resistor included in the charge pump circuit is connected to the second terminal; and a third terminal configured such that a second end of the external resistor is connected to the third terminal.
H02P 27/04 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p. ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs
H02P 25/066 - Moteurs linéaires du type synchrone du type pas à pas
A semiconductor device includes a first die pad, a second die pad, a first semiconductor element, a second semiconductor element, an insulating element, first terminals, second terminals, and a sealing resin. The sealing resin has a top surface, a bottom surface, and a first side surface connected to the top surface and the bottom surface. The first side surface includes a first region connected to the top surface, a second region connected to the bottom surface, and a third region connected to the first region and the second region, the plurality of first terminals being exposed to the third region. A surface roughness of each of the top surface, the bottom surface, the first region, and the second region is larger than a surface roughness of the third region.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
The present disclosure provides a thermal print head. The thermal print head includes: a heat resistor, a first electrode and a second electrode. The first electrode includes a base portion and an extension portion. The extension portion includes a first strip portion and a second strip portion. A first width of the first strip portion is less than a second width of the base portion at a conjunction between the second strip portion and the base portion. A third width of the second strip portion at the conjunction between the second strip portion and the base portion is less than the second width. A width of at least a portion of the second strip portion is equal to or less than the first width. A length of the second strip portion is greater than a half of a difference between a length of the first strip portion and a width of the heat resistor.
A semiconductor device according to the present invention is provided with a gate trench that is formed in a semiconductor layer, and a gate electrode that is embedded in the gate trench, with an insulating layer interposed therebetween. The gate trench includes a first outer peripheral gate trench section that is provided in an outer peripheral region thereof, and a second outer peripheral gate trench section that is provided outward of the first outer peripheral gate trench section. The semiconductor device is provided with, in the semiconductor layer, a first floating trench that is formed in a region between the first outer peripheral gate trench section and the second outer peripheral gate trench section, and a first floating electrode that is embedded in the first floating trench, with an insulating layer interposed therebetween, and that is in an electrically floating state.
A semiconductor device includes a semiconductor layer that is of a first conductivity type, a body region of a second conductivity type, a source region to be separated inwardly from an outer edge of the body region, a drain region formed on a surface of the semiconductor layer so as to be separated from the body region in a first direction orthogonal to a thickness direction of the semiconductor layer, a gate insulating layer formed on a portion of the surface of the semiconductor layer between the source region and the drain region in the first direction, a gate electrode that is formed on the gate insulating layer, an exposed region that is formed in the body region at a different position from the source region and in which the semiconductor layer is exposed, and a metal layer that forms a Schottky junction with the exposed region.
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
Systems and methods relating to battery disconnect units are disclosed. An example integrated circuit includes a first transistor operable for coupling to a first end of a coil of a DC contactor via a first pin, a second transistor operable for coupling to a second end of the coil of the DC contractor via a second pin, a third pin operable to receive an enable signal, wherein the second transistor is operable to be activated based on the enable signal and a timer operable to be activated based on the enable signal. The integrated circuit also includes circuitry operable to: in response to activating the second transistor, increase average current in the coil of the DC contactor to a first target level; in response to the timer indicating that a predetermined amount of time has elapsed, adjust the average current in the coil to a second target level, wherein the second target level is lower than the first target level; maintain an average current in the coil at the second target level until a disable signal is received via the third pin; and deactivate the second transistor in response to receiving the disable signal.
H02H 3/087 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge pour des systèmes à courant continu
B60L 3/04 - Coupure de l'alimentation en énergie en cas de fausse manœuvre
H01H 47/00 - Circuits autres que ceux appropriés à une application particulière du relais et prévue pour obtenir une caractéristique de fonctionnement donnée ou pour assurer un courant d'excitation donné
A nitride semiconductor device includes a nitride semiconductor layer including a first superlattice buffer layer, a second superlattice buffer layer formed above the first superlattice buffer layer, an electron transit layer formed above the second superlattice buffer layer and composed of a first nitride semiconductor, and an electron supply layer formed above the electron transit layer and composed of a second nitride semiconductor. The first superlattice buffer layer has a first superlattice structure including a first layer and a second layer alternately arranged. The first layer is composed of AlxGa1−xN, where 0
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/15 - Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
H01L 29/205 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV comprenant plusieurs composés dans différentes régions semi-conductrices
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
89.
Semiconductor Device, Semiconductor System and Switching Power Device
The present disclosure provides a semiconductor device, including: a synchronous input terminal; a synchronous output terminal; a functional circuit, having a reference clock signal generating circuit operable to generate a reference clock signal; a signal output circuit, connected to the synchronous output terminal; and a mode setting circuit, for setting an operation mode of the functional circuit and the signal output circuit to a first mode or a second mode through a mode determination process. The functional circuit is operable to perform a predetermined functional operation in synchronization with the reference clock signal in the first mode, and perform the functional operation in synchronization with an input clock signal transmitted to the synchronous input terminal from another semiconductor device in the second mode. The signal output circuit is operable to output a clock signal based on the reference clock signal from the synchronous output terminal in the first mode.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
The semiconductor device includes a semiconductor layer which has a main surface, a switching device which is formed in the semiconductor layer, a first electrode which is arranged on the main surface and electrically connected to the switching device, a second electrode which is arranged on the main surface at an interval from the first electrode and electrically connected to the switching device, a first terminal electrode which has a portion that overlaps the first electrode in plan view and a portion that overlaps the second electrode and is electrically connected to the first electrode, and a second terminal electrode which has a portion that overlaps the second electrode in plan view and is electrically connected to the second electrode.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
An I/O circuit is formed by combining plural types of standard cells contained in a cell library. For example, the standard cell includes a first element forming region having, formed therein, protection target elements each having a gate electrically connected to an external terminal, a second element forming region arranged in immediate proximity to the external terminal and having first protection elements formed therein, and a third element forming region arranged between the first and second element forming regions and having transistors formed therein. The transistors each have a drain connected to gates of the protection target elements and a source, gate, and back gate all connected to a power supply or ground terminal, thus functioning as a second protection element.
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
An SiC semiconductor device includes an SiC semiconductor layer of a first conductivity type having a main surface, a source trench formed in the main surface and having a side wall and a bottom wall, a source electrode embedded in the source trench and having a side wall contact portion in contact with a region of the side wall of the source trench at an opening side of the source trench, a body region of a second conductivity type formed in a region of a surface layer portion of the main surface along the source trench, and a source region of the first conductivity type electrically connected to the side wall contact portion of the source electrode in a surface layer portion of the body region.
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
93.
POWER SUPPLY CONTROLLER AND SWITCHING POWER SUPPLY
A power supply controller provided in a switching power supply which generates output voltage from input voltage and configured to control operation of the switching power supply includes: an output stage including an output element between an application terminal for the input voltage and a switch terminal, and a rectifier element between the switch terminal and a reference potential terminal; a control circuit to generate control signal according to the output voltage; and an output element drive circuit to turn on or off the output element according to the control signal by drive voltage for turning on the output element, wherein when switching the output element from an off state to an on state, the output element drive circuit switches the output element from the off state to the on state by the drive voltage having first voltage and increases the drive voltage to second voltage.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
The present disclosure provides an electronic component mounting board. The electronic component mounting board includes a printed circuit board, an electronic component and a sealing resin. The printed circuit board has a main surface. The electronic component is mounted on the main surface. The sealing resin is disposed on the main surface to cover the electronic component. A groove is formed over the main surface, and the groove extends across a region between a side of the main surface and the electronic component in a plan view.
Provided is a shunt resistance including a resistive element layer, a first electrode layer laminated on a first side in a thickness direction of the resistive element layer, and a second electrode layer laminated on a second side in the thickness direction of the resistive element layer.
H01C 1/14 - Bornes ou points de prise spécialement adaptés aux résistancesDispositions de bornes ou points de prise sur les résistances
H01C 17/28 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de résistances adaptés pour appliquer les bornes
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans la sous-classe
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
A motor driver for driving a motor includes: a half-bridge output stage including a high-side transistor and a low-side transistor, the motor being connected to a connection terminal to which the high-side transistor and the low-side transistor are connected; and a control circuit configured to monitor a terminal voltage of the connection terminal. The control circuit is configured to turn off the high-side transistor and turn on the low-side transistor, and initiate a brake mode to stop the motor. In the brake mode, when the terminal voltage is lower than a first setting voltage, the control circuit is configured to connect the connection terminal to an electric potential capable of maintaining the motor in a stopped state with the high-side transistor and the low-side transistor turned off.
H02P 3/08 - Dispositions pour l'arrêt ou le ralentissement de moteurs, génératrices électriques ou de convertisseurs dynamo-électriques pour arrêter ou ralentir individuellement un moteur dynamo-électrique ou un convertisseur dynamo-électrique pour arrêter ou ralentir un moteur à courant continu
Provided is a MEMS device including a substrate, a recessed portion, and a sensor unit positioned in the recessed portion, in which the sensor unit includes a first drive frame, a second drive frame, a first detection frame, a second detection frame, a first fixation frame, a second fixation frame, a first excitation unit, a second excitation unit, a first movable electrode, a second movable electrode, a first fixation electrode, a second fixation electrode, a third fixation electrode, and a fourth fixation electrode, in which each of the first fixation electrode and the second fixation electrode is coupled to the first fixation frame through an isolation joint, the isolation joint being configured to electrically insulate and mechanically couple two members, and each of the third fixation electrode and the fourth fixation electrode is coupled to the second fixation frame through the isolation joint.
Provided is a magnetoelectric conversion element including a substrate including a compound semiconductor, a magnetic sensitive layer formed in a predetermined pattern on a top surface of the substrate, a selective growth mask layer formed on the top surface to cover the magnetic sensitive layer such that the magnetic sensitive layer is exposed in a predetermined pattern, a contact layer formed on the magnetic sensitive layer exposed from the selective growth mask layer, a contact resistance to metal of the contact layer being lower than a contact resistance to metal of the magnetic sensitive layer, and a metal electrode layer formed in a predetermined pattern on the selective growth mask layer and the contact layer in such a manner as to cover at least the contact layer, in which each of the magnetic sensitive layer and the contact layer includes the compound semiconductor.
A semiconductor device, includes: a semiconductor element having element main surface and element back surface spaced apart from each other in thickness direction and including a plurality of main surface electrodes arranged on the element main surface; a die pad having a die pad main surface where the semiconductor element is mounted; a plurality of leads including at least one first lead arranged on one side in first direction orthogonal to the thickness direction with respect to the die pad, and arranged around the die pad when viewed in the thickness direction; a plurality of connecting members including a first connecting member bonded to the at least one first lead, and configured to electrically connect the main surface electrodes and the leads; and a resin member configured to seal the semiconductor element, a part of the die pad, parts of the leads, and the connecting members.
A semiconductor device includes an SiC semiconductor layer which has a first main surface on one side and a second main surface on the other side, a semiconductor element which is formed in the first main surface, a raised portion group which includes a plurality of raised portions formed at intervals from each other at the second main surface and has a first portion in which some of the raised portions among the plurality of raised portions overlap each other in a first direction view as viewed in a first direction which is one of the plane directions of the second main surface, and an electrode which is formed on the second main surface and connected to the raised portion group.
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
brevets
