- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 30/222 - Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant une seule barrière de potentiel, p. ex. photodiodes la barrière de potentiel étant une hétérojonction PN
Détention brevets de la classe H10F 30/222
Brevets de cette classe: 16
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
2
|
0
|
11
|
| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 149087 |
1 |
| Canon Inc. | 41108 |
1 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 15780 |
1 |
| Hamamatsu Photonics K.K. | 4492 |
1 |
| Alphamicron Incorporated | 87 |
1 |
| Raynergy Tek Inc. | 111 |
1 |
| Sensor Electronic Technology, Inc. | 469 |
1 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 10823 |
1 |
| STMicroelectronics International N.V. | 3534 |
1 |
| United Arab Emirates University | 347 |
1 |
| University of South Carolina | 836 |
1 |
| PowerCubeSemi. INC | 13 |
1 |
| TCL Technology Group Corporation | 602 |
1 |
| The Royal Institution for The Advancement of Learning / McGill University | 707 |
1 |
| Sony Group Corporation | 14537 |
1 |
| Guangdong Juhua Research Institute of Advanced Display | 28 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |